JP2001007017A - レジスト剥離装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト剥離処理を高速で行うことが可能
で、装置長さの短縮およびフットプリントの小型化を実
現可能な枚葉式レジスト剥離装置を提供すること。 【解決手段】 剥離処理部は、ガラス基板１４を搬送す
るための搬送ローラ１３…、剥離液供給シャワーノズル
１１ｂ、および、超音波ノズル１８を備えている。ガラ
ス基板１４のレジスト被処理面に対し、剥離液供給シャ
ワーノズル１１ｂよりレジスト剥離液１１ａの供給が開
始される。一方、レジスト被処理面の背向面に対して
は、超音波が照射された液体１８ａが、超音波ノズル１
８より供給される。該背向面に伝播された超音波振動
は、レジスト被処理面上のレジスト剥離液１１ａに伝播
され、フォトレジスト１５の剥離・溶解が迅速に行われ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジストを剥離・
除去するレジスト剥離装置に関し、より具体的には、例
えば、液晶表示素子の製造工程等において、フォトリソ
グラフィー等で使用されるフォトレジストを剥離・除去
するレジスト剥離装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、基板に塗布されたレジストの剥
離処理は、１）複数枚の基板に対し、レジスト剥離処理
を同時に施すバッチ式、または、２）基板一枚ずつに対
し、レジスト剥離処理を施す枚葉式、のいずれかの方式
により行われる。バッチ式は、複数枚の基板を同時に処
理することができるため、処理能力が高いという利点を
有する。しかしながら、扱う基板サイズが大型化するに
伴い、レジスト剥離液として、剥離処理槽に貯められる
有機溶剤等の容量も増加し、安全性の面からも課題は多
い。

【０００３】一方、枚葉式においてレジスト剥離処理
は、一般的には、１）基板を、レジスト剥離液を貯めた
剥離処理槽に浸漬するディップ式、２）基板のレジスト
被処理面に、レジスト剥離液を噴霧するシャワー式、お
よび、３）それらの共用型、等の方法が用いられてお
り、ディップ式には剥離処理槽底部に超音波振動板が取
り付けられているものもある。

【０００４】枚葉式では、基板を一枚ずつ処理するため
に、有機溶剤使用量は、上記バッチ式と比較して少なく
すみ、特に、対角１ｍ以上の大型基板には有用な方式で
ある。しかしながら、レジスト剥離処理にかかる時間が
律速となるため、枚葉式は、バッチ式と比較して処理能
力が一般に劣っている。

【０００５】そこで、枚葉式において処理能力を向上さ
せるために、例えば、レジスト剥離処理を行う処理室
（剥離処理部）を長く設計することが考えられる。しか
しながら、該処理室を長く設計すれば、装置フットプリ
ントの大型化、および、有機溶剤使用量の増加を招き、
枚葉式の有用性が薄れることとなる。また、ディップ式
で、剥離処理槽底部に超音波振動板が取り付けられた構
成では、超音波振動の利用によりレジスト剥離処理能力
が向上することが期待されるが、処理される基板を剥離
処理槽にディップする必要があるため、有機溶剤使用量
の増加など、同様の問題を招来することとなる。

【０００６】また、枚葉式にかかる上記１）〜３）のい
ずれの方法も、レジスト剥離液を循環・再使用する型で
あり、バッチ式と比較すれば少ないものの一定量のレジ
スト剥離液（有機溶剤）を貯めておくことのできる循環
用タンク等を設ける必要がある。したがって、スペース
のロス、危険性の増大等の問題も生じることとなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】枚葉式レジスト剥離装
置において、レジスト被処理物に損傷を与えることなく
レジスト剥離処理の速度を向上させて、装置フットプリ
ントや、剥離処理部の長さ（装置長さ）を可能な限り小
さくすることは、クリーンルーム空間の有効利用に関連
し、製造コストの低減に必要不可欠な課題である。ま
た、有機溶剤に代表されるレジスト剥離液の使用量を低
減することは、材料費・廃液の処理費用等の低減のみな
らず、産業廃棄物の総量の低減といった環境問題等にも
密接に関係し、今後の産業界の重要な課題である。

【０００８】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、レジスト被処理物に
損傷を与えることなくレジスト剥離処理を高速で行うこ
とが可能で、装置長さの短縮およびフットプリントの小
型化を実現可能な枚葉式レジスト剥離装置を提供するこ
とにある。加えて、低材料消費型（すなわち、レジスト
剥離液の使用量低減型）の枚葉式レジスト剥離装置を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のレジスト剥離装
置は、上記の課題を解決するために、レジスト被処理物
のレジスト被処理面に対し、該被処理面上のレジストを
剥離するレジスト剥離液を供給する剥離液供給手段と、
レジスト剥離液が供給されたレジスト被処理面の背向面
に対し、超音波が照射された液体を供給する液体供給手
段とを備えた剥離処理部を有していることを特徴として
いる。

【００１０】上記の構成によれば、剥離液供給手段によ
り、レジスト被処理面に対してレジスト剥離液が供給さ
れる。続いて、液体供給手段により、レジスト被処理面
の背向面に対し超音波が照射された液体が供給される。
そして、該背向面に伝播された超音波振動は、レジスト
被処理物中を通りレジスト被処理面上のレジスト剥離液
に伝播される。その結果、レジスト被処理面からのレジ
ストの剥離、並びに、該剥離液中へのレジストの溶解を
促進することができるので、レジスト剥離にかかる時間
を飛躍的に短縮することができる（処理能力を飛躍的に
向上することができる）。加えて、レジスト剥離液の使
用量を低減することができる。したがって、レジスト剥
離装置の装置長さの短縮、フットプリントの小型化、並
びに、レジスト剥離液の使用量の低減を実現することが
できる。

【００１１】さらに、超音波振動がレジスト被処理面側
に間接的に伝搬されるので、レジスト被処理面側に直接
的に超音波振動が付与される場合と比較して、レジスト
被処理面上に形成された構成（回路パターン等）に損傷
を与えずにレジストのみを剥離することが可能となる。

【００１２】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、上記超音波の
周波数が、０．１ＭＨｚ〜５ＭＨｚの範囲内であること
を特徴としている。

【００１３】上記の構成によれば、レジスト被処理物に
損傷を与える虞なく、レジスト剥離にかかる時間を飛躍
的に短縮することができ、加えて、レジスト剥離液の使
用量を低減することができる。

【００１４】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、上記液体を加
熱する液体加熱手段を備えていることを特徴としてい
る。

【００１５】上記の構成によれば、超音波が照射（付
加）された液体は、液体加熱手段により加熱された後、
レジスト被処理面の背向面に対し供給される。そして、
超音波が照射された液体の有する熱は、レジスト被処理
面上のレジスト剥離液に間接的に伝達され、該レジスト
剥離液の温度を上昇させることができる。その結果、レ
ジスト剥離液中へのレジストの溶解を、さらに促進する
ことができるので、レジスト剥離にかかる時間を飛躍的
に短縮することができる。加えて、レジスト剥離液の使
用量を低減することができる。

【００１６】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、上記液体が、
レジスト剥離液であることを特徴としている。

【００１７】上記の構成によれば、レジスト被処理面の
背向面や、端面に付着したレジスト、および、ホットプ
レート処理時に、該背向面に付着した有機物汚れ等も除
去することができる。

【００１８】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、上記剥離液供
給手段により、レジスト被処理面毎に対し、上記レジス
ト剥離液が供給されることを特徴としている。

【００１９】上記の構成によれば、レジスト剥離液は、
剥離液供給手段によりレジスト被処理面毎に供給され
る。すなわち、レジスト剥離処理において使用されるレ
ジスト剥離液は、レジスト被処理面上に滴下（供給）さ
れた液のみであり、従来の枚葉シャワー方式の、単位処
理面積当たりに要する剥離液量と比較して、その使用量
を著しく低減することができる。また、従来の枚葉ディ
ップ方式の、単位面積当たりに要する剥離液量と比較し
ても、その使用量を著しく低減することができる。すな
わち、低材料消費型の枚葉式レジスト剥離装置を提供す
ることができる。

【００２０】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、上記レジスト
被処理物、および／または、レジスト剥離液を加熱する
加熱手段を備えていることを特徴としている。

【００２１】上記の構成によれば、レジスト剥離液の温
度を上昇させて、該剥離液中へのレジストの剥離（溶
解）を促進することができるので、レジスト剥離にかか
る時間を短縮することができる。加えて、レジスト剥離
液の使用量を低減することができる。したがって、レジ
スト剥離装置の装置長さの短縮、フットプリントの小型
化、並びに、レジスト剥離液の使用量の低減を実現する
ことができる。

【００２２】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、剥離したレジ
ストを含むレジスト剥離液を除去する剥離液除去手段を
さらに備えていることを特徴としている。

【００２３】上記の構成によれば、レジストの剥離完了
後、直ちにレジスト剥離液を除去することができるの
で、剥離処理部の長さを短縮することが可能となる。

【００２４】本発明のレジスト剥離装置は、上記の課題
を解決するために、上記の構成において、上記液体供給
手段に設けられ、超音波が照射された液体を上記背向面
に対して供給するための開口部が、１ｍｍ以上３０ｍｍ
以下の範囲内のギャップ幅を有してなることを特徴とし
ている。

【００２５】上記の構成によれば、レジスト被処理物に
損傷を与えることなく、レジスト剥離処理にかかる時間
を短縮することが可能となる。

【００２６】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について、図１に基づいて説明すれば、以下の通
りである。尚、これによって、本発明が限定されるもの
ではない。

【００２７】本実施の形態にかかるレジスト剥離装置は
枚葉式の剥離装置であり、例えば、液晶表示素子等の製
造工程において用いられるものである。その剥離処理部
は、図１に示すように、レジスト被処理物としてのガラ
ス基板１４の上方（斜め上方〜真上）に配された剥離液
供給シャワーノズル（剥離液供給手段）１１ｂ…、ガラ
ス基板１４の下方に配された超音波ノズル（液体供給手
段）１８、および、ガラス基板１４を進行方向に搬送す
るための搬送ローラ１３…を備えている。尚、ガラス基
板１４の上方・下方とはすなわち、該ガラス基板１４を
搬送する搬送手段の上方・下方と同義である。

【００２８】剥離液供給シャワーノズル１１ｂ…は、ガ
ラス基板１４の進行方向（搬送方向）に沿って所定の間
隔をおいて配されており、ガラス基板１４のレジスト被
処理面にレジスト剥離液１１ａを供給する役割を有して
いる。また、超音波ノズル１８は、上記進行方向最上流
側に位置する剥離液供給シャワーノズル１１ｂ₁ に対し
該進行方向下流側に配されており、レジスト剥離液１１
ａが供給されたレジスト被処理面の背向面（裏面）に、
超音波が照射された液体１８ａを供給する役割を有して
いる。尚、一つの剥離処理部内に設けられる、剥離液供
給シャワーノズル１１ｂ…および超音波ノズル１８の数
は、特に限定されるものではない。

【００２９】また、図示しないが、剥離処理部の上流側
（ガラス基板１４の進行方向の上流側）には、ローダ部
が設けられている。該ローダ部は、ガラス基板１４を複
数枚（例えば、２０枚）収納可能な搬送専用のカセット
から、順次一枚ずつ取り出し、図１に示す剥離処理部側
に、一定距離間隔をあけて水平に送り出すものである。
ガラス基板１４…（一枚のみ図示）の搬送速度は６００
ｍｍ／分であり、レジスト剥離装置内のすべてのユニッ
トで共通である。さらに、図示しないが、剥離処理部の
下流側には、上流側から順に、リンス処理部、水洗処理
部、乾燥部、並びに、アンローダ部が設けられている。

【００３０】ローダ部により送り出されたガラス基板１
４は、搬送ローラ１３…によりレジスト被処理面の背向
面（裏面）を当接支持された状態で、レジスト被処理面
を上面として水平に搬送され、剥離処理部内へと搬入さ
れる。該剥離処理部内に設けられた剥離液供給シャワー
ノズル１１ｂ…は、例えば、ガラス基板１４が剥離処理
部内を搬送される間、レジスト剥離液１１ａを連続的に
供給する。この結果、レジスト被処理面上全体に、レジ
スト剥離液１１ａの層が形成される。レジスト剥離液１
１ａの種類は特に限定されるものではなく、フォトレジ
スト（レジスト）１５の種類等により適宜選択すればよ
い。本実施の形態においては、ＥＬＭ−Ｒ１０（商品
名：三菱ガス化学株式会社製）を使用している。

【００３１】尚、レジスト被処理面に対するレジスト剥
離液１１ａの供給方法は、特に限定されるものではな
く、具体的には、例えば、レジスト剥離液１１ａを滴下
する方法、噴霧する方法、吐出する方法、等を挙げるこ
とができる。

【００３２】一方、レジスト剥離液１１ａの層が形成さ
れたレジスト被処理面の背向面（裏面）に対しては、超
音波ノズル１８より超音波シャワー（液体１８ａ）がラ
イン状に照射される。超音波シャワーの照射方向は、特
に限定されるものではなく、例えば、該背向面に対して
略垂直な（ガラス基板１４の進行方向と直角な）方向、
等を挙げることができる。

【００３３】レジスト被処理面の背向面に対して超音波
シャワーが照射されると、超音波振動が、ガラス基板１
４内部を通過して、レジスト被処理面上のレジスト剥離
液１１ａの層に伝播される。その結果、レジスト剥離液
１１ａとフォトレジスト１５との反応が促進される。す
なわち、レジスト被処理面からのフォトレジスト１５の
剥離、並びに、該剥離液１１ａ中へのフォトレジスト１
５の溶解を促進することができ、レジスト剥離処理にか
かる時間を、従来のものと比較して飛躍的に短縮するこ
とが可能となる。したがって、レジスト剥離装置（よ
り、具体的には、剥離処理部）の装置長さの短縮、並び
に、フットプリントの小型化を実現することができる。
加えて、レジスト剥離液１１ａの使用量を低減すること
が可能となるので、例えば、該剥離液１１ａを貯蔵する
スペースの縮小や、該剥離液１１ａを貯蔵することによ
る危険性の低減を実現することが可能となる。

【００３４】また、本願発明の構成とは異なり、レジス
ト被処理面側に直接的に超音波振動が付与される構成で
あってもレジスト剥離処理の速度が向上されることは期
待されるが、本願発明の構成では、超音波振動がレジス
ト被処理面側に間接的に伝搬されるため、該レジスト被
処理面上に形成された構成（回路パターン等）に損傷を
与えずにフォトレジスト１５のみを剥離することが可能
となるという効果も奏する。

【００３５】尚、レジスト被処理面に対して供給される
レジスト剥離液１１ａが予め加熱されていれば、レジス
ト剥離処理にかかる時間をさらに短縮し、レジスト剥離
液１１ａの使用量をさらに低減するという効果が得られ
る。

【００３６】液体１８ａに照射される超音波の周波数
は、特に限定されるものではないが、０．１ＭＨｚ〜５
ＭＨｚの範囲内であることが好ましく、０．３ＭＨｚ〜
３ＭＨｚの範囲内であることがより好ましく、０．５Ｍ
Ｈｚ〜１．５ＭＨｚの範囲内であることがさらに好まし
い。該周波数が、上記範囲内にあれば、レジスト被処理
物（ガラス基板１４）に損傷を与える虞なく、レジスト
剥離処理にかかる時間を飛躍的に短縮することができ
る。

【００３７】また、液体１８ａの組成は特に限定される
ものではないが、レジスト剥離液１１ａであることがよ
り好ましい。これによれば、レジスト被処理物の端面に
付着したフォトレジスト、および、フォトリソグラフィ
ー工程のホットプレート処理（加熱処理）時等に、該背
向面に付着したフォトレジスト等の有機物汚れ等も除去
することができる。

【００３８】通常、レジスト被処理面の背向面に付着す
るフォトレジストの量は少ないため、液体１８ａとして
レジスト剥離液１１ａが使用される場合、該液体１８ａ
の寿命は、通常使用されるレジスト剥離液１１ａ（すな
わち、レジスト被処理面に供給されるもの）の１０倍以
上あり、循環・再使用することが容易である。尚、レジ
スト被処理面の背向面に、例えば、フォトレジスト等の
有機物汚れが無い場合には、液体１８ａとして、例えば
純水を使用すればよい。

【００３９】ガラス基板１４は、続いて、リンス処理部
に搬送される。リンス処理部は、ガラス基板１４に残存
したレジスト剥離液１１ａを、例えば、ＤＭＳＯ液から
なるリンス液で置換し、下流に続く水洗処理部にレジス
ト剥離液１１ａおよびフォトレジストが持ちこまれるこ
とを防止するためのものである。すなわち、水洗処理部
にレジスト剥離液１１ａおよびフォトレジストが持ち込
まれることに起因する、１）該水洗処理部に貯えられた
純水がアルカリ性を呈し、ガラス基板１４上に形成され
た配線（特に、アルミニウム系材料よりなるもの）を腐
食する問題、２）排水処理設備の負担が増加する問題、
等の発生を防止することを目的として設けられるもので
ある。尚、本実施の形態においては、剥離液供給シャワ
ーノズル１１ｂ…よりレジスト剥離液１１ａが連続的に
供給されるため、剥離・溶解したフォトレジスト１５の
大部分は、リンス処理部に搬入される時点で、レジスト
被処理面よりすでに洗い落とされている。

【００４０】リンス処理部の下流に配された水洗処理部
においては、始めに、ガラス基板１４の上下方からのシ
ャワー洗浄によりリンス液が除去される。続いて、メガ
ソニックシャワーにて、ガラス基板１４に付着した有機
物等の微粒子が除去される。

【００４１】水洗処理部において洗浄されたガラス基板
１４は、乾燥部に備えられたエアーナイフにより、その
両面が液切り・乾燥され、続いて、アンローダ部にて、
カセットに収納されることによりレジスト剥離作業が完
了する。ＴＦＴ（Thin FilmTransistor) 基板の製造工
程では、このようなレジスト剥離作業が５〜７回繰りか
えし行われる。

【００４２】尚、ガラス基板１４の搬送手段は、特に搬
送ローラ１３…に限定されるものではない。また、剥離
液供給シャワーノズル１１ｂ…が、ガラス基板１４のレ
ジスト被処理面のほぼ全面に対して設けられている場合
等には、レジスト剥離液１１ａ供給時に、ガラス基板１
４は搬送停止の状態であってもよい。

【００４３】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について、図２に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。尚、これによって、本発明が限定されるものではな
い。また、説明の便宜上、実施の形態１の部材と、同一
の機能・構造を有する部材については、同一の番号を付
し、その説明を省略する。

【００４４】本実施の形態のレジスト剥離装置と、上記
実施の形態１にかかるレジスト剥離装置との相違点は、
図２に示すように、剥離処理部に、１）剥離液供給手段
として剥離液供給シャワーノズル１１ｂ…に代えて剥離
液供給ノズル１１を設けた点、２）レジスト剥離液１１
ａ（およびレジスト被処理物としてのガラス基板１４）
を加熱するためのヒータ（加熱手段）１６、および、ホ
ットプレート（加熱手段）１７をさらに設けた点にあ
る。

【００４５】剥離液供給ノズル１１の設置位置は、搬送
ローラ１３…の上方であれば特に限定されるものではな
いが、レジスト剥離処理の開始タイミングを早め、剥離
処理部の長さを短縮することができるように、剥離処理
部内の入口近傍とすることがより好ましい。また、超音
波ノズル１８は、剥離液供給ノズルに対し、ガラス基板
１４の進行方向下流側に配されている。尚、一つの剥離
処理部内に設けられる、剥離液供給ノズル１１および超
音波ノズル１８の数は、限定されるものではない。

【００４６】剥離処理部の上流側に位置するローダ部に
より送り出されたガラス基板１４は、搬送ローラ１３…
によりレジスト被処理面の背向面（裏面）を当接支持さ
れた状態で、レジスト被処理面を上面として水平に搬送
される。そして、剥離処理部内の入口近傍に配された剥
離液供給ノズル１１のノズル口と、ガラス基板１４の先
頭部とが、ほぼ同じ位置にくるタイミングで、レジスト
被処理面に対するレジスト剥離液１１ａの供給が開始さ
れ、上記ノズル口と、ガラス基板１４の後端部とが、ほ
ぼ同じ位置にくるタイミングでレジスト剥離液１１ａの
供給が停止される。すなわち、レジスト被処理面毎（の
み）に、より具体的には、ガラス基板１４の端部よりレ
ジスト剥離液１１ａがこぼれ落ちることのないように、
該剥離液１１ａの供給が行われる。

【００４７】上記のレジスト剥離液１１ａは、フォトレ
ジスト（レジスト）１５の種類等により適宜選択すれば
よい。本実施の形態においては、ＤＭＳＯ（ジメチルス
ルホキシド）とＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）との混
合溶液を使用している。また、レジスト被処理面上のレ
ジスト剥離液１１ａの液厚は、約１ｍｍであり、これ
は、通常、１μｍ〜２μｍの層厚で施されるフォトレジ
スト１５を溶解するには充分の量である。

【００４８】剥離液供給ノズル１１のノズル口の形状
は、特に限定されるものではないが、本実施の形態にお
いてはスリット形状であり、ガラス基板１４の幅長と同
等の幅長を有している。したがって、レジスト被処理面
上全体に、均一な液厚でレジスト剥離液１１ａを供給す
ることができる。尚、レジスト被処理面に対し、均一な
液厚でレジスト剥離液１１ａを供給する方法は、特に上
記説明のものに限定されるものではない。具体的には、
例えば、剥離液供給ノズル１１近傍の搬送ローラ１３…
を、下流側のものが下となるようにやや傾斜配設してお
き、ガラス基板１４の後端部付近に供給されたレジスト
剥離液１１ａを、傾斜を利用して一様に伸展させる方
法、等を例示することができる。

【００４９】本実施の形態にかかるレジスト剥離装置に
おいて、ガラス基板１４は、該装置内を所定の速度で搬
送されている。したがって、レジスト剥離液１１ａの供
給のタイミングは、ガラス基板１４の所定位置（例え
ば、先頭部・後端部）が、剥離液供給ノズル１１の位置
に到達するタイミングを予め計算しておくことで、容易
にもとめることができる。

【００５０】しかしながら、場合によっては、剥離液供
給ノズル１１によるレジスト剥離液１１ａの供給開始・
停止のタイミングの調整を、例えば、基板先頭位置検出
センサ等のタイミング調整手段を設けることにより行う
ことも可能である。

【００５１】上記のタイミング調整手段を設けることに
より、ガラス基板１４の搬送不良等に起因する、レジス
ト剥離液１１ａの供給のタイミングずれを防止すること
が可能となる。加えて、レジスト剥離液１１ａの供給開
始・停止のタイミングを正確に調整することができるた
め、レジスト剥離処理の仕上がり状態を、さらに均一・
清浄とすることが可能となるとともに、レジスト剥離液
１１ａの使用量をさらに低減することが可能となる。

【００５２】上記の方法のように、ガラス基板１４のレ
ジスト被処理面毎に対してレジスト剥離液１１ａの供給
を行うことで、レジスト剥離液１１ａの使用量を大幅に
低減することができる。より、具体的には、従来の枚葉
シャワー方式の、単位処理面積（例えば、レジストが施
された基板一枚）当たりに要する剥離液量（レジスト剥
離液を循環・再使用しないと仮定した場合）と比較し
て、その使用量を著しく低減することができる。また、
従来の枚葉ディップ方式の、単位面積当たりに要する剥
離液量（レジスト剥離液を循環・再使用しないと仮定し
た場合）と比較しても、その使用量を１／２程度に低減
することができる。

【００５３】また、レジスト被処理面上に、均一な液厚
で、新しいレジスト剥離液１１ａが供給される（レジス
ト剥離液１１ａを循環・再使用しない場合）ので、レジ
スト剥離処理の仕上がり状態を均一・清浄とし、製品品
質・製品歩留りの向上を実現することができる。尚、場
合によってはレジスト剥離液１１ａを循環・再利用可能
であることは、上記実施の形態１と同様である。

【００５４】レジスト剥離液１１ａ供給開始後、ガラス
基板１４が下流側に搬送される過程で、レジスト被処理
面上のフォトレジスト１５は、レジスト剥離液１１ａ中
に溶解する。レジスト剥離液１１ａへのフォトレジスト
１５の溶解は、ガラス基板１４内部を通過してレジスト
被処理面上のレジスト剥離液１１ａの層に伝播された超
音波振動により促進されることは、上記実施の形態１と
同様である。

【００５５】この時、上記のヒータ１６、および、ホッ
トプレート１７により、レジスト被処理面上のレジスト
剥離液１１ａが昇温されると、該剥離液１１ａ中へのレ
ジストの溶解をさらに促進することができるので、レジ
スト剥離にかかる時間を短縮することができる。したが
って、レジスト剥離装置（より、具体的には、剥離処理
部）の装置長さの短縮、並びに、フットプリントの小型
化をさらに容易に実現することができる。

【００５６】上記の加熱手段は、レジスト被処理面上の
レジスト剥離液１１ａ、および／または、レジスト被処
理面上に供給される以前のレジスト剥離液１１ａ、を加
熱することが出来るものであれば、特に限定されるもの
ではない。具体的には、例えば、レジスト剥離液１１
ａ、ガラス基板１４、および、剥離処理部内の雰囲気
の、少なくとも一つを加熱できるものであれば良い。す
なわち、加熱手段によるレジスト剥離液１１ａの加熱方
法は、直接的であっても、間接的であってもよい。

【００５７】また、上記のヒータ１６、または、ホット
プレート１７のいずれか一方のみを設けた場合であって
も、フォトレジスト１５の溶解を促進する効果が有るこ
とは言うまでもない。

【００５８】ガラス基板１４は、続いて、リンス処理部
に搬送され、上記実施の形態１と同様に、洗浄・乾燥さ
れる。

【００５９】尚、ガラス基板１４の搬送手段は、特に搬
送ローラ１３…に限定されるものではない。また、場合
によっては、剥離液供給ノズル１１を、例えば、下流側
から上流側へ移動させてもよい。さらには、ガラス基板
１４と剥離液供給ノズル１１とをそれぞれ反対方向に移
動させてもよい。即ち、ガラス基板１４と剥離液供給ノ
ズル１１とは、互いに相対運動するものであればよい。

【００６０】〔実施の形態３〕本発明の実施のさらに他
の形態について、図３に基づいて説明すれば、以下の通
りである。尚、これによって、本発明が限定されるもの
ではない。また、説明の便宜上、実施の形態１および２
の部材と、同一の機能・構造を有する部材については、
同一の番号を付し、その説明を省略する。

【００６１】本実施の形態にかかるレジスト剥離装置は
枚葉式の剥離装置であり、例えば、液晶表示素子等の製
造工程において用いられるものである。図３に示すよう
に、その剥離処理部は、レジスト被処理物（ガラス基板
１４）を搬送するための搬送ローラ１３…の上方に、剥
離液吸引ノズル（剥離液除去手段）１２、および、該剥
離液吸引ノズル１２に対し、ガラス基板１４の進行方向
（搬送方向）上流側（以下、場合によっては、単に上流
側と称する）に配された剥離液供給ノズル（剥離液供給
手段）１１を備えている。また、搬送ローラ１３…の下
方には、超音波ノズル（液体供給手段）１８、および、
該超音波ノズル１８の下流に設けられた液体加熱ヒータ
（液体加熱手段）１９を有している。なお、剥離液供給
ノズル１１、超音波ノズル１８、並びに剥離液吸引ノズ
ル１２は、ガラス基板１４の搬送方向上流側から下流側
にかけて、この順に配設されている。

【００６２】剥離液供給ノズル１１、剥離液吸引ノズル
１２は、それぞれ順に、ガラス基板１４のレジスト被処
理面にレジスト剥離液１１ａを供給する役割、フォトレ
ジスト（レジスト）１５溶解後のレジスト剥離液１１ａ
を吸引・除去する役割を有している。尚、一つの剥離処
理部内に設けられる、剥離液供給ノズル１１および剥離
液吸引ノズル１２の数は、特に限定されるものではな
い。また、液体加熱ヒータ１９は、液体１８ａがレジス
ト被処理面の背向面に対し供給される前に、液体１８ａ
を予め加熱する役割を有している。

【００６３】剥離処理部の上流側に位置するローダ部に
より送り出されたガラス基板１４は、搬送ローラ１３…
によりレジスト被処理面の背向面（裏面）を当接支持さ
れた状態で、レジスト被処理面を上面として水平に搬送
される。そして、上記実施の形態２と同様に、レジスト
剥離液１１ａの供給が開始・停止される。

【００６４】レジスト剥離液１１ａ供給開始後、ガラス
基板１４が下流側に搬送される過程で、レジスト被処理
面上のフォトレジスト１５は、レジスト剥離液１１ａ中
に溶解する。レジスト剥離液１１ａへのフォトレジスト
１５の溶解が、ガラス基板１４内部を通過してレジスト
被処理面上のレジスト剥離液１１ａの層に伝播された超
音波振動により促進されることは、上記実施の形態１と
同様である。

【００６５】また、液体加熱ヒータ１９を設けることに
より、超音波が照射された液体１８ａは、加熱された後
にレジスト被処理面の背向面に対し供給される。そし
て、該液体１８ａの有する熱は、レジスト被処理面上の
レジスト剥離液１１ａに間接的に伝達され、該レジスト
剥離液１１ａが昇温される。その結果、レジスト剥離液
１１ａ中へのフォトレジスト１５の溶解を、さらに促進
することができるので、レジスト剥離処理にかかる時間
をさらに飛躍的に短縮することができる。

【００６６】続いて、フォトレジスト１５を溶解してい
るレジスト剥離液１１ａは、剥離液供給ノズル１１の下
流側に、所定の間隔をもって設けられた剥離液吸引ノズ
ル１２により吸引され、レジスト剥離装置外に除去され
る。

【００６７】尚、剥離液供給ノズル１１と剥離液吸引ノ
ズル１２との間隔は、特に限定されるものではなく、例
えば、ガラス基板１４の搬送速度、および、フォトレジ
スト１５のレジスト剥離液１１ａに対する溶解度等に応
じて適宜設定すれば良い。上記間隔を適切に設定するこ
とにより、フォトレジスト１５剥離完了後、直ちにレジ
スト剥離液１１ａを除去することができるので、剥離処
理部の長さを短縮することが可能となる。

【００６８】また、場合によっては、剥離液吸引ノズル
１２の代わりに、エアーナイフおよび、該エアーナイフ
により液切りされたレジスト剥離液１１ａを回収し、レ
ジスト剥離装置外に除去することのできる除去装置を剥
離液除去手段として設けることもできる。

【００６９】本実施の形態にかかるレジスト剥離装置に
おいては、ガラス基板１４に供給されたレジスト剥離液
１１ａは、レジスト剥離装置外に除去される。そのた
め、該剥離液１１ａを、貯蔵・循環するための巨大な循
環用タンクが不要となり、レジスト剥離装置内における
危険物（レジスト剥離液としての有機溶剤等）の総量を
減少することができる。

【００７０】また、ガラス基板１４は所定の速度で搬送
されるため、ガラス基板１４の先端部側からレジスト剥
離液１１ａを供給した場合は、レジスト剥離液１１ａ供
給後、吸引・除去されるまでのインターバル（すなわ
ち、フォトレジスト１５を溶解するための時間）は、レ
ジスト被処理面上の位置にかかわらず一定である。加え
て、レジスト被処理面上に、均一な液厚で、新しいレジ
スト剥離液１１ａが供給されるので、レジスト剥離処理
の仕上がり状態を均一・清浄とし、製品品質・製品歩留
りの向上を実現することができる。

【００７１】すなわち、本実施の形態にかかるレジスト
剥離装置は、従来のバッチ式・枚葉式のレジスト剥離装
置のように、ある一定処理枚数、または、一定時間が経
過した時点で、一括して新しいレジスト剥離液と交換す
る方式ではなく、常に新しいレジスト剥離液１１ａが使
用される。そのため、新しいレジスト剥離液に交換する
前後で、レジスト剥離処理後の基板に、清浄度で差が現
れるという問題が生じない。

【００７２】尚、レジスト剥離液１１ａの供給・除去の
タイミングの制御は、上記実施の形態２で述べたような
基板先頭位置検出センサ等のタイミング調整手段を設け
ることにより行うこともできる。

【００７３】ガラス基板１４は、続いて、リンス処理部
に搬送され、上記実施の形態１と同様に、洗浄・乾燥さ
れる。

【００７４】〔実施の形態４〕本発明の実施のさらに他
の形態について、図４（ａ）および図４（ｂ）に基づい
て説明すれば、以下の通りである。尚、これによって、
本発明が限定されるものではない。また、説明の便宜
上、実施の形態３の部材と、同一の機能・構造を有する
部材については、同一の番号を付し、その説明を省略す
る。

【００７５】本実施の形態にかかるレジスト剥離装置は
枚葉式の剥離装置であり、その剥離処理部は、上記実施
の形態３における超音波ノズル１８に代えて超音波ノズ
ル２０が適用されてなるものである。以下、実施の形態
３との相違点である超音波ノズル２０を中心に説明を行
う。なお、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す超音波ノズ
ル２０を、ガラス基板１４のレジスト被処理面に垂直で
かつガラス基板１４の進行方向に平行な平面にて切断し
た断面図である。

【００７６】液体供給手段である超音波ノズル２０は、
超音波発振子２１；振動板２２；ノズル状ハウジング２
３；カバー２４；を含んで構成されている。上記振動板
２２はノズル状ハウジング２３とカバー２４との間に挟
持された長方形状の薄板であり、該ノズル状ハウジング
２３の内部空間とカバー２４の内部空間とを仕切る（非
連続状態とする）仕切り板としても機能している。

【００７７】超音波発振子２１は、例えば、ジルコン・
チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化チタン、酸化鉛、ニオ
ブ酸リチウムなどの圧電材料からなり、通電されること
で０．１ＭＨｚ〜５ＭＨｚの範囲内で特定の周波数の超
音波振動を発するように形成されている。この超音波発
振子２１は振動板２２のカバー２４側表面の中央部に強
固に接着されており、振動板２２は超音波発振子２１の
振動動作に応じて振動する。すなわち、超音波発振子２
１と振動板２２とで、振動動作により超音波を発振する
振動素子が形成されている。なお、超音波ノズル２０に
おいて、振動板２２に代え、超音波振動が減衰されるこ
となく内部を伝搬される材質より構成された板状体を使
用することも可能である。

【００７８】レジスト剥離処理時には、ノズル状ハウジ
ング２３の内部空間は液体供給路２５より流入されるレ
ジスト剥離液（液体）２０ｂにより常時満たされてお
り、上記超音波振動は、レジスト剥離液２０ｂと接触す
る振動板２２の表面を介して該レジスト剥離液２０ｂに
伝搬される。レジスト剥離液２０ｂに伝搬された超音波
振動は強い指向性を有し、ノズル状ハウジング２３の内
部を振動板２２の面に垂直な方向（上方）へ直進する。

【００７９】そして、超音波が照射された（超音波振動
が伝搬された）レジスト剥離液２０ｂは、超音波ノズル
２０の端部に設けられたスリット状のノズル口（開口
部）２０ａを介して収束され、ガラス基板１４のレジス
ト被処理面の背向面に対して供給される。なお、レジス
ト剥離液１１ａへのフォトレジスト１５の溶解が、上記
背向面からガラス基板１４内部を通過してレジスト被処
理面上のレジスト剥離液１１ａの層に伝播（伝搬）され
た超音波振動により促進されることは、上記実施の形態
１と同様であり、詳細な説明を省略する。

【００８０】剥離処理の対象であるガラス基板（ワー
ク）１４の損傷を確実に防止するため、超音波ノズル２
０は、ノズル口２０ａと上記背向面との間に０．１ｍｍ
〜５０ｍｍの距離を持たせてレジスト剥離液２０ｂを供
給できるように設置されることが好ましい。しかしなが
ら、上記ノズル口２０ａのギャップ幅（スリット幅）Ｗ
が大きすぎると、背向面に対するレジスト剥離液２０ｂ
の供給圧力が小さくなり上記距離を確保することは困難
となるので、ガラス基板１４に損傷を与える虞が増大す
る。一方、ノズル口２０ａのギャップ幅Ｗが小さすぎる
と、直進してきた超音波振動がノズル状ハウジング２３
の上部で阻害されるので、フォトレジスト１５の剥離力
が弱くなる虞がある。

【００８１】上記の点からノズル口２０ａのギャップ幅
Ｗは１ｍｍ以上３０ｍｍ以下の範囲内であることが好ま
しく、超音波発振子２１が、１ｍｍ（高さ）×１５ｍｍ
（幅）×１００ｍｍ（長さ）の直方体形状であり周波数
１ＭＨｚの超音波を発振する場合には、上記ノズル口２
０ａはギャップ幅５ｍｍで幅長１００ｍｍの大きさに設
定されることがより好ましい。更に、超音波発振子２１
が、２ｍｍ（高さ）×４０ｍｍ（幅）×１００ｍｍ（長
さ）の直方体形状であり周波数０．５ＭＨｚの超音波を
発振する場合には、上記ノズル口２０ａはギャップ幅２
５ｍｍで幅長１００ｍｍの大きさに設定されることがよ
り好ましい。なお、超音波発振子２１の「長さ」とは、
ノズル口２０ａの「幅長」に対応するものである。

【００８２】ノズル口２０ａのギャップ幅Ｗを上記値の
範囲内に設定することにより、ガラス基板（レジスト被
処理物）１４に損傷を与えることなく、レジスト剥離処
理にかかる時間を飛躍的に短縮することが可能となる。

【００８３】本発明にかかるレジスト剥離装置には、以
上のように、レジスト剥離処理の対象である複数のレジ
スト被処理物（基板等）を、そのレジスト被処理面を上
面として水平に搬送する搬送手段（搬送ローラ等）が備
えられており、剥離液供給手段が搬送手段の上方に、ま
た、液体供給手段が搬送手段の下方に設けられているこ
とがより好ましい。これによれば、複数のレジスト被処
理物のレジスト剥離処理を連続的に行うことが可能とな
るという効果を奏する。

【００８４】

【発明の効果】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよ
うに、レジスト被処理物のレジスト被処理面に対し、該
被処理面上のレジストを剥離するレジスト剥離液を供給
する剥離液供給手段と、レジスト剥離液が供給されたレ
ジスト被処理面の背向面に対し、超音波が照射された液
体を供給する液体供給手段とを備えた剥離処理部を有し
ている構成である。

【００８５】上記の構成によれば、レジスト被処理面の
背向面に伝播された超音波振動は、レジスト被処理物中
を通りレジスト被処理面上のレジスト剥離液に伝播され
る。その結果、レジスト被処理面からのレジストの剥
離、並びに、該剥離液中へのレジストの溶解を促進する
ことができるので、レジスト剥離にかかる時間を飛躍的
に短縮することができる。加えて、レジスト剥離液の使
用量を低減することができる。したがって、レジスト剥
離装置の装置長さの短縮、フットプリントの小型化、並
びに、レジスト剥離液の使用量の低減を実現することが
できるという効果を奏する。

【００８６】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、上記超音波の周波数が、０．
１ＭＨｚ〜５ＭＨｚの範囲内である構成である。

【００８７】上記の構成によれば、レジスト被処理物に
損傷を与える虞なく、レジスト剥離にかかる時間を飛躍
的に短縮することができ、加えて、レジスト剥離液の使
用量を低減することができるという効果を加えて奏す
る。

【００８８】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、上記液体を加熱する液体加熱
手段を備えている構成である。

【００８９】上記の構成によれば、超音波が照射された
液体の有する熱は、レジスト被処理面上のレジスト剥離
液に間接的に伝達され、該レジスト剥離液の温度を上昇
させることができる。その結果、レジスト剥離液中への
レジストの溶解を、さらに促進することができるので、
レジスト剥離にかかる時間を飛躍的に短縮することがで
きる。加えて、レジスト剥離液の使用量を低減すること
ができるという効果を加えて奏する。

【００９０】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、上記液体が、レジスト剥離液
である構成である。

【００９１】上記の構成によれば、レジスト被処理面の
背向面や、端面に付着したレジスト、および、ホットプ
レート処理時に、該背向面に付着した有機物汚れ等も除
去することができるという効果を加えて奏する。

【００９２】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、上記剥離液供給手段により、
レジスト被処理面毎に対し、上記レジスト剥離液が供給
される構成である。

【００９３】上記の構成によれば、レジスト剥離処理に
おいて使用されるレジスト剥離液は、レジスト被処理面
上に滴下された液のみである。すなわち、低材料消費型
の枚葉式レジスト剥離装置を提供することができるとい
う効果を加えて奏する。

【００９４】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、上記レジスト被処理物、およ
び／または、レジスト剥離液を加熱する加熱手段を備え
ている構成である。

【００９５】上記の構成によれば、レジスト剥離液の温
度を上昇させて、該剥離液中へのレジストの溶解を促進
することができるので、レジスト剥離にかかる時間を短
縮することができる。加えて、レジスト剥離液の使用量
を低減することができる。したがって、レジスト剥離装
置の装置長さの短縮、フットプリントの小型化、並び
に、レジスト剥離液の使用量の低減を実現することがで
きるという効果を加えて奏する。

【００９６】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、剥離したレジストを含むレジ
スト剥離液を除去する剥離液除去手段をさらに備えてい
る構成である。

【００９７】上記の構成によれば、レジストの剥離完了
後、直ちにレジスト剥離液を除去することができるの
で、剥離処理部の長さを短縮することが可能となるとい
う効果を加えて奏する。

【００９８】本発明のレジスト剥離装置は、以上のよう
に、上記の構成において、上記液体供給手段に設けら
れ、超音波が照射された液体を上記背向面に対して供給
するための開口部が、１ｍｍ以上３０ｍｍ以下の範囲内
のギャップ幅を有してなる構成である。

【００９９】上記の構成によれば、レジスト被処理物に
損傷を与えることなく、レジスト剥離処理にかかる時間
を短縮することが可能となるという効果を加えて奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかるレジスト剥離装置
の、剥離処理部の構成を示す概略の側面図である。

【図２】本発明の実施の他の形態にかかるレジスト剥離
装置の、剥離処理部の構成を示す概略の側面図である。

【図３】本発明の実施のさらに他の形態にかかるレジス
ト剥離装置の、剥離処理部の構成を示す概略の側面図で
ある。

【図４】（ａ）は、本発明の実施のさらに他の形態にか
かるレジスト剥離装置の、剥離処理部の構成を示す概略
の側面図であり、（ｂ）は液体供給手段をなす超音波ノ
ズルの構成を示す概略の断面図である。

【符号の説明】

１１ 剥離液供給ノズル（剥離液供給手段） １１ａ レジスト剥離液 １１ｂ 剥離液供給シャワーノズル（剥離液供給手
段） １１ｂ₁ 剥離液供給シャワーノズル（剥離液供給手
段） １２ 剥離液吸引ノズル（剥離液除去手段） １４ ガラス基板（レジスト被処理物） １５ フォトレジスト（レジスト） １６ ヒータ（加熱手段） １７ ホットプレート（加熱手段） １８ 超音波ノズル（液体供給手段） １８ａ 液体 １９ 液体加熱ヒータ（液体加熱手段） ２０ 超音波ノズル（液体供給手段） ２０ａ ノズル口（開口部） ２０ｂ 液体 Ｗ ギャップ幅

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レジスト被処理物のレジスト被処理面に対
   し、該被処理面上のレジストを剥離するレジスト剥離液
   を供給する剥離液供給手段と、 レジスト剥離液が供給されたレジスト被処理面の背向面
   に対し、超音波が照射された液体を供給する液体供給手
   段とを備えた剥離処理部を有していることを特徴とする
   レジスト剥離装置。
2. 【請求項２】上記超音波の周波数が、０．１ＭＨｚ〜５
   ＭＨｚの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の
   レジスト剥離装置。
3. 【請求項３】上記液体を加熱する液体加熱手段を備えて
   いることを特徴とする請求項１または２に記載のレジス
   ト剥離装置。
4. 【請求項４】上記液体が、レジスト剥離液であることを
   特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のレ
   ジスト剥離装置。
5. 【請求項５】上記剥離液供給手段により、レジスト被処
   理面毎に対し、上記レジスト剥離液が供給されることを
   特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のレ
   ジスト剥離装置。
6. 【請求項６】上記レジスト被処理物、および／または、
   レジスト剥離液を加熱する加熱手段をさらに備えている
   ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記
   載のレジスト剥離装置。
7. 【請求項７】剥離したレジストを含むレジスト剥離液を
   除去する剥離液除去手段をさらに備えていることを特徴
   とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のレジス
   ト剥離装置。
8. 【請求項８】上記液体供給手段に設けられ、超音波が照
   射された液体を上記背向面に対して供給するための開口
   部が、１ｍｍ以上３０ｍｍ以下の範囲内のギャップ幅を
   有してなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
   か一項に記載のレジスト剥離装置。