JPH0555138A - フオトレジスト剥離装置 - Google Patents
フオトレジスト剥離装置Info
- Publication number
- JPH0555138A JPH0555138A JP21257391A JP21257391A JPH0555138A JP H0555138 A JPH0555138 A JP H0555138A JP 21257391 A JP21257391 A JP 21257391A JP 21257391 A JP21257391 A JP 21257391A JP H0555138 A JPH0555138 A JP H0555138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- substrate stage
- processed
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機溶剤を用いた浸漬剥離装置やアッシング
によって剥離を行うアッシング装置を使用して剥離作業
を行った後に残存するフォトレジスト残渣を完全に除去
する。 【構成】 被加工基板を基板ステージに搭載して回転さ
せ、その上から超音波振動を伴う清浄な液体を噴射させ
る。
によって剥離を行うアッシング装置を使用して剥離作業
を行った後に残存するフォトレジスト残渣を完全に除去
する。 【構成】 被加工基板を基板ステージに搭載して回転さ
せ、その上から超音波振動を伴う清浄な液体を噴射させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の電子
機器に使用する回路基板や液晶表示板等を製造するとき
に用いる薄膜作成用のフォトレジスト剥離装置に関す
る。
機器に使用する回路基板や液晶表示板等を製造するとき
に用いる薄膜作成用のフォトレジスト剥離装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の薄膜作成時におけるフォ
トレジストの剥離状態を示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）はｃ−ｃ線断面図、図３は、図２の例におけるス
パッタ膜のエッチング後の状態を示す断面図である。
トレジストの剥離状態を示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）はｃ−ｃ線断面図、図３は、図２の例におけるス
パッタ膜のエッチング後の状態を示す断面図である。
【０００３】コンピュータ等の電子機器に使用する回路
基板や液晶表示板等を製造するときに用いる薄膜パター
ン作成用のフォトレジストを剥離するための従来の手段
は、フォトリゾグラフィによって所望のパターニングを
完了して不要となったフォトレジスト材料を除去するた
めの手段として、有機溶剤を用いた浸漬剥離装置やアッ
シングによって剥離を行うアッシング装置を使用すると
いう手段が一般的に採用されている。
基板や液晶表示板等を製造するときに用いる薄膜パター
ン作成用のフォトレジストを剥離するための従来の手段
は、フォトリゾグラフィによって所望のパターニングを
完了して不要となったフォトレジスト材料を除去するた
めの手段として、有機溶剤を用いた浸漬剥離装置やアッ
シングによって剥離を行うアッシング装置を使用すると
いう手段が一般的に採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
フォトレジスト剥離手段によって剥離を行うと、図２に
示すように、被加工基板２の上に形成した薄膜配線パタ
ーン１の間に、幅が数〜数十ミクロンのフォトレジスト
の残渣（フォトレジスト残渣）３が発生する。このフォ
トレジスト残渣３によって、不要となったスパッタ膜を
エッチングによって除去するとき、図３に示すように、
エッチング残渣４が発生し、隣接する薄膜配線パターン
１が電気的に短絡するという欠点を有している。
フォトレジスト剥離手段によって剥離を行うと、図２に
示すように、被加工基板２の上に形成した薄膜配線パタ
ーン１の間に、幅が数〜数十ミクロンのフォトレジスト
の残渣（フォトレジスト残渣）３が発生する。このフォ
トレジスト残渣３によって、不要となったスパッタ膜を
エッチングによって除去するとき、図３に示すように、
エッチング残渣４が発生し、隣接する薄膜配線パターン
１が電気的に短絡するという欠点を有している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトレジスト
剥離装置は、上面に被加工基板を搭載する基板ステージ
と、前記基板ステージを回転させるモータと、前記基板
ステージの上方に設けたノズルと、前記基板ステージに
搭載された前記被加工基板に対して前記ノズルから超音
波振動を伴っている液体を噴射させる洗浄部とを備えて
いる。
剥離装置は、上面に被加工基板を搭載する基板ステージ
と、前記基板ステージを回転させるモータと、前記基板
ステージの上方に設けたノズルと、前記基板ステージに
搭載された前記被加工基板に対して前記ノズルから超音
波振動を伴っている液体を噴射させる洗浄部とを備えて
いる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）はｃ−ｃ線断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はｃ−ｃ線断面図である。
【０００８】図１において、基板ステージ１９は、その
上面に、有機溶剤や反応性ガスやアルカリ水溶液等によ
ってフォトレジストの剥離を行った後の被加工基板１２
を搭載する。モータ１０は、基板ステージ１９の下部に
取付けられていて、基板ステージ１９を回転させる。ノ
ズル１５は、基板ステージ１９の上方に設けてあり、こ
のノズル１５から純水１６を基板ステージ１９の上に搭
載した被加工基板１２に対して噴射させる。純水１６
は、比抵抗が０．１ＭΩ・ｃｍ以上であり、メガヘルツ
帯またはサブメガヘルツ帯の超音波振動を伴っている。
ノズル１５は、純水１６を被加工基板１２に対して均一
に噴射するように運動する。
上面に、有機溶剤や反応性ガスやアルカリ水溶液等によ
ってフォトレジストの剥離を行った後の被加工基板１２
を搭載する。モータ１０は、基板ステージ１９の下部に
取付けられていて、基板ステージ１９を回転させる。ノ
ズル１５は、基板ステージ１９の上方に設けてあり、こ
のノズル１５から純水１６を基板ステージ１９の上に搭
載した被加工基板１２に対して噴射させる。純水１６
は、比抵抗が０．１ＭΩ・ｃｍ以上であり、メガヘルツ
帯またはサブメガヘルツ帯の超音波振動を伴っている。
ノズル１５は、純水１６を被加工基板１２に対して均一
に噴射するように運動する。
【０００９】上述のように構成したフォトレジスト剥離
装置によってフォトレジスト残渣１３の除去作業を行う
ときは、薄膜処理のパターニングを完了してフォトレジ
ストの剥離を行ったが、なおフォトレジスト残渣１３が
残存している被加工基板１２を基板ステージ１９の上に
搭載し、モータ１０を動作させて基板ステージ１９を回
転させる（矢印Ｂ）。これと同時に、ノズル１５から純
水１６を基板ステージ１９の上に搭載した被加工基板１
２に対して噴射させる。このとき、ノズル１５は、純水
１６を被加工基板１２に対して均一に噴射するように運
動させる（矢印Ａ）。これによって、薄膜配線パターン
１１の間に残存している幅が数〜数十ミクロンのフォト
レジスト残渣１３は、完全に除去される。
装置によってフォトレジスト残渣１３の除去作業を行う
ときは、薄膜処理のパターニングを完了してフォトレジ
ストの剥離を行ったが、なおフォトレジスト残渣１３が
残存している被加工基板１２を基板ステージ１９の上に
搭載し、モータ１０を動作させて基板ステージ１９を回
転させる（矢印Ｂ）。これと同時に、ノズル１５から純
水１６を基板ステージ１９の上に搭載した被加工基板１
２に対して噴射させる。このとき、ノズル１５は、純水
１６を被加工基板１２に対して均一に噴射するように運
動させる（矢印Ａ）。これによって、薄膜配線パターン
１１の間に残存している幅が数〜数十ミクロンのフォト
レジスト残渣１３は、完全に除去される。
【００１０】ノズル１５から噴射する液体を純水とした
のは、被加工基板１２を清浄に保つためであり、他の液
体、例えば当該フォトレジストの現像液の１００倍の希
釈液を用い、処理終了後に被加工基板１２を純水で洗浄
するようにしてもよい。また、被加工基板１２を搭載し
た基板ステージ１９を回転させているのは、ノズル１５
から噴射する純水１６を被加工基板１２に対して均一に
吹付けるためであり、この目的が達成できるならば、基
板ステージを固定しておき、ノズルのみを運動させるよ
うにしてもよい。
のは、被加工基板１２を清浄に保つためであり、他の液
体、例えば当該フォトレジストの現像液の１００倍の希
釈液を用い、処理終了後に被加工基板１２を純水で洗浄
するようにしてもよい。また、被加工基板１２を搭載し
た基板ステージ１９を回転させているのは、ノズル１５
から噴射する純水１６を被加工基板１２に対して均一に
吹付けるためであり、この目的が達成できるならば、基
板ステージを固定しておき、ノズルのみを運動させるよ
うにしてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトレ
ジスト剥離装置は、被加工基板を基板ステージに搭載し
て回転させ、その上から超音波振動を伴う清浄な液体を
噴射させることにより、被加工基板に残存しているフォ
トレジスト残渣を完全に除去することができるという効
果があり、従って、フォトレジスト残渣に起因する隣接
薄膜配線パターン間の電気的短絡を防止できるという効
果がある。
ジスト剥離装置は、被加工基板を基板ステージに搭載し
て回転させ、その上から超音波振動を伴う清浄な液体を
噴射させることにより、被加工基板に残存しているフォ
トレジスト残渣を完全に除去することができるという効
果があり、従って、フォトレジスト残渣に起因する隣接
薄膜配線パターン間の電気的短絡を防止できるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）はｃ−ｃ線断面図である。
図、（ｂ）はｃ−ｃ線断面図である。
【図２】従来の薄膜作成時におけるフォトレジストの剥
離状態を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はｃ−ｃ線
断面図である。
離状態を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はｃ−ｃ線
断面図である。
【図３】図２の例におけるスパッタ膜のエッチング後の
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１ 薄膜配線パターン ２ 被加工基板 ３ フォトレジスト残渣 ４ エッチング残渣 １０ モータ １１ 薄膜配線パターン １２ 被加工基板 １３ フォトレジスト残渣 １５ ノズル １６ 純水 １９ 基板ステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 上面に被加工基板を搭載する基板ステー
ジと、前記基板ステージを回転させるモータと、前記基
板ステージの上方に設けたノズルと、前記基板ステージ
に搭載された前記被加工基板に対して前記ノズルから超
音波振動を伴っている液体を噴射させる洗浄部とを備え
ることを特徴とするフォトレジスト剥離装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21257391A JPH0555138A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | フオトレジスト剥離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21257391A JPH0555138A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | フオトレジスト剥離装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555138A true JPH0555138A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16624941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21257391A Pending JPH0555138A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | フオトレジスト剥離装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007017A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Sharp Corp | レジスト剥離装置 |
| JP2008004879A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN101937842A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 细美事有限公司 | 处理基板的方法以及实施该方法的装置 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21257391A patent/JPH0555138A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007017A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Sharp Corp | レジスト剥離装置 |
| JP2008004879A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN101937842A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 细美事有限公司 | 处理基板的方法以及实施该方法的装置 |
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