JPH0314230A - 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置 - Google Patents

半導体ウェーハの洗浄方法及び装置

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JPH0314230A
JPH0314230A JP15026189A JP15026189A JPH0314230A JP H0314230 A JPH0314230 A JP H0314230A JP 15026189 A JP15026189 A JP 15026189A JP 15026189 A JP15026189 A JP 15026189A JP H0314230 A JPH0314230 A JP H0314230A
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JP
Japan
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cleaning
pure water
semiconductor wafer
nozzle
wafer
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JP15026189A
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English (en)
Inventor
Yasumasa Noda
野田 康昌
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェーハを洗浄する方法及び装置に関
する。
(従来の技術) 回路パターンが形成された半導体ウエーノ\は、様々な
洗浄1−程を経て組立二1−程に入る。半導体ウェーハ
の裏面研削後においては、回路パターンか形成された表
面を保護していた保護テープの糊やシリコンくずを除去
する洗浄か行われる。従来は洗浄液としてトリクレン、
アルコール等の溶剤を使い、かつ多くのものは数10k
Hzの超音波を洗浄液にかけてバッチ処理により洗浄し
ていた。
そしてその後、有機溶剤ベーパー、純水等のリンスによ
り仕」二げていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしこのような従来の洗浄では、次のような課題かあ
った。先ず洗浄液に超音波をかける場合において、周波
数か数10kHzと低いため、洗浄液として純水を用い
たのでは静電破壊か発生して回路パターンが壊されるお
それかあった。このため溶剤を用いなければならないが
、溶剤の処理を行うには高価な装置か必要であった。
またパッチ処理による洗浄では十分な洗浄効果が得られ
ず、しかも自動化かしにくいという問題か存在した。
さらに、このような従来の洗浄法により糊の除去を十分
に行なうためには、特定の糊を用いた保護テープしか使
用できないという問題があった。
本発明は上記事情に鑑み、半導体ウェーハに(=1着し
た保護テープの糊や、シリコンくずの除去を十分に行な
うことができる半導体ウェーハの洗浄方法及び装置を提
供することを1]的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明の半導体ウェーハの洗浄方法は、回路パターンが
形成された半導体ウェーハを、約0.8MHz以」二の
超音波の振動を与えた純水を用いて洗浄することを特徴
としている。
また本発明の半導体ウェーハの洗浄装置は、゛11導体
ウェーハを搭載すると、半導体ウェーハを洗浄する純水
を流出するノズルと、この純水に約Q、3MHz以上の
超音波の振動を与える加振部とを有することを特徴とし
ている。
ここで台は回転可能であり、ノズルに接続された管の支
持部を支点としてノズルか回動可能であってもよい。
(作 用) 半導体ウェーハの表面か、約0.8MHz以上の超音波
の振動が与えられた純水によって洗浄されることによっ
て、十分に洗浄される。
この場合に、台に搭載されている半導体ウェーハの表面
に、約0.8MHz以上の超音波の振動か与えられた洗
浄液がノズルから流出されることによって洗浄される。
ここで台が回転iiJ能で、ノズルが支持部を支点とし
て回動可能な場合には、半導体ウェーハの表面全体に溝
層なく純水がかかる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例による半導体の洗浄ツノ法及び
装置について図面を参照して説明する。
第1図は、本実施例による半導体の洗浄装置を示した斜
視図である。台5は半導体ウェーハ4を搭載するもので
ある。ノズル1の内部に発振子?が設置され、ノズル1
に管3が接続されている。
管3は純水をノズル1に送るものである。発振子2は、
加振器として送られた純水に約0 、 8 Mllz以
上の超音波の振動を与えるためのものである。
ノズル2は、振動を与えられた純水Aを半導体ウェーハ
4の表面上にかけるものである。台5は矢印Cのように
回転が可能である。また、ノズル1は管3における図示
されていない支持部を支点として矢印Bのように回動が
可能である。
管3を通過した純水が発振子2により約08MHz以上
の超音波の振動を与えられ、ノズル1から台5に搭載さ
れた半導体ウェーハ4の表面にかけられる。ノズル1の
矢印Bのような回動と台5の矢印Cのような回転により
、半導体ウェーハ4の表面全体に純水Aかかけられる。
以上の洗浄によって、半導体ウェーへの表面に付着した
糊やシリコンくすを十分に除去することができる。この
ため、保護テープの糊が限定されず、選択の自由度が拡
げられる。また枚葉処理で行なうため、洗浄にムラがな
い上に自動化がしゃすく、さらに処理速度が向上する。
洗浄水にかける超音波の周波数か約0 、 8 MHz
以上と高いため、洗浄水として純水を用いても静電破壊
が発生せず、回路パターンが壊されることかない。この
ため溶剤を用いる必要かなく、装置の小型化、コスト低
減を図ることができる。
本実施例では、ノズル1が回動し、台5が回転する構造
となっているが、純水Aが半導体ウェーハ4の表面全体
にかかる構造であればノズル1か半導体ウェーハ4上を
走査する等地の構造によるものであってもよい。また、
ノズル1の先端に発振子2が内蔵されているが、純水に
超音波の振動を与える加振部か、純水か通過するいずれ
かの箇所に設けられていれば、他の横進によるものであ
ってもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体ウェーハの洗浄方法
及び装置は、純水に約0.8MHz以上の超音波の振動
を与えて洗浄を行なうため、糊やシリコンくずを十分に
除去することかでき、また溶剤が不要であることから装
置の小型化、コスト低減の達成、さらには枚葉処理によ
り洗浄処理速度の向上を達成することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による半導体ウェーハの洗浄
装置を示す斜視図である。 1・・ノズル、2・・・発振子、3・・管、4・′1″
、導体ウェーハ、5・・台、A・・・純水。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、回路パターンが形成された半導体ウェーハを、約0
    .8MHz以上の超音波の振動を与えた純水を用いて洗
    浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 2、回路パターンが形成された半導体ウェーハを洗浄す
    る装置において、前記半導体ウェーハを搭載する台と、
    前記半導体ウェーハを洗浄する純水を流出するノズルと
    、前記純水に約0.8MHz以上の超音波の振動を与え
    る加振部とを有することを特徴とする半導体ウェーハの
    洗浄装置。 3、前記半導体ウェーハの表面全体に前記純水がかかる
    ように、前記台が回転可能であり、前記ノズルに接続さ
    れた管の支持部を支点として前記ノズルが回動可能であ
    る請求項2記載の半導体ウェーハの洗浄装置。
JP15026189A 1989-06-13 1989-06-13 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置 Pending JPH0314230A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5368054A (en) * 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
WO1996021242A1 (fr) * 1995-01-06 1996-07-11 Tadahiro Ohmi Procede de nettoyage
EP0810643A2 (en) * 1996-05-28 1997-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for cleaning a porous surface of a semiconductor substrate
US5927305A (en) * 1996-02-20 1999-07-27 Pre-Tech Co., Ltd. Cleaning apparatus
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US6345630B2 (en) * 1998-11-11 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
US6561204B2 (en) * 2001-09-05 2003-05-13 Silicon Integrated Systems Corp. Apparatus and method for cleaning wafers with contact holes or via holes

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54125981A (en) * 1978-03-23 1979-09-29 Nec Corp Semiconductor washing device
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54125981A (en) * 1978-03-23 1979-09-29 Nec Corp Semiconductor washing device
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5368054A (en) * 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
EP0658925A1 (en) * 1993-12-17 1995-06-21 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
WO1996021242A1 (fr) * 1995-01-06 1996-07-11 Tadahiro Ohmi Procede de nettoyage
US5954885A (en) * 1995-01-06 1999-09-21 Ohmi; Tadahiro Cleaning method
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US5927305A (en) * 1996-02-20 1999-07-27 Pre-Tech Co., Ltd. Cleaning apparatus
EP0810643A2 (en) * 1996-05-28 1997-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for cleaning a porous surface of a semiconductor substrate
EP0810643A3 (en) * 1996-05-28 1998-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for cleaning a porous surface of a semiconductor substrate
KR100370312B1 (ko) * 1996-05-28 2003-04-10 캐논 가부시끼가이샤 다공질표면및반도체표면의세정방법
US6345630B2 (en) * 1998-11-11 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
US6561204B2 (en) * 2001-09-05 2003-05-13 Silicon Integrated Systems Corp. Apparatus and method for cleaning wafers with contact holes or via holes

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