JP2000049163A - 配線の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リフトオフ法による配線形成において除去すべ
き導電層材料によるレジスト膜剥離液や待機槽の汚染を
防止する配線の形成方法を提供する。 【解決手段】第１領域および第２領域において、基板１
０上にレジスト膜Ｒを形成し、第１領域においては所定
のパターンに沿って、第２領域においては第１領域のパ
ターンの最大幅よりも広い幅となるように、レジスト膜
Ｒを露光および現像してパターン加工する。次に、第１
領域および第２領域において、レジスト膜のパターン開
口部内およびレジスト膜の上層に段切れ状態に導電層３
０ａ，３０ｂを形成し、少なくとも第２領域においてレ
ジスト膜の一部を残しながら、第１領域においてレジス
ト膜の一部を溶出させ、レジスト膜のパターン開口部内
に形成された導電層３０ａを残しながら、レジスト膜の
上層に形成された導電層３０ｂを除去し、次に、レジス
ト膜を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線の形成方法に関
し、特にリフトオフ法により半導体装置における配線を
形成する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板などの基板上に金属な
どの配線を形成する方法としては、エッチングを用いる
方法と、リフトオフ法とが広く用いられている。

【０００３】上記のエッチングを用いる方法において
は、例えば、配線を形成しようとする半導体基板などの
基板上に、全面に金属膜などの導電層を形成し、その上
層にフォトリソグラフィー工程により配線パターンのレ
ジスト膜を形成する。次に、レジスト膜をマスクとして
露出している部分の導電層をエッチングにより除去し、
導電層を所望のパターンに加工して配線とする。

【０００４】一方、上記のリフトオフ法においては、例
えば、配線を形成しようとする半導体基板などの基板上
に、フォトリソグラフィー工程により配線パターンのレ
ジスト膜を形成し、その上層に全面に金属膜などの導電
層を堆積させて、レジスト膜を形成した領域と形成して
いない領域の両領域において導電層を形成する。次に、
有機溶剤を用いてレジスト膜を溶解することによりレジ
スト膜ごとその上層に形成された導電層を除去し、レジ
スト膜を形成していない領域に堆積させた導電層を残す
ことで所望のパターンに加工された配線とする。

【０００５】しかしながら、上記の従来のリフトオフ法
においては、有機溶剤を用いてレジスト膜を溶解する工
程において、レジスト膜の上層に形成された導電層が遊
離してしまうため、遊離して除去される導電層が有機溶
剤中に蓄積し、有機溶剤が汚染されてしまう、あるい
は、遊離した導電層が基板に再付着することにより特性
不良を生じてしまうので、歩留りの低下をもたらすなど
の問題がある。

【０００６】上記の問題を解決するために、レジスト膜
を形成した領域と形成していない領域の両領域において
導電層を形成した後に、基板（ウェーハ）を回転させな
がら基板全面に水などを噴出して、レジスト膜を形成し
ていない領域に堆積させた導電層を残しながら、レジス
ト膜の上層に形成された導電層を除去し、その後にレジ
スト膜を除去する方法が開発されている。この方法によ
れば、導電層の除去工程とレジスト膜の除去工程が分離
されており、遊離して除去される導電層が有機溶剤中に
蓄積したり、遊離した導電層が基板に再付着することが
ない。

【０００７】上記の導電層を形成した後に基板全面に水
などを噴出して導電層を除去する方法においては、レジ
スト膜上に導電層を被着させる際にレジスト膜表面に形
成される硬化膜が導電層の除去後にそのまま残存するこ
とになる。この硬化膜は、除去するのが困難であった
り、あるいは後工程であるレジスト膜の除去工程におい
て、レジスト膜剥離液中で除去後に基板に再付着すると
いう問題が生じることがある。この問題を解決するため
に、レジスト膜を形成した領域と形成していない領域の
両領域において導電層を形成した後、基板全面に水など
を噴出する工程の前に、レジスト膜剥離液を用いてレジ
スト膜の一部を溶解する工程を有する方法が開発されて
いる。この方法によれば、上記の方法と同様に、遊離し
て除去される導電層の有機溶剤中への蓄積や遊離した導
電層の基板への再付着を防止することができ、さらに、
上記の硬化膜を導電層の除去とともに容易に除去するこ
とが可能となり、硬化膜の基板への再付着を防止するこ
とができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにレジスト膜表面に形成される硬化膜の除去を容易
にするために、基板全面に水などを噴出する工程の前
に、レジスト膜剥離液を用いてレジスト膜の一部を溶解
するようにすると、レジスト膜の幅が狭い場合にはレジ
スト膜の溶解が極めて短時間の内に進行し、次工程であ
る基板全面に水などを噴出する工程に到達する前にレジ
スト膜が全て溶出してしまい、除去すべき導電層が完全
に浮いた状態となって、レジスト膜剥離液中、あるい
は、水などを噴出する工程に移る際に純水などに置換し
て待機槽にて待機させる場合にはその待機槽中に、レジ
スト膜が溶出して浮いてしまった導電層材料が剥がれ落
ち、レジスト膜剥離液や待機槽を汚染してしまうという
問題が生じる。

【０００９】上記の問題においては、レジスト膜剥離液
を用いてレジスト膜の一部を溶解する処理後に基板全面
に水などを噴出する処理を行うまで待機槽中で待機させ
る時間が長くなるほど基板全面に水などを噴出する工程
に到達する前にレジスト膜が全て溶出してしまいやすく
なっている。例えばバッチ処理にて多数の基板（ウェー
ハ）に対して同時にレジスト膜剥離液を用いてレジスト
膜の一部を溶解する処理を行い、次に枚葉処理にて１枚
ずつ基板全面に水などを噴出する処理を行う方法を採っ
た場合に、レジスト膜剥離液を用いてレジスト膜の一部
を溶解する処理のバッチ内に待機時間の差が生じ、各バ
ッチの最後の基板ほど待機時間が長くなってレジスト膜
の溶出が進んでしまい、この問題を生じやすくなってい
る。さらに上記の傾向は、ディスクリートデバイスなど
のようにチップサイズが小さいほど顕著となっており、
このようなデバイスを製造する場合には、レジスト膜剥
離液を用いてレジスト膜の一部を溶解する処理の一度に
処理する処理枚数を制限することが必要となり、製造効
率が低下してしまう。

【００１０】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、本発明の目的は、レジスト膜に形成された
硬化膜の除去が容易であって、基板への再付着を防止で
き、さらにレジスト膜剥離液や待機槽の汚染を防止する
ことができるリフトオフ法による配線の形成方法を提供
することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の配線の形成方法は、第１領域と第２領域と
を有する基板上に配線を形成する方法であって、前記第
１領域および前記第２領域において、前記基板上にレジ
スト膜を形成する工程と、前記第１領域においては所定
のパターンに沿って、前記第２領域においては前記第１
領域のパターンの最大幅よりも広い幅となるように、前
記レジスト膜を露光および現像してパターン加工する工
程と、前記第１領域および前記第２領域において、前記
レジスト膜のパターン開口部内および前記レジスト膜の
上層に段切れ状態に導電層を形成する工程と、少なくと
も前記第２領域において前記レジスト膜の一部を残しな
がら、前記第１領域において前記レジスト膜の一部を溶
出させる工程と、前記レジスト膜のパターン開口部内に
形成された前記導電層を残しながら、前記レジスト膜の
上層に形成された前記導電層を除去する工程と、前記レ
ジスト膜を除去する工程とを有する。

【００１２】上記の本発明の配線の形成方法は、第１領
域と第２領域とを有する基板上に配線を形成する方法で
あって、第１領域および第２領域において、基板上にレ
ジスト膜を形成し、第１領域においては所定のパターン
に沿って、第２領域においては第１領域のパターンの最
大幅よりも広い幅となるように、レジスト膜を露光およ
び現像してパターン加工する。次に、第１領域および第
２領域において、レジスト膜のパターン開口部内および
レジスト膜の上層に段切れ状態に導電層を形成し、少な
くとも第２領域においてレジスト膜の一部を残しなが
ら、第１領域においてレジスト膜の一部を溶出させ、レ
ジスト膜のパターン開口部内に形成された導電層を残し
ながら、レジスト膜の上層に形成された導電層を除去
し、次に、レジスト膜を除去する。

【００１３】上記の本発明の配線の形成方法によれば、
第１領域においては所定のパターンに沿って、第２領域
においては第１領域のパターンの最大幅よりも広い幅と
なるように、レジスト膜を露光および現像してパターン
加工することから、少なくとも第２領域においてレジス
ト膜の一部を残しながら、第１領域においてレジスト膜
の一部を溶出させることが可能となる。従って、レジス
ト膜に形成された硬化膜の除去が容易であって、さら
に、次工程であるレジスト膜の上層に形成された導電層
を除去する工程に到達する前にレジスト膜が全て溶出し
てしまい、除去すべき導電層が完全に浮いた状態となる
のを防止できるので、レジスト膜剥離液中、あるいは、
水などを噴出する工程に移る際に純水などに置換して待
機槽にて待機させる場合にはその待機槽中に、レジスト
膜が溶出して浮いてしまった導電層材料が剥がれ落ち、
レジスト膜剥離液や待機槽を汚染してしまうことを防止
できる。

【００１４】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記レジスト膜のパターン開口部内および前記レジ
スト膜の上層に段切れ状態に導電層を形成する工程が、
前記基板に対して全面に垂直蒸着により前記導電層を形
成する工程である。これにより、レジスト膜のパターン
開口部内およびレジスト膜の上層に段切れ状態に導電層
を形成することができる。

【００１５】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記第２領域を前記基板の外周側の領域とする。レ
ジスト膜が溶出してその上層の導電層が剥がれてくるの
は、基板の外周側からであり、第２領域を基板の外周側
の領域とすることでレジスト膜が溶出して浮いてしまっ
た導電層材料が剥がれ落ちることを効果的に防止するこ
とができる。

【００１６】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記レジスト膜を露光および現像してパターン加工
する工程においては、前記第１領域においてステッパー
による露光を行い、前記基板の外周側のステッパーの未
露光領域を前記第２領域とする。これにより、容易に第
２領域を基板の外周側の領域とすることができる。

【００１７】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記レジスト膜の上層に形成された前記導電層を除
去する工程においては、前記基板に全面に液体を噴出し
て前記導電層を除去する。これにより、容易に除去しよ
うとしている導電層を除去することが可能である。

【００１８】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記液体が水である。有機溶媒を用いる場合には安
全性を確保するために高価な設備が必要となるが、水の
場合は安価に設備を実現可能である。

【００１９】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記液体を噴出して前記導電層を除去する工程にお
いては、２０ｋｇ／ｃｍ² 以上１００ｋｇ／ｃｍ² 以下
に加圧した液体を噴出する。２０ｋｇ／ｃｍ² 未満の場
合にはレジスト膜を完全に除去することが困難となり、
また、１００ｋｇ／ｃｍ² を越えると導電層の剥離にと
どまらず、レジスト膜や残すべき導電層にまでダメージ
を与えるおそれがある。

【００２０】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記液体を噴出して前記導電層を除去する工程にお
いては、前記基板を回転しつつ前記基板全体に前記液体
を噴出する。液体の噴出の効果を基板全体に一様におよ
ぼすことが可能となり、ムラなく導電層を除去すること
ができる。

【００２１】上記の本発明の配線の形成方法は、好適に
は、前記第１領域において前記レジスト膜の一部を溶出
させる工程を多数枚の基板に対して行うバッチ処理にて
行い、前記レジスト膜の上層に形成された前記導電層を
除去する工程を基板１枚毎に行う枚葉処理にて行う。こ
のような処理方法では、レジスト膜剥離液を用いてレジ
スト膜の一部を溶解する処理のバッチ内に待機時間の差
が生じ、各バッチの最後の基板ほど待機時間が長くなっ
てレジスト膜の溶出が進んでしまい、除去すべき導電層
が完全に浮いた状態となりやすくなってしまうが、本発
明により、少なくとも第２領域においてレジスト膜の一
部を残しながら、第１領域においてレジスト膜の一部を
溶出させることが可能となる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる配線の形成
方法を添付図面を参照して詳細に説明する。但し、本発
明は、下記の実施形態に限定されるものではない。

【００２３】第１実施形態 図１に本実施形態にかかる配線の形成方法において用い
るリフトオフ用のレジスト膜のパターンを示す平面図を
示す。図１（ａ）は基板（以後ウェーハともいう）全体
のレジスト膜パターンであり、ウェーハの本パターン領
域（第１領域）と、例えば１ウェーハあたり４か所のダ
ミー領域（第２領域）に分離してパターンが形成されて
いる。本パターン領域（第１領域）においては、所定の
パターンの配線を形成するようなパターンとなってい
る。一方、ダミー領域（第２領域）においては、レジス
ト膜が全面にべたで形成されている。

【００２４】図１（ｂ）は、本実施形態にかかるレジス
ト膜パターンの本パターン領域（第１領域）およびダミ
ー領域（第２領域）のそれぞれのパターンを示す拡大図
である。図面上、斜線で示している部分がレジスト膜を
形成する領域であり、白抜きとなっている部分はレジス
ト膜を形成しない領域である。本パターン領域（第１領
域）においては、１枚の半導体チップあたり例えば２本
の配線を形成するようなパターンとなっており、一方、
上述のようにダミー領域（第２領域）においては、全面
にべたで形成されている。本パターン領域（第１領域）
に形成するレジスト膜の最大幅ｊよりも、ダミー領域
（第２領域）の幅ｋの方が広くなっている。

【００２５】上記のレジスト膜パターンを用いて、基板
上に配線を形成する形成工程について、図１（ｂ）中の
Ｘ−Ｘ’に相当する部分の断面図により説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、例えばトランジスタなど
の種々の半導体素子（不図示）を形成した半導体ウェー
ハ１０上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n ）法などにより窒化シリコンを堆積させ、絶縁膜２０
を形成する。その上層に、レジスト膜Ｒを塗布して形成
し、フォトリソグラフィー工程における露光および現像
によりパターニングして、後工程で配線を形成する領域
を開口して絶縁膜２０を露出するようにする。ここで、
形成するレジスト膜のパターンとしては、図１に示すよ
うに、本パターン領域（第１領域）と、ダミー領域（第
２領域）に分離して、本パターン領域（第１領域）に形
成するレジスト膜の最大幅ｊよりも、ダミー領域（第２
領域）の幅ｋの方が広くなるように形成する。

【００２６】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
膜Ｒをマスクとして、例えばＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング）などのエッチングを施し、レジスト膜Ｒのパタ
ーンに絶縁膜２０を加工し、レジスト膜Ｒの開口部分に
おいて半導体ウェーハ１０を露出させる。

【００２７】次に、図２（ｃ）に示すように、例えば垂
直蒸着法により、ウェーハ全面にアルミニウムなどの金
属を堆積させ、レジスト膜Ｒの開口部内およびレジスト
膜Ｒの上層にそれぞれ導電層３０ａ，３０ｂを形成す
る。垂直蒸着法を用いることにより、レジスト膜Ｒの開
口部の側壁面上には金属膜が蒸着されず、レジスト膜Ｒ
の開口部内およびレジスト膜Ｒの上層にそれぞれ導電層
３０ａ，３０ｂを段切れ状態にして形成することができ
る。

【００２８】次に、図３（ｄ）に示すように、ウェーハ
全体をレジスト膜剥離液に所定時間浸漬する。このと
き、導電層３０ａ，３０ｂの段切れ部分から剥離液が進
入し、本パターン領域（第１領域）およびダミー領域
（第２領域）においてそれぞれレジスト膜Ｒを溶出させ
る。このレジスト膜の溶出は、浸漬時間を調節すること
により少なくともダミー領域（第２領域）においてレジ
スト膜が全部溶出する前に停止し、少なくともダミー領
域（第２領域）においてレジスト膜の一部を残しなが
ら、本パターン領域（第１領域）においてレジスト膜の
一部を溶出させる。この結果、ダミー領域（第２領域）
にはレジスト膜Ｒａが残され、その上層の導電層を支持
し、一方、本パターン領域（第１領域）においてレジス
ト膜の上層に形成された導電層はダミー領域（第２領
域）におけるレジスト膜の上層に形成された導電層と繋
がっていることから、本パターン領域（第１領域）およ
びダミー領域（第２領域）においてレジスト膜の上層に
形成された導電層３０ｂが遊離するのを防ぐことができ
る。本パターン領域（第１領域）においては、図面のよ
うにほとんどのレジスト膜が溶出してその一部Ｒｂが残
るだけとなる、あるいは、完全にレジスト膜を溶出させ
てしまってもよい。

【００２９】次に、図３（ｅ）に示すように、例えばウ
ェーハ全体に２０ｋｇ／ｃｍ² 〜１００ｋｇ／ｃｍ² に
加圧した純水を噴出し、この圧力により一定の弾力性を
有するレジスト膜Ｒａの変形を誘起し、レジスト膜Ｒａ
と導電層３０ｂの密着力を低下させ、レジスト膜のパタ
ーン開口部内に形成された導電層３０ａを残しながら、
レジスト膜の上層に形成された導電層３０ｂを除去す
る。このとき、２０ｋｇ／ｃｍ² 〜１００ｋｇ／ｃｍ²
という条件における純水の加圧噴出によってはレジスト
膜Ｒａ自体が剥離することはない。また、レジスト膜の
開口部内に形成された導電層３０ａは、下地の半導体ウ
ェーハ１０が純水の加圧噴出によって変形せず、また半
導体ウェーハ１０と導電層３０ａの密着力はレジスト膜
Ｒａと導電層３０ｂの密着力よりも強いため、半導体ウ
ェーハ１０から剥離することなく残存する。

【００３０】上記のウェーハに純水を噴出する方法とし
ては、例えば図４に示す装置を用いて行うことができ
る。ウェーハ１を真空チャック２に搭載し、固定する。
回転モータ３を用いて真空チャック２ごとウェーハ１を
１０００ｒｐｍ以下の速度で回転させる。同時に、ポン
プ４により例えば２０ｋｇ／ｃｍ² 〜１００ｋｇ／ｃｍ
² に加圧した純水を、例えば口径０．２ｍｍのノズル５
から回転しているウェーハ１に向かって噴出する。この
とき、ノズル５はウェーハ１の直径分だけ左右に首を振
る揺動運動を行う。このため、ノズル５から噴出された
純水は、回転するウェーハ１全面に均等に衝突し、ムラ
なくレジスト膜の上層に形成された導電層３０ｂを除去
することができる。

【００３１】次に、図３（ｆ）に示すように、例えばレ
ジスト膜剥離液に浸漬する、あるいはＯ₂ プラズマアッ
シングなどの方法により、ウェーハ上のレジスト膜を全
て除去する。以上で、本パターン領域（第１領域）にお
いてリフトオフ法により配線を形成することができる。
以降の工程としては、例えばパッシベーションを行い、
パッドの開口を行って所望の半導体装置とすることがで
きる。

【００３２】上記の本実施形態にかかる配線の形成方法
によれば、本パターン領域（第１領域）においては所定
のパターンに沿って、ダミー領域（第２領域）において
は本パターン領域（第１領域）のパターンの最大幅より
も広い幅となるように、レジスト膜を露光および現像し
てパターン加工し、少なくともダミー領域（第２領域）
においてレジスト膜の一部を残しながら、本パターン領
域（第１領域）においてレジスト膜の一部を溶出させる
ので、レジスト膜に形成された硬化膜の除去が容易であ
って、さらに、次工程であるレジスト膜の上層に形成さ
れた導電層を除去する工程に到達する前にレジスト膜が
全て溶出してしまい、除去すべき導電層が完全に浮いた
状態となるのを防止できるので、レジスト膜剥離液中
に、レジスト膜が溶出して浮いてしまった導電層材料が
剥がれ落ちてレジスト膜剥離液を汚染してしまうことを
防止できる。ここで、ダミー領域（第２領域）の幅ｋと
しては、レジスト膜の溶出速度と水などを噴出して導電
層を除去するときの剥離性によって決定することができ
る。

【００３３】上記の配線の形成方法としては、本パター
ン領域（第１領域）においてレジスト膜の一部を溶出さ
せる工程を多数枚のウェーハに対して行うバッチ処理に
て行い、ウェーハ全体に加圧した純水を噴出してレジス
ト膜の上層に形成された導電層を除去する工程を基板１
枚毎に行う枚葉処理にて行うことができる。この場合、
本パターン領域（第１領域）においてレジスト膜の一部
を溶出させる工程を多数枚のウェーハに対して行うバッ
チ処理の後、ウェーハ全体を水あるいはＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）などの溶媒に浸漬するなどによりレ
ジスト膜剥離液をウェーハから置換除去しておくが、レ
ジスト膜剥離液を用いてレジスト膜の一部を溶解する処
理のバッチ内に待機時間の差が生じ、各バッチの最後の
基板ほど待機時間が長くなってレジスト膜の溶出が進ん
でしまい、従来方法においては除去すべき導電層が完全
に浮いた状態となりやすくなってしまう。しかし、本実
施形態においては、少なくともダミー領域（第２領域）
においてレジスト膜の一部を残しながら、本パターン領
域（第１領域）においてレジスト膜の一部を溶出させる
ことから、次工程であるレジスト膜の上層に形成された
導電層を除去する工程に到達する前にレジスト膜が全て
溶出してしまい、除去すべき導電層が完全に浮いた状態
となるのを防止できるので、レジスト膜剥離液中あるい
は待機槽中にレジスト膜が溶出して浮いてしまった導電
層材料が剥がれ落ち、レジスト膜剥離液や待機槽を汚染
してしまうことを防止できる。

【００３４】第２実施形態 本実施形態は実質的に第１実施形態と同様であるが、リ
フトオフ用のレジスト膜のパターンとして、図５に示す
ように、ウェーハの中央部にウェーハの本パターン領域
（第１領域）を、ウェーハの外周側にダミー領域（第２
領域）を分離して形成したパターンを用いる。本パター
ン領域（第１領域）においては、所定のパターンの配線
を形成するようなパターンとなっている。一方、ダミー
領域（第２領域）においては、レジスト膜が全面にべた
で形成されている。

【００３５】レジスト膜が溶出してその上層の導電層が
剥がれてくるのは、基板の外周側からであり、本実施形
態によれば、ダミー領域（第２領域）をウェーハの外周
側の領域とすることでレジスト膜が溶出して浮いてしま
った導電層材料が剥がれ落ちることを効果的に防止する
ことができる。

【００３６】また、上記のウェーハの中央部にウェーハ
の本パターン領域（第１領域）を、ウェーハの外周側に
ダミー領域（第２領域）を分離して形成されたパターン
としては、図６に示すように、レジスト膜を露光および
現像してパターン加工する工程においては、本パターン
領域（第１領域）においてステッパーによる露光を行
い、ウェーハの外周側のステッパーの未露光領域をダミ
ー領域（第２領域）とすることもできる。これにより、
容易に第２領域を基板の外周側の領域とすることができ
る。

【００３７】本発明の配線の形成方法は、上記の実施の
形態に限定されない。例えば、導電層を除去するために
ウェーハにむけて噴出する液体としては水（純水）以外
の溶媒を用いることもできる。配線となる導電性材料と
してはアルミニウムの他、種々の金属材料、また、金属
以外の導電性材料を用いることもできる。ウェーハに形
成する半導体素子としては、トランジスタやキャパシタ
など、特に限定はない。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々の変更が可能である。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、レジスト膜に形成され
た硬化膜の除去が容易であって、基板への再付着を防止
でき、さらにレジスト膜剥離液や待機槽の汚染を防止す
ることができるリフトオフ法による配線の形成方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明の第１実施形態にかかるレ
ジスト膜のパターンの平面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）に示すレジスト膜パターンの本パターン領域（第
１領域）およびダミー領域（第２領域）のそれぞれのパ
ターンを示す拡大図である。

【図２】図２は本発明の第１実施形態にかかる配線の形
成方法の工程を示す断面図であり、（ａ）はレジスト膜
の形成工程まで、（ｂ）は絶縁膜の加工工程まで、
（ｃ）は導電層の形成工程までを示す。

【図３】図３は図２の続きの工程を示し、（ｄ）は少な
くとも本パターン領域（第１領域）におけるレジスト膜
の一部を溶出する工程まで、（ｅ）はレジスト膜の上層
に形成された導電層の除去工程まで、（ｆ）はレジスト
膜の除去工程までを示す。

【図４】図４はレジスト膜の上層に形成された導電層の
除去工程において用いる、ウェーハにむけて加圧した水
を噴出させる装置の模式図である。

【図５】図５は本発明の第２実施形態にかかるレジスト
膜のパターンの平面図である。

【図６】図６は本発明の第３実施形態にかかるレジスト
膜のパターンの平面図である。

【符号の説明】

１…ウェーハ、２…真空チャック、３…回転モータ、４
…ポンプ、５…ノズル、１０…半導体ウェーハ、２０…
絶縁膜、３０ａ，３０ｂ…導電層、Ｒ，Ｒａ，Ｒｂ…レ
ジスト膜。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１領域と第２領域とを有する基板上に配
   線を形成する方法であって、 前記第１領域および前記第２領域において、前記基板上
   にレジスト膜を形成する工程と、 前記第１領域においては所定のパターンに沿って、前記
   第２領域においては前記第１領域のパターンの最大幅よ
   りも広い幅となるように、前記レジスト膜を露光および
   現像してパターン加工する工程と、 前記第１領域および前記第２領域において、前記レジス
   ト膜のパターン開口部内および前記レジスト膜の上層に
   段切れ状態に導電層を形成する工程と、 少なくとも前記第２領域において前記レジスト膜の一部
   を残しながら、前記第１領域において前記レジスト膜の
   一部を溶出させる工程と、 前記レジスト膜のパターン開口部内に形成された前記導
   電層を残しながら、前記レジスト膜の上層に形成された
   前記導電層を除去する工程と、 前記レジスト膜を除去する工程とを有する配線の形成方
   法。
2. 【請求項２】前記レジスト膜のパターン開口部内および
   前記レジスト膜の上層に段切れ状態に導電層を形成する
   工程が、前記基板に対して全面に垂直蒸着により前記導
   電層を形成する工程である請求項１記載の配線の形成方
   法。
3. 【請求項３】前記第２領域を前記基板の外周側の領域と
   する請求項１記載の配線の形成方法。
4. 【請求項４】前記レジスト膜を露光および現像してパタ
   ーン加工する工程においては、前記第１領域においてス
   テッパーによる露光を行い、 前記基板の外周側のステッパーの未露光領域を前記第２
   領域とする請求項３記載の配線の形成方法。
5. 【請求項５】前記レジスト膜の上層に形成された前記導
   電層を除去する工程においては、前記基板に全面に液体
   を噴出して前記導電層を除去する請求項１記載の配線の
   形成方法。
6. 【請求項６】前記液体が水である請求項５記載の配線の
   形成方法。
7. 【請求項７】前記液体を噴出して前記導電層を除去する
   工程においては、２０ｋｇ／ｃｍ²以上１００ｋｇ／ｃ
   ｍ² 以下に加圧した液体を噴出する請求項５記載の配線
   の形成方法。
8. 【請求項８】前記液体を噴出して前記導電層を除去する
   工程においては、前記基板を回転しつつ前記基板全体に
   前記液体を噴出する請求項５記載の配線の形成方法。
9. 【請求項９】前記第１領域において前記レジスト膜の一
   部を溶出させる工程を多数枚の基板に対して行うバッチ
   処理にて行い、前記レジスト膜の上層に形成された前記
   導電層を除去する工程を基板１枚毎に行う枚葉処理にて
   行う請求項１記載の配線の形成方法。