JPH03236217A - フォトレジスト膜の剥離方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、例えば半導体ウェハや液晶用ガラス基板等
のパターン形成工程において適用されるフォトレジスト
膜の剥離方法およびその装置に関するものである。

（従来の技術） 半導体ウェハや液晶用ガラス基板等（以下単に基板と称
する）の表面に所要の回路パターンを形成する工程では
、フォトエツチングの技法が利用されている。

この技法は、まず基板の表面にフォトレジストを塗布し
て熱処理（ブレベーク）した後、パターンマスクを用い
て所要の回路パターンを露光し、現像、熱処理（ボスト
ベーク）した後、フォトレジスト膜で保護されていない
基板の表面を適当なエツチング液を用いて選択的にエツ
チングすることにより所要の回路パターンを形成し、そ
の後回路パターンを保護している不要になったフォトレ
シスト膜を剥離除去するという技法である。

このフォトレジスト膜の剥離方法は、一般に「浸漬方式
」と「シャワー・ブラシ方式」の２種の方式に大別され
る。

第１の「浸漬方式」としては、従来より例えば特開昭６
０−２０３９４４号公報に開示されたもの（以下従来例
１という）がある。

それは、基板を剥離液中に浸漬させ、常温下で周波数約
４０　Ｋ　Ｈｚの音波域を作用させることにより、基板
に被着したフォトレジスト膜を除去する方法である。

また、第２の「シャワー・ブラシ方式」としては、例え
ば下記のもの（以下従来例２という）がある。

それは、基板を水平搬送する搬送手段と、搬送手段の上
方に吊設された複数の剥離液吐出ノズルと、基板の搬送
方向と交差する方向に配設されたブラシローラとを具備
して成り、基板に剥離液をシャワー状に供給しながらブ
ラシローラでフォトレジスト膜を除去するというもので
ある。

（発明が解決しようとする課題） 近年、基板に形成される回路パターン等はますます微細
化される傾向にあり、微細化なパターンのエツチング処
理にはウェットエツチングよりもドライエツチングが適
していると言われている。

しかしながら、ドライエツチングをした場合、その後の
剥離工程において、微細なパターン部分のフォトレジス
ト膜が剥離しにくくなるという問題がある。これはドラ
イエツチング処理において、フォトレジストの表面がエ
ツチングガス等で変質するためであろうと考えられる。

ここで従来例１のように、剥離液との接触下で基板に周
波数約４０ＫＨ２の音波域を作用させる方式を採用する
場合、当該音波域により剥離液にキャビテーション（気
泡の発生と消滅）現象を生じせしめ、これによりフォト
レジスト膜を剥離することから、剥離性は一段と向上す
るものの、下地の回路パターンまで剥離してしまうおそ
れがある。

他方、従来例２のように、「シャワー・プラン方式Ｊを
採用する場合には、微細なパターン部分の剥離性が必ず
しも良くないうえ、構造が複雑化し、ブラシローラによ
り不純粒子（ゴミ）が再付着するという問題がある。

本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、 イ、微細なパターン部分の剥離性を向上させながらも、
下地の回路パターンにダメージを与えないようにするこ
と、 口、簡素な構造で安価に実施できるようにすること、 ハ、コミの再付着をな（すること、 を技術課題とする。

（課題を解決するための手段） 本発明は上記課題を解決するものとして、以下のように
構成される。

即ち、第１の発明は、剥離液との接触下で超音波を作用
させることにより、基板に被着したフォトレジスト膜を
除去するフォトレジスト膜の剥離方法において、剥離液
を０．８ＭＨｚ以上の周波数の超音波で励振することを
特徴とする方法である。

そして第２の発明は、基板を水平搬送する搬送手段と、
搬送手段の上方に吊設された少なくとも１個以上の剥離
液吐出ノズルとを具備して成り、基板の搬送方向と交差
する方向の全域にわたり剥離液を供給するように構成し
たフォトレジスト膜の剥離装置において、剥離液吐出ノ
ズルに超音波発振器を付設し、基板に供給する処理液を
０．８ＭＨｚ以上の周波数の超音波で励振するように構
成したことを特徴とする装置である。

（作　　用） 第１の発明では、前記従来例１と同様、剥離液との接触
下で基板に超音波を作用させる方法であるが、剥離液を
０．８ＭＨｚ以上の周波数で励振することにより、キャ
ビテーションを生ずることなくフォトレジスト膜のみを
溶解する。

従って、フォトレジスト膜の下地である金属膜等の回路
パターン等が超音波によってダメージを受けることはな
い。

また、第２の発明では、前記従来例２と同様、シャワ一
方式を採用するものであるが、ブラシローラを使用する
代わりに、剥離液吐出ノズルに超音波発振器を付設し、
０．８ＭＨｚ以上の周波数で剥離液を励振する。これに
より、キャビテーションを生ずることなくフォトレジス
ト膜のみを溶解する。従って、回路パターン等が超音波
によってダメージを受けることはなく、不純粒子が再付
着することもなくなる。

（実施例） 図面は本発明の一実施例を示す剥離装置の斜視図である
。

この剥離装置は基板Ｗを水平搬送する複数の搬送ローラ
ド・・と、搬送ローラド・・の上方に吊設された複数の
剥離液吐出ノズル２・・・とを具備して成り、基板Ｗの
搬送方向Ａと交差する方向の全域にわたり剥離液４をン
ヤワー状に供給するように構成されている。

上記搬送ローラ１は段付きローラとして形成されており
、小径のローラ周面１ａで基板Ｗの両側端部を支え、大
径のローラ内側面１ｂで基板Ｗの両側端面を案内するよ
うに構成されている。

各剥離液吐出ノズル２・・・にはその適所に超音波発振
器３が付設されており、基板Ｗに供給する剥離液４を０
．８ＭＨｚ以上の周波数の超音波で励振するように構成
されている。なお、図中の符号５は、タンク６内に貯留
され、液温管理された剥離液４を吐出ノズル２に圧送す
るポンプである。

ちなみに、次表はドライエツチング処理後に行ったフォ
トレジスト膜剥離テストの結果を示す。

表（フォトレジスト膜の剥離テスト） 基板超音波　　給液　　液温　時間　剥離性Ｎｏ、　周
波数（ジャワ／浸漬）　（’Ｃ）　　（ｓｅｅ）　　（
良／否）１　　　　ＯＦＦ　　　　　　　シャワー　　
　　６０　　３０　　　　否２　　　４５ＫＨ，シャワ
ー　　　　６０　　３０　　　　否３　　０．８ｋｌＨ
ｚ　　　　　シャワー　　　　６０　　３０　　　　良
４　　１．１Ｍ１（Ｚ　　　　　シャワー　　　　６０
　　３０　　　　良５　　１．１鯖■２　　　　　）中
７−　　　６０　　１０　　　　良６　　１．１鯖■２
　　　　　シャワー　　　　４０　３０　　　　良７　
　１．１１１！Ｉ（Ｚ　　　　　シャワー　　　　３６
　３０　　　　良８　１．３鯖■７　　　　シ↑’７−
３０３０　　　　　良ただし、剥離液は東京応化（株）
製のＳ　−１０５である。

以上の結果によれば、周波数０．８ＭＨｚ以上の超音波
による剥離性が優れていることを示している。つまり、
本発明は周波数０．８鯖■２以上の超音波が微細パター
ン中に残存しているフォトレジストに集中的に作用して
当該フォトレジストのみを溶解し、下地の回路パターン
等には何等の障害を与えないことに着目してなされたも
のである。

上記テストによれば、液温３０℃以上で効果があり、特
に４０℃以上で最も効果的である。従って、常温に近い
液温でも剥離性が良好であり、液温の管理も容易となる
。

なお、上記実施例では剥離液吐出ノズル２が剥離液４を
ンヤワー状に吐出するものについて例示したが、これに
限るものではなく、半導体ウェハ用としてホーンタイプ
のものを用いることもできる。

また、上記実施例では搬送中の基板に剥離液吐出ノズル
で剥離液を供給するものについて例示したが、浸漬方式
のものについても適用できることは明らかである。

（発明の効果） 以上の説明で明らかなように、本発明によれば次のよう
な効果を奏する。

イ、第１の発明では、剥離液を０．８ＭＨｚ以上の周波
数で励振することにより、キャビテーションを生ずるこ
となく、フォトレジストのみを溶解除去できるので、フ
ォトレジスト膜の下地である回路パターン等にダメージ
を与えるおそれがなく、従来例１に比べて剥離工程での
歩留まりが向上する。

口、第２の発明では、シャワ一方式（ホーンタイプも含
む）を採りながらも、剥離液吐出ノズルに上記超音波発
振器を付設することにより、ブラシローラを排除できる
から従来例２に比べて構造が簡素になり、安価に実施で
きる。

ハ、ブラシローラを排除したので、ゴミの回付１をなく
すことができる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明にかかる剥離装置の一実施例を示す斜視図
である。 Ｗ・・・基板、　　１・・・搬送手段（搬送ローラ）、
２・・・剥離液吐出ノズル、　３・・・超音波発振器、
４・・・剥離液。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、剥離液との接触下で超音波を作用させることにより
   、基板に被着したフォトレジスト膜を除去するフォトレ
   ジスト膜の剥離方法において、 剥離液を０．８ＭＨｚ以上の周波数の超音波で励振する
   ことを特徴とするフォトレジスト膜の剥離方法 ２、基板を水平搬送する搬送手段と、搬送手段の上方に
   吊設された少なくとも１個以上の剥離液吐出ノズルとを
   具備して成り、基板の搬送方向と交差する方向の全域に
   わたり剥離液を供給するように構成したフォトレジスト
   膜の剥離装置において、 剥離液吐出ノズルに超音波発振器を付設し、基板に供給
   する処理液を０．８ＭＨｚ以上の周波数の超音波で励振
   するように構成したことを特徴とするフォトレジスト膜
   の剥離装置