JP2003272988A - 被処理体の処理方法および被処理体処理装置 - Google Patents
被処理体の処理方法および被処理体処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物を確実に処理することができる被処
理体の処理方法および被処理体処理装置を提供する。 【解決手段】 被処理体の処理方法は、被処理体の処理
時の回転接線方向と交差する方向に延びるパターンを有
する、被処理体の処理方法である。被処理体の処理方法
は、被処理体１００の上に、処理液１２０を供給する工
程と、被処理体１００を正の回転方向Ｄ２に回転させる
工程と、被処理体１００を逆の回転方向Ｄ３に回転させ
る工程とを含む。
理体の処理方法および被処理体処理装置を提供する。 【解決手段】 被処理体の処理方法は、被処理体の処理
時の回転接線方向と交差する方向に延びるパターンを有
する、被処理体の処理方法である。被処理体の処理方法
は、被処理体１００の上に、処理液１２０を供給する工
程と、被処理体１００を正の回転方向Ｄ２に回転させる
工程と、被処理体１００を逆の回転方向Ｄ３に回転させ
る工程とを含む。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体の処理方
法および被処理体処理装置に関し、特に、処理液により
被処理体を処理する被処理体の処理方法およびその処理
方法を実施することができる被処理体処理装置に関す
る。
法および被処理体処理装置に関し、特に、処理液により
被処理体を処理する被処理体の処理方法およびその処理
方法を実施することができる被処理体処理装置に関す
る。
【０００２】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】半導体
製造プロセスにおいては、一般的に、処理液によりウエ
ハ上の被処理物を処理する工程がある。この処理として
は、たとえば、エッチング工程で発生した反応生成物を
除去するものがある。
製造プロセスにおいては、一般的に、処理液によりウエ
ハ上の被処理物を処理する工程がある。この処理として
は、たとえば、エッチング工程で発生した反応生成物を
除去するものがある。
【０００３】本発明の目的は、被処理物を確実に処理す
ることができる被処理体の処理方法および被処理体処理
装置を提供することにある。
ることができる被処理体の処理方法および被処理体処理
装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】１．被処理体の処理方法
１．１ 第１の被処理体の処理方法
本発明の第１の被処理体の処理方法は、被処理体の処理
時の回転接線方向と交差する方向に延びるパターンを有
する、被処理体の処理方法であって、前記被処理体の上
に、処理液を供給する工程と、前記被処理体を正の回転
方向に回転させる工程と、前記被処理体を逆の回転方向
に回転させる工程とを含む。
時の回転接線方向と交差する方向に延びるパターンを有
する、被処理体の処理方法であって、前記被処理体の上
に、処理液を供給する工程と、前記被処理体を正の回転
方向に回転させる工程と、前記被処理体を逆の回転方向
に回転させる工程とを含む。
【０００５】本発明の第１の被処理体の処理方法によれ
ば、被処理体の処理時の回転接線方向と交差する方向に
延びるパターンの両側方にある被処理物を確実に除去す
ることができる。すなわち、被処理体を正の回転方向に
回転させたときは、パターンの正の回転方向側にある被
処理物と処理液との接触圧力が高まり、その被処理物を
確実に除去することができる。また、被処理体を逆の回
転方向に回転させたときは、パターンの逆の回転方向側
にある被処理物と処理液との接触圧力が高まり、その被
処理物を確実に除去することができる。
ば、被処理体の処理時の回転接線方向と交差する方向に
延びるパターンの両側方にある被処理物を確実に除去す
ることができる。すなわち、被処理体を正の回転方向に
回転させたときは、パターンの正の回転方向側にある被
処理物と処理液との接触圧力が高まり、その被処理物を
確実に除去することができる。また、被処理体を逆の回
転方向に回転させたときは、パターンの逆の回転方向側
にある被処理物と処理液との接触圧力が高まり、その被
処理物を確実に除去することができる。
【０００６】本発明では、前記処理液は、前記パターン
の両側壁に付着している被処理物を処理するための液と
することができる。この場合、パターンの両側壁に付着
している被処理物を、確実に除去することができる。
の両側壁に付着している被処理物を処理するための液と
することができる。この場合、パターンの両側壁に付着
している被処理物を、確実に除去することができる。
【０００７】本発明では、前記処理液は、レジスト剥離
液とすることができる。パターンを形成するために用い
たレジストと、被処理物とを、同一の工程で除去するこ
とができる。このため、工程数を増やすことなく、被処
理物を確実に除去することができる。
液とすることができる。パターンを形成するために用い
たレジストと、被処理物とを、同一の工程で除去するこ
とができる。このため、工程数を増やすことなく、被処
理物を確実に除去することができる。
【０００８】本発明では、前記パターンは、被処理層の
上に設けられたレジストパターンであり、前記処理液
は、前記被処理層のエッチング液とすることができる。
この場合、被処理層を、所定パターンに確実にエッチン
グすることができる。
上に設けられたレジストパターンであり、前記処理液
は、前記被処理層のエッチング液とすることができる。
この場合、被処理層を、所定パターンに確実にエッチン
グすることができる。
【０００９】本発明では、前記パターンは、露光された
レジストパターンと未露光のレジストパターンとを含
み、前記処理液は、レジストの現像液とすることができ
る。この場合、除去したいレジスト層の部分を確実に除
去することができる。
レジストパターンと未露光のレジストパターンとを含
み、前記処理液は、レジストの現像液とすることができ
る。この場合、除去したいレジスト層の部分を確実に除
去することができる。
【００１０】本発明では、前記被処理体の回転は、前記
被処理体の表面が水平面と交差するように、前記被処理
体を傾けて行うことができる。これにより、処理液がウ
エハ全面に行き渡りやすくなり、処理済の処理液を被処
理体の下側から排出しやすくすることができる。
被処理体の表面が水平面と交差するように、前記被処理
体を傾けて行うことができる。これにより、処理液がウ
エハ全面に行き渡りやすくなり、処理済の処理液を被処
理体の下側から排出しやすくすることができる。
【００１１】１．２ 第２の被処理体の処理方法
本発明の第２の被処理体の処理方法は、スルーホールが
設けられた層間絶縁層を有し、前記スルーホールにおけ
る層間絶縁層の側壁に、被処理物が付着した、被処理体
の処理方法であって、前記被処理体の上に、処理液を供
給する工程と、前記被処理体を正の回転方向に回転させ
る工程と、前記被処理体を逆の回転方向に回転させる工
程とを含む。
設けられた層間絶縁層を有し、前記スルーホールにおけ
る層間絶縁層の側壁に、被処理物が付着した、被処理体
の処理方法であって、前記被処理体の上に、処理液を供
給する工程と、前記被処理体を正の回転方向に回転させ
る工程と、前記被処理体を逆の回転方向に回転させる工
程とを含む。
【００１２】本発明の第２の被処理体の処理方法によれ
ば、スルーホールにおける層間絶縁層の側壁に付着した
被処理物を確実に除去することができる。すなわち、被
処理体を正の回転方向に回転させたときは、逆の回転方
向側にある被処理物と処理液との接触圧力が高まり、そ
の被処理物を確実に除去することができる。また、被処
理体を逆の回転方向に回転させたときは、正の回転方向
側にある被処理物と処理液との接触圧力が高まり、その
被処理物を確実に除去することができる。
ば、スルーホールにおける層間絶縁層の側壁に付着した
被処理物を確実に除去することができる。すなわち、被
処理体を正の回転方向に回転させたときは、逆の回転方
向側にある被処理物と処理液との接触圧力が高まり、そ
の被処理物を確実に除去することができる。また、被処
理体を逆の回転方向に回転させたときは、正の回転方向
側にある被処理物と処理液との接触圧力が高まり、その
被処理物を確実に除去することができる。
【００１３】本発明では、前記被処理体の回転は、前記
被処理体の表面が水平面と交差するように、前記被処理
体を傾けて行うことができる。これにより、処理液がウ
エハ全面に行き渡りやすくなり、処理済の処理液を下側
の被処理体から排出しやすくすることができる。
被処理体の表面が水平面と交差するように、前記被処理
体を傾けて行うことができる。これにより、処理液がウ
エハ全面に行き渡りやすくなり、処理済の処理液を下側
の被処理体から排出しやすくすることができる。
【００１４】２．被処理体の処理装置
本発明の被処理体の処理装置は、被処理体を正逆方向に
回転駆動する駆動部を含む。本発明の被処理体の処理装
置は、本発明の被処理体の処理方法を実施するのに好適
である。
回転駆動する駆動部を含む。本発明の被処理体の処理装
置は、本発明の被処理体の処理方法を実施するのに好適
である。
【００１５】本発明では、前記駆動部は、前記被処理体
の表面が水平面と交差するように、前記被処理体を傾け
て回転駆動することができる。
の表面が水平面と交差するように、前記被処理体を傾け
て回転駆動することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１７】１．第１の実施の形態
１．１ ウエハ処理方法
図１〜図６を参照して、実施の形態に係るウエハ処理方
法を説明する。なお、図２〜図６において、（Ｂ）は、
同一の断面を示している。
法を説明する。なお、図２〜図６において、（Ｂ）は、
同一の断面を示している。
【００１８】まず、図１（Ａ）に示すように、ウエハ保
持部１０の上に、ウエハ１００を載置する。ウエハ１０
０は、ウエハ保持部１０上に静電チャックなどにより保
持される。なお、このウエハ１００には、図２（Ａ）お
よび（Ｂ）に示すように、導電層１１０が形成されてい
る。導電層１１０は、図２（Ａ）に示すように、回転接
線方向Ｄ１と交差する方向に延びるパターン部（拡大し
て示した領域におけるパターン部）を有する。そして、
この導電層１１０の両側壁には、側壁膜１１２ａ，１１
２ｂが付着している。なお、この側壁膜１１２ａ，１１
２ｂは、導電層１１０を形成するためのエッチング工程
で発生する。すなわち、側壁膜１１２ａ，１１２ｂは、
レジストを用いた導電層１１０のパターニングの際に、
導電層１１０の成分と、レジストの成分と、エッチャン
トの成分とが反応して生じた生成物が、導電層１１０の
両側壁に付着して形成されたものである。
持部１０の上に、ウエハ１００を載置する。ウエハ１０
０は、ウエハ保持部１０上に静電チャックなどにより保
持される。なお、このウエハ１００には、図２（Ａ）お
よび（Ｂ）に示すように、導電層１１０が形成されてい
る。導電層１１０は、図２（Ａ）に示すように、回転接
線方向Ｄ１と交差する方向に延びるパターン部（拡大し
て示した領域におけるパターン部）を有する。そして、
この導電層１１０の両側壁には、側壁膜１１２ａ，１１
２ｂが付着している。なお、この側壁膜１１２ａ，１１
２ｂは、導電層１１０を形成するためのエッチング工程
で発生する。すなわち、側壁膜１１２ａ，１１２ｂは、
レジストを用いた導電層１１０のパターニングの際に、
導電層１１０の成分と、レジストの成分と、エッチャン
トの成分とが反応して生じた生成物が、導電層１１０の
両側壁に付着して形成されたものである。
【００１９】次に、図１（Ｂ）および図３に示すよう
に、ウエハ１００の上に、処理液１２０を盛る。具体的
には、ノズル（図示せず）により処理液１２０をウエハ
１００の上に供給し、駆動部２０よりウエハ１００を正
回転方向Ｄ２に回転させて遠心力により処理液１２０を
ウエハ１００全面に広げる。
に、ウエハ１００の上に、処理液１２０を盛る。具体的
には、ノズル（図示せず）により処理液１２０をウエハ
１００の上に供給し、駆動部２０よりウエハ１００を正
回転方向Ｄ２に回転させて遠心力により処理液１２０を
ウエハ１００全面に広げる。
【００２０】次に、図１（Ｃ）および図４に示すよう
に、駆動部２０によりウエハ１００を正回転方向Ｄ２に
回転させる。この回転の回転方向は、連続処理のし易さ
の観点から、上述の処理液１２０をウエハ１００上に広
げる回転の回転方向と同じに設定される。ウエハ１００
を回転させると、処理液１２０もウエハ１００に引きず
られて、正回転方向Ｄ２に流動し始めるが、処理液１２
０の流動速度は、ウエハ１００の回転速度ほど速くはな
らない。すなわち、ウエハ１００との関係での処理液１
２０の速度ベクトルは、正回転方向Ｄ２と逆側の方向と
なる。このため、処理液１２０は、正回転方向Ｄ２側
（図３（Ｂ）において左側）の導電層１１０の側壁と衝
突することとなる。その結果、正回転方向Ｄ２側の導電
層１１０の側壁と処理液１２０との接触圧力は、逆側の
導電層１１０の側壁と処理液１２０との接触圧力より大
きくなる。このため、正回転方向Ｄ２側の側壁膜１１２
ａは、逆側の側壁膜１１２ｂに比べて除去されやすい。
に、駆動部２０によりウエハ１００を正回転方向Ｄ２に
回転させる。この回転の回転方向は、連続処理のし易さ
の観点から、上述の処理液１２０をウエハ１００上に広
げる回転の回転方向と同じに設定される。ウエハ１００
を回転させると、処理液１２０もウエハ１００に引きず
られて、正回転方向Ｄ２に流動し始めるが、処理液１２
０の流動速度は、ウエハ１００の回転速度ほど速くはな
らない。すなわち、ウエハ１００との関係での処理液１
２０の速度ベクトルは、正回転方向Ｄ２と逆側の方向と
なる。このため、処理液１２０は、正回転方向Ｄ２側
（図３（Ｂ）において左側）の導電層１１０の側壁と衝
突することとなる。その結果、正回転方向Ｄ２側の導電
層１１０の側壁と処理液１２０との接触圧力は、逆側の
導電層１１０の側壁と処理液１２０との接触圧力より大
きくなる。このため、正回転方向Ｄ２側の側壁膜１１２
ａは、逆側の側壁膜１１２ｂに比べて除去されやすい。
【００２１】なお、ウエハ１００の回転を止めると、処
理液１２０は、しばらくの間、慣性で正回転方向Ｄ２に
対流し続ける。このため、ウエハ１００の回転を止める
と、逆側の側壁膜１１２ｂが処理液に当ることとなる。
これにより、逆側の側壁膜１１２ｂも多少除去されるこ
ととなる。したがって、逆側の側壁膜１１２ｂを、処理
液１２０の流動の慣性現象を利用して、逆側の側壁膜１
１２ｂをすべて除去することも考えられるが、適切な条
件を見出すのが難しい。
理液１２０は、しばらくの間、慣性で正回転方向Ｄ２に
対流し続ける。このため、ウエハ１００の回転を止める
と、逆側の側壁膜１１２ｂが処理液に当ることとなる。
これにより、逆側の側壁膜１１２ｂも多少除去されるこ
ととなる。したがって、逆側の側壁膜１１２ｂを、処理
液１２０の流動の慣性現象を利用して、逆側の側壁膜１
１２ｂをすべて除去することも考えられるが、適切な条
件を見出すのが難しい。
【００２２】そこで、本実施の形態では、図１（Ｄ）お
よび図５に示すように、さらに、駆動部２０によりウエ
ハ１００を逆回転方向Ｄ３に回転させることとしてい
る。これにより、処理液１２０は、逆回転方向Ｄ３側
（右側）の導電層１１０の側壁と、接触圧力が高い状態
で衝突することとなる。このため、逆回転方向Ｄ３側
（右側）の側壁膜１１２ｂが、確実に除去されることと
なる。
よび図５に示すように、さらに、駆動部２０によりウエ
ハ１００を逆回転方向Ｄ３に回転させることとしてい
る。これにより、処理液１２０は、逆回転方向Ｄ３側
（右側）の導電層１１０の側壁と、接触圧力が高い状態
で衝突することとなる。このため、逆回転方向Ｄ３側
（右側）の側壁膜１１２ｂが、確実に除去されることと
なる。
【００２３】次に、洗浄液（図示せず）をウエハ１００
上に供給し、図１（Ｅ）および図６に示すように、処理
液１２０を除去し、洗浄する。
上に供給し、図１（Ｅ）および図６に示すように、処理
液１２０を除去し、洗浄する。
【００２４】なお、この実施の形態に係る方法は、導電
層１１０のエッチング工程が、ドライエッチングにより
行われる場合に、特に効果的である。ドライエッチング
により導電層１１０をエッチングすると、反応生成物が
気化せず、その反応生成物が導電層１１０の両側壁に付
着し易いからである。
層１１０のエッチング工程が、ドライエッチングにより
行われる場合に、特に効果的である。ドライエッチング
により導電層１１０をエッチングすると、反応生成物が
気化せず、その反応生成物が導電層１１０の両側壁に付
着し易いからである。
【００２５】１．２ 変形例
（１）上記の実施の形態においては、処理液１２０によ
り側壁膜１１２ａ，１１２ｂを除去した。しかし、側壁
膜１１２ａ，１１２ｂの除去方法はこれに限定されず、
たとえば、変質液により側壁膜１１２ａ，１１２ｂを変
質（たとえば水溶性化）させ、変質した側壁膜１１２
ａ，１１２ｂを洗浄液（たとえば水）で除去してもよ
い。
り側壁膜１１２ａ，１１２ｂを除去した。しかし、側壁
膜１１２ａ，１１２ｂの除去方法はこれに限定されず、
たとえば、変質液により側壁膜１１２ａ，１１２ｂを変
質（たとえば水溶性化）させ、変質した側壁膜１１２
ａ，１１２ｂを洗浄液（たとえば水）で除去してもよ
い。
【００２６】この場合、変質液をウエハ１００に盛った
後、ウエハ１００を正逆方向にそれぞれ回転させること
ができる。これにより、側壁膜１１２ａ，１１２ｂを変
質液により確実に変質させることができる。
後、ウエハ１００を正逆方向にそれぞれ回転させること
ができる。これにより、側壁膜１１２ａ，１１２ｂを変
質液により確実に変質させることができる。
【００２７】また、この場合、洗浄液をウエハに盛った
後、ウエハ１００を正逆方向に回転させることができ
る。これにより、変質された側壁膜１１２ａ，１１２ｂ
を洗浄液により確実に除去することができる。
後、ウエハ１００を正逆方向に回転させることができ
る。これにより、変質された側壁膜１１２ａ，１１２ｂ
を洗浄液により確実に除去することができる。
【００２８】（２）図１０に示すように、ウエハ１００
の回転は、ウエハ１００の表面が水平面と交差するよう
に、ウエハ１００を傾けて行うことができる。この際、
処理液１２０を供給し続けながら、処理を行うことがで
きる。この場合、処理液１２０がウエハ１００の表面に
広がり易くなるとともに、処理後の処理液が低い側のウ
エハ１００の端から排出され易くなる。なお、この変形
例は、以降の実施の形態においても適用することができ
る。
の回転は、ウエハ１００の表面が水平面と交差するよう
に、ウエハ１００を傾けて行うことができる。この際、
処理液１２０を供給し続けながら、処理を行うことがで
きる。この場合、処理液１２０がウエハ１００の表面に
広がり易くなるとともに、処理後の処理液が低い側のウ
エハ１００の端から排出され易くなる。なお、この変形
例は、以降の実施の形態においても適用することができ
る。
【００２９】（３）上述の実施の形態では、処理液１２
０を盛った後、ウエハ１００を正逆方向に回転させた。
しかし、これに限定されず、処理液１２０を供給しなが
らウエハ１００を正逆方向に回転させてもよい。なお、
この変形例は、以降の実施の形態においても適用するこ
とができる。
０を盛った後、ウエハ１００を正逆方向に回転させた。
しかし、これに限定されず、処理液１２０を供給しなが
らウエハ１００を正逆方向に回転させてもよい。なお、
この変形例は、以降の実施の形態においても適用するこ
とができる。
【００３０】（４）本実施の形態の適用例としては、導
電層の側壁に付着した側壁膜を除去する場合に限定され
ず、所定の層の側壁に付着した側壁膜を除去する場合に
も適用することができる。
電層の側壁に付着した側壁膜を除去する場合に限定され
ず、所定の層の側壁に付着した側壁膜を除去する場合に
も適用することができる。
【００３１】（５）また、処理液１２０は、レジスト剥
離液とすることができる。これにより、導電層１１０を
パターニングする際に用いたレジストと、側壁膜１１２
ａ，１１２ｂとを、レジスト剥離液を用いて同一工程で
除去してもよい。その結果、側壁膜１１２ａ，１１２ｂ
を除去する専用工程が不要となり、コストの削減を図る
ことができる。
離液とすることができる。これにより、導電層１１０を
パターニングする際に用いたレジストと、側壁膜１１２
ａ，１１２ｂとを、レジスト剥離液を用いて同一工程で
除去してもよい。その結果、側壁膜１１２ａ，１１２ｂ
を除去する専用工程が不要となり、コストの削減を図る
ことができる。
【００３２】２．第２の実施の形態
図７は、第２の実施の形態の処理方法を説明するための
図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面を模式的に示す断面図である。
図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面を模式的に示す断面図である。
【００３３】第２の実施の形態は、図７に示すレジスト
層Ｒ２をマスクとして、処理液によって被処理層２００
をウエットエッチングするウエハ処理方法である点で、
第１の実施の形態と異なる。なお、レジスト層Ｒ２は、
図７（Ａ）に示すように、ウエハ１００の回転接線方向
Ｄ１と交差する方向に延びるパターン部を有する。
層Ｒ２をマスクとして、処理液によって被処理層２００
をウエットエッチングするウエハ処理方法である点で、
第１の実施の形態と異なる。なお、レジスト層Ｒ２は、
図７（Ａ）に示すように、ウエハ１００の回転接線方向
Ｄ１と交差する方向に延びるパターン部を有する。
【００３４】第２の実施の形態の処理方法は、具体的に
は、処理液（エッチング液）をウエハ１００に盛った
後、正逆方向にそれぞれウエハ１００を回転させて、被
処理層２００をエッチングするウエハ処理方法である。
これにより、レジスト層Ｒ２の両サイド下にある被処理
層２００を確実に除去することができる。すなわち、正
の回転方向にウエハ１００を回転させた場合には、レジ
スト層Ｒ２の正の回転方向側のサイド下にある被処理層
２００ａを確実に除去することができる。これは、正の
回転方向にウエハ１００を回転させると、処理液が正の
回転方向側のサイド下にある被処理層２００ａと衝突し
やすくなると同時に、処理済の処理液が、そこから押し
出されやすくなるからである。また、逆の回転方向にウ
エハ１００を回転させた場合には、同様な理由で、レジ
スト層Ｒ２の逆の回転方向側のサイド下にある被処理層
２００ｂを確実に除去することができる。
は、処理液（エッチング液）をウエハ１００に盛った
後、正逆方向にそれぞれウエハ１００を回転させて、被
処理層２００をエッチングするウエハ処理方法である。
これにより、レジスト層Ｒ２の両サイド下にある被処理
層２００を確実に除去することができる。すなわち、正
の回転方向にウエハ１００を回転させた場合には、レジ
スト層Ｒ２の正の回転方向側のサイド下にある被処理層
２００ａを確実に除去することができる。これは、正の
回転方向にウエハ１００を回転させると、処理液が正の
回転方向側のサイド下にある被処理層２００ａと衝突し
やすくなると同時に、処理済の処理液が、そこから押し
出されやすくなるからである。また、逆の回転方向にウ
エハ１００を回転させた場合には、同様な理由で、レジ
スト層Ｒ２の逆の回転方向側のサイド下にある被処理層
２００ｂを確実に除去することができる。
【００３５】３．第３の実施の形態
図８は、第２の実施の形態の処理方法を説明するための
図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿っ
た断面を模式的に示す断面図である。
図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿っ
た断面を模式的に示す断面図である。
【００３６】第３の実施の形態は、図８に示す露光され
たレジスト層Ｒ３を、処理液によって現像するウエハ処
理方法である点で、第１の実施の形態と異なる。なお、
現像の際に残そうとするレジスト層Ｒ３ａは、図８
（Ａ）に示すように、ウエハ１００の回転接線方向Ｄ１
と交差する方向に延びるパターン部を有する。
たレジスト層Ｒ３を、処理液によって現像するウエハ処
理方法である点で、第１の実施の形態と異なる。なお、
現像の際に残そうとするレジスト層Ｒ３ａは、図８
（Ａ）に示すように、ウエハ１００の回転接線方向Ｄ１
と交差する方向に延びるパターン部を有する。
【００３７】第３の実施の形態の処理方法は、具体的に
は、処理液（現像液）をウエハ１００に盛った後、正逆
方向にそれぞれウエハ１００を回転させて、レジスト層
Ｒ３を現像するウエハ処理方法である。これにより、残
したいレジスト層Ｒ３ａの両サイド付近にある除去した
いレジスト層Ｒ３ｂを確実に除去することができる。す
なわち、正の回転方向にウエハ１００を回転させた場合
には、残したいレジスト層Ｒ３ａの正の回転方向側の側
壁付近にある除去したいレジスト層Ｒ３ｂ１を確実に除
去することができる。これは、正の回転方向にウエハ１
００を回転させると、処理液が正の回転方向側の側壁付
近にあるレジスト層Ｒ３ｂ１と衝突しやすくなると同時
に、処理済の処理液が、そこから押し出されやすくなる
からである。また、逆の回転方向にウエハ１００を回転
させた場合には、同様な理由で、残したいレジスト層Ｒ
３ａの逆の回転方向側の側壁付近にある除去したいレジ
スト層Ｒ３ｂ２を確実に除去することができる。
は、処理液（現像液）をウエハ１００に盛った後、正逆
方向にそれぞれウエハ１００を回転させて、レジスト層
Ｒ３を現像するウエハ処理方法である。これにより、残
したいレジスト層Ｒ３ａの両サイド付近にある除去した
いレジスト層Ｒ３ｂを確実に除去することができる。す
なわち、正の回転方向にウエハ１００を回転させた場合
には、残したいレジスト層Ｒ３ａの正の回転方向側の側
壁付近にある除去したいレジスト層Ｒ３ｂ１を確実に除
去することができる。これは、正の回転方向にウエハ１
００を回転させると、処理液が正の回転方向側の側壁付
近にあるレジスト層Ｒ３ｂ１と衝突しやすくなると同時
に、処理済の処理液が、そこから押し出されやすくなる
からである。また、逆の回転方向にウエハ１００を回転
させた場合には、同様な理由で、残したいレジスト層Ｒ
３ａの逆の回転方向側の側壁付近にある除去したいレジ
スト層Ｒ３ｂ２を確実に除去することができる。
【００３８】４．第４の実施の形態
第４の実施の形態は、図９に示すスルーホール２１０に
おける層間絶縁層２００の側壁に付着した側壁膜２０２
を、処理液によって除去するウエハ処理方法である点
で、第１の実施の形態と異なる。
おける層間絶縁層２００の側壁に付着した側壁膜２０２
を、処理液によって除去するウエハ処理方法である点
で、第１の実施の形態と異なる。
【００３９】第４の実施の形態の処理方法は、具体的に
は、処理液をウエハ１００に盛った後、正逆方向にそれ
ぞれウエハ１００を回転させて、側壁膜２０２を除去す
るウエハ処理方法である。これにより、スルーホール２
１０の形成後において層間絶縁層２００の側壁に付着し
た側壁膜２０２を確実に除去することができる。すなわ
ち、正の回転方向にウエハ１００を回転させた場合に
は、スルーホールにおける逆の回転方向側の側壁膜２０
２ａを確実に除去することができる。これは、正の回転
方向にウエハ１００を回転させると、処理液が逆の回転
方向側の側壁膜２０２ａと衝突しやすくなると同時に、
処理済の処理液が、そこから押し出されやすくなるから
である。また、逆の回転方向にウエハ１００を回転させ
た場合には、同様な理由で、正の回転方向側にある側壁
膜２０２ｂを確実に除去することができる。
は、処理液をウエハ１００に盛った後、正逆方向にそれ
ぞれウエハ１００を回転させて、側壁膜２０２を除去す
るウエハ処理方法である。これにより、スルーホール２
１０の形成後において層間絶縁層２００の側壁に付着し
た側壁膜２０２を確実に除去することができる。すなわ
ち、正の回転方向にウエハ１００を回転させた場合に
は、スルーホールにおける逆の回転方向側の側壁膜２０
２ａを確実に除去することができる。これは、正の回転
方向にウエハ１００を回転させると、処理液が逆の回転
方向側の側壁膜２０２ａと衝突しやすくなると同時に、
処理済の処理液が、そこから押し出されやすくなるから
である。また、逆の回転方向にウエハ１００を回転させ
た場合には、同様な理由で、正の回転方向側にある側壁
膜２０２ｂを確実に除去することができる。
【００４０】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変
形実施が可能である。
されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変
形実施が可能である。
【図１】第１の実施の形態に係る被処理体の処理方法の
工程を模式的に示す図である。
工程を模式的に示す図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１（Ａ）のウエハの上面図で
あり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断
面を模式的に示す断面図である。
あり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断
面を模式的に示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、図１（Ｂ）のウエハの上面図で
あり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のウエハの一部の断面
を模式的に示す断面図である。
あり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のウエハの一部の断面
を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、図１（Ｃ）のウエハの上面図で
あり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のウエハの一部の断面
を模式的に示す断面図である。
あり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のウエハの一部の断面
を模式的に示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、図１（Ｄ）のウエハの上面図で
あり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一部の領域の断面を
模式的に示す断面図である。
あり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一部の領域の断面を
模式的に示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、図１（Ｅ）のウエハの上面図で
あり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の一部の領域の断面を
模式的に示す断面図である。
あり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の一部の領域の断面を
模式的に示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、第２の実施の形態に係る被処理
体の構成を模式的に示す平面図であり、図７（Ｂ）は、
図７（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面を模式的に示す断面
図である。
体の構成を模式的に示す平面図であり、図７（Ｂ）は、
図７（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面を模式的に示す断面
図である。
【図８】図８（Ａ）は、第３の実施の形態に係る被処理
体の構成を模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、
図８（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面を模式的に示す断面
図である。
体の構成を模式的に示す平面図であり、図８（Ｂ）は、
図８（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面を模式的に示す断面
図である。
【図９】第４の実施の実施の形態に係る被処理体の構成
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【図１０】変形例を説明するための図である。
１０ ウエハ保持部
２０ 駆動部
１００ ウエハ
１１０ 導電層
１１２ａ，１１２ｂ 反応生成物
１２０ 処理液
２００ 層間絶縁層
２０２ 側壁膜
２１０ スルーホール
Ｒ２，Ｒ３ レジスト層
Ｒ３ａ 残したいレジスト層の部分
Ｒ３ｂ 除去したいレジスト層の部分
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ
21/30 ５７２Ｂ
Claims (10)
- 【請求項１】 被処理体の処理時の回転接線方向と交差
する方向に延びるパターンを有する、被処理体の処理方
法であって、 前記被処理体の上に、処理液を供給する工程と、 前記被処理体を正の回転方向に回転させる工程と、 前記被処理体を逆の回転方向に回転させる工程とを含
む、被処理体の処理方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記処理液は、前記パターンの両側壁に付着している被
処理物を処理するための液である、被処理体の処理方
法。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記処理液は、レジスト剥離液である、被処理体の処理
方法。 - 【請求項４】 請求項１において、 前記パターンは、被処理層の上に設けられたレジストパ
ターンであり、 前記処理液は、前記被処理層のエッチング液である、被
処理体の処理方法。 - 【請求項５】 請求項１において、 前記パターンは、露光されたレジストパターンと未露光
のレジストパターンとを含み、 前記処理液は、レジストの現像液である、被処理体の処
理方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかにおいて、 前記被処理体の回転は、前記被処理体の表面が水平面と
交差するように、前記被処理体を傾けて行われる、被処
理体の処理方法。 - 【請求項７】 スルーホールが設けられた層間絶縁層を
有し、 前記スルーホールにおける層間絶縁層の側壁に、被処理
物が付着した、被処理体の処理方法であって、 前記被処理体の上に、処理液を供給する工程と、 前記被処理体を正の回転方向に回転させる工程と、 前記被処理体を逆の回転方向に回転させる工程とを含
む、被処理体の処理方法。 - 【請求項８】 請求項７において、 前記被処理体の回転は、前記被処理体の表面が水平面と
交差するように、前記被処理体を傾けて行われる、被処
理体の処理方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の被処理
体の処理方法を実施するための被処理体装置であって、 前記被処理体を正逆方向に回転駆動する駆動部を含む、
被処理体処理装置。 - 【請求項１０】 請求項９において、 前記駆動部は、前記被処理体の表面が水平面と交差する
ように、前記被処理体を傾けて回転駆動する、被処理体
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066999A JP2003272988A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 被処理体の処理方法および被処理体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002066999A JP2003272988A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 被処理体の処理方法および被処理体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272988A true JP2003272988A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29198542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002066999A Withdrawn JP2003272988A (ja) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 被処理体の処理方法および被処理体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003272988A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100852818B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2008-08-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| US7806076B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-10-05 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus and method |
| US20110096304A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method and storage medium |
| CN103165496A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| KR20170113147A (ko) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 |
-
2002
- 2002-03-12 JP JP2002066999A patent/JP2003272988A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7806076B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-10-05 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus and method |
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| US20110096304A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method and storage medium |
| US8956694B2 (en) * | 2009-10-23 | 2015-02-17 | Tokyo Electron Limited | Developing apparatus, developing method and storage medium |
| CN103165496A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| KR20170113147A (ko) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 |
| CN107272354A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-10-20 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法和显影装置 |
| US10203605B2 (en) * | 2016-04-01 | 2019-02-12 | Tokyo Electron Limited | Development method, development device, and non-transitory computer-readable storage medium |
| TWI681259B (zh) * | 2016-04-01 | 2020-01-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 顯像方法、顯像裝置及記憶媒體 |
| CN107272354B (zh) * | 2016-04-01 | 2021-06-15 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法和显影装置 |
| KR102356266B1 (ko) | 2016-04-01 | 2022-01-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |