JP2003037053A - 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2003037053A
JP2003037053A JP2001225689A JP2001225689A JP2003037053A JP 2003037053 A JP2003037053 A JP 2003037053A JP 2001225689 A JP2001225689 A JP 2001225689A JP 2001225689 A JP2001225689 A JP 2001225689A JP 2003037053 A JP2003037053 A JP 2003037053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
processed
coating
film
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001225689A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Nakagawa
聖士 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001225689A priority Critical patent/JP2003037053A/ja
Priority to US10/199,328 priority patent/US6777350B2/en
Priority to CNB021269769A priority patent/CN1190824C/zh
Publication of JP2003037053A publication Critical patent/JP2003037053A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0406—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases the gas being air
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0466—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases the gas being a non-reacting gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
    • B05D3/107—Post-treatment of applied coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来より乾燥時間が大幅に乾燥時間を短縮で
きてスループットの短縮化が可能であり、液状異物もし
くはミスト状異物が半導体ウェハ外から飛散することを
防止でき、乾燥時間の制御が可能な塗布型成膜方法を提
供する。 【解決手段】 半導体製造プロセスに於けるフォトリソ
グラフィープロセスの１つであるレジスト塗布工程等に
おいて、フォトレジストなどの薬液塗布処理中における
半導体ウェハ１の所定の領域上にエアー又は窒素からな
る気体を吹き付ける。この処理を行うに際して、所定の
領域に気体吹き付ける機能を持ったエアー又は窒素から
なる気体ブローノズル７を具備する塗布型成膜装置を用
いる。気体ブローノズルを用いることにより、従来より
乾燥時間が大幅に短縮され、乾燥中に液状異物もしくは
ミスト状異物が半導体ウェハ外から飛散することを防止
でき、さらに乾燥時間を制御することが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
プロセスにおけるフォトリソグラフィープロセスのレジ
スト塗布などに使用される塗布型成膜方法、塗布型成膜
装置及びこれらの方法を使用した半導体装置の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶デバイスなどを製
造する上でフォトリソグラフィー技術は種々の配線パタ
ーンを形成する上で重要な工程の１つである。このフォ
トリソグラフィー工程は、例えば、半導体基板上にフォ
トレジストを塗布した後、ステッパーと呼ばれる露光装
置によって配線パターンをフォトレジストに転写し、そ
の後アルカリ水溶液で現像することによりフォトレジス
トパターンを形成する技術である。上記レジストの塗布
膜以外に、半導体装置などで用いる薬液の塗布膜には、
反射防止膜、マスク用膜（ＳＯＧ膜）、層間絶縁膜（Ｓ
ＯＤ膜）、低誘電率化膜（Ｌｏｋ膜）などがあり、これ
らを形成する装置及び方法は、塗布型成膜装置及び塗布
型成膜方法という。
【０００３】従来のフォトレジストを塗布するレジスト
塗布装置では、図９に示すように、被処理基板であるシ
リコンなどの半導体ウェハ１０１を真空吸着し、且つ高
速に回転させるスピンチャック１０２上に配置させる。
そして、このスピンチャック１０２の上部に半導体ウェ
ハ１０１と対向するように、アーム（１）１０３に取り
付けられたフォトレジスト供給ノズル１０５が設けられ
ており、このフォトレジスト供給ノズル１０５から半導
体ウェハ１０１に向けてフォトレジストが供給される。
その後、スピンチャック１０２を回転させることにより
半導体ウェハ１０１上のフォトレジストを乾燥させる。
スピンチャック１０２外周部には、アーム（２）１０４
に取り付けられて移動可能な溶剤供給ノズル１０６が配
置されており、フォトレジストの乾燥後に半導体ウェハ
１０１を回転させながら、半導体ウェハ１０１外周部の
フォトレジストに溶剤を供給することにより、半導体ウ
ェハ１０１外周部のフォトレジストのみを溶解し除去す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フォトレジス
トの乾燥が不充分な場合は、塗布膜と溶剤が混ざること
により塗布膜の周端部分に膨潤が生じる。そのため、図
８（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０１の外周部分
のフォトレジスト膜厚が厚くなり、エッチングでの塗布
膜残りの原因となっている。このような膜厚部分を無く
すためにエッチング時間を長時間にする必要があり、そ
の結果スループットを低下させている。さらに、従来技
術では回転によりフォトレジスト中の溶媒を揮発させて
フォトレジストを乾燥させているために塗布膜の充分な
乾燥には長時間半導体ウェハを回転させる必要があり、
この処理がスループットの低下を招いている。また、半
導体ウェハを回転させて乾燥処理する場合、中心部分の
回転が遅くなり半導体ウェハ周辺より乾燥が遅くなる。
従来の８インチウェハから１２インチウェハに大型化に
なると半導体ウェハの位置の違いによる乾燥の度合いが
大きく異なることになり（半導体ウェハの中心部分は乾
燥が遅く、周辺部分は乾燥が早い）、前述した従来技術
では対応が難しくなる可能性が有る。本発明は、このよ
うな事情によりなされたものであり、従来より乾燥時間
が大幅に乾燥時間を短縮できてスループットの短縮化が
可能であり、液状異物もしくはミスト状異物が半導体ウ
ェハ外から飛散することを防止でき、乾燥時間の制御が
可能な塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及びこの方法を
用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば、半導
体製造プロセスに於けるフォトリソグラフィープロセス
の１つであるレジスト塗布工程等において、フォトレジ
ストなどの薬液塗布処理中における半導体ウェハの所定
の領域上にエアー又は窒素からなる気体を吹き付けるこ
とを特徴としている。またこの処理を行うに際して、所
定の領域に気体を吹き付ける機能を持ったエアー又は窒
素からなる気体ブローノズルを具備する塗布型成膜装置
を用いることに特徴がある。気体ブローノズルを用いて
気体を半導体ウェハ上の塗布型成膜の所定の領域に吹き
付けることにより、従来より乾燥時間が大幅に短縮さ
れ、乾燥中に液状異物もしくはミスト状異物が半導体ウ
ェハ外から飛散することを防止でき、さらに乾燥時間を
制御することが可能になる。塗布型成膜としては、フォ
トレジスト以外に、反射防止膜、マスク用膜（ＳＯＧ
膜）、層間絶縁膜（ＳＯＤ膜）、低誘電率化膜（Ｌｏｋ
膜）などがある。
【０００６】すなわち、本発明の塗布型成膜方法は、被
処理基板を回転させながら薬液を前記被処理基板主面上
に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記被処理体を回
転させながら前記塗布膜を乾燥させる工程と、前記乾燥
工程において、前記塗布膜の所定の領域に向けてエアー
又は窒素からなる気体を吹き付ける工程とを具備したこ
とを特徴としている。前記所定の領域は、塗布膜の周端
部を含む外周部であるようにしても良い。前記気体を吹
き付ける方向は、前記回転する被処理基板の中心方向か
ら外周方向に向かい、前記被処理基板主面とは２０度〜
６０度の角度をなしているようにしても良い。前記所定
の領域は、塗布膜の中心部分から外周部へ移動させるよ
うにしても良い。半導体ウェハを回転させた状態で気体
ブローを任意の位置から任意の時間移動させることによ
り乾燥時間の短縮のみならず半導体ウェハ内で乾燥時間
を制御することが可能となり半導体ウェハ面内での膜厚
均一性を向上できる。前記気体を吹き付ける方向は、前
記所定の領域が前記中心部分にある場合には前記被処理
基板に対して垂直に吹き付け、前記所定の領域が前記外
周部分にある場合には前記被処理基板の中心方向から外
周方向に向かい、前記被処理基板主面とは２０度〜６０
度の角度をなしているようにしても良い。前記塗布膜の
外周部分に溶剤を吹き付けて、この吹き付けた部分の塗
布膜を前記被処理基板から除去する工程をさらに備える
ようにしても良い。また、前記塗布膜の外周部分には、
前記溶剤を吹き付けると同時にもしくは前記溶剤を吹き
付けてから前記気体を吹き付けるようにしても良い。溶
剤による外周部の塗布膜除去の前にあらかじめ任意の時
間気体を吹き付けることにより、外周部塗布膜の乾燥時
間を制御できる。また同時に気体を吹き付けることによ
り、溶剤及び溶解した外周部塗布膜を半導体ウェハ外へ
吹き飛ばし、異物の塗布膜への付着を防ぐことができ
る。
【０００７】本発明の塗布型成膜装置は、回転する被処
理基板を保持する支持具と、前記被処理基板に対向する
ように配置され、前記被処理基板に向けてエアー又は窒
素からなる気体を吹き付ける気体ブローノズルを具備し
たことを特徴としている。前記塗布膜を溶かす溶剤を供
給する溶剤供給ノズルをさらに有するようにしても良
い。前記気体ブローノズルは、複数個有するようにして
も良い。気体ブローノズルを複数個設置することにより
半導体ウェハ面内の任意の場所に同時に気体を吹き付け
ることが可能となり、乾燥時間の更なる短縮化が実現で
きる。更に、複数個の気体ブローノズルに於いて、気体
の流量を個別に設定することにより、半導体ウェハ面内
で乾燥時間を制御できて膜厚均一性を向上できる。前記
気体ブローノズルの角度及び位置は、任意に設定可能で
あるようにしても良い。例えば、塗布膜外周部に気体ブ
ローノズルの位置を設置した場合は、溶剤により除去さ
れる外周部の塗布膜のみを乾燥させることができる。ま
た気体ブローノズルの角度を半導体ウェハ内側からへ外
側に向けて設置すると、液状異物もしくはミスト状異物
が半導体ウェハ外から飛散することを防止できる。前記
気体ブローノズルは、吹き付け工程中において、所定の
速度で移動可能であるようにしても良い。
【０００８】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板に被処理膜を塗布する工程と、上記いずれかの塗布
型成膜方法により前記被処理膜上にレジストを塗布し乾
燥させる工程と、前記レジストをパターニングする工程
と、前記パターニングされたレジストをマスクにして前
記被処理膜を所定の形状にパターニングする工程とを具
備したことを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図３及び図８を参照
して第１の実施例を説明する。図１は、レジスト塗布膜
を形成する塗布型成膜装置の概略平面図、図２は、この
塗布型成膜装置の半導体ウェハ部分を説明する部分断面
図、図３は、この実施例の塗布型成膜方法を説明する工
程断面図、図８は、この実施例及び従来の塗布型成膜装
置を用いることにより形成された塗布型成膜の断面図で
ある。図１に示すように、被処理基板であるシリコンな
どの半導体ウェハ１は、真空チャックにより吸着保持さ
れ、且つ高速回転するスピンチャック２により回転可能
に支持されている。また、装置内にはスピンチャック２
の上方へ移動可能な第１のアーム３と半導体ウェハ１の
周端部１０から中心に向かって７０ｍｍまで移動可能な
第２のアーム４が設けられている。第１のアーム３には
フォトレジスト供給ノズル５が設置されており、第２の
アーム４には溶剤供給ノズル６とエアーブローノズル７
が設置されている。フォトレジスト供給ノズル５は、使
用していないときは装置内の収納部８に収納されてい
る。
【００１０】次に、図１乃至図３を参照して、この実施
例のレジスト塗布方法を説明する。まず、スピンチャッ
ク２により半導体ウェハ１を数千ｒｐｍの高速回転で回
転させ、その状態で第１のアーム３がスピンチャック２
の上方へ移動し、フォトレジスト供給ノズル５から数秒
間フォトレジスト（反射防止膜を成膜する場合は反射防
止膜材料）を吐出して、半導体ウェハ１の表面上にフォ
トレジスト膜もしくは反射防止膜からなる塗布膜９を形
成させる。塗布膜９は、フォトレジスト供給ノズル５か
らフォトレジストが半導体ウェハ１上に滴下されてから
１〜４秒程度で半導体ウェハ１の全表面に広がる（図３
（ａ））。この後、第１のアーム３をフォトレジスト供
給ノズル収納部８へ移動させてその中に収納する。フォ
トレジストが半導体ウェーハ１の全表面に広がった後
は、半導体ウェーハ１を数千ｒｐｍで回転させることよ
り、塗布膜を回転乾燥させる。この時の回転数は、半導
体ウェーハが８インチ径の場合は、２０００〜３５００
ｒｐｍが適当であり、１２インチの場合は１０００〜１
５００ｒｐｍが適当である。
【００１１】回転速度が速い場合は、半導体ウェーハの
回転により塗布膜表面付近で乱流が発生し、塗布膜の著
しい膜厚変動（塗布むら）が発生する。半導体ウェーハ
の大きさによって外周部の回転速度が異なるため、この
塗布むらが発生しない回転数の限界値は、半導体ウェー
ハの大きさによって決まる。したがって、半導体ウェー
ハの大きさにより回転乾燥時の回転数が自ずから定まる
ようになる。さらに、半導体ウェーハの外周部の方が中
心部より回転速度が速いために、半導体ウェーハの大き
さが大きくなると、半導体ウェーハの位置によって乾燥
速度が、より大きく異なる。このように、半導体ウェー
ハの大きさが大きくなると、回転乾燥に用いることがで
きる回転数が低くなり、回転乾燥の速度が遅くなる上
に、半導体ウェーハの中心部と外周部の乾燥速度の差が
大きくなるため、乾燥に必要な時間が長くなりスループ
ットの低下をもたらす。塗布膜を回転乾燥させた後は、
図２に示すように、第２のアーム４を半導体ウェーハ１
の外周部分に移動させて、半導体ウェーハ周辺部１０か
ら２．１ｍｍの位置にエアーブローノズル７を設置す
る。
【００１２】エアーブローノズル７は半導体ウェハ１に
対して２０度〜６０度好ましくは４５度の角度（θ）で
対向しており、半導体ウェハ１を数千ｒｐｍで回転させ
たまま、２０〜３０ｍｌ／分の流量でエアーもしくは窒
素などの気体を吹き付けることにより、外周部のフォト
レジストもしくは反射防止膜材料は従来技術に対して約
２〜３倍の速度で乾燥する（図３（ｂ））。その後、第
２のアーム４に設置された溶剤供給ノズル６から半導体
ウェハ１の外周部２．０ｍｍの位置に１５ｍｌ／分の流
量でシンナーなどの溶剤を吐出し、外周部のフォトレジ
スト（もしくは反射防止膜材料）除去処理が行われる。
エアーブローノズル７は、溶剤供給ノズル６と連動して
動作することが可能であり、溶剤供給ノズル６から溶剤
を吐出するのと同時に、溶剤とフォトレジスト膜（塗布
膜）９や反射防止膜などの塗布型成膜が接触している箇
所に、半導体ウェハ１の中心から外側に向けてエアーも
しくは窒素などの気体を吹き付ける。しかる後に、半導
体ウェハ１を数千ｒｐｍの高速回転で回転させ外周部の
溶剤を乾燥させることにより一連の塗布処理が終了する
（図３（ｃ））。
【００１３】以上のように、この実施例では、エアーブ
ローノズル７からのエアーの吹き付けにより、外周部の
乾燥速度が従来技術よりも速くすることができるため、
処理時間を大幅に短縮でき、その結果スループットの向
上が実現できる。また、半導体ウェハ１の外側へ向けて
エアーを吹き付けることにより、吐出された溶剤や溶剤
により溶解された外周部のフォトレジストが内側へ移動
するのを防ぐことができるので、従来のように塗布膜
９′の周辺部に膜厚部が形成されるようなことはなく
（図８（ｂ）参照）、均一な膜厚の塗布膜９が半導体ウ
ェハ１上に形成される（図８（ａ）参照）。さらにエア
ーブローノズルにより、溶剤吐出により外周部で発生し
易い液状異物もしくはミスト状異物を半導体ウェハ外へ
完全に排除することができる。この実施例ではエアー、
窒素などの気体ブローノズルは、半導体ウェハに対して
２０度〜６０度で対向するように構成されている。これ
は、気体ブローノズルにより溶剤吐出により外周部で発
生し易い液状異物もしくはミスト状異物を半導体ウェハ
外へ排除するためにこのような構成を採っている。気体
ブローノズルの半導体ウェハに対する角度を６０度以上
にすると乾燥効果は高いが異物の排出が十分ではなく、
２０度以下では異物排出ができても乾燥効率が低下す
る。
【００１４】次に、図４を参照して第２の実施例を説明
する。図４は、この実施例で用いるレジスト塗布膜を形
成する塗布型成膜装置の半導体ウェハ部分の乾燥処理を
説明する部分断面図である。被処理基板であるシリコン
などの半導体ウェハ２１は、真空チャックにより吸着保
持され、且つ高速回転するスピンチャック２２により回
転可能に支持されている。装置内にはスピンチャック２
２の上方へ移動可能な第１のアーム（図示しない）と半
導体ウェハ２１の中心から周端部２０に向かって移動可
能な第２のアーム２４が設けられている。第１のアーム
にはフォトレジスト供給ノズルが設置されており、第２
のアーム２４には溶剤供給ノズル（図示しない）とエア
ーブローノズル２７が設置されている。フォトレジスト
供給ノズルは、使用していないときは装置内の収納部に
収納されている。
【００１５】次に、この実施例のレジスト塗布装置を用
いたレジスト塗布方法を説明する。まず、スピンチャッ
ク２２により半導体ウェハ２１を数千ｒｐｍの高速回転
で回転させ、その状態で第１のアームがスピンチャック
２２の上方へ移動し、フォトレジスト供給ノズルから数
秒間フォトレジスト（反射防止膜を成膜する場合は反射
防止膜材料）を吐出して、半導体ウェハ２１の表面上に
フォトレジスト膜もしくは反射防止膜からなる塗布膜２
９を形成させる。塗布膜２９は、フォトレジスト供給ノ
ズルからフォトレジストが半導体ウェハ２１上に滴下さ
れてから１〜４秒程度で半導体ウェハ２１の全表面に広
がる。この後、半導体ウェハ２１を数千ｒｐｍで回転さ
せながら、第１のアームをフォトレジスト供給ノズル収
納部へ移動させてその中に収納する。
【００１６】フォトレジスト膜にエアーを吹き付けるエ
アーブローノズル２７は、半導体ウェハ２１の面内で任
意の場所に設置可能であり、半導体ウェハ２１表面上に
フォトレジスト膜を形成させた後に任意の速度で移動さ
せることができる。例えば、フォトレジストの供給完了
から５秒後に半導体ウェハ２１の中心位置にエアー又は
窒素などの気体の吹き付けを開始し、さらに、１秒後に
エアーを吹き付けながら２５ｍｍ／秒の速度で半導体ウ
ェハ２１の中心から外周部に向かって５０ｍｍの位置ま
でエアーブローノズル２７を移動させる。しかる後に、
５０ｍｍ／秒の速度で半導体ウェハ２１の外周部まで同
じくエアーを吹き付けながら移動させる。このとき、エ
アーブローノズル２７は、半導体ウェハ２１に対して２
０度〜６０度好ましくは４５度の角度（θ）で対向して
いる。以上のように、この実施例では半導体ウェハ面内
でエアーの吹き付け位置及び吹き付ける時間を個々に設
定することにより、フォトレジスト（もしくは反射防止
膜材料）の乾燥時間を半導体ウェハ面内で変更すること
ができる。これにより、フォトレジスト膜もしくは反射
防止膜の膜厚均一性を向上できる。そして、部分的に乾
燥時間を短くすることができるので、半導体ウェハの大
きさを従来より大きくしても半導体ウェハの位置による
時間差を少なくすることができ、乾燥処理の効率を向上
させることができる。
【００１７】次に、図５を参照して第３の実施例を説明
する。図５は、この実施例で用いるレジスト塗布膜を形
成する塗布型成膜装置の半導体ウェハ部分の乾燥処理を
説明する部分断面図である。被処理基板であるシリコン
などの半導体ウェハ３１は、真空チャックにより吸着保
持され、且つ高速回転するスピンチャック３２により回
転可能に支持されている。また、装置内にはスピンチャ
ック３２の上方へ移動可能な第１のアーム（図示しな
い）と半導体ウェハ３１の中心から周端部３０に向かっ
て移動可能な第２のアーム３４が設けられている第１の
アームにはフォトレジスト供給ノズルが設置されてお
り、第２のアーム３４には溶剤供給ノズル（図示しな
い）とエアーブローノズル３７が設置されている。フォ
トレジスト供給ノズルは、使用していないときは装置内
の収納部に収納されている。
【００１８】次に、この実施例のレジスト塗布装置を用
いたレジスト塗布方法を説明する。まず、スピンチャッ
ク３２により半導体ウェハ３１を数千ｒｐｍの高速回転
で回転させ、その状態で第１のアームがスピンチャック
３２の上方へ移動し、フォトレジスト供給ノズルから数
秒間フォトレジストを吐出して、半導体ウェハ３１の表
面上にフォトレジスト膜もしくは反射防止膜からなる塗
布膜３９を形成させる。塗布膜３９は、フォトレジスト
供給ノズルからフォトレジストが半導体ウェハ３１上に
滴下されてから１〜４秒程度で半導体ウェハ３１の全表
面に広がる。この後、半導体ウェハ３１を数千ｒｐｍで
回転させながら、第１のアームをフォトレジスト供給ノ
ズル収納部へ移動させてその中に収納する。エアー、窒
素などの気体ブローは、被乾燥部に垂直に当たるのがそ
の効率から好ましい。しかし、半導体ウェハの周端部近
傍の塗布膜を溶剤で除去する場合には、塗布膜の終端部
近傍を膜厚にしないため、また、発生し易い異物を半導
体ウェハ外に効率良く排出させるためにはエアーブロー
などの気体ブローの方向は、半導体ウェハの中心方向か
ら外方向に向かい、且つ半導体ウェハの対して２０度〜
６０度程度傾いているのが好ましい。
【００１９】そこで、この実施例におけるエアーブロー
ノズル３７は、乾燥速度を早めるために半導体ウェハ３
１の中心部（この中心部のノズルは３７′で表わす）で
は吐出孔を半導体ウェハ３１に対向させるが、中心部を
越えて外周部では、半導体ウェハ３１に対して２０度〜
６０度好ましくは４５度の角度（θ）で対向させる。そ
して、半導体ウェハ３１を数千ｒｐｍで回転させたま
ま、２０〜３０ｍｌ／分の流量でエアーもしくは窒素な
どの気体を吹き付けることにより、中心部から外周部ま
でのフォトレジストは従来技術に対して約２〜３倍の速
度で乾燥させることができる。
【００２０】その後、第２のアーム３４に設置された溶
剤供給ノズル３６から半導体ウェハ３１の外周部２．０
ｍｍの位置に１５ｍｌ／分の流量でシンナーなどの溶剤
を吐出させ、外周部のフォトレジスト３９の除去処理が
行われる。エアーブローノズル３７は、溶剤供給ノズル
３６と連動して動作しており、溶剤供給ノズル３６から
溶剤を吐出しているのと同時に、溶剤とフォトレジスト
膜（塗布膜）３９が接触している箇所に半導体ウェハ３
１の中心から外側に向けてエアーもしくは窒素を吹き付
ける。しかる後に、半導体ウェハ１を数千ｒｐｍの高速
回転で回転させ外周部の溶剤を乾燥させることにより一
連の塗布処理が終了する。このとき、エアーブローノズ
ル３７は、中心部を越えて外周部では、半導体ウェハ３
１に対して２０度〜６０度好ましくは４５度の角度
（θ）で対向させる。このように、フォトレジスト膜に
エアーを吹き付けるエアーブローノズル３７は、半導体
ウェハ３１の面内で任意の場所、任意の角度に設置可能
であり、半導体ウェハ２１表面上にフォトレジスト膜を
形成させた後に任意の速度で移動させることができる。
また、部分的に乾燥時間を短くすることができるので、
半導体ウェハの大きさを従来より大きくしても半導体ウ
ェハの位置による時間差を少なくすることができ、乾燥
処理を効率を向上させることができる。
【００２１】次に、図６及び図７を参照して第４の実施
例を説明する。図６は、フォトレジストなどの塗布型成
膜装置の半導体ウェハ及びその上の気体ブローノズルの
部分断面図である。図に示すように、被処理基板である
シリコンなどの半導体ウェハ４１は、真空チャックによ
り吸着保持され、且つ高速回転するスピンチャック４２
により回転可能に支持されている。また装置内にはスピ
ンチャック４２の上方へ移動可能な第１のアーム（図示
しない）と半導体ウェハ４１の中心から周端部に向かっ
て移動可能な第２のアーム４４が設けられている第１の
アームにはフォトレジスト供給ノズルが設置されてお
り、第２のアーム４４には溶剤供給ノズル（図示しな
い）と複数（この実施例では３個）のエアーブローノズ
ル４７ａ、４７ｂ、４７ｃが設置されている。半導体ウ
ェハ上のフォトレジストなどの塗布型成膜を回転により
乾燥させる場合、回転速度は中心部の方が外周部より遅
いので、外周部が乾燥完了しても、中心部が未乾燥の状
態のこともある。この実施例では、このような状態を解
消することができる。すなわち、エアーブローノズルを
所定の位置に設置し、中心に近いノズルほどブロー量の
多い大口径ノズルを使用する。このような使用方法を用
いることにより半導体ウェハ４１上に形成された塗布膜
４９のどの部分も一様に乾燥処理をすることが可能にな
る。
【００２２】また、図７は、フォトレジストなどの塗布
型成膜装置の半導体ウェハ及びその上の気体ブローノズ
ルの部分断面図及び気体エアーブローノズルの断面図及
び平面図である。エアー、窒素などの気体ブローノズル
は、半導体ウェハ上に局所的に吹き付けられる。しか
し、ブロー面積が広くなれば、乾燥を促進する作用効果
はそれだけ大きくなる。そこで、図に示すように、気体
ブローノズル４０は、ノズル径に比べて、先端部４５の
吐出孔の口径を大きくしている。そして、吐出孔内部に
は気体の流れをガイドする仕切り４３を有している。気
体ブローノズルがこのように構成されているので、図７
（ｃ）に示すように、ノズル４０から吐出される気体量
は大きく、半導体ウェハ４１上の塗布膜の乾燥処理が効
率良く行われる。次に、本発明の塗布型成膜方法を用い
て半導体基板に半導体素子を形成する工程を説明する。
【００２３】例えば、ゲート電極にパターニングされる
ポリシリコン膜がゲート絶縁膜を介して形成されている
シリコンなどの半導体基板上に塗布膜であるフォトレジ
ストを第１乃至第３の実施例に説明したいずれかの塗布
型成膜方法により塗布し、これを乾燥させる。次に、こ
のフォトレジストを通常の半導体技術により露光し、現
像して所定の形状にパターニングする。次に、前記パタ
ーニングされたレジストをマスクにしてポリシリコン膜
をマスク形状にパターニングして、ポリシリコン膜をゲ
ート電極に成形する。以下、通常の半導体技術により半
導体基板に半導体素子を形成する。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、以上の構成により、従来のレ
ジストなどの塗布型成膜装置及び方法では塗布型成膜の
乾燥を回転によってのみ行っていたため乾燥時間が長時
間必要であるのに対し、エアーなど気体の吹き付けを加
えることにより、大幅に乾燥時間を短縮でき、その結果
スループットの短縮化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレジスト塗布膜を形成する塗布型成膜
装置の概略平面図。
【図２】本発明の塗布型成膜装置の半導体ウェハ部分を
説明する部分断面図。
【図３】本発明の塗布型成膜方法を説明する工程断面
図。
【図４】本発明のレジスト塗布膜を形成する塗布型成膜
装置の概略平面図。
【図５】本発明の実施例で用いるレジスト塗布膜を形成
する塗布型成膜装置の半導体ウェハ部分の乾燥処理を説
明する部分断面図。
【図６】本発明のフォトレジストなどの塗布型成膜装置
の半導体ウェハ及びその上の気体ブローノズルの部分断
面図。
【図７】本発明のフォトレジストなどの塗布型成膜装置
の半導体ウェハ及びその上の気体ブローノズルの部分断
面図及び気体ブローノズルの平面図及び断面図。
【図８】本発明及び従来の塗布型成膜方法による半導体
ウェハ上のフォトレジスト膜形成を説明する断面図。
【図９】従来のフォトレジストを塗布するレジスト塗布
装置の平面図。
【符号の説明】
１、２１、３１、４１、１０１・・・半導体ウェハ、
２、２２、３２、４２、１０２・・・スピンチャック、
３、１０３・・・第１のアーム、４、２４、３４、４
４、１０４・・・第２のアーム、５、１０５・・・フォ
トレジスト供給ノズル、６、３６、１０６・・・溶剤供
給ノズル、７、２７、３７、４７ａ、４７ｂ、４７ｃ・
・・エアーブローノズル、８、１０８・・・フォトレジ
スト供給ノズル収納部、９、９′、２９、３９、４９・
・・フォトレジスト膜（塗布膜）、１０、２０、３０・
・・周端部、 ４０・・・気体ブローノズル、４３・
・・仕切り、 ４５・・・ノズル先端部。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を回転させながら薬液を前記
    被処理基板主面上に塗布して塗布膜を形成する工程と、 前記被処理体を回転させながら前記塗布膜を乾燥させる
    工程と、 前記乾燥工程において、前記塗布膜の所定の領域に向け
    てエアー又は窒素からなる気体を吹き付ける工程とを具
    備したことを特徴とする塗布型成膜方法。
  2. 【請求項２】 前記所定の領域は、塗布膜の周端部を含
    む外周部分であることを特徴とする請求項１に記載の塗
    布型成膜方法。
  3. 【請求項３】 前記気体を吹き付ける方向は、前記回転
    する被処理基板の中心方向から外周方向に向かい、前記
    被処理基板主面とは２０度〜６０度の角度をなしている
    ことを特徴とする請求項２に記載の塗布型成膜方法。
  4. 【請求項４】 前記所定の領域は、塗布膜の中心部分か
    ら外周部分へ移動させることを特徴とする請求項１に記
    載の塗布型成膜方法。
  5. 【請求項５】 前記気体を吹き付ける方向は、前記所定
    の領域が前記中心部分にある場合には前記被処理基板に
    対して垂直に吹き付け、前記所定の領域が前記外周部分
    にある場合には前記被処理基板の中心方向から外周方向
    に向かい、前記被処理基板主面とは２０度〜６０度の角
    度をなしているようにすることを特徴とする請求項４に
    記載の塗布型成膜方法。
  6. 【請求項６】 前記塗布膜の外周部分に溶剤を吹き付け
    て、この吹き付けた部分の塗布膜を前記被処理基板から
    除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１
    乃至請求項５のいずれかに記載の塗布型成膜方法。
  7. 【請求項７】 前記塗布膜の外周部分には、前記溶剤を
    吹き付けると同時に、もしくは前記溶剤を吹き付けてか
    ら前記気体を吹き付けること特徴とする請求項６に記載
    の塗布型成膜方法。
  8. 【請求項８】 回転する被処理基板を保持する支持具
    と、 前記被処理基板に対向するように配置され、前記被処理
    基板に向けてエアー又は窒素からなる気体を吹き付ける
    気体ブローノズルを具備したことを特徴とする塗布型成
    膜装置。
  9. 【請求項９】 半導体基板に被処理膜を塗布する工程
    と、 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の塗布型成膜方
    法により前記被処理膜上にレジストを塗布し乾燥させる
    工程と、 前記レジストをパターニングする工程と、 前記パターニングされたレジストをマスクにして前記被
    処理膜を所定の形状にパターニングする工程とを具備し
    たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2001225689A 2001-07-26 2001-07-26 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法 Pending JP2003037053A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001225689A JP2003037053A (ja) 2001-07-26 2001-07-26 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
US10/199,328 US6777350B2 (en) 2001-07-26 2002-07-22 Method and device of forming a film using a coating material and method of manufacturing a semiconductor device
CNB021269769A CN1190824C (zh) 2001-07-26 2002-07-26 涂敷型成膜方法、涂敷型成膜装置及半导体装置的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001225689A JP2003037053A (ja) 2001-07-26 2001-07-26 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003037053A true JP2003037053A (ja) 2003-02-07

Family

ID=19058640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001225689A Pending JP2003037053A (ja) 2001-07-26 2001-07-26 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6777350B2 (ja)
JP (1) JP2003037053A (ja)
CN (1) CN1190824C (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060462A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
WO2016152308A1 (ja) * 2015-03-25 2016-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布方法
KR20170057136A (ko) * 2015-11-16 2017-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체
JP2017092392A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
CN110673445A (zh) * 2019-09-24 2020-01-10 浙江集迈科微电子有限公司 一种超厚胶膜的平坦化处理方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004298669A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Seiko Epson Corp セラミックス材料の塗布方法およびセラミックス膜
WO2004088420A1 (ja) * 2003-03-31 2004-10-14 Hoya Corporation マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法
CN1690860A (zh) * 2004-04-22 2005-11-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显影液移除装置
WO2005104200A1 (ja) * 2004-04-23 2005-11-03 Tokyo Electron Limited 基板洗浄方法、基板洗浄装置、コンピュータプログラムおよびプログラム記憶媒体
US20060042664A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Vishwas Hardikar Apparatus and method for removing a liquid from a rotating substrate surface
KR100733027B1 (ko) * 2006-03-22 2007-06-27 삼성전자주식회사 액체 코팅 장치 및 방법
CN1963671B (zh) * 2006-11-17 2010-05-12 北京京东方光电科技有限公司 光刻胶涂覆设备及光刻胶涂覆方法
WO2009025272A1 (ja) * 2007-08-23 2009-02-26 Hoya Corporation プラスチックレンズの製造方法
US8182917B2 (en) * 2008-03-20 2012-05-22 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Reduced graphene oxide film
KR101000944B1 (ko) * 2008-10-09 2010-12-13 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
US20120207934A1 (en) * 2009-10-19 2012-08-16 University Of Western Cape Spray Coating Device
EP2328148A1 (en) 2009-11-26 2011-06-01 Pheenix Alpha AB Method of creating a surface layer on a disc.
JP5277218B2 (ja) * 2010-08-09 2013-08-28 クリーン・テクノロジー株式会社 薄膜塗工装置に設ける乾燥装置
US8753460B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
JP5988438B2 (ja) * 2012-08-02 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置
CN103116248B (zh) * 2013-02-27 2015-12-09 上海华力微电子有限公司 涂布装置及其涂布方法
CN104779178B (zh) * 2014-01-13 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 底部防反射层形成方法
CN104511401A (zh) * 2014-12-16 2015-04-15 深圳顺络电子股份有限公司 一种点胶系统及其方法
JP2017103319A (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 株式会社東芝 塗布装置
NL2018040A (en) * 2015-12-23 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Method for removing photosensitive material on a substrate
CN115508949B (zh) * 2022-11-09 2024-01-30 山东师范大学 一种基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法
JP2000288458A (ja) 1999-02-03 2000-10-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法および塗布装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060462A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
WO2016152308A1 (ja) * 2015-03-25 2016-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布方法
JP2016182531A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布方法
KR20170109024A (ko) * 2015-03-25 2017-09-27 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 도포 방법
KR102016824B1 (ko) * 2015-03-25 2019-08-30 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 도포 방법
US10569297B2 (en) 2015-03-25 2020-02-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Coating method
KR20170057136A (ko) * 2015-11-16 2017-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체
JP2017092392A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
CN107051831A (zh) * 2015-11-16 2017-08-18 东京毅力科创株式会社 涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置
US10672606B2 (en) 2015-11-16 2020-06-02 Tokyo Electron Limited Coating film forming method, coating film forming apparatus, and storage medium
KR102647064B1 (ko) * 2015-11-16 2024-03-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체
CN110673445A (zh) * 2019-09-24 2020-01-10 浙江集迈科微电子有限公司 一种超厚胶膜的平坦化处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20030022515A1 (en) 2003-01-30
US6777350B2 (en) 2004-08-17
CN1190824C (zh) 2005-02-23
CN1400631A (zh) 2003-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003037053A (ja) 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
US8037890B2 (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
JP7034634B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN108604546B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
KR20050035318A (ko) 기판 세정 건조 장치 및 방법
JP2003031545A (ja) 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板のシリコン酸化膜除去方法
JP2006245381A (ja) 基板洗浄乾燥装置および方法
KR100766343B1 (ko) 기판 세정 건조 방법
JP3320648B2 (ja) レジスト膜の形成方法及びレジスト膜の形成装置
JPH07135137A (ja) 現像処理方法および装置
US20060000109A1 (en) Method and apparatus for reducing spin-induced wafer charging
US6682607B1 (en) Reconditioning of semiconductor substrates to remove photoresist during semiconductor device fabrication
JP3964177B2 (ja) 基板処理方法
TW200532749A (en) Rinse nozzle and method
JP4147721B2 (ja) 洗浄装置及びエッチング装置並びに洗浄方法及びエッチング方法
JP2004022783A (ja) 処理装置
JP2021132103A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007335771A (ja) 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び基板の製造方法
US20080199617A1 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and storage medium
TWI815434B (zh) 塗佈處理方法及塗佈處理裝置
JP4046972B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100644051B1 (ko) 포토 레지스트 코팅 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이물 제거방법
JP2003017461A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000068186A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100826095B1 (ko) 반도체 제조용 현상장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051007

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070404

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080808