WO2005104200A1 - 基板洗浄方法、基板洗浄装置、コンピュータプログラムおよびプログラム記憶媒体 - Google Patents

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WO2005104200A1
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processed
center
nozzle
rinsing liquid
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PCT/JP2005/007450
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Hiroki Ohno
Kenji Sekiguchi
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Tokyo Electron Limited
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    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Definitions

  • Substrate cleaning method substrate cleaning apparatus, computer program and program storage medium
  • the present invention relates to a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus capable of suppressing generation of a watermark on the surface of a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a flat panel display (FPD), and a substrate cleaning method.
  • the present invention relates to a computer program for causing a substrate cleaning apparatus to execute a method, and a program storage medium storing the computer program.
  • the surface of a semiconductor wafer must be kept clean at all times, and therefore, the semiconductor wafer is appropriately subjected to a cleaning process.
  • cleaning is performed by supplying a predetermined chemical solution to the semiconductor wafer held by the spin chuck or bringing a rotating brush into contact with the surface of the semiconductor wafer.
  • a rinsing process for supplying pure water to the semiconductor wafer is performed, and then the semiconductor wafer is rotated at a high speed to shake off the pure water from the semiconductor wafer.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-53051 discloses a method in which an inert gas is injected into a central portion of a substrate after a rinsing process and the outer periphery of the substrate is exposed. There is disclosed a substrate drying method in which pure water is supplied to the section and the inert gas injection position and the pure water supply position are moved radially from the center of the substrate to the outside.
  • the present invention has been made in view of the circumstances, and a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus capable of suppressing generation of a watermark, and a computer for causing the substrate cleaning apparatus to execute the substrate cleaning method. It is an object of the present invention to provide a program and a program storage medium storing the computer program.
  • a substrate cleaning method for performing a cleaning process and a drying process on a substrate to be processed
  • the drying process includes:
  • a gas supply point for supplying an inert gas to the substrate to be processed is moved to a point on the substrate to be processed. Moving the substrate toward the center, and then moving toward the center of the substrate to be processed, toward a radially inner region from the rinsing liquid supply point, and
  • a substrate cleaning method comprising:
  • the supply of the inert gas to the point near the center of the substrate to be processed and a suitable distance from the center of the substrate to be processed is provided. It is preferable that the start is substantially simultaneously with the start of the supply of the rinsing liquid to the center of the surface of the substrate to be processed.
  • a substrate cleaning method for performing a cleaning process and a drying process on a substrate to be processed
  • the drying process includes:
  • the substrate to be processed is rotated in a substantially horizontal posture, and the supply point of the rinsing liquid is set to the substrate to be processed.
  • the supply of the inert gas is stopped after the supply point of the inert gas deviates from the end face of the substrate to be processed, and then the number of rotations of the substrate to be processed at the time of the supply of the inert gas is reduced.
  • a substrate cleaning method comprising:
  • the moving speed of the gas supply point to which the inert gas is supplied be higher at the outer peripheral portion than at the central portion of the substrate to be processed.
  • a rinsing process for supplying a rinsing liquid to a predetermined point on the surface of the substrate to be processed for a predetermined time while rotating the substrate to be processed in a substantially horizontal posture between the cleaning process and the drying process is provided.
  • the rotation speed of the substrate to be processed is higher than the rotation speed of the substrate to be processed during the rinsing process.
  • the amount of the rinsing liquid supplied to the surface of the substrate to be processed during the drying process is smaller than that during the rinsing process. Furthermore, when such a rinsing process is provided, it is preferable that a rinsing liquid film is formed on the surface of the substrate to be processed before the start of the drying process.
  • the gas supply point is stopped near the outer peripheral portion of the substrate to be processed for a predetermined time after the rinse liquid supply point is separated from the peripheral edge of the substrate to be processed.
  • the outer peripheral portion of the substrate to be processed is dried. Furthermore, the drying process
  • the direction in which the gas supply point moves to the center of the substrate to be processed and the rinsing liquid supply point also move the center force of the substrate to be processed to the periphery It is preferable to shift the rinsing direction and the rinsing liquid supply point, so that the degree of freedom in moving the rinsing liquid supply point and the gas supply point can be increased.
  • the present invention is suitably used when the surface of the substrate to be processed is hydrophobic.
  • a spin chuck that holds the substrate to be processed and rotates in a substantially horizontal posture
  • a rinsing nozzle that supplies a processing substrate helical liquid held by the spin chuck; a gas nozzle that supplies an inert gas to the processing substrate held by the spin chuck; and a rinsing method that discharges the rinsing liquid from the rinsing nozzle.
  • the nozzle control device scans the gas nozzle faster at the outer peripheral portion than at the central portion of the substrate to be processed. Further, the nozzle control device scans the rinse nozzle and the gas nozzle by shifting the direction in which the rinse nozzle is scanned from the center of the substrate to the periphery and the direction in which the gas nozzle is scanned from the center of the substrate to the periphery. It is also preferable to adopt a configuration, whereby it is possible to increase the degree of freedom of each speed control while avoiding collision between the rinse nozzle and the gas nozzle.
  • the computer operates on a computer, and at the time of execution, (a) rotates the substrate subjected to the cleaning process, and starts supplying the rinse liquid to the center of the surface.
  • the computer operates on a computer, and at the time of execution, (a) rotates the substrate to be processed which has been subjected to the cleaning process in a substantially horizontal posture, and supplies the rinsing liquid to the supply point.
  • the central force of the surface of the substrate to be processed is supplied while being moved toward the peripheral edge, and (b) the inert gas is supplied to a region whose gas supply point is radially inner than the supply point of the rinse liquid.
  • the present invention provides a computer-readable storage medium storing each of the computer programs according to the fourth and fifth aspects. That is, according to a sixth aspect of the present invention, there is provided a computer-readable storage medium storing software for causing a computer to execute a control program,
  • the control program (a) rotates the substrate subjected to the cleaning process, starts supplying a rinsing liquid to the center of the surface thereof, and (b) closes the V near the center of the substrate to be processed. Then, the supply of the inert gas is started to a point at an appropriate distance from the center of the substrate to be processed, and (c) the rinsing liquid supply point for supplying the rinsing liquid to the substrate to be processed is directed toward the periphery of the substrate to be processed.
  • the gas supply point for supplying the inert gas to the substrate to be processed is moved to the center of the substrate to be processed, and then moved to a region radially inside the rinsing liquid supply point.
  • the center force of the processing substrate is moved toward the peripheral edge to perform a process of drying the processing target substrate, and the substrate is washed so as to clean the processing target substrate.
  • a computer-readable storage medium for controlling the cleaning device is provided.
  • a computer-readable storage medium storing software for causing a computer to execute a control program
  • the substrate subjected to the cleaning process is rotated in a substantially horizontal posture, and the rinsing liquid is moved from the center of the surface of the substrate to the periphery to the supply point.
  • B Supplying the inert gas such that the gas supply point moves toward the center of the substrate to be processed toward the peripheral edge in a region radially inside the supply point of the rinse liquid.
  • C stopping the supply of the rinsing liquid after the supply point of the rinsing liquid deviates from the end face of the substrate to be processed; and (d) supplying the supply point of the inert gas from the end face of the substrate to be processed.
  • the supply of the inert gas is stopped, and thereafter, the number of rotations of the substrate to be processed is set to be higher than the number of rotations of the substrate to be processed when the inert gas is supplied. And execute Controlling the substrate cleaning apparatus to clean a management board, a computer-readable storage medium body, it is provided.
  • the inert gas is supplied in real time to the portion where the rinsing liquid film has disappeared during the drying process, oxidation of the substrate surface is suppressed. Generation is suppressed. According to the present invention, there is also obtained an effect that the time required for cleaning one substrate to be processed can be reduced.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a cleaning apparatus.
  • FIG. 2 is a sectional view of the cleaning apparatus shown in FIG. 1, taken along the line ZX.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along the line YZ of the cleaning apparatus shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a flowchart showing processing steps of a wafer W in the cleaning apparatus.
  • FIG. 5A is a view schematically showing a processing step of a wafer W.
  • FIG. 5B is a view schematically showing a processing step of the wafer W.
  • FIG. 5C is a view schematically showing a processing step of the wafer W.
  • FIG. 5D is a view schematically showing a processing step of the wafer W.
  • FIG. 5E is a diagram schematically showing a processing step of a wafer W.
  • FIG. 5F is a view schematically showing a processing step of the wafer W.
  • FIG. 5G is a view schematically showing a processing step of the wafer W.
  • FIG. 5H is a view schematically showing a processing step of the wafer W.
  • FIG. 6A is a view showing a result of observation of a watermark on a wafer by the cleaning method of Comparative Example 1.
  • FIG. 6B is a view showing a result of observation of a watermark of a wafer by the cleaning method of Comparative Example 2.
  • FIG. 6C is a diagram showing a result of observation of a watermark on a wafer by the cleaning method of the example.
  • FIG. 7A is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7B is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7C is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7D is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7E is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7F is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7G is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 7H is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 71 is a view schematically showing another processing step of the wafer W.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of the cleaning apparatus 10
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line X--X of the cleaning apparatus 10
  • FIG. 3 is a sectional view taken along the line Y--Z of the cleaning apparatus 10. .
  • the cleaning apparatus 10 has a configuration in which each member is disposed in a housing 90.
  • a window 91 is formed on one side surface of the housing 90, and the window 91 can be opened and closed by a shirt 92.
  • the wafer W is loaded and unloaded through the window 91.
  • the interior of the housing 90 is divided into two chambers by a partition wall 93, and as will be described in detail later, one is a liquid processing chamber for handling a cleaning solution, pure water, and the like, and the other is for a cleaning process. It is a mechanism installation room for installing a drive mechanism for moving various nozzles and the like.
  • the cleaning apparatus 10 includes a spin chuck 11 that holds the wafer W in a substantially horizontal posture, a cup 12 that surrounds the periphery of the wafer W held by the spin chuck 11, and a housing 90.
  • Two side rinse nozzles 13 and 14 fixed in place outside the cup 12 to supply a rinsing liquid (pure water (DIW)) to the surface of the wafer W, and a cleaning liquid to the surface of the wafer W
  • DIW pure water
  • a cleaning liquid nozzle 15 for supplying pure water (DIW) to the surface of the wafer W, and a gas nozzle 16 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas, to the surface of the wafer W are provided.
  • the spin chuck 11 includes a chuck plate 71, a pivot 72 for supporting the chuck plate 71, a motor 73 for rotating the pivot 72, and a detachment for releasing the Z held on the chuck and the Ueno placed on the chuck plate 71. And a mechanism 74.
  • a plurality of support pins (not shown) are provided on the surface of the chuck plate 71, and the wafer W is supported by these support pins.
  • the attachment / detachment mechanism 74 includes a holding member 75 provided at three locations on the periphery of the chuck plate 71, a plate member 76 provided below the chuck plate 71, a lifting mechanism 77 for lifting and lowering the plate member 76. And a contact jig 78 provided on the plate member 76 corresponding to the position where the holding member 75 is provided.
  • the left side of FIG. 2 shows a state where the holding member 75 holds the wafer and the W, and the right side of FIG. 2 shows a state where the holding member 75 does not hold the wafer W.
  • the detaching mechanism 74 switches the holding state and the released state of the wafer W by moving the holding member 75 using the principle of leverage. That is, when the elevating mechanism 77 is raised, the contact jigs 78 arranged at three places press the inner peripheral ends of the holding members 75 against the back surfaces of the chuck plates 71, respectively, whereby the outer peripheral ends of the holding members 75 are moved. By moving outward and downward, the holding state of the wafer W is released.
  • the cup 12 can be raised and lowered by a lifting mechanism 85.
  • FIG. 2 shows the lower position (solid line) and the upper position (dotted line) at the same time, and FIG. 3 shows only the upper position.
  • the cup 12 is held at the lower position when the wafer W is loaded and unloaded, and is held at the upper position during the cleaning process.
  • the cup 12 is formed with tapered portions 86 and 87 that are inclined to the inner peripheral upper side and the outer peripheral lower side in two steps of upper and lower sides.
  • An exhaust duct 89 is provided at the bottom of the cup 12.
  • the side rinse nozzle 13 discharges pure water substantially toward the center of the wafer W, and the side rinse nozzle 14 discharges pure water toward a point outside the center of the wafer W.
  • a uniform liquid film can be formed on the entire wafer W with a small amount of pure water. It is preferable to arrange the side rinse nozzles 13 and 14 such that the cleaning liquid is discharged from the respective side rinse nozzles 13 and 14 in a substantially parallel manner. This facilitates formation of a uniform liquid film.
  • Nitrogen gas and pure water are supplied to the cleaning liquid nozzle 15 from a nitrogen gas supply source and a pure water supply source, respectively. These are mixed inside the cleaning liquid nozzle 15, and the pure water thus generated is mixed with nitrogen gas. Is sprayed onto the surface of the wafer W (hereinafter referred to as a “two-fluid cleaning solution”).
  • the cleaning liquid is not limited to this, and may be configured to discharge various chemicals. Note that the cleaning liquid nozzle 15 can discharge only pure water when the supply of nitrogen gas is stopped, and conversely, when the supply of pure water is stopped, only the nitrogen gas can be injected.
  • the cleaning liquid nozzle 15 is held by a first nozzle arm 51, and the first nozzle arm 51 can be moved up and down by a first arm elevating mechanism 56.
  • the first arm lifting / lowering mechanism 56 is attached to a slider 61 movably fitted to a guide 54 extending in the X direction in the mechanism installation chamber.
  • the position control is performed by a first nozzle slide mechanism 66.
  • an electromagnetic linear motor, a ball screw mechanism, or the like is used as the first nozzle slide mechanism 66. With such a configuration, the cleaning liquid nozzle 15 can be scanned in the X direction on the wafer W, and can be retracted outside the cup 12 beyond the upper end of the cup 12.
  • the gas nozzle 16 for supplying nitrogen gas to the surface of the wafer W is held by a second nozzle arm 52, and the second nozzle arm 52 can be moved up and down by a second arm elevating mechanism 57. .
  • the second arm elevating mechanism 57 is attached to a slider 62 movably fitted to a guide 54 extending in the X direction in the mechanism disposition chamber.
  • the position control is performed by the second nozzle slide mechanism 67.
  • the same drive system as the first nozzle slide mechanism 66 is suitably used. With such a configuration, the gas nozzle 16 can also be scanned in the X direction on the wafer W and retracted outside the cup 12 beyond the upper end of the cup 12. I can do it! /
  • the pure water nozzle 17 for supplying pure water to the surface of the wafer W is held by a third nozzle arm 53, and the third nozzle arm 53 can be moved up and down by a third arm elevating mechanism 58.
  • the third arm elevating mechanism 58 is attached to a slider 63 movably fitted to the guide 54, and the position of the slider 63 in the X direction is controlled by a third nozzle slide mechanism 68.
  • the third nozzle slide mechanism 68 one having the same drive system as the first nozzle slide mechanism 66 is suitably used. With such a configuration, the pure water nozzle 17 can also scan in the X direction on the wafer W, and can be retracted outside the cup 12 beyond the upper end of the cup 12!
  • control unit 95 each component of the cleaning apparatus 10 is connected to and controlled by the control unit (process controller) 95.
  • control unit 95 includes a keyboard for inputting commands and the like by a process manager to manage the cleaning apparatus 10, a display for visualizing and displaying the operation status of the cleaning apparatus 10, and the like.
  • a user interface 96 is connected.
  • the control unit 95 includes a control program for realizing various processes executed by the cleaning processing device 10 under the control of the control unit 95, and various components of the cleaning processing device 10 according to processing conditions.
  • a storage unit 97 storing a program (that is, a recipe) for causing the unit to execute a process is connected.
  • the recipe may be stored in a hard disk, a semiconductor memory, or the like, or may be stored in a computer-readable portable storage medium such as a CD-ROM or a DVD-ROM, and may be stored in a predetermined position of the storage unit 97. I started to set it.
  • an arbitrary recipe is called from the storage unit 97 by an instruction or the like from the user interface 96 and is executed by the control unit 95, so that the cleaning processing apparatus is controlled under the control of the control unit 95.
  • the desired processing at 10 is performed.
  • FIG. 4 the flow chart shown in FIG. 4 and the processing steps of the wafer W shown in FIGS. 5A to 5H are schematically shown. This will be described with reference to the drawings schematically shown.
  • the side rinse nozzles 13 and 14 are shown only in FIGS. 5C and 5D, and the gas nozzle 16 and the pure water nozzle 17 are omitted in FIG. 5C.
  • the cup 12 is arranged at the lower position, the plate member 76 is raised by the elevating mechanism 77, the contact jig 78 is pressed against the holding member 75, and the outer peripheral end of the holding member 75 is moved outward and downward. State. Also, the shirt 91 is opened and the window 91 is opened. The wafer transfer arm (not shown) holding the wafer W enters the housing 90 through the window 91 and transfers the wafer W to the check plate 71. After the wafer transfer arm is moved out of the housing 90, the plate member 76 is lowered to separate the contact jig 78 from the holding member 75, and the holding member 75 holds the wafer W (step 1). Thereafter, the cup 12 is moved to the upper position.
  • the end of wafer W on the retracting position side of cleaning liquid nozzle 15 (see FIG. 1) is point S, and the end of wafer W on the retracting position side of gas nozzle 16 and pure water nozzle 17 is point T.
  • the cleaning liquid nozzle 15 is moved from the retracted position outside the cup 12 to a predetermined height position on the wafer W held by the spin chuck 11 (Step 2).
  • Step 2 the end of wafer W on the retracting position side of cleaning liquid nozzle 15 (see FIG. 1) is point S, and the end of wafer W on the retracting position side of gas nozzle 16 and pure water nozzle 17 is point T.
  • the cleaning liquid nozzle 15 is moved from the retracted position outside the cup 12 to a predetermined height position on the wafer W held by the spin chuck 11 (Step 2).
  • the wafer W is rotated at a predetermined speed, and the cleaning liquid nozzle 15 is moved between the end (point S) and the end (point T) of the wafer W in the X direction or at the center (
  • the surface of the wafer W is cleaned by spraying the two-fluid cleaning solution from the cleaning solution nozzle 15 onto the surface of the wafer and W for a predetermined time while scanning at a predetermined speed between the point O and the end (point S).
  • the discharge of the two-fluid cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 15 is stopped (at this time, the cleaning liquid nozzle is preferably on the S point side), and the cleaning liquid nozzle 15 is moved out of the cup 12.
  • the number of revolutions of the wafer W is reduced from the time of the cleaning process (at the time of the process using the cleaning liquid nozzle 15), and the rinsing liquid is supplied to the surface of the wafer W from the side rinse nozzles 13 and 14, and the surface of the wafer W is rinsed. (Step 4).
  • the gas nozzle 16 is positioned at the center of the wafer W by a force V (center point). Move to the predetermined height above the point P, which is 10 to 50 mm away from the point S, and turn the pure water nozzle 17 C Move to a predetermined height position above the center of W (point O) (step 5).
  • the point P is set at a point where the nitrogen gas injected from the gas nozzle 16 does not jump up the pure water discharged from the pure water nozzle 17.
  • Setting the position of the point P also means setting the distance between the gas nozzle 16 and the pure water nozzle 17.
  • the pure water nozzle 17 is scanned from the center of the wafer W toward the periphery while discharging pure water from the pure water nozzle 17, the pure water on the wafer W is shaken off by centrifugal force.
  • the distance between the gas nozzle 16 and the pure water nozzle 17 is set so that the nitrogen gas is supplied to the portion where drying starts.
  • the rotation speed of the wafer W is preferably set to be equal to or higher than that in the rinsing process (slightly, it is desirable that the rotation speed is slower than that in the cleaning process).
  • the discharge of pure water from the water nozzle 17 is started, and at substantially the same time, the injection of nitrogen gas is started from the gas nozzle 16 (step 6) .o
  • the liquid film is formed outside the position of the pure water nozzle 17. Therefore, it is preferable that the discharge amount of pure water from the pure water nozzle 17 be smaller than the discharge amount of pure water from the side rinse nozzles 13 and 14.
  • the pure water nozzle 17 is scanned at a predetermined speed toward the point T on the retreat position side of the pure water nozzle 17 while discharging pure water from the pure water nozzle 17.
  • the gas nozzle 16 is scanned toward the T point through the center (point O) of the wafer W so as to follow the pure water nozzle 17 (step). 7).
  • step 7 in other words, while moving the pure water supply point for supplying pure water to wafer W toward the periphery of wafer W, the gas supply point for supplying nitrogen gas to wafer W is Moving the wafer W from the center (point O) to the periphery of the wafer W in a region radially inside the pure water supply point after moving the wafer W to the center (point O).
  • the liquid film gradually disappears from the center of the wafer W to which the pure water is no longer supplied by centrifugal force, and the drying of the wafer W starts.
  • the drying speed is slow at the center of the wafer W because the centrifugal force applied to the liquid film is weak.
  • nitrogen gas is supplied near the center of wafer W, The center of the wafer W that begins to dry first is hard to be exposed to air. In this way, the occurrence of watermarks due to surface oxidation of the wafer W is suppressed.
  • the gas nozzle 16 is scanned so that the nitrogen gas is supplied to the portion where drying starts by scanning the pure water nozzle 17 so that the generation of a watermark on the entire wafer W is suppressed. It comes out.
  • the speed at which the pure water supplied to the wafer W is shaken off the wafer W by the centrifugal force (the speed at which the pure water moves on the wafer W) is higher at the outer peripheral portion than at the central portion of the wafer W. Become. For this reason, it is preferable that the scanning speed of the gas nozzle 16 be higher at the outer periphery than at the center of the wafer W so as not to collide with the pure water nozzle 17. As a result, the part of the surface of the wafer W that starts to dry is promptly exposed to the nitrogen gas, so that generation of a watermark can be suppressed.
  • step 8 When the pure water nozzle 17 comes off the periphery of the wafer W in this way, the discharge of pure water from the pure water nozzle 17 is stopped (step 8).
  • the gas nozzle 16 when the gas nozzle 16 reaches the vicinity of the periphery of the wafer W, it is preferable to stop the gas nozzle 16 at that position for a predetermined time, for example, several seconds, and to dry the outer periphery of the wafer W ( Step 9).
  • drying by nitrogen gas can be more dominant than shaking-off drying of liquid droplets by centrifugal force on the outer peripheral portion of the wafer W, and generation of a watermark near the peripheral portion of the wafer W can be suppressed.
  • the total processing time can be reduced as compared with the conventional cleaning method. Further, the effect that the throughput of the cleaning apparatus 10 can be improved can be obtained.
  • the pure water nozzle 17 and the gas nozzle 16 are moved out of the cup 12. After that, the wafer W is first loaded into the nozzle 90 and the chuck plate 71 The wafer W is unloaded from the nozzling 90 by the reverse procedure of the procedure supported by the step (step 12).
  • the drying method used in such a cleaning method is particularly used when the drying of the ueno and W proceeds by pure water being shaken off mainly by centrifugal force, that is, the surface of the wafer W is removed. It is preferably used when it is hydrophobic. As a specific example, there is a case where the wafer W is a wafer. Various films and circuits are formed on the surface of the wafer W, and the present invention can be applied to a wafer W having a hydrophobic portion and a hydrophilic portion.
  • Tables 1, 2, and 3 show the recipes for various cleaning processes.
  • the wafer rotation is started in Step 1, the cleaning process by discharging the two-fluid cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 15 in Step 2, and pure water is supplied to the wafer from the side rinse nozzles 13 and 14 in Step 3.
  • This is a cleaning method (Comparative Example 1) that is widely known in the art, in which a rinsing process is performed, a spin drying by high-speed rotation is performed in step 4, and a rotation of the wafer is stopped in step 5.
  • the rotation of the wafer is started in step 1, the cleaning processing by discharging the two-fluid cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 15 in step 2, the rotation number of the wafer is reduced in step 3, and the side rinse is performed.
  • the recipe shown in Table 3 is the cleaning method according to the present invention.
  • Step 1 the rotation of the wafer is started, and in Step 2, the cleaning process by discharging the two-fluid cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 15 is performed.
  • step 4 the wafer is rotated at a medium speed, and the pure water nozzle 17 and the gas nozzle 16 are used to perform pure water supply.
  • FIGS. 6A to 6C show the results of watermark observation of a wafer by these cleaning methods.
  • the watermark As shown in FIG. 6A, in the cleaning method of Comparative Example 1, the watermark ( It was confirmed that black spots in each of FIGS. 6A to 6C were generated. In addition, as shown in FIG. 6B, even with the cleaning method of Comparative Example 2, generation of many water marks was confirmed particularly at the peripheral portion of the wafer. However, as shown in FIG. 6C, according to the cleaning method of the example, almost no watermark was observed, and it was confirmed that a good cleaning surface was obtained. In the embodiment, in step 4, the rotational acceleration of the wafer W is reduced. This gentle acceleration slows down the deionization of pure water and effectively supplies nitrogen gas to the part where drying begins. This also contributes to the prevention of generation of a watermark in the embodiment.
  • the processing time is 44 seconds in Comparative Example 1, 46 seconds in Comparative Example 2, and 39 seconds in Examples. As described above, it has been confirmed that the use of the cleaning treatment method according to the present invention also has the effect of increasing the throughput of the cleaning treatment device 10.
  • the present invention is not limited to the embodiments described above.
  • the gas nozzle 16 and the pure water nozzle 17 are configured such that the gas nozzle 16 and the pure water nozzle 17 can be driven independently of each other.
  • the gas nozzle 16 and the pure water nozzle 17 may be integrally scanned by mounting them separately in the X direction at a distance of 10 to 50 mm). This eliminates the need for the third nozzle arm 53 and a drive mechanism related to the third nozzle arm 53, thereby simplifying the structure of the cleaning apparatus.
  • the cleaning liquid nozzle 15 if no nitrogen gas is supplied to the cleaning liquid nozzle 15, only the pure water can be discharged, so the cleaning liquid nozzle 15 is used instead of the pure water nozzle 17. May be. In that case, the pure water nozzle 17 may not be provided. Further, in this case, the cleaning liquid nozzle 15 and the gas nozzle 16 may be attached to the first nozzle arm 51 at regular intervals in the X direction while holding the cleaning liquid nozzle 15. Thereby, the structure of the cleaning apparatus can be further simplified.
  • the cleaning liquid nozzle 15, the gas nozzle 16, and the pure water nozzle 17 are linearly scanned in the X direction, but these nozzles pass through the center of the wafer W, and , W may be rotatable so as to draw an arc.
  • the gas nozzle 16 is scanned so as to follow the pure water nozzle 17, but the scanning method of the gas nozzle 16 is not limited to this.
  • 7A to 7I are explanatory views schematically showing another scanning method of the gas nozzle 16. Since the operation of the pure water nozzle 17 in FIGS. 7A to 7I is the same as the operation described in FIGS. 5A to 5H, the description of the operation of the pure water nozzle 17 is omitted here.
  • 7A to FIG. 7E are the same as FIG. 5A to FIG. 5E, respectively, and thus the description of the operation of the gas nozzle 16 in FIG. 7A to FIG. That is, the feature of the scanning method here lies in the operation of the gas nozzle 16 in FIGS. 7F to 7I.
  • the gas nozzle is scanned from the point P to the point O while the nitrogen gas is sprayed from the gas nozzle 16, and then, as shown in FIG.
  • the scanning nozzle 16 is returned from the point O to the point P, passes through the point P, and is scanned to the point S on the periphery of the wafer W on the side of the retreat position of the cleaning liquid nozzle 15.
  • the gas nozzle 16 is positioned inside the pure water nozzle 17 in the radial direction of the wafer W.
  • the gas nozzle 16 is stopped at a peripheral portion of the wafer W for a predetermined time to dry the outer peripheral portion of the wafer W, and then, as shown in FIG. 71, the gas nozzle 16 is moved to a predetermined retracted position. Move it.
  • the generation of a watermark on the wafer W can be suppressed.
  • the direction in which the pure water nozzle 17 scans from the center of the wafer W to the periphery is shifted from the direction in which the gas nozzle 16 scans from the center of the wafer W to the periphery (FIGS. 7F to 7I correspond to the reverse direction).
  • the freedom of speed control can be increased while avoiding collision between the pure water nozzle 17 and the gas nozzle 16, Even considering that it is necessary to return the gas nozzle 16 from the point S to the point T after stopping the nitrogen gas injection, the throughput of the entire cleaning process can be improved.
  • the present invention is suitable for cleaning a semiconductor wafer, and particularly suitable for cleaning a bare wafer having a hydrophobic surface.

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Description

明 細 書
基板洗浄方法、基板洗浄装置、コンピュータプログラムおよびプログラム 記憶媒体
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ウェハや FPD (Flat Panel Display)用ガラス基板等の被処理基 板の表面でのウォーターマークの発生を抑制することができる基板洗浄方法および 基板洗浄装置、この基板洗浄方法を基板洗浄装置に実行させるためのコンピュータ プログラム、このコンピュータプログラムを記録したプログラム記憶媒体に関する。 背景技術
[0002] 例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、常時、半導体ウェハの表面を 清浄に保つ必要があるために、適宜、半導体ウェハに洗浄処理が施される。半導体 ウェハを 1枚ずつ処理する枚葉式洗浄処理の典型例として、スピンチャックに保持さ れた半導体ウェハに所定の薬液を供給しまたは半導体ウェハの表面に回転ブラシを 当接させる等して洗浄処理を行った後、半導体ウェハに純水を供給するリンス処理 を行 、、続 、て半導体ウェハを高速回転させて半導体ウェハから純水を振り切ると 、 う処理方法が知られて！/、る。
[0003] しかし、このような処理方法では、半導体ウェハの表面にミクロな水残りが生じ、これ 力 Sウォーターマークとなって現れるという問題がある。また、完全に乾燥していない半 導体ウェハの表面が空気に触れると、その部分が酸ィ匕されてウォーターマークが発 生するという問題がある。
[0004] そこで、このようなウォーターマークの発生を抑制する方法として、特開 2001— 53 051号公報〖こは、リンス処理後の基板の中心部に不活性ガスを噴射するとともに基 板の外周部に純水を供給し、これら不活性ガスの噴射位置と純水の供給位置をとも に基板の中心から外側へと径方向に移動させる基板乾燥方法が開示されている。
[0005] し力しながら、前記文献に開示された方法でも、被処理基板の外周部分でのウォー ターマークの低減は十分とは言えない。また、純水が被処理基板の中心から移動し た後に不活性ガスが供給されるために、被処理基板の中心部でウォーターマークが 発生しやすいという問題がある。このため、ウォーターマークの発生をさらに抑制する ことができる基板洗浄方法、基板洗浄装置が求められている。
発明の開示
[0006] 本発明は力かる事情に鑑みてなされたものであり、ウォーターマークの発生を抑制 することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置、この基板洗浄方法を基板洗浄 装置に実行させるためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムを記録し たプログラム記憶媒体を提供することを目的とする。
[0007] 本発明の第 1の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗 浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液 の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍にぉ 、て前記被処理基板の中心から適長離間した地 点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周 縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ボイ ントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも 径方向内側の領域にぉ 、て前記被処理基板の中心力 周縁に向けて移動させるェ 程と、
を有する基板洗浄方法、が提供される。
[0008] この第 1の観点に係る基板洗浄方法にお!、ては、前記被処理基板の中心近傍に ぉ 、て前記被処理基板の中心から適長離間した地点への不活性ガスの供給開始を 、前記被処理基板の表面の中心へのリンス液供給開始と実質的に同時とすることが 好ましい。
[0009] 本発明の第 2の観点によれば、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗 浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基 板の表面の中心力 周縁に向けて移動させながら供給する工程と、 不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側 の領域にお 、て前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給す る工程と、
前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面力 外れた後に前記リンス液 の供給を停止する工程と、
前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活 性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給 時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、
を有する基板洗浄方法、が提供される。
[0010] 上記第 1および第 2の観点に係る基板洗浄方法では、不活性ガスが供給されるガス 供給ポイントの移動速度を被処理基板の中心部よりも外周部で速くすることが好まし い。また、洗浄処理と乾燥処理の間に被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前 記被処理基板の表面の所定ポイントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設 け、不活性ガス供給時の被処理基板の回転数をこのリンス処理時の被処理基板の 回転数よりも上げることが好ましい。さらに、このようなリンス処理を設けた場合には、 乾燥処理時に被処理基板の表面に供給するリンス液の量をこのリンス処理時よりも少 なくすることが好ましい。さらにまた、このようなリンス処理を設けた場合には、乾燥処 理の開始前に被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されているようにすることが好 ましい。
[0011] また、上記基板洗浄方法にお!ヽては、リンス液供給ポイントが被処理基板の周縁か ら外れた後に、ガス供給ポイントを被処理基板の外周部近傍で所定時間停止させる ことにより、被処理基板の外周部を乾燥させることが好ましい。さらに、乾燥処理にお
V、てリンス液供給ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、ガス供給ポ イントが被処理基板の中心力 周縁へ移動する向きと、リンス液供給ポイントが被処 理基板の中心力も周縁へ移動する向きとをずらすことが好ましぐこれによりリンス液 供給ポイントとガス供給ポイントを移動させる速さの自由度を高めること等ができる。な お、本発明は、被処理基板の表面が疎水性である場合に好適に用いられる。 [0012] 本発明の第 3の観点によれば、上記基板洗浄方法を実施するための基板洗浄装 置が提供される。すなわち、被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄装 置であって、
被処理基板を保持し、略水平姿勢で回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された被処理基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理機 構と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板ヘリンス液を供給するリンスノズルと、 前記スピンチャックに保持された被処理基板へ不活性ガスを供給するガスノズルと 前記リンスノズルからリンス液を吐出させながら前記リンスノズルを前記被処理基板 の中心力 周縁へとスキャンさせ、前記ガスノズル力 不活性ガスを噴射させながら 前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部近傍から中心へスキャンさせた後に前記 リンスノズルの位置よりも径方向内側の領域にお 、て前記被処理基板の周縁に向け てスキャンさせるノズル制御装置と、
を有する基板洗浄装置、が提供される。
[0013] この基板洗浄装置において、ノズル制御装置はガスノズルを被処理基板の中心部 よりも外周部で速くスキャンさせることが好ましい。また、ノズル制御装置は、リンスノズ ルを被処理基板の中心カゝら周縁へスキャンさせる向きとガスノズルを被処理基板の 中心から周縁へスキャンさせる向きとをずらして、リンスノズルおよびガスノズルをスキ ヤンさせる構成とすることも好ましぐこれにより、リンスノズルとガスノズルの衝突を回 避しながらそれぞれの速度制御の自由度を増やすことができる。
[0014] 本発明によれば、前記洗浄処理方法を実行するために上記洗浄処理装置の制御 に用いられるコンピュータプログラムが提供される。すなわち、本発明の第 4の観点に よれば、コンピュータ上で動作し、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を 回転させ、その表面の中心へリンス液の供給を開始し、（b)前記被処理基板の中心 近傍において前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を 開始し、（c)前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処 理基板の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給する ガス供給ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させた後に前記リンス液供給ボイ ントよりも径方向内側の領域において前記被処理基板の中心力 周縁に向けて移動 させて前記被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処理基板を洗浄するよ うに基板洗浄装置を制御するソフトウェアを含むコンピュータプログラム、が提供され る。
[0015] 本発明の第 5の観点によれば、コンピュータ上で動作し、実行時に、（a)洗浄処理 が施された被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記 被処理基板の表面の中心力 周縁に向けて移動させながら供給し、 (b)不活性ガス をそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域にお V、て前記被処理基板の中心部力も周縁に向けて移動するように供給し、（c)前記リン ス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面力 外れた後に前記リンス液の供給を 停止し、 (d)前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後 に前記不活性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活 性ガス供給時の前記被処理基板の回転数より高速として前記被処理基板を乾燥さ せる処理を実行して、前記被処理基板を洗浄するように基板洗浄装置を制御するソ フトウェアを含むコンピュータプログラム、が提供される。
[0016] さらに本発明は、上記第 4および第 5の観点に係る各コンピュータプログラムを記録 したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供する。すなわち、本発明の第 6の観 点によれば、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコ ンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を回転させ 、その表面の中心へリンス液の供給を開始し、（b)前記被処理基板の中心近傍にお V、て前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始し、 ( c)前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の 周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポ イントを前記被処理基板の中心へ移動させた後に前記リンス液供給ポイントよりも径 方向内側の領域にぉ 、て前記被処理基板の中心力 周縁に向けて移動させて前記 被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処理基板を洗浄するように基板洗 浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体、が提供される。
[0017] 本発明の第 7の観点によれば、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトゥ エアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を略水平 姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から 周縁に向けて移動させながら供給し、 (b)不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記 リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域にお 、て前記被処理基板の中心部 力 周縁に向けて移動するように供給し、（c)前記リンス液の供給ポイントが前記被処 理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止し、（d)前記不活性ガスの 供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停 止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基 板の回転数より高速として前記被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処 理基板を洗浄するように基板洗浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒 体、が提供される。
[0018] 本発明によれば、乾燥処理時にリンス液の膜がなくなった部分にリアルタイムに不 活性ガスが供給されるために、基板表面の酸ィ匕が抑制され、これによつてウォーター マークの発生が抑制される。なお、本発明によれば 1枚の被処理基板の洗浄処理に 要する時間を短縮することができるという効果も得られる。
図面の簡単な説明
[0019] [図 1]洗浄処理装置の概略構造を示す平面図。
[図 2]図 1に示す洗浄処理装置の Z— X断面図。
[図 3]図 1に示す洗浄処理装置の Y— Z断面図。
[図 4]洗浄処理装置におけるウェハ Wの処理工程を示すフローチャート。
[図 5A]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 5B]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 5C]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 5D]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 5E]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。 [図 5F]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 5G]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 5H]ウェハ Wの処理工程を模式的に示す図。
[図 6A]比較例 1の洗浄方法によるウェハのウォーターマーク観察結果を示す図。
[図 6B]比較例 2の洗浄方法によるウェハのウォーターマーク観察結果を示す図。
[図 6C]実施例の洗浄方法によるウェハのウォーターマーク観察結果を示す図。
[図 7A]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7B]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7C]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7D]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7E]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7F]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7G]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 7H]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
[図 71]ウェハ Wの別の処理工程を模式的に示す図。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、本発明の実施の形態について、半導体ウェハの洗浄処理を行う洗浄処理装 置を例に挙げて図面を参照しながら、詳細に説明する。図 1に洗浄処理装置 10の概 略構造を示す平面図を示し、図 2に洗浄処理装置 10の Z—X断面図を示し、図 3〖こ 洗浄処理装置 10の Y—Z断面図を示す。
[0021] 洗浄処理装置 10は、ハウジング 90内に各部材が配設された構成となっている。こ のハウジング 90の一側面には窓 91が形成されており、この窓 91はシャツタ 92によつ て開閉自在となっている。この窓 91を通してウェハ Wの搬入出が行われる。ハウジン グ 90の内部は、隔壁 93によって 2室に仕切られており、後に詳細に説明するように、 一方は洗浄液や純水等を扱う液処理室となっており、他方は洗浄処理のために各種 ノズル等を移動させるための駆動機構を配設するための機構配設室となっている。
[0022] 洗浄処理装置 10は、ハウジング 90内に、ウェハ Wを略水平姿勢に保持するスピン チャック 11と、スピンチャック 11に保持されたウェハ Wの周囲を囲繞するカップ 12と、 ウェハ Wの表面にリンス液（純水（DIW) )を供給するためにカップ 12の外側の所定 位置に固定された 2本のサイドリンスノズル 13 · 14と、ウェハ Wの表面に洗浄液を供 給する洗浄液ノズル 15と、ウェハ Wの表面に純水（DIW)を供給する純水ノズル 17と 、ウェハ Wの表面に不活性ガス、例えば、窒素ガスを供給するガスノズル 16と、を備 えている。
[0023] スピンチャック 11は、チャックプレート 71と、チャックプレート 71を支持する枢軸 72と 、枢軸 72を回転させるモータ 73と、チャックプレート 71に載置されたウエノ、 Wの保持 Z解除を行う脱着機構 74と、を備えている。チャックプレート 71の表面には、図示し ない支持ピンが複数配設されており、ウェハ Wはこれら支持ピンに支持される。
[0024] 脱着機構 74は、チャックプレート 71の周縁の 3箇所に設けられた保持部材 75と、 チャックプレート 71の下方に設けられたプレート部材 76と、プレート部材 76を昇降さ せる昇降機構 77と、保持部材 75の配設位置に対応してプレート部材 76に設けられ た当接治具 78と、を有している。図 2の左側には保持部材 75がウエノ、 Wを保持した 状態が示されており、図 2の右側には保持部材 75がウェハ Wを保持していない状態 が示されている。
[0025] この脱着機構 74は保持部材 75をテコの原理を利用して動かすことにより、ウェハ Wの保持状態と解除状態とを切り替えるものである。すなわち、昇降機構 77を上昇さ せると 3箇所に配設された当接治具 78が保持部材 75の内周端をそれぞれチャック プレート 71の裏面に押し付け、これにより保持部材 75の外周端部が外側下方へ動 いてウェハ Wの保持状態が解除されるようになっている。反対に、昇降機構 77を降 下させて当接治具 78を保持部材 75から離隔させると、保持部材 75の外周端部が内 側上方に動いてウェハ Wの縁に当接することにより、ウェハ Wに外周から中心へ向 力 力が加わり、ウェハ Wが保持部材 75に保持される。
[0026] カップ 12は昇降機構 85により昇降自在となっている。図 2では下段位置（実線)お よび上段位置（点線）が同時に示され、図 3では上段位置のみが示されている。ゥェ ハ Wの搬入出時にはカップ 12は下段位置に保持され、洗浄処理中は上段位置に保 持される。カップ 12には内周上側力も外周下側に傾斜したテーパー部 86 · 87が上 下 2段で形成されている。カップ 12の底部には排気ダクト 89が設けられている。 [0027] サイドリンスノズル 13はウェハ Wのほぼ中心に向けて純水を吐出し、サイドリンスノ ズル 14はウェハ Wの中心よりも外側のポイントに向けて純水を吐出する。これにより、 少ない純水量でウェハ W全体に均一な液膜を形成することができる。なお、サイドリ ンスノズル 13 · 14は、各サイドリンスノズル 13 · 14から洗浄液が略平行に吐出される ように配置することが好ましぐこれにより均一な液膜を形成することが容易となる。
[0028] 洗浄液ノズル 15へは、窒素ガス供給源と純水供給源とからそれぞれ窒素ガスと純 水が供給され、これらが洗浄液ノズル 15の内部において混合され、こうして生成され た純水に窒素ガスを混入させた洗浄液（以下「2流体洗浄液」 t 、う）をウェハ Wの表 面に吹き付ける。勿論、洗浄液はこれに限定されるものではなぐ各種薬液を吐出す る構成としてもよい。なお、洗浄液ノズル 15は、窒素ガスの供給を停止すれば純水の みを吐出することができ、逆に純水の供給を停止すれば窒素ガスのみを噴射するこ とがでさる。
[0029] 洗浄液ノズル 15は第 1ノズルアーム 51に保持されており、この第 1ノズルアーム 51 は第 1アーム昇降機構 56によって昇降自在である。また、第 1アーム昇降機構 56は 、機構配設室において X方向に延在して設けられたガイド 54に移動自在に嵌合され たスライダ 61に取り付けられており、このスライダ 61の X方向の位置制御は第 1ノズル スライド機構 66によって行われるようになつている。例えば、第 1ノズルスライド機構 6 6としては、電磁式リニアモータやボールネジ機構等が用いられる。このような構成に より、洗浄液ノズル 15をウェハ W上で X方向にスキャンさせ、またカップ 12の上端を 越えてカップ 12外へ退避させることができるようになって 、る。
[0030] ウェハ Wの表面に窒素ガスを供給するガスノズル 16は、第 2ノズルアーム 52〖こ保 持されており、この第 2ノズルアーム 52は第 2アーム昇降機構 57によって昇降自在と なっている。また、第 2アーム昇降機構 57は、機構配設室において X方向に延在して 設けられたガイド 54に移動自在に嵌合されたスライダ 62に取り付けられており、この スライダ 62の X方向の位置制御は第 2ノズルスライド機構 67によって行われるように なって ヽる。第 2ノズルスライド機構 67としては第 1ノズルスライド機構 66と同じ駆動方 式のものが好適に用いられる。このような構成により、ガスノズル 16もまた、ウェハ W 上で X方向にスキャンさせ、またカップ 12の上端を越えてカップ 12外へ退避させるこ とができるようになって!/、る。
[0031] ウェハ Wの表面に純水を供給する純水ノズル 17は、第 3ノズルアーム 53に保持さ れており、この第 3ノズルアーム 53は第 3アーム昇降機構 58によって昇降自在となつ ている。また、第 3アーム昇降機構 58は、ガイド 54に移動自在に嵌合されたスライダ 63に取り付けられており、このスライダ 63の X方向の位置制御は第 3ノズルスライド機 構 68によって行われるようになつている。第 3ノズルスライド機構 68としては第 1ノズル スライド機構 66と同じ駆動方式のものが好適に用いられる。このような構成により、純 水ノズル 17もまた、ウェハ W上で X方向にスキャンさせ、またカップ 12の上端を越え てカップ 12外へ退避させることができるようになって!/、る。
[0032] このように構成された洗浄処理装置 10に設けられた各種機構の駆動制御と、窒素 ガスや純水の供給源力 各種ノズルへの流体供給を制御するバルブの制御は、制 御部 95により行われる。すなわち、洗浄処理装置 10の各構成部は、制御部（プロセ スコントローラ） 95に接続されて制御される構成となっている。また、制御部 95には、 工程管理者が洗浄処理装置 10を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキー ボードや、洗浄処理装置 10の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からな るユーザーインターフェース 96が接続されて 、る。
[0033] また、制御部 95には、洗浄処理装置 10で実行される各種処理を制御部 95の制御 にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて洗浄処理装置 10の各構 成部に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が格納された記憶部 9 7が接続されて 、る。レシピはハードディスクや半導体メモリー等に記憶されて ヽても よいし、 CD—ROM、 DVD— ROM等のコンピュータにより読み取り可能な可搬性の 記憶媒体に格納された状態で、記憶部 97の所定位置にセットするようになって 、て ちょい。
[0034] そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース 96からの指示等にて任意のレシ ピを記憶部 97から呼び出して制御部 95に実行させることで、制御部 95の制御下で、 洗浄処理装置 10での所望の処理が行われる。
[0035] 次に上記の通り構成された洗浄処理装置 10におけるウェハ Wの処理工程につ!、 て、図 4に示すフローチャートおよび図 5A〜5Hに示すウェハ Wの処理工程を模式 的に示す図を参照しながら説明する。なお、サイドリンスノズル 13 · 14は図 5C,図 5D にのみ示し、ガスノズル 16と純水ノズル 17は図 5Cでは省略している。
[0036] 最初にカップ 12を下段位置に配置し、昇降機構 77によりプレート部材 76を上昇さ せて当接治具 78を保持部材 75に押し付け、保持部材 75の外周端部を外側下方に 移動させた状態とする。また、シャツタ 92を開いて窓 91を開く。ウェハ Wを保持した 図示しないウェハ搬送アームを、窓 91を通してハウジング 90内に進入させて、チヤッ クプレート 71にウェハ Wを受け渡す。ウェハ搬送アームをハウジング 90から退出させ た後に、プレート部材 76を降下させて当接治具 78を保持部材 75から離隔させ、保 持部材 75にウェハ Wを保持させる (ステップ 1)。その後、カップ 12を上段位置へと移 動させる。
[0037] 図 5Aに示すように、洗浄液ノズル 15の待避位置側（図 1参照）のウェハ Wの端を S 点、ガスノズル 16および純水ノズル 17の待避位置側のウェハ Wの端を T点とする。 洗浄液ノズル 15をカップ 12外の待避位置からスピンチャック 11に保持されたウェハ W上の所定の高さ位置に移動させる（ステップ 2)。次に、図 5Bに示すように、ウェハ Wを所定の速度で回転させて、洗浄液ノズル 15を X方向でウェハ Wの端 (S点）と端（ T点）との間で、または中心 (O点）と端 (S点）との間で所定の速度でスキャンさせなが ら、洗浄液ノズル 15から 2流体洗浄液をウエノ、 Wの表面に所定時間吹き付けることに より、ウェハ Wの表面を洗浄する（ステップ 3)。
[0038] 次に、図 5Cに示すように、洗浄液ノズル 15からの 2流体洗浄液の吐出を停止させ（ このとき、洗浄液ノズルは S点側にあることが好ましい）、洗浄液ノズル 15をカップ 12 外の待避位置へ移動させる。また、ウェハ Wの回転数を洗浄処理時 (洗浄液ノズル 1 5による処理時）より下げて、サイドリンスノズル 13 · 14からウェハ Wの表面にリンス液 を供給し、ウェハ Wの表面をリンス処理する（ステップ 4)。このリンス処理では、所定 時間経過後にサイドリンスノズル 13 · 14からの純水供給を停止した際に、ウェハ Wの 表面全体に液膜が残るように、ウェハ Wの回転数を設定することが好ま 、。
[0039] このリンス処理の間に、図 5Dに示すように、ガスノズル 16をウェハ Wの中心部にお V、て中心（O点）力 適長離間した地点、例えばウェハ Wの中心 O点から S点側に 10 〜50mm離れた P点の上の所定の高さ位置へ移動させ、かつ、純水ノズル 17をゥェ ハ Wの中心（O点）上の所定の高さ位置に移動させる（ステップ 5)。
[0040] この P点は、ガスノズル 16から噴射される窒素ガスが純水ノズル 17から吐出される 純水を跳ね上げない地点に設定する。この P点の位置を設定することは、ガスノズル 16と純水ノズル 17との間の距離を設定することでもある。後述するように純水ノズル 1 7から純水を吐出させながら純水ノズル 17をウェハ Wの中心から周縁に向かってスキ ヤンさせた際に、ウェハ W上の純水が遠心力によって振り切られることによって乾燥 が始まる部分に窒素ガスが供給されるように、ガスノズル 16と純水ノズル 17との間の 距離を設定する。
[0041] 次に、サイドリンスノズル 13 · 14からのウェハ Wの表面への純水供給を停止し、そ れに続いてウェハ Wの乾燥処理を行う。この乾燥処理では、最初に図 5Eに示すよう に、ウェハ Wの回転数を好ましくはリンス処理時と同等またはそれよりも大きくして (伹 し、洗浄処理時よりは遅いことが望ましい）、純水ノズル 17からの純水の吐出を開始 し、実質的にこれと同時にガスノズル 16からの窒素ガスの噴射を開始する (ステップ 6 ) oここで、純水ノズル 17の位置よりも外側で液膜が形成されていればよいために、純 水ノズル 17からの純水吐出量はサイドリンスノズル 13 · 14からの純水吐出量よりも少 なくすることが好ましい。
[0042] 次いで図 5Fに示すように、純水ノズル 17から純水を吐出させながら、純水ノズル 1 7を純水ノズル 17の待避位置側の T点に向けて所定速度でスキャンさせる。これと並 行して、ガスノズル 16から窒素ガスを噴射させながら、ガスノズル 16を、純水ノズル 1 7を追うようにウェハ Wの中心（O点）を通って T点に向けてスキャンさせる（ステップ 7) 。このステップ 7は、換言すると、ウェハ Wに純水を供給する純水供給ポイントをゥェ ハ Wの周縁に向けて移動させながら、ウェハ Wに窒素ガスを供給するガス供給ボイ ントをウェハ Wの中心（O点）へ移動させた後に純水供給ポイントよりも径方向内側の 領域にお 、てウェハ Wの中心（O点）から周縁に向けて移動させるステップ、である。
[0043] 純水ノズル 17のウェハ Wの中心から周縁へのスキャンを開始すると、純水が供給さ れなくなったウェハ Wの中心から遠心力によって徐々に液膜がなくなり、ウェハ Wの 乾燥が始まる。ここで、ウェハ Wの中心部では液膜に加わる遠心力が弱いために乾 燥速度が遅い。しかし、ウェハ Wの中心近傍に窒素ガスが供給されているために、最 初に乾燥し始めるウェハ Wの中心部は空気にさらされ難い。こうしてウェハ Wの表面 酸ィ匕によるウォーターマークの発生が抑制される。また、ステップ 7では、純水ノズル 1 7をスキャンさせることによって乾燥が始まる部分に窒素ガスが供給されるようにガスノ ズル 16をスキャンさせるので、ウェハ W全体でウォーターマークの発生を抑制するこ とがでさる。
[0044] ウェハ Wに供給された純水が遠心力によりウェハ Wから振り切られる速さ（純水がゥ エノ、 W上を移動する速さ）は、ウェハ Wの中心部よりも外周部で速くなる。このため、 純水ノズル 17と衝突しないように、ガスノズル 16のスキャン速度をウェハ Wの中心部 よりもその外周部で速くすることが好ましい。これによりウェハ W表面の乾燥し始める 部分が速やかに窒素ガスにさらされるため、ウォーターマークの発生を抑制すること ができる。
[0045] こうして純水ノズル 17がウェハ Wの周縁から外れたら、純水ノズル 17からの純水の 吐出を停止する（ステップ 8)。一方、図 5Gに示すように、ガスノズル 16がウェハ Wの 周縁近傍に到達したら、その位置でガスノズル 16を所定時間、例えば数秒、停止さ せて、ウェハ Wの外周部を乾燥させることが好ましい (ステップ 9)。これにより、ウェハ Wの外周部を遠心力による液滴の振り切り乾燥よりも窒素ガスによる乾燥を支配的と することができ、ウェハ Wの周縁部近傍におけるウォーターマークの発生を抑制する ことができる。
[0046] 続いて図 5Hに示すように、ガスノズル 16がウェハ Wの周縁から外れたら、ガスノズ ル 16からの窒素ガス噴射を停止して、所定時間、ウェハ Wを不活性ガス供給時より も高速で回転させて、最終的なスピン乾燥を行う（ステップ 10)。その後ウェハ Wの回 転を停止させる (ステップ 11)。これによりウェハ Wに対する一連の洗浄、リンス、乾燥 処理が終了する。
[0047] 上述したウェハ Wの洗浄方法によれば、後に実施例に示すように、従来の洗浄方 法と比較してトータルの処理時間を短縮することができる。また、洗浄処理装置 10の スループットを向上させることができるという効果も得られる。
[0048] このスピン乾燥が終了したら、純水ノズル 17およびガスノズル 16をカップ 12外へ待 避させる。また、その後、先にウェハ Wをノヽウジング 90に搬入してチャックプレート 71 に支持させた手順と逆の手順によって、ウェハ Wをノヽウジング 90から搬出する (ステ ップ 12)。
[0049] このような洗浄方法の中で用いた乾燥方法は、特に、純水が主に遠心力によって 外側に振り切られることによってウエノ、 Wの乾燥が進む場合、つまり、ウェハ Wの表 面が疎水性である場合に好適に用いられる。その具体例としては、ウェハ Wがべァゥ ェハである場合が挙げられる。また、ウェハ Wの表面に各種の膜や回路が構成され ており、疎水性の部分と親水性の部分を有するウェハ Wにも適用することができる。
[0050] 次に、ベアウェハを 2流体洗浄液により処理した場合の実施例および比較例につ いて説明する。表 1、表 2、表 3に各種洗浄処理のレシピを示す。表 1に示すレシピは 、ステップ 1でウェハの回転開始を、ステップ 2で洗浄液ノズル 15からの 2流体洗浄液 の吐出による洗浄処理を、ステップ 3でサイドリンスノズル 13 · 14からウェハに純水を 供給することによるリンス処理を、ステップ 4で高速回転によるスピン乾燥を、ステップ 5でウェハの回転停止を、それぞれ行う従来力も広く知られた洗浄方法 (比較例 1)で ある。
[0051] 表 2に示すレシピは、ステップ 1でウェハの回転開始を、ステップ 2で洗浄液ノズル 1 5からの 2流体洗浄液の吐出による洗浄処理を、ステップ 3でウェハの回転数を落とし 、サイドリンスノズル 13 · 14から純水を吐出することによるリンス処理を、ステップ 4で 中速回転によるスピン乾燥を、ステップ 5で高速回転によるスピン乾燥を、ステップ 6 でウェハの回転停止を、それぞれ行う洗浄方法 (比較例 2)である。
[0052] 表 3に示すレシピは、本発明に係る洗浄方法であり、ステップ 1でウェハの回転開始 を、ステップ 2で洗浄液ノズル 15からの 2流体洗浄液の吐出による洗浄処理を、ステ ップ 3でウェハの回転数を落とし、サイドリンスノズル 13 · 14からウェハに純水を供給 することによるリンス処理を、ステップ 4でウェハを中速回転させ、純水ノズル 17およ びガスノズル 16による純水と窒素ガスを供給しながらのスピン乾燥を、ステップ 5で窒 素ガス供給時の回転数より高速でウェハを回転させることよるスピン乾燥を、ステップ 6でウェハの回転停止を、それぞれ行う洗浄方法 (実施例）である。
[0053] 図 6A〜6Cにこれらの洗浄方法によるウェハのウォーターマーク観察結果を示す。
図 6Aに示されるように、比較例 1の洗浄方法では、ウェハ全体にウォーターマーク（ 図 6A〜6Cの各図における黒点部分）が発生していることが確認された。また図 6B に示されるように、比較例 2の洗浄方法でも、特にウェハの周縁部に多くのウォータ 一マークの発生が確認された。しかし、図 6Cに示されるように、実施例の洗浄方法に よれば、ウォーターマークは殆ど観察されず、良好な洗浄面が得られていることが確 認された。実施例では、ステップ 4でウェハ Wの回転加速度を下げている。このように 緩やかに加速することによって純水の振り切りを遅くし、乾燥が始まる部分に有効に 窒素ガスを供給することができる。このことも、実施例におけるウォーターマークの発 生防止に寄与している。
[0054] また、表 1〜表 3から、処理時間は、比較例 1で 44秒、比較例 2で 46秒、実施例で 3 9秒である。このように、本発明に係る洗浄処理方法を用いることにより、洗浄処理装 置 10のスループットを高めることができるという効果も得られることが確認された。
[0055] [表 1]
Figure imgf000017_0001
[0056] [表 2]
ウェハ回転数 回転加速度
ステップ 時間 (秒） 使用ノズル
(rpm) (rpmZ秒）
1 1 0 1000
2 10 1000 1000 洗浄液ノズル
3 8 300 3000 サイドリンスノズル
4 4 1000 300
5 20 3000 100
6 3 0 1000
[0057] [表 3]
Figure imgf000018_0001
[0058] 以上、本発明の実施の形態について説明した力 本発明はこのような形態に限定 されるものではない。例えば、上記説明においては、ガスノズル 16と純水ノズル 17と をそれぞれ独立して駆動可能な構成とした力 第 2ノズルアーム 52の先端に、ガスノ ズル 16と純水ノズル 17を適長（例えば、前述したように、 10〜50mm)離間させて X 方向に並べて取り付けることにより、ガスノズル 16と純水ノズル 17を一体的にスキャン させる構成としてもよい。これにより、第 3ノズルアーム 53とこれに関わる駆動機構が 不要となるために、洗浄処理装置の構造を簡単にすることができる。
[0059] さらに、洗浄液ノズル 15では、洗浄液ノズル 15に窒素ガスを供給しなければ、純水 のみを吐出させることができるために、洗浄液ノズル 15を純水ノズル 17の代わりに用 いてもよい。その場合には、純水ノズル 17を設けなくともよい。また、この場合におい て、さらに洗浄液ノズル 15を保持して 、る第 1ノズルアーム 51に洗浄液ノズル 15とガ スノズル 16を一定の間隔で X方向に並べて取り付けてもよい。これにより洗浄処理装 置の構造をさらに簡単にすることができる。
[0060] さらにまた、上記説明にお 、ては、洗浄液ノズル 15、ガスノズル 16、純水ノズル 17 を X方向で直線的にスキャンさせたが、これらのノズルがウェハ Wの中心を通ってゥ エノ、 W上で円弧を描くように回動自在な構成としてもよい。
[0061] 上記説明においては、純水ノズル 17を追うようにガスノズル 16をスキャンさせたが、 ガスノズル 16のスキャン方法はこれに限定されるものではな!/、。図 7A〜7Iにガスノズ ル 16の別のスキャン方法を模式的示す説明図を示す。図 7A〜7Iにおける純水ノズ ル 17の動作は図 5A〜5Hで説明した動作と同じであるので、ここでは純水ノズル 17 の動作の説明は省略する。また、図 7A〜図 7Eはそれぞれ図 5A〜図 5Eと同じであ るので、これら図 7A〜図 7Eでのガスノズル 16の動作についても、ここでの説明は省 略する。すなわち、ここでのスキャン方法の特徴は、図 7F〜7Iのガスノズル 16の動 作にある。
[0062] 図 7Eの状態から図 7Fの状態へ移行する際には、ガスノズル 16から窒素ガスを噴 射させながらガスノズルを P点から O点へスキャンさせた後に、図 7Gに示すように、ガ スノズル 16を O点から P点へ戻り、さらに P点を通過して洗浄液ノズル 15の待避位置 側のウェハ Wの周縁の S点側へスキャンさせる。このとき、ガスノズル 16が純水ノズル 17よりもウェハ Wの径方向において内側に位置するようにする。次いで、図 7Hに示 すように、ウェハ Wの周縁部でガスノズル 16を所定時間停止させてウェハ Wの外周 部を乾燥させた後に、図 71に示すように、ガスノズル 16を所定の待避位置へ移動さ せる。
[0063] このような方法によっても、ウェハ Wにおけるウォーターマークの発生を抑制するこ とができる。また、純水ノズル 17をウェハ Wの中心から周縁へスキャンさせる向きとガ スノズル 16をウェハ Wの中心から周縁へスキャンさせる向きとをずらす（図 7F〜7Iは 逆向きの場合に相当する）ことにより、純水ノズル 17とガスノズル 16の衝突を回避し ながら、それぞれの速度制御の自由度を増やすことができるために、ガスノズル 16か らの窒素ガス噴射を停止した後にガスノズル 16を S点から T点側へ戻す必要があるこ とを考慮しても、洗浄処理全体のスループットを向上させることができる。
[0064] 以上説明した実施の形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにすることを 意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるもので はなぐ本発明の精神とクレームに述べる範囲で、種々に変更して実施することがで きるものである。
産業上の利用可能性
[0065] 本発明は、半導体ウェハの洗浄処理に好適であり、特に疎水性の面を備えたベア ウェハの洗浄処理に好適である。

Claims

請求の範囲
[1] 被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、前記被処理基板の表面の中心へリンス液 の供給を開始する工程と、
前記被処理基板の中心近傍にぉ 、て前記被処理基板の中心から適長離間した地 点へ不活性ガスの供給を開始する工程と、
前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の周 縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ボイ ントを前記被処理基板の中心へ移動させ、その後に前記リンス液供給ポイントよりも 径方向内側の領域にぉ 、て前記被処理基板の中心力 周縁に向けて移動させるェ 程と、
を有する基板洗浄方法。
[2] 請求項 1に記載の基板洗浄方法にお!、て、前記被処理基板の中心近傍にぉ 、て 前記被処理基板の中心から適長離間した地点への不活性ガスの供給開始を、前記 被処理基板の表面の中心へのリンス液供給開始と実質的に同時とする、基板洗浄方 法。
[3] 請求項 1に記載の基板洗浄方法にお!、て、前記ガス供給ポイントの移動速度を前 記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、基板洗浄方法。
[4] 請求項 1に記載の基板洗浄方法において、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、 前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ボイ ントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記不活性ガス供給時の前記 被処理基板の回転数を前記リンス処理時の前記被処理基板の回転数よりも上げる、 基板洗浄方法。
[5] 請求項 1に記載の基板洗浄方法において、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、 前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ボイ ントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理時に前記被処 理基板の表面に供給するリンス液の量を前記リンス処理時よりも少なくする、基板洗 浄方法。
[6] 請求項 1に記載の基板洗浄方法において、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に、 前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ボイ ントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理の開始前に前 記被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されて！ヽる状態とする、基板洗浄方法。
[7] 請求項 1に記載の基板洗浄方法にお!、て、前記リンス液供給ポイントが前記被処 理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近 傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、基板 洗浄方法。
[8] 請求項 1に記載の基板洗浄方法にお!、て、前記乾燥処理にお!、てリンス液供給ポ イントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記被 処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被処 理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、基板洗浄方法。
[9] 請求項 1に記載の基板洗浄方法にお!、て、前記被処理基板の表面は疎水性であ る、基板洗浄方法。
[10] 被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄方法であって、
前記乾燥処理は、
被処理基板を略水平姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基 板の表面の中心力 周縁に向けて移動させながら供給する工程と、
不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記リンス液の供給ポイントよりも径方向内側 の領域にお 、て前記被処理基板の中心部から周縁に向けて移動するように供給す る工程と、
前記リンス液の供給ポイントが前記被処理基板の端面力 外れた後に前記リンス液 の供給を停止する工程と、
前記不活性ガスの供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活 性ガスの供給を停止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給 時の前記被処理基板の回転数より高速とする工程と、
を有する基板洗浄方法。
[11] 請求項 10に記載の基板洗浄方法において、前記ガス供給ポイントの移動速度を 前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くする、基板洗浄方法。
[12] 請求項 10に記載の基板洗浄方法において、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に 、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポ イントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記不活性ガス供給時の前 記被処理基板の回転数を前記リンス処理時の前記被処理基板の回転数よりも上げる 、基板洗浄方法。
[13] 請求項 10に記載の基板洗浄方法において、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に 、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポ イントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理時に前記被処 理基板の表面に供給するリンス液の量を前記リンス処理時よりも少なくする、基板洗 浄方法。
[14] 請求項 10に記載の基板洗浄方法において、前記洗浄処理と前記乾燥処理の間に 、前記被処理基板を略水平姿勢で回転させながら前記被処理基板の表面の所定ポ イントにリンス液を所定時間供給するリンス処理を設け、前記乾燥処理の開始前に前 記被処理基板の表面にリンス液の膜が形成されて！ヽる状態とする、基板洗浄方法。
[15] 請求項 10に記載の基板洗浄方法において、前記リンス液供給ポイントが前記被処 理基板の周縁から外れた後に、前記ガス供給ポイントを前記被処理基板の外周部近 傍で所定時間停止させることにより、前記被処理基板の外周部を乾燥させる、基板 洗浄方法。
[16] 請求項 10に記載の基板洗浄方法にぉ 、て、前記乾燥処理にお!、てリンス液供給 ポイントおよびガス供給ポイントを移動させる工程では、前記ガス供給ポイントが前記 被処理基板の中心から周縁へ移動する向きと、前記リンス液供給ポイントが前記被 処理基板の中心から周縁へ移動する向きとをずらす、基板洗浄方法。
[17] 請求項 10に記載の基板洗浄方法において、前記被処理基板の表面は疎水性で ある、基板洗浄方法。
[18] 被処理基板に洗浄処理、乾燥処理を施す基板洗浄装置であって、
被処理基板を保持し、略水平姿勢で回転させるスピンチャックと、 前記スピンチャックに保持された被処理基板に所定の洗浄処理を施す洗浄処理機 構と、
前記スピンチャックに保持された被処理基板ヘリンス液を供給するリンスノズルと、 前記スピンチャックに保持された被処理基板へ不活性ガスを供給するガスノズルと 前記リンスノズルからリンス液を吐出させながら前記リンスノズルを前記被処理基板 の中心力 周縁へとスキャンさせ、前記ガスノズル力 不活性ガスを噴射させながら 前記ガスノズルを前記被処理基板の中心部近傍から中心へスキャンさせた後に前記 リンスノズルの位置よりも径方向内側の領域にお 、て前記被処理基板の周縁に向け てスキャンさせるノズル制御装置と、
を有する基板洗浄装置。
[19] 請求項 18に記載の基板洗浄装置にお ヽて、前記ノズル制御装置は、前記ガスノズ ルを前記被処理基板の中心部よりも外周部で速くスキャンさせる、基板洗浄装置。
[20] 請求項 18に記載の基板洗浄装置にぉ ヽて、前記ノズル制御装置は、前記リンスノ ズルを前記被処理基板の中心カゝら周縁へスキャンさせる向きと、前記ガスノズルを前 記被処理基板の中心カゝら周縁へスキャンさせる向きとをずらして、前記リンスノズルお よび前記ガスノス、ノレをスキャンさせる、基板洗浄装置。
[21] コンピュータ上で動作し、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を回転さ せ、その表面の中心へリンス液の供給を開始し、（b)前記被処理基板の中心近傍に ぉ 、て前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始し 、 (c)前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板 の周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給 ポイントを前記被処理基板の中心へ移動させた後に前記リンス液供給ポイントよりも 径方向内側の領域にぉ 、て前記被処理基板の中心力 周縁に向けて移動させて前 記被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処理基板を洗浄するように基板 洗浄装置を制御するソフトウェアを含むコンピュータプログラム。
[22] コンピュータ上で動作し、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を略水平 姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から 周縁に向けて移動させながら供給し、 (b)不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記 リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域にお 、て前記被処理基板の中心部 力 周縁に向けて移動するように供給し、（C)前記リンス液の供給ポイントが前記被処 理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止し、（d)前記不活性ガスの 供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停 止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基 板の回転数より高速として前記被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処 理基板を洗浄するように基板洗浄装置を制御するソフトウェアを含むコンピュータプ ログラム。
[23] コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読 取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を回転させ 、その表面の中心へリンス液の供給を開始し、（b)前記被処理基板の中心近傍にお V、て前記被処理基板の中心から適長離間した地点へ不活性ガスの供給を開始し、 ( c)前記被処理基板へリンス液を供給するリンス液供給ポイントを前記被処理基板の 周縁に向けて移動させながら、前記被処理基板へ不活性ガスを供給するガス供給ポ イントを前記被処理基板の中心へ移動させた後に前記リンス液供給ポイントよりも径 方向内側の領域にぉ 、て前記被処理基板の中心力 周縁に向けて移動させて前記 被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処理基板を洗浄するように基板洗 浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体。
[24] コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読 取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、（a)洗浄処理が施された被処理基板を略水平 姿勢で回転させ、リンス液をその供給ポイントを前記被処理基板の表面の中心から 周縁に向けて移動させながら供給し、 (b)不活性ガスをそのガス供給ポイントが前記 リンス液の供給ポイントよりも径方向内側の領域にお 、て前記被処理基板の中心部 力 周縁に向けて移動するように供給し、（c)前記リンス液の供給ポイントが前記被処 理基板の端面から外れた後に前記リンス液の供給を停止し、（d)前記不活性ガスの 供給ポイントが前記被処理基板の端面から外れた後に前記不活性ガスの供給を停 止し、その後に前記被処理基板の回転数を前記不活性ガス供給時の前記被処理基 板の回転数より高速として前記被処理基板を乾燥させる処理を実行して、前記被処 理基板を洗浄するように基板洗浄装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒 体。
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