CN110673445A - 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 - Google Patents

一种超厚胶膜的平坦化处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110673445A
CN110673445A CN201910904894.XA CN201910904894A CN110673445A CN 110673445 A CN110673445 A CN 110673445A CN 201910904894 A CN201910904894 A CN 201910904894A CN 110673445 A CN110673445 A CN 110673445A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
air injection
carrier plate
coating
circuit carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910904894.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110673445B (zh
Inventor
郁发新
冯光建
高卫斌
马飞
程明芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Jimeike Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Jimeike Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Jimeike Microelectronics Co Ltd filed Critical Zhejiang Jimeike Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201910904894.XA priority Critical patent/CN110673445B/zh
Publication of CN110673445A publication Critical patent/CN110673445A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110673445B publication Critical patent/CN110673445B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种超厚胶膜的平坦化处理方法,具体包括如下步骤:101)初步喷涂步骤、102)涂胶步骤、103)制备胶膜步骤和104)制备超厚胶膜步骤;本发明提供具有超厚保护膜、且成品率高的一种超厚胶膜的平坦化处理方法。

Description

一种超厚胶膜的平坦化处理方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,更具体的说,它涉及一种超厚胶膜的平坦化处理方法。
背景技术
晶圆级封装技术是先进封装领域用的最广的一种技术,尤其是对于消费类产品,晶圆级封装以其尺寸小,重量轻,厚度薄等优点,被广泛应用于移动电子设备,微型功能设备上。
晶圆级封装一般涉及到的工艺包括介质层涂布,线路布置和互联锡球植入等工艺,在介质层涂布环节,需要用PI胶涂布在晶圆表面,使晶圆表面的线路能完全被介质层覆盖,以此保护线路不受腐蚀,同时使上下两层金属绝缘。
但是在实际应用当中,对于一些特别工艺,金属线厚度较大,对于涂布PI层来覆盖金属线来说,工艺难度越来越大,尤其是对于高度超过30um的金属线路,当PI层在旋涂的时候越过金属线表面后,往往不能继续在金属线的背部继续覆盖,而是在向心力的作用下,直接飞出。这种工艺往往需要涂布三层PI才能勉强把线路的两个测面同时盖住,增加了成本,还降低了产品可靠性。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提供具有超厚保护膜、且成品率高的一种超厚胶膜的平坦化处理方法。
本发明的技术方案如下:
一种超厚胶膜的平坦化处理方法,具体包括如下步骤:
101)初步喷涂步骤:在布有电路金属线的电路载板底部加热,加热至50到150度;在电路载板上表面采用直接粘贴工艺涂布光刻胶,静置一段时间,静置时间在10秒到100秒之间;然后旋转涂布的光刻胶,转速控制在100转到10000转每秒;其中,加热方式包括红外加热方式在电路载板的底部或者上面对光刻胶进行直接加热;
102)涂胶步骤:步骤101)中的涂布光刻胶的具体过程如下:在电路载板的上表面设置喷气管路,喷气管路对电路载板在旋涂处理时进行喷气,喷气方向随旋涂时间进行调整;喷气管路数量为1到100个,喷气强度随旋涂时间进行调整;
103)制备胶膜步骤:在步骤101)涂布光刻胶之后,进行再次涂布光刻胶,此时光刻胶的加热时间为8秒到100秒之间,使光刻胶的粘度大于前一次;旋涂处理时的转速小于前一次的转速,转速控制在100转到10000转每秒,同时喷气管路的喷气量和喷气压力大于前一次的;再进行软烤工艺处理后得到最新涂布的光刻胶的膜;
104)制备超厚胶膜步骤:重复步骤103)的处理过程,进行多次涂布光刻胶,涂布次数在2到10次,得到涂有厚胶的电路载板,厚胶的厚度在10um到300um之间。
进一步的,电路金属线的高度范围在10um到200um之间,宽度在1um到1000um之间。
进一步的,电路金属线其本身为一层或多层结构,材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种的混合。
进一步的,电路载板采用4、6、8、12寸中的一种,厚度范围为200um到2000um,材质采用玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯;其提供支撑作用。
本发明相比现有技术优点在于:本发明在旋转涂布光刻胶时,在电路载板上表面设置喷气管路,通过喷气装置,在电路载板快速旋转时,当PI胶(光刻胶)越过电路金属线表面后,喷气装置对PI胶进行反方向作用,以此抵消向心力对PI胶的作用,避免了PI胶被直接甩出晶圆表面,使其有足够的时间对电路金属线的另一面侧壁进行浸润和包覆,减少了涂布光刻胶的次数,增大了PI胶的覆盖均匀性。
附图说明
图1为本发明的电路载板俯视图;
图2为本发明进行涂布光刻胶的结构示意图;
图3为本发明的图2另一种设置喷气孔的示意图;
图4为本发明的图2第三种设置喷气孔的示意图;
图5为本发明的涂布光刻胶的示意图;
图6为本发明的直接涂布光刻胶的示意图;
图7为本发明的旋涂涂布光刻胶的示意图;
图8为本发明的电路载板上表面加热示意图;
图9为本发明的电路载板底部加热示意图;
图10为本发明的多次涂布光刻胶后示意图;
图11为本发明的示意图。
图中标识:电路载板1、电路金属线2、光刻胶3、喷气孔4。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明而不能作为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解的是,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样的定义,不会用理想化或过于正式的含义来解释。
各实施方式中提到的有关于步骤的标号,仅仅是为了描述的方便,而没有实质上先后顺序的联系。各具体实施方式中的不同步骤,可以进行不同先后顺序的组合,实现本发明的发明目的。
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
实施例1:
如图1至图11所示,一种超厚胶膜的平坦化处理方法,具体包括如下步骤:
101)初步喷涂步骤:在布有电路金属线2的电路载板1底部加热,加热至50到150度;电路金属线2的高度范围在10um到200um之间,宽度在1um到1000um之间。电路金属线2其本身为一层或多层结构,材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种的混合。在电路载板1上表面采用直接粘贴工艺涂布光刻胶3,静置一段时间,静置时间在10秒到100秒之间;然后旋转涂布的光刻胶3,转速控制在100转到10000转每秒;其中,加热方式包括红外加热方式在电路载板1的底部或者上面对光刻胶3进行直接加热。
电路载板1包括4,6,8,12寸晶圆中的一种,厚度范围为200um到2000um,也可以是其他材质,包括玻璃,石英,碳化硅,氧化铝等无机材料,也可以是环氧树脂,聚氨酯等有机材料,其主要功能是提供支撑作用。
102)涂胶步骤:步骤101)中的涂布光刻胶3的具体过程如下:在电路载板1的上表面设置喷气管路,喷气管路对电路载板1在旋涂处理时进行喷气,喷气方向随旋涂时间进行调整;喷气管路数量为1到100个,喷气强度随旋涂时间进行调整。其中喷气管路如图2至图4所示,可以设置在需要涂布光刻胶3的电路载板1正上方,或者周边其中一侧,亦或者斜上方和周边的配合。
103)制备胶膜步骤:在步骤101)涂布光刻胶3之后,进行再次涂布光刻胶3,此时光刻胶3的加热时间为8秒到100秒之间,使光刻胶3的粘度大于前一次;旋涂处理时的转速小于前一次的转速,转速控制在100转到10000转每秒,同时喷气管路的喷气量和喷气压力大于前一次的;再进行软烤工艺处理后得到最新涂布的光刻胶3的膜;
104)制备超厚胶膜步骤:重复步骤103)的处理过程,进行多次涂布光刻胶3,涂布次数在2到10次,得到涂有厚胶的电路载板1,厚胶的厚度在10um到300um之间。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明保护范围内。

Claims (4)

1.一种超厚胶膜的平坦化处理方法,其特征在于:具体包括如下步骤:
101)初步喷涂步骤:在布有电路金属线的电路载板底部加热,加热至50到150度;在电路载板上表面采用直接粘贴工艺涂布光刻胶,静置一段时间,静置时间在10秒到100秒之间;然后旋转涂布的光刻胶,转速控制在100转到10000转每秒;其中,加热方式包括红外加热方式在电路载板的底部或者上面对光刻胶进行直接加热;
102)涂胶步骤:步骤101)中的涂布光刻胶的具体过程如下:在电路载板的上表面设置喷气管路,喷气管路对电路载板在旋涂处理时进行喷气,喷气方向随旋涂时间进行调整;喷气管路数量为1到100个,喷气强度随旋涂时间进行调整;
103)制备胶膜步骤:在步骤101)涂布光刻胶之后,进行再次涂布光刻胶,此时光刻胶的加热时间为8秒到100秒之间,使光刻胶的粘度大于前一次;旋涂处理时的转速小于前一次的转速,转速控制在100转到10000转每秒,同时喷气管路的喷气量和喷气压力大于前一次的;再进行软烤工艺处理后得到最新涂布的光刻胶的膜;
104)制备超厚胶膜步骤:重复步骤103)的处理过程,进行多次涂布光刻胶,涂布次数在2到10次,得到涂有厚胶的电路载板,厚胶的厚度在10um到300um之间。
2.根据权利要求1所述的一种超厚胶膜的平坦化处理方法,其特征在于:电路金属线的高度范围在10um到200um之间,宽度在1um到1000um之间。
3.根据权利要求2所述的一种超厚胶膜的平坦化处理方法,其特征在于:电路金属线其本身为一层或多层结构,材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种的混合。
4.根据权利要求1所述的一种超厚胶膜的平坦化处理方法,其特征在于:电路载板采用4、6、8、12寸中的一种,厚度范围为200um到2000um,材质采用玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯;其提供支撑作用。
CN201910904894.XA 2019-09-24 2019-09-24 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 Active CN110673445B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910904894.XA CN110673445B (zh) 2019-09-24 2019-09-24 一种超厚胶膜的平坦化处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910904894.XA CN110673445B (zh) 2019-09-24 2019-09-24 一种超厚胶膜的平坦化处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110673445A true CN110673445A (zh) 2020-01-10
CN110673445B CN110673445B (zh) 2022-05-17

Family

ID=69077508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910904894.XA Active CN110673445B (zh) 2019-09-24 2019-09-24 一种超厚胶膜的平坦化处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110673445B (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01207164A (ja) * 1988-02-15 1989-08-21 Nec Corp 回転塗布装置
JPH0850706A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Tdk Corp フォトレジスト膜形成方法
JPH09248504A (ja) * 1996-03-13 1997-09-22 Hitachi Ltd レジスト塗布装置
JPH10294252A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Sony Corp スピンコーティング装置
KR20000014960A (ko) * 1998-08-26 2000-03-15 윤종용 포토레지스트 도포 방법
CN1347137A (zh) * 2000-09-27 2002-05-01 株式会社东芝 成膜方法和成膜装置
US20020136838A1 (en) * 2001-03-22 2002-09-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Coating apparatus and coating method
JP2003037053A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Toshiba Corp 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP2003273141A (ja) * 2002-03-12 2003-09-26 Fujikura Ltd 半導体装置の製造方法
CN102259083A (zh) * 2011-01-19 2011-11-30 沈阳芯源微电子设备有限公司 半导体封装用厚胶膜旋涂方法
CN102856245A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 中国电子科技集团公司第九研究所 一种铁氧体基底薄膜电路的高效率光刻制作方法
CN104332393A (zh) * 2014-10-17 2015-02-04 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种制备tsv立体集成rdl电镀掩膜的厚胶工艺
CN104810277A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 北大方正集团有限公司 一种晶圆表面平坦化工艺
US20180036767A1 (en) * 2015-03-25 2018-02-08 SCREEN Holdings Co., Ltd. Coating method
CN109856914A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 涂胶装置及方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01207164A (ja) * 1988-02-15 1989-08-21 Nec Corp 回転塗布装置
JPH0850706A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Tdk Corp フォトレジスト膜形成方法
US5824361A (en) * 1994-08-05 1998-10-20 Tdk Corporation Method forming a uniform photoresist film using gas flow
JPH09248504A (ja) * 1996-03-13 1997-09-22 Hitachi Ltd レジスト塗布装置
JPH10294252A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Sony Corp スピンコーティング装置
KR20000014960A (ko) * 1998-08-26 2000-03-15 윤종용 포토레지스트 도포 방법
CN1347137A (zh) * 2000-09-27 2002-05-01 株式会社东芝 成膜方法和成膜装置
US20020136838A1 (en) * 2001-03-22 2002-09-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Coating apparatus and coating method
JP2003037053A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Toshiba Corp 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP2003273141A (ja) * 2002-03-12 2003-09-26 Fujikura Ltd 半導体装置の製造方法
CN102259083A (zh) * 2011-01-19 2011-11-30 沈阳芯源微电子设备有限公司 半导体封装用厚胶膜旋涂方法
CN102856245A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 中国电子科技集团公司第九研究所 一种铁氧体基底薄膜电路的高效率光刻制作方法
CN104810277A (zh) * 2014-01-26 2015-07-29 北大方正集团有限公司 一种晶圆表面平坦化工艺
CN104332393A (zh) * 2014-10-17 2015-02-04 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种制备tsv立体集成rdl电镀掩膜的厚胶工艺
US20180036767A1 (en) * 2015-03-25 2018-02-08 SCREEN Holdings Co., Ltd. Coating method
CN109856914A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 涂胶装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110673445B (zh) 2022-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102163559B (zh) 堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法
US6762510B2 (en) Flexible integrated monolithic circuit
AU729849B2 (en) Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier
US8030769B2 (en) Grooving bumped wafer pre-underfill system
US7276401B2 (en) Adhesion by plasma conditioning of semiconductor chip surfaces
US6946328B2 (en) Method for manufacturing semiconductor devices
US7446407B2 (en) Chip package structure
US20070004308A1 (en) Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display
US4172907A (en) Method of protecting bumped semiconductor chips
CN105742198B (zh) 管芯接合器及其使用方法
WO2017078849A1 (en) Carrier ultra thin substrate
TW202025410A (zh) 封裝方法、面板組件、晶圓封裝體以及晶片封裝體
CN110739337A (zh) 柔性基板、显示面板及显示面板的制备方法
CN110673445B (zh) 一种超厚胶膜的平坦化处理方法
CN106887524A (zh) 有机电致发光显示装置及其制作方法
US7147531B2 (en) Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display
CN101188204B (zh) 半导体器件及其制造方法
CN210403718U (zh) 一种重新布线层
CN210467823U (zh) 一种重新布线层
JP2004119975A (ja) Icカードの製造方法
CN112582333A (zh) 一种重新布线层及其制备方法
CN110211886B (zh) 半导体制备方法
US7985662B2 (en) Method for manufacturing dies formed with a dielectric layer
CN110676206A (zh) 一种基于键合工艺制备超厚胶膜的制作方法
CN111370360A (zh) 基底贴膜方法及封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant