JPH0850706A - フォトレジスト膜形成方法 - Google Patents
フォトレジスト膜形成方法Info
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- JPH0850706A JPH0850706A JP6184625A JP18462594A JPH0850706A JP H0850706 A JPH0850706 A JP H0850706A JP 6184625 A JP6184625 A JP 6184625A JP 18462594 A JP18462594 A JP 18462594A JP H0850706 A JPH0850706 A JP H0850706A
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- Japan
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- photoresist
- substrate
- film
- photoresist film
- magnetic head
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被加工面におけるフォトレジスト膜の膜厚を
均一化し、フォトレジスト膜によるパターン精度を高精
度化する。 【構成】 基板１０の一面２０上に、フォトレジスト３
０を塗布する。続いて、フォトレジスト３０にガス圧縮
源から供給されたガス７０を吹き付けて膜化する。
均一化し、フォトレジスト膜によるパターン精度を高精
度化する。 【構成】 基板１０の一面２０上に、フォトレジスト３
０を塗布する。続いて、フォトレジスト３０にガス圧縮
源から供給されたガス７０を吹き付けて膜化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジスト膜形成
方法に関する。本発明に係るフォトレジスト膜形成方法
の好適な適用例は、例えば磁気ヘッドの製造工程であ
る。
方法に関する。本発明に係るフォトレジスト膜形成方法
の好適な適用例は、例えば磁気ヘッドの製造工程であ
る。
【０００２】
【従来の技術】高精度パターン形成技術として周知のフ
ォトリソグラフィ工程においては、被加工面にフォトレ
ジストを塗布した後、露光、現像の写真製版技術によっ
て、フォトレジスト膜を、加工に必要なパターンとなる
ようにパターンニングし、次にエッチングすることによ
り、必要な微細形状を得る。フォトレジストを塗布する
場合、従来は、ディップコート方法またはスピンコート
方法等を採用していた。
ォトリソグラフィ工程においては、被加工面にフォトレ
ジストを塗布した後、露光、現像の写真製版技術によっ
て、フォトレジスト膜を、加工に必要なパターンとなる
ようにパターンニングし、次にエッチングすることによ
り、必要な微細形状を得る。フォトレジストを塗布する
場合、従来は、ディップコート方法またはスピンコート
方法等を採用していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術の問
題点は、フォトレジストの塗布方法として、ディップコ
ート方法またはスピンコート方法を採用していたため、
フォトレジスト膜が基板の端縁部で盛り上がり、膜厚が
不均一になることである。膜厚が不均一になると、フォ
トリソグラフィ工程におけるパターンニングの精度が低
下する。
題点は、フォトレジストの塗布方法として、ディップコ
ート方法またはスピンコート方法を採用していたため、
フォトレジスト膜が基板の端縁部で盛り上がり、膜厚が
不均一になることである。膜厚が不均一になると、フォ
トリソグラフィ工程におけるパターンニングの精度が低
下する。
【０００４】本発明の課題は、被加工面におけるフォト
レジスト膜の膜厚を均一化し、フォトレジスト膜による
パターン精度を高精度化し得る磁気ヘッドの製造方法を
提供することである。
レジスト膜の膜厚を均一化し、フォトレジスト膜による
パターン精度を高精度化し得る磁気ヘッドの製造方法を
提供することである。
【０００５】本発明のもう一つの課題は、被加工面にお
けるフォトレジスト膜の膜厚を均一化した上で、加工不
要部分に充分なエッチング防止膜を同時に形成し得る磁
気ヘッドの製造方法を提供することである。
けるフォトレジスト膜の膜厚を均一化した上で、加工不
要部分に充分なエッチング防止膜を同時に形成し得る磁
気ヘッドの製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係るフォトレジスト膜形成方法は、基板上
にフォトレジスト膜を形成するに当たり、支持体の支持
面と前記基板の上面との間に段差部Ａが生じるように、
前記基板を前記支持体の前記支持面上に搭載し、前記基
板の上面及び前記段差部Ａに現れる側面にフォトレジス
トを塗布した後、前記上面上の前記フォトレジストにガ
スを吹き付けて前記フォトレジストを膜化する。
め、本発明に係るフォトレジスト膜形成方法は、基板上
にフォトレジスト膜を形成するに当たり、支持体の支持
面と前記基板の上面との間に段差部Ａが生じるように、
前記基板を前記支持体の前記支持面上に搭載し、前記基
板の上面及び前記段差部Ａに現れる側面にフォトレジス
トを塗布した後、前記上面上の前記フォトレジストにガ
スを吹き付けて前記フォトレジストを膜化する。
【０００７】好ましくは、ガス供給ノズルを含み、前記
ガス供給ノズルを、前記基板の前記上面に対して相対的
に走査させる。
ガス供給ノズルを、前記基板の前記上面に対して相対的
に走査させる。
【０００８】前記基板の一例は、複数の磁気ヘッド要素
を一方向に配列した磁気ヘッド集合体であり、この場
合、前記磁気ヘッド要素の媒体対向面となるべき面が前
記上面を構成する。
を一方向に配列した磁気ヘッド集合体であり、この場
合、前記磁気ヘッド要素の媒体対向面となるべき面が前
記上面を構成する。
【０００９】
【作用】本発明に係るフォトレジスト膜形成方法は、基
板の上面にフォトレジストを塗布した後、上面上のフォ
トレジストにガスを吹き付けて前記フォトレジストを膜
化するので、基板の上面上に塗布されたフォトレジスト
を、ガス流によって引き伸ばし、基板の上面の全面にわ
たって、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト膜を形
成することができる。これは、フォトレジスト膜による
パターン精度を高精度化する基礎を与える。しかも、ガ
スによるフォトレジスト膜厚の均一化及び薄膜化である
ので、実施が容易である。
板の上面にフォトレジストを塗布した後、上面上のフォ
トレジストにガスを吹き付けて前記フォトレジストを膜
化するので、基板の上面上に塗布されたフォトレジスト
を、ガス流によって引き伸ばし、基板の上面の全面にわ
たって、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト膜を形
成することができる。これは、フォトレジスト膜による
パターン精度を高精度化する基礎を与える。しかも、ガ
スによるフォトレジスト膜厚の均一化及び薄膜化である
ので、実施が容易である。
【００１０】支持体の支持面と基板の上面との間に段差
部Ａが生じるように、基板を支持体上に搭載し、段差部
Ａに現れる側面にフォトレジストを塗布してあるので、
基板側面に厚いフォトレジスト膜が形成され、ドライエ
ッチング工程等において、エッチング防止膜及び付着防
止膜として作用する。このため、被加工面となる上面に
おけるフォトレジスト膜の膜厚を均一化した上で、加工
不要な側面部分に充分なエッチング防止膜及び付着防止
膜を同時に形成し得る。
部Ａが生じるように、基板を支持体上に搭載し、段差部
Ａに現れる側面にフォトレジストを塗布してあるので、
基板側面に厚いフォトレジスト膜が形成され、ドライエ
ッチング工程等において、エッチング防止膜及び付着防
止膜として作用する。このため、被加工面となる上面に
おけるフォトレジスト膜の膜厚を均一化した上で、加工
不要な側面部分に充分なエッチング防止膜及び付着防止
膜を同時に形成し得る。
【００１１】しかも、上面上のフォトレジストにガスを
吹き付け、基板の上面上に塗布されたフォトレジスト
を、ガス流によって引き伸ばすとともに、不要なフォト
レジストを吹き飛ばす。吹き飛ばされたフォトレジスト
は側面に付着されたフォトレジストと一緒になる。この
ため、側面のフォトレジストが一層厚くなり、エッチン
グ防止膜及び付着防止膜としての機能がより高度化され
る。
吹き付け、基板の上面上に塗布されたフォトレジスト
を、ガス流によって引き伸ばすとともに、不要なフォト
レジストを吹き飛ばす。吹き飛ばされたフォトレジスト
は側面に付着されたフォトレジストと一緒になる。この
ため、側面のフォトレジストが一層厚くなり、エッチン
グ防止膜及び付着防止膜としての機能がより高度化され
る。
【００１２】本発明は、微細加工技術に広く適用でき
る。具体的な適用例の一つは、薄膜磁気ヘッドの製造方
法への適用である。具体的には、基板が複数の磁気ヘッ
ド要素を一方向に配列した磁気ヘッド集合体であり、磁
気ヘッド要素の媒体対向面となるべき面がフォトレジス
ト塗布面を構成する例である。この場合は、磁気ヘッド
集合体において、空気ベアリング面となるべき媒体対向
面に、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト膜を形成
し、空気ベアリング面に高精度の形状を付与するための
基礎を与えることができる。
る。具体的な適用例の一つは、薄膜磁気ヘッドの製造方
法への適用である。具体的には、基板が複数の磁気ヘッ
ド要素を一方向に配列した磁気ヘッド集合体であり、磁
気ヘッド要素の媒体対向面となるべき面がフォトレジス
ト塗布面を構成する例である。この場合は、磁気ヘッド
集合体において、空気ベアリング面となるべき媒体対向
面に、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト膜を形成
し、空気ベアリング面に高精度の形状を付与するための
基礎を与えることができる。
【００１３】
【実施例】図１はフォトレジスト塗布工程を示し、図２
はガス吹き付け工程を示している。図１（ａ）はレジス
ト塗布中の状態を示し、図１（ｂ）はフォトレジスト塗
布後の状態を示している。図１（ａ）に示すように、基
板１０は支持体５０上に接着または機械的結合手段によ
って固定されている。基板１０の上面２０と支持体５０
の支持面５１との間には、段差部Ａがある。
はガス吹き付け工程を示している。図１（ａ）はレジス
ト塗布中の状態を示し、図１（ｂ）はフォトレジスト塗
布後の状態を示している。図１（ａ）に示すように、基
板１０は支持体５０上に接着または機械的結合手段によ
って固定されている。基板１０の上面２０と支持体５０
の支持面５１との間には、段差部Ａがある。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、基板１０
の上面２０及び段差部Ａに、フォトレジスト３０を塗布
する。フォトレジスト供給手段としては、デイップコー
ト方式及び滴下方式等がある。図示は滴下方式を示し、
レジスト供給ノズル４０を含み、レジスト供給ノズル４
０から基板１０の上面２０及び段差部Ａにフォトレジス
ト３０を滴下する。支持体５０はキャリヤ６０によって
矢印ｃ１の方向に搬送され、その搬送過程において、基
板１０の上面２０及び段差部Ａにフォトレジスト３０を
塗布するのが望ましい。
の上面２０及び段差部Ａに、フォトレジスト３０を塗布
する。フォトレジスト供給手段としては、デイップコー
ト方式及び滴下方式等がある。図示は滴下方式を示し、
レジスト供給ノズル４０を含み、レジスト供給ノズル４
０から基板１０の上面２０及び段差部Ａにフォトレジス
ト３０を滴下する。支持体５０はキャリヤ６０によって
矢印ｃ１の方向に搬送され、その搬送過程において、基
板１０の上面２０及び段差部Ａにフォトレジスト３０を
塗布するのが望ましい。
【００１５】続いて、図２（ａ）に示すように、フォト
レジスト３０にガス圧縮源（図示しない）から供給され
たガス７０を吹き付けて膜化する。これにより、図２
（ｂ）及び図３に示すように、基板１０の上面２０の全
面にわたって、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト
膜３０を形成することができる。ガス７０としては、例
えば空気もしくは窒素ガス等が選ばれる。ガス供給手段
として、ガス供給ノズル８０を含み、ガス供給ノズル８
０を、基板１０の上面２０に対して、矢印Ｃ２で示す如
く、相対的に走査させることが望ましい。ガス供給ノズ
ル８０の走査は、ガス供給ノズル８０それ自体を移動さ
せるか、または基板１０及び支持体５０を支持している
キャリヤ６０を移動させることによって実行される。
レジスト３０にガス圧縮源（図示しない）から供給され
たガス７０を吹き付けて膜化する。これにより、図２
（ｂ）及び図３に示すように、基板１０の上面２０の全
面にわたって、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト
膜３０を形成することができる。ガス７０としては、例
えば空気もしくは窒素ガス等が選ばれる。ガス供給手段
として、ガス供給ノズル８０を含み、ガス供給ノズル８
０を、基板１０の上面２０に対して、矢印Ｃ２で示す如
く、相対的に走査させることが望ましい。ガス供給ノズ
ル８０の走査は、ガス供給ノズル８０それ自体を移動さ
せるか、または基板１０及び支持体５０を支持している
キャリヤ６０を移動させることによって実行される。
【００１６】ガス供給ノズル８０の走査方向及び範囲等
は、基板１０の形状またはガス供給ノズル８０の先端形
状等によってさまざまである。図４〜図９にその具体例
を示す。基板１０の上面２０の平面形状が四角形状であ
る場合は、図４に示すように、その長さ方向または幅方
向に添い、矢印Ｃ２の如く直線的に走査させることがで
きる。基板１０の上面２０の平面形状が円形状である場
合は、図５及び図６に示すように、上面２０の中心の周
りに円形状に走査させることができる。基板１０の上面
２０の平面形状が円弧部分と各形状との組み合わせであ
る場合は、図７に示すように、Ｕターン状に走査させる
ことができる。
は、基板１０の形状またはガス供給ノズル８０の先端形
状等によってさまざまである。図４〜図９にその具体例
を示す。基板１０の上面２０の平面形状が四角形状であ
る場合は、図４に示すように、その長さ方向または幅方
向に添い、矢印Ｃ２の如く直線的に走査させることがで
きる。基板１０の上面２０の平面形状が円形状である場
合は、図５及び図６に示すように、上面２０の中心の周
りに円形状に走査させることができる。基板１０の上面
２０の平面形状が円弧部分と各形状との組み合わせであ
る場合は、図７に示すように、Ｕターン状に走査させる
ことができる。
【００１７】ガス供給ノズル８０の先端形状は、図８に
示すように、直線状であってもよいし、或いは図９に示
すように、スポット状であって、先端を中心としてガス
を放射するようなものであってもよい。
示すように、直線状であってもよいし、或いは図９に示
すように、スポット状であって、先端を中心としてガス
を放射するようなものであってもよい。
【００１８】上述のように、基板１０の上面２０上に、
フォトレジスト３０を塗布した後、フォトレジスト３０
にガス７０を吹き付けて膜化するので、基板１０の上面
２０上に塗布されたフォトレジスト３０を、ガス流によ
って引き伸ばし、図２（ｂ）に示す如く、基板１０の上
面２０の全面にわたって、薄く均一な膜厚を有するフォ
トレジスト膜３０を形成することができる。これは、フ
ォトレジスト膜３０によるパターン精度を高精度化する
基礎を与える。しかも、ガス７０の吹き付けによるフォ
トレジスト膜厚の均一化及び薄膜化であるので、実施が
容易である。
フォトレジスト３０を塗布した後、フォトレジスト３０
にガス７０を吹き付けて膜化するので、基板１０の上面
２０上に塗布されたフォトレジスト３０を、ガス流によ
って引き伸ばし、図２（ｂ）に示す如く、基板１０の上
面２０の全面にわたって、薄く均一な膜厚を有するフォ
トレジスト膜３０を形成することができる。これは、フ
ォトレジスト膜３０によるパターン精度を高精度化する
基礎を与える。しかも、ガス７０の吹き付けによるフォ
トレジスト膜厚の均一化及び薄膜化であるので、実施が
容易である。
【００１９】また、支持体５０の支持面５１と基板１０
の上面２０との間に段差部Ａが生じるように、基板１０
を支持体５０上に搭載し、段差部Ａに現れる側面にもフ
ォトレジスト３０を塗布してあるので、基板１０の側面
に厚いフォトレジスト膜３０が形成される。このフォト
レジスト膜は、ドライエッチング工程等において、エッ
チング防止膜及び付着防止膜として作用する。このた
め、被加工面となる上面２０におけるフォトレジスト膜
３０の膜厚を均一化した上で、加工不要な側面部分に充
分なエッチング防止膜及び付着防止膜を同時に形成し得
る。
の上面２０との間に段差部Ａが生じるように、基板１０
を支持体５０上に搭載し、段差部Ａに現れる側面にもフ
ォトレジスト３０を塗布してあるので、基板１０の側面
に厚いフォトレジスト膜３０が形成される。このフォト
レジスト膜は、ドライエッチング工程等において、エッ
チング防止膜及び付着防止膜として作用する。このた
め、被加工面となる上面２０におけるフォトレジスト膜
３０の膜厚を均一化した上で、加工不要な側面部分に充
分なエッチング防止膜及び付着防止膜を同時に形成し得
る。
【００２０】しかも、上面２０上のフォトレジスト３０
にガスを吹き付け、基板１０の上面２０上に塗布された
フォトレジスト３０を、ガス流７０によって引き伸ばす
とともに、不要なフォトレジスト３０を吹き飛ばす。こ
のため、側面のフォトレジスト３０が一層厚くなり、エ
ッチング防止膜及び付着防止膜としての機能がより高度
化される。
にガスを吹き付け、基板１０の上面２０上に塗布された
フォトレジスト３０を、ガス流７０によって引き伸ばす
とともに、不要なフォトレジスト３０を吹き飛ばす。こ
のため、側面のフォトレジスト３０が一層厚くなり、エ
ッチング防止膜及び付着防止膜としての機能がより高度
化される。
【００２１】次に、本発明に係るフォトレジスト膜形成
方法を、磁気ヘッドの空気ベアリング面の微細加工に適
用した例をについて、詳細に説明する。
方法を、磁気ヘッドの空気ベアリング面の微細加工に適
用した例をについて、詳細に説明する。
【００２２】磁気ヘッドにおいて、浮上特性のスキュー
角依存性を小さくし、磁気ディスクの内周から外周にか
けて、浮上量を一定化するとともに、浮上姿勢を安定化
するため、或いは、磁気記録／読み出し特性を改善する
手段として、空気ベアリング面に特有の形状を付与した
磁気ヘッドが種々提案されている。例えば、特開昭６０
ー１０１７８１号公報はスライダーレールの長手方向中
央部のレール幅を、その両端のレール幅よりも狭くする
ことにより、スキュー角依存性を少なくした磁気ヘッド
用スライダを開示している。
角依存性を小さくし、磁気ディスクの内周から外周にか
けて、浮上量を一定化するとともに、浮上姿勢を安定化
するため、或いは、磁気記録／読み出し特性を改善する
手段として、空気ベアリング面に特有の形状を付与した
磁気ヘッドが種々提案されている。例えば、特開昭６０
ー１０１７８１号公報はスライダーレールの長手方向中
央部のレール幅を、その両端のレール幅よりも狭くする
ことにより、スキュー角依存性を少なくした磁気ヘッド
用スライダを開示している。
【００２３】特開平４ー３５６７６５号公報は、レール
部の上面に内側エッジ及び外側エッジを備えた空気ベア
リング面を形成し、内側エッジ及び外側エッジをスライ
ダの先端エッジから変曲点に向かって収斂させ、変曲点
からスライダの後端エッジに向かって発散させることに
より、スキュー角に対する浮上特性の変動を抑えるよう
にした磁気ヘッドを開示している。特開平２ー２４６０
６７号公報は、空気流入端から、流出端側に向かってレ
ール幅が狭くなるように形成した磁気ディスク装置用ス
ライダを開示している。
部の上面に内側エッジ及び外側エッジを備えた空気ベア
リング面を形成し、内側エッジ及び外側エッジをスライ
ダの先端エッジから変曲点に向かって収斂させ、変曲点
からスライダの後端エッジに向かって発散させることに
より、スキュー角に対する浮上特性の変動を抑えるよう
にした磁気ヘッドを開示している。特開平２ー２４６０
６７号公報は、空気流入端から、流出端側に向かってレ
ール幅が狭くなるように形成した磁気ディスク装置用ス
ライダを開示している。
【００２４】更に、特開平４ー２７４０１４号公報で
は、空気ベアリング面に現れるポール部の幅方向または
厚み（長さ）方向の端部に、微小深さの凹部を設け、ポ
ール部のトラック方向幅を高精度で設定し、または電磁
変換特性を改善する技術を開示している。
は、空気ベアリング面に現れるポール部の幅方向または
厚み（長さ）方向の端部に、微小深さの凹部を設け、ポ
ール部のトラック方向幅を高精度で設定し、または電磁
変換特性を改善する技術を開示している。
【００２５】また、上述した先行技術とは別の技術とし
て、ＴＰＣ（ＴｒａｎｓｖｅｒｓｅＰｒｅｓｓｕｒｉｚ
ａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｏｕｒ 横方向加圧形状）型スラ
イダが知られている。ＴＰＣ型スライダは特開昭６１ー
２７８０８７号公報、実開昭５７ー１２２０６３号（実
願昭５６ー５８１８号）、米国特許第４，６７３，９９
６号明細書、米国特許第４、８７０、５１９号明細書等
に開示されている。ＴＰＣ型スライダは、レール部の側
部に、その全長にわたって、微小な凹部を設けたもの
で、ロータリ・アクチュエータ方式磁気記録再生装置に
組み込んだ場合、スキュー角の大きい位置において、横
方向から流入する空気流により、凹部に揚力動圧を発生
させ、これによってスキュー角の大きい位置での浮上量
低下を防ぎ、磁気ディスクの内周から外周にかけて一定
の浮上量を確保すると共に、浮上姿勢を安定化できるよ
うにしたものである。
て、ＴＰＣ（ＴｒａｎｓｖｅｒｓｅＰｒｅｓｓｕｒｉｚ
ａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｏｕｒ 横方向加圧形状）型スラ
イダが知られている。ＴＰＣ型スライダは特開昭６１ー
２７８０８７号公報、実開昭５７ー１２２０６３号（実
願昭５６ー５８１８号）、米国特許第４，６７３，９９
６号明細書、米国特許第４、８７０、５１９号明細書等
に開示されている。ＴＰＣ型スライダは、レール部の側
部に、その全長にわたって、微小な凹部を設けたもの
で、ロータリ・アクチュエータ方式磁気記録再生装置に
組み込んだ場合、スキュー角の大きい位置において、横
方向から流入する空気流により、凹部に揚力動圧を発生
させ、これによってスキュー角の大きい位置での浮上量
低下を防ぎ、磁気ディスクの内周から外周にかけて一定
の浮上量を確保すると共に、浮上姿勢を安定化できるよ
うにしたものである。
【００２６】空気ベアリング面に対する上述のような形
状付与は、微細加工技術によって行なう必要がある。そ
の手段として、従来は、被加工面となる空気ベアリング
面にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ
工程により、フォトレジスト膜を、加工に必要なパター
ンとなるようにパターンニングし、次にエッチングする
ことにより、必要な微細形状を得ていた。エッチング
は、通常、ミリング等のドライエッチング手段によって
実行され、フォトレジストは、ディップコート方法また
はスピンコート方法等によって塗布される。
状付与は、微細加工技術によって行なう必要がある。そ
の手段として、従来は、被加工面となる空気ベアリング
面にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ
工程により、フォトレジスト膜を、加工に必要なパター
ンとなるようにパターンニングし、次にエッチングする
ことにより、必要な微細形状を得ていた。エッチング
は、通常、ミリング等のドライエッチング手段によって
実行され、フォトレジストは、ディップコート方法また
はスピンコート方法等によって塗布される。
【００２７】上述した従来技術の問題点の一つは、フォ
トレジストの塗布方法として、ディップコート方法また
はスピンコート方法を採用し、それによって得られたフ
ォトレジスト膜に対してフォトリソグラフィ工程を施し
ていたため、基板の端縁部で盛り上がる不均一な膜厚の
フォトレジスト膜上でフォトリソグラフィ工程を実行せ
ざるを得なかったことである。膜厚の不均一な状態での
フォトリソグラフィ工程は、パターンニング精度を低下
させる。特開平３ー１９０２１５号公報は、スピンコー
ト法における上記問題点を解決する手段として、方形状
の被処理基板の一辺の縁端部を傾斜状に切除して、スピ
ンホルダ上の回転中心と周縁部との間に傾斜した一辺を
回転方向に向けた状態に接地する技術を開示している
が、特殊な被処理基板を用いなければならない。
トレジストの塗布方法として、ディップコート方法また
はスピンコート方法を採用し、それによって得られたフ
ォトレジスト膜に対してフォトリソグラフィ工程を施し
ていたため、基板の端縁部で盛り上がる不均一な膜厚の
フォトレジスト膜上でフォトリソグラフィ工程を実行せ
ざるを得なかったことである。膜厚の不均一な状態での
フォトリソグラフィ工程は、パターンニング精度を低下
させる。特開平３ー１９０２１５号公報は、スピンコー
ト法における上記問題点を解決する手段として、方形状
の被処理基板の一辺の縁端部を傾斜状に切除して、スピ
ンホルダ上の回転中心と周縁部との間に傾斜した一辺を
回転方向に向けた状態に接地する技術を開示している
が、特殊な被処理基板を用いなければならない。
【００２８】本発明に係るフォトレジスト膜形成方法
は、上述した各種微細加工技術に適用することが可能で
あり、それによって上述した問題点を解決できる。
は、上述した各種微細加工技術に適用することが可能で
あり、それによって上述した問題点を解決できる。
【００２９】図１０は本発明に係る製造方法によって得
ることの可能な磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。
各図において、寸法は誇張されている。図を参照する
と、磁気ヘッドは、スライダ１と、磁気変換素子２とを
含んでいる。スライダ１は、媒体対向面に長さ方向Ｌ及
び幅方向Ｗを仮想したとき、媒体対向面側に長さ方向Ｌ
に延びる少なくとも１つのレール部１０１、１０２を有
する。レール部１０１、１０２は媒体対向面側に、空気
ベアリング面１０３と、凹部１０４、１０５とを有して
いる。空気ベアリング面１０３は長さ方向Ｌの全長にわ
たって形成されている。
ることの可能な磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。
各図において、寸法は誇張されている。図を参照する
と、磁気ヘッドは、スライダ１と、磁気変換素子２とを
含んでいる。スライダ１は、媒体対向面に長さ方向Ｌ及
び幅方向Ｗを仮想したとき、媒体対向面側に長さ方向Ｌ
に延びる少なくとも１つのレール部１０１、１０２を有
する。レール部１０１、１０２は媒体対向面側に、空気
ベアリング面１０３と、凹部１０４、１０５とを有して
いる。空気ベアリング面１０３は長さ方向Ｌの全長にわ
たって形成されている。
【００３０】磁気変換素子２は、スライダ１の長さ方向
Ｌの一端側に位置する側面であって、レール部１０１、
１０２の延長上に設けられている。磁気変換素子２は一
般に薄膜素子で構成される。磁気変換素子２は、誘導
型、ＭＲ（磁気抵抗効果）型もしくはそれらの組み合わ
せ等が用いられる。これらの素子は、ＩＣ製造テクノロ
ジと同様のプロセスによって形成された薄膜素子によっ
て構成できる。また、面内記録方式に限らず、垂直記録
方式のものであってもよい。
Ｌの一端側に位置する側面であって、レール部１０１、
１０２の延長上に設けられている。磁気変換素子２は一
般に薄膜素子で構成される。磁気変換素子２は、誘導
型、ＭＲ（磁気抵抗効果）型もしくはそれらの組み合わ
せ等が用いられる。これらの素子は、ＩＣ製造テクノロ
ジと同様のプロセスによって形成された薄膜素子によっ
て構成できる。また、面内記録方式に限らず、垂直記録
方式のものであってもよい。
【００３１】一般的構成として、レール部１０１、１０
２は、２本備えられ、それぞれが間隔を隔てて平行に設
けられていることが多い。このような場合、レール部１
０１ー１０２間の間隔は、空気ベアリング面１０３及び
凹部１０４、１０５から落ち込む凹部１０６を構成す
る。空気ベアリング面１０３は、磁気変換素子２の位置
する側面とは反対側の他端側にテーパ面１０７を有す
る。レール部１０１、１０２は１本または３本以上設け
られることもある。参照符号２１、２２は取り出し電極
である。
２は、２本備えられ、それぞれが間隔を隔てて平行に設
けられていることが多い。このような場合、レール部１
０１ー１０２間の間隔は、空気ベアリング面１０３及び
凹部１０４、１０５から落ち込む凹部１０６を構成す
る。空気ベアリング面１０３は、磁気変換素子２の位置
する側面とは反対側の他端側にテーパ面１０７を有す
る。レール部１０１、１０２は１本または３本以上設け
られることもある。参照符号２１、２２は取り出し電極
である。
【００３２】本発明に係る製造方法は、上述の凹部１０
４、１０５を形成する場合に適用できる。その具体例
を、図１１〜図１８を参照して説明する。
４、１０５を形成する場合に適用できる。その具体例
を、図１１〜図１８を参照して説明する。
【００３３】まず、図１１に図示されるように、磁気ヘ
ッド集合体１０を支持体５０上に配置する。磁気ヘッド
集合体１０は、複数の磁気ヘッド要素Ｍ１１〜Ｍ１ｎを
一方向に配列して構成されると共に、磁気ヘッド要素Ｍ
１１〜Ｍ１ｎの媒体対向面となるべき面を表にして支持
体５０上に配置されている。この工程の前に、空気ベア
リング面の研磨工程及び空気ベアリング面に対するテー
パ面の付与工程を実行することが望ましい。
ッド集合体１０を支持体５０上に配置する。磁気ヘッド
集合体１０は、複数の磁気ヘッド要素Ｍ１１〜Ｍ１ｎを
一方向に配列して構成されると共に、磁気ヘッド要素Ｍ
１１〜Ｍ１ｎの媒体対向面となるべき面を表にして支持
体５０上に配置されている。この工程の前に、空気ベア
リング面の研磨工程及び空気ベアリング面に対するテー
パ面の付与工程を実行することが望ましい。
【００３４】次に、図１２に示すように、磁気ヘッド集
合体１０の上面２０及び段差部Ａに、フォトレジスト３
０を塗布する。続いて、図１３に示すように、フォトレ
ジスト３０にガス７０を吹き付けて膜化する。これによ
り、図１４に示すように、空気ベアリング面となるべき
媒体対向面に、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト
膜３０を形成した磁気ヘッド集合体１０が得られる。こ
れにより、後述の工程において、空気ベアリング面に高
精度の形状加工を施すための基礎を与えることができ
る。
合体１０の上面２０及び段差部Ａに、フォトレジスト３
０を塗布する。続いて、図１３に示すように、フォトレ
ジスト３０にガス７０を吹き付けて膜化する。これによ
り、図１４に示すように、空気ベアリング面となるべき
媒体対向面に、薄く均一な膜厚を有するフォトレジスト
膜３０を形成した磁気ヘッド集合体１０が得られる。こ
れにより、後述の工程において、空気ベアリング面に高
精度の形状加工を施すための基礎を与えることができ
る。
【００３５】また、支持体５０の支持面５１と磁気ヘッ
ド集合体１０の上面２０との間に段差部Ａが生じるよう
に、 磁気ヘッド集合体１０を支持体５０上に搭載し、
段差部Ａに現れる側面にもフォトレジスト３０を塗布し
てあるので、磁気ヘッド集合体１０の側面に厚いフォト
レジスト膜３０が形成される。このフォトレジスト膜３
０は、ドライエッチング工程等において、エッチング防
止膜及び付着防止膜として作用する。このため、被加工
面となる上面２０におけるフォトレジスト膜３０の膜厚
を均一化した上で、加工不要な側面部分に充分なエッチ
ング防止膜及び付着防止膜を同時に形成し得る。
ド集合体１０の上面２０との間に段差部Ａが生じるよう
に、 磁気ヘッド集合体１０を支持体５０上に搭載し、
段差部Ａに現れる側面にもフォトレジスト３０を塗布し
てあるので、磁気ヘッド集合体１０の側面に厚いフォト
レジスト膜３０が形成される。このフォトレジスト膜３
０は、ドライエッチング工程等において、エッチング防
止膜及び付着防止膜として作用する。このため、被加工
面となる上面２０におけるフォトレジスト膜３０の膜厚
を均一化した上で、加工不要な側面部分に充分なエッチ
ング防止膜及び付着防止膜を同時に形成し得る。
【００３６】しかも、上面２０上のフォトレジスト３０
にガス７０を吹き付け、磁気ヘッド集合体１０の上面２
０上に塗布されたフォトレジスト３０を、ガス流によっ
て引き伸ばすとともに、不要なフォトレジストを吹き飛
ばす。このため、側面のフォトレジスト３０が一層厚く
なり、エッチング防止膜及び付着防止膜としての機能が
より高度化される。
にガス７０を吹き付け、磁気ヘッド集合体１０の上面２
０上に塗布されたフォトレジスト３０を、ガス流によっ
て引き伸ばすとともに、不要なフォトレジストを吹き飛
ばす。このため、側面のフォトレジスト３０が一層厚く
なり、エッチング防止膜及び付着防止膜としての機能が
より高度化される。
【００３７】次に、図１５に図示されているように、磁
気ヘッド集合体１０の上面上に形成されたフォトレジス
ト膜３０の上にフォトマスク９０を配置し、露光する。
フォトマスク９０は、図１０に示した磁気ヘッドにおい
て、凹部１０４〜１０６等を得るためのパターンを有す
る。
気ヘッド集合体１０の上面上に形成されたフォトレジス
ト膜３０の上にフォトマスク９０を配置し、露光する。
フォトマスク９０は、図１０に示した磁気ヘッドにおい
て、凹部１０４〜１０６等を得るためのパターンを有す
る。
【００３８】次に、現像して、フォトレジスト膜３０を
パターニングした後、図１６に示すように、残っている
フォトレジスト膜３０をマスクとして、ドライエッチン
グを施す。ドライエッチングの代表例はミリングであ
る。ここで、磁気ヘッド集合体１０は、側面が図１８に
示すように、厚いフォトレジスト膜３０で覆われている
ので、ドライエッチングによって、磁気ヘッド集合体１
０から生じた微粒子が、スライダとなる磁気ヘッド集合
体１０の両側面に再付着するのを回避できる。従って、
磁気ディスクまたは磁気ヘッドに対し、磁気ヘッド付着
物によるダメージを与えることがない。
パターニングした後、図１６に示すように、残っている
フォトレジスト膜３０をマスクとして、ドライエッチン
グを施す。ドライエッチングの代表例はミリングであ
る。ここで、磁気ヘッド集合体１０は、側面が図１８に
示すように、厚いフォトレジスト膜３０で覆われている
ので、ドライエッチングによって、磁気ヘッド集合体１
０から生じた微粒子が、スライダとなる磁気ヘッド集合
体１０の両側面に再付着するのを回避できる。従って、
磁気ディスクまたは磁気ヘッドに対し、磁気ヘッド付着
物によるダメージを与えることがない。
【００３９】次に、ドライエッチング工程を経ることに
より、図１７に図示するように、凹部１０４〜１０６が
形成される。この後、必要な機械加工を施し、磁気ヘッ
ド要素Ｍ１〜Ｍｎのそれぞれを個別的に取り出す。
より、図１７に図示するように、凹部１０４〜１０６が
形成される。この後、必要な機械加工を施し、磁気ヘッ
ド要素Ｍ１〜Ｍｎのそれぞれを個別的に取り出す。
【００４０】説明は省略するが、特開平４ー２７４０１
４号公報に開示される如く、空気ベアリング面に現れる
ポール部の幅方向または厚み（長さ）方向の端部に、微
小深さの凹部を設け、ポール部のトラック方向幅を高精
度で設定し、または電磁変換特性を改善する場合に、凹
部を形成する手段として、本発明は極めて有用である。
４号公報に開示される如く、空気ベアリング面に現れる
ポール部の幅方向または厚み（長さ）方向の端部に、微
小深さの凹部を設け、ポール部のトラック方向幅を高精
度で設定し、または電磁変換特性を改善する場合に、凹
部を形成する手段として、本発明は極めて有用である。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）被加工面におけるフォトレジスト膜の膜厚を均一
化し、フォトレジスト膜によるパターン精度を高精度化
し得るフォトレジスト膜形成方法を提供することができ
る。 （ｂ）被加工面におけるフォトレジスト膜の膜厚を均一
化した上で、加工不要部分に充分なエッチング防止膜を
同時に形成し得るフォトレジスト膜形成方法を提供する
ことができる。
のような効果が得られる。 （ａ）被加工面におけるフォトレジスト膜の膜厚を均一
化し、フォトレジスト膜によるパターン精度を高精度化
し得るフォトレジスト膜形成方法を提供することができ
る。 （ｂ）被加工面におけるフォトレジスト膜の膜厚を均一
化した上で、加工不要部分に充分なエッチング防止膜を
同時に形成し得るフォトレジスト膜形成方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明に係るフォトレジスト膜形成方法に含ま
れるフォトレジスト塗布工程を示す図である。
れるフォトレジスト塗布工程を示す図である。
【図２】本発明に係るフォトレジスト膜形成方法に含ま
れるガス吹き付け工程を示している。
れるガス吹き付け工程を示している。
【図３】図２の工程後のフォトレジスト膜の塗布状態を
示す図である。
示す図である。
【図４】フォトレジストに対するガス供給ノズルの走査
方向の一例を示す図である。
方向の一例を示す図である。
【図５】フォトレジストに対するガス供給ノズルの走査
方向の別の例を示す図である。
方向の別の例を示す図である。
【図６】フォトレジストに対するガス供給ノズルの走査
方向の更に別の例を示す図である。
方向の更に別の例を示す図である。
【図７】フォトレジストに対するガス供給ノズルの走査
方向の更に別の例を示す図である。
方向の更に別の例を示す図である。
【図８】ガス供給ノズルの一例を示す斜視図である。
【図９】ガス供給ノズルの他の例を示す斜視図である。
【図１０】磁気ヘッドの斜視図である。
【図１１】本発明に係るフォトレジスト膜形成方法を適
用した磁気ヘッドの製造工程を示す平面図である。
用した磁気ヘッドの製造工程を示す平面図である。
【図１２】図１１のＡ１２ーＡ１２線上における部分断
面図である。
面図である。
【図１３】本発明に係るフォトレジスト膜形成方法を適
用した磁気ヘッドの製造工程に含まれるガス吹き付け工
程を示す部分断面図である。
用した磁気ヘッドの製造工程に含まれるガス吹き付け工
程を示す部分断面図である。
【図１４】図１３に示す工程後の状態を示す平面図であ
る。
る。
【図１５】図１４の工程後の露光工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１６】図１５の工程後のエッチング工程を示す断面
図である。
図である。
【図１７】図１６に示す工程を経て得られた磁気ヘッド
集合体の断面図である。
集合体の断面図である。
【図１８】図１６のＡ１８ーＡ１８線上における部分拡
大断面図である。
大断面図である。
１０ 基板 ２０ 上面 ３０ フォトレジスト ４０ レジスト供給ノズル ５０ 支持体 ７０ ガス ８０ ガス供給ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 基板にフォトレジスト膜を形成する方法
であって、 支持体の支持面と前記基板の上面との間に段差部が生じ
るように、前記基板を前記支持体の前記支持面上に搭載
し、前記基板の上面及び前記段差部に現れる側面にフォ
トレジストを塗布した後、前記上面上の前記フォトレジ
ストにガスを吹き付けて前記フォトレジストを膜化する
フォトレジスト膜形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたフォトレジスト膜
形成方法であって、 ガス供給ノズルを含み、前記ガス供給ノズルを、前記基
板の前記上面に対して相対的に走査させるフォトレジス
ト膜形成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載されたフォトレジスト膜
形成方法であって、 前記基板は、複数の磁気ヘッド要素を一方向に配列した
磁気ヘッド集合体であり、前記磁気ヘッド要素の媒体対
向面となるべき面が前記上面を構成するフォトレジスト
膜形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184625A JP2934153B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | フォトレジスト膜形成方法 |
| GB9515828A GB2292103B (en) | 1994-08-05 | 1995-08-02 | Method for forming a photoresist film |
| SG1995001068A SG32445A1 (en) | 1994-08-05 | 1995-08-04 | Method for forming a photoresist film |
| US08/831,183 US5824361A (en) | 1994-08-05 | 1997-04-02 | Method forming a uniform photoresist film using gas flow |
| HK98104903A HK1005783A1 (en) | 1994-08-05 | 1998-06-04 | Method for forming a photoresist film |
| US09/098,342 US6037007A (en) | 1994-08-05 | 1998-06-17 | Method of forming a uniform photoresist film using gas flow |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184625A JP2934153B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | フォトレジスト膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850706A true JPH0850706A (ja) | 1996-02-20 |
| JP2934153B2 JP2934153B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16156515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6184625A Expired - Fee Related JP2934153B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | フォトレジスト膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5824361A (ja) |
| JP (1) | JP2934153B2 (ja) |
| GB (1) | GB2292103B (ja) |
| HK (1) | HK1005783A1 (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN109856914A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-07 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 涂胶装置及方法 |
| CN110673445A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-10 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2934153B2 (ja) * | 1994-08-05 | 1999-08-16 | ティーディーケイ株式会社 | フォトレジスト膜形成方法 |
| US6156373A (en) * | 1999-05-03 | 2000-12-05 | Scimed Life Systems, Inc. | Medical device coating methods and devices |
| AU2002354386A1 (en) * | 2001-11-20 | 2003-06-10 | Bridgestone Corporation | Electromagnetic wave shielded light-transmissive window material and manufacturing method thereof |
| KR101069333B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2011-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치의 제조방법 |
| WO2004070810A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の製造方法 |
| EP1592053B1 (en) * | 2003-02-05 | 2011-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring fabricating method |
| JP4907088B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の製造方法 |
| WO2004070809A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| KR101193015B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 플라즈마 장치 |
| KR101032338B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2011-05-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치의 제작방법 |
| KR101113773B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2012-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 제조장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122063A (en) * | 1981-12-14 | 1982-07-29 | Dow Chemical Co | Manufacture of 2-mercaptoethylamine hydrochloride |
| US4447467A (en) * | 1983-03-23 | 1984-05-08 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for perpendicular magnetic recording medium |
| JPS60101781A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-05 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツド用スライダ |
| US4673996B1 (en) * | 1985-04-29 | 1997-02-04 | James W White | Magnetic head air bearing slider assembly utilizing transverse pressurization contours |
| JPS6395626A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Toshiba Corp | レジストの塗布装置 |
| US4870519B1 (en) * | 1987-11-20 | 1997-01-28 | James W White | Uniform flying height slider assembly with improved dynamic air bearing characteristics |
| JPH02246067A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置用スライダ |
| JPH03190215A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の塗布方法 |
| JP2834249B2 (ja) * | 1990-01-17 | 1998-12-09 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッドの製造方法 |
| US5062017A (en) * | 1990-05-25 | 1991-10-29 | Seagate Technology, Inc. | Hour-glass disk head slider |
| JPH0461952A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Matsushita Electron Corp | 液体回転塗布装置 |
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| JPH06283417A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Olympus Optical Co Ltd | 塗膜装置 |
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-
1994
- 1994-08-05 JP JP6184625A patent/JP2934153B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-02 GB GB9515828A patent/GB2292103B/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-02 US US08/831,183 patent/US5824361A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-04 HK HK98104903A patent/HK1005783A1/xx not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 US US09/098,342 patent/US6037007A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| CN109856914A (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-07 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 涂胶装置及方法 |
| CN109856914B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-11-03 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 涂胶装置及方法 |
| CN110673445A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-01-10 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6037007A (en) | 2000-03-14 |
| GB2292103A (en) | 1996-02-14 |
| JP2934153B2 (ja) | 1999-08-16 |
| HK1005783A1 (en) | 1999-01-22 |
| GB2292103B (en) | 1998-03-11 |
| GB9515828D0 (en) | 1995-10-04 |
| US5824361A (en) | 1998-10-20 |
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