JP2004079908A - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の周縁部の不要物を効率的に除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷは、スピンチャックに保持されて鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転される。その一方で、ウエハＷの周縁部に向けて、エッチング液供給ノズル４から、エッチング液４３が供給される。エッチング液供給ノズル４は、ウエハ対向面４１に複数の吐出口４２を有し、この複数の吐出口４２からのエッチング液４３は、ウエハＷの周縁部を横切る直線４５上に並んだ複数のエッチング液供給位置４６に向けてエッチング液４３を供給する。複数のエッチング液供給位置４６は、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なっている。
【選択図】 図２
【解決手段】ウエハＷは、スピンチャックに保持されて鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転される。その一方で、ウエハＷの周縁部に向けて、エッチング液供給ノズル４から、エッチング液４３が供給される。エッチング液供給ノズル４は、ウエハ対向面４１に複数の吐出口４２を有し、この複数の吐出口４２からのエッチング液４３は、ウエハＷの周縁部を横切る直線４５上に並んだ複数のエッチング液供給位置４６に向けてエッチング液４３を供給する。複数のエッチング液供給位置４６は、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なっている。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板表面の周縁部にエッチング液を供給して、その周縁部の不要物（薄膜、パーティクルまたはイオン等。とくに金属膜や金属イオン）を除去するための基板周縁処理装置および基板周縁処理方法に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、およびフォトマスク用基板などの各種の基板が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面および周端面（場合によってはさらに裏面）の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面の周縁部（たとえば、ウエハの周端から幅５ｍｍ程度の部分）、裏面および周端面に形成された銅薄膜は不要となる。そればかりでなく、周縁部、裏面および周端面の銅または銅イオンは、基板処理装置に備えられた基板搬送ロボットのハンドを汚染し、さらにこの汚染が当該ハンドによって保持される別のウエハへと転移するという問題を引き起こす。
【０００３】
同様の理由から、ウエハ周縁に形成された金属膜以外の膜（酸化膜や窒化膜など）を薄くエッチングすることによって、その表面の金属汚染物（金属イオンを含む）を除去するための処理が行われることがある。
ウエハの周縁部および周端面の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、図１８に示すように、ウエハＷを水平に保持して鉛直軸線まわりに回転するスピンチャック１００と、ウエハＷの周縁部に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給ノズル１０１と、ウエハＷの中央に向けて純水を供給する純水供給ノズル１０２とを有している。
【０００４】
この構成により、スピンチャック１００でウエハＷを回転させながら、エッチング液供給ノズル１０１からエッチング液を供給することにより、ウエハＷの周縁部におけるエッチング液供給位置１０５（エッチング液供給ノズル１０１からのエッチング液の到達位置）の付近から回転半径方向外方側の所定幅（たとえば３〜５ｍｍ）の周縁部領域にエッチング液が行き渡り、この領域の薄膜１０７がエッチング除去される。
【０００５】
併せて、純水供給ノズル１０２から、ウエハＷの中央に純水を供給することにより、ウエハＷの中央領域（デバイス形成領域）にエッチング液の跳ね返りが到達しても、このエッチング液をすみやかに洗い流すことができ、中央領域を保護することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
エッチング液供給ノズル１０１は、たとえば直径約０．５ｍｍの吐出口１０８からエッチング液を吐出する構成となっていて、純水供給ノズル１０２から供給される純水を排除して、ウエハＷの表面の薄膜１０７に到達できる流速を確保できるようになっている。
そのため、ウエハＷの周縁部においては、エッチング液供給位置１０５におけるエッチングの進行が速く、それよりも半径方向外方側におけるエッチング処理の進行が遅くなる。純水供給ノズル１０２からの純水の供給を行わない場合でも同様の傾向が見られるが、純水供給ノズル１０２からの純水の供給を行う場合にその傾向がさらに顕著になる。それは、エッチング液供給位置１０５においてエッチング液の濃度が最も高く、それよりも回転半径方向外方側に向かうに従って、純水による希釈のために、エッチング液の濃度が薄くなっていくからであると考えられる。
【０００７】
このようにウエハＷの周縁部において、回転半径方向外方側ほどエッチング処理の進行が遅いため、薄膜１０７の除去効率が悪く、周縁部領域の全域における薄膜１０７をエッチング除去するのに時間がかかり、生産性が悪いという問題があった。
そこで、この発明の目的は、基板の周縁部の不要物を効率的に除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部にエッチング液を供給して、当該周縁部の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、上記基板のほぼ中心をとおり基板表面に対してほぼ直交する回転軸線（１ａ）を中心に基板を回転させる基板回転手段（１）と、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置（４６）に向けてエッチング液を供給する少なくとも１つの吐出口（４２，４２Ｓ，７２，７２Ｓ，９２，９２Ｓ，９８）を有するエッチング液供給手段（４，７０，９０，９５）とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００９】
上記の構成によれば、基板が回転される一方で、基板の周縁部においてその回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液が供給されるから、基板の周縁部におけるエッチング処理が、回転半径方向に関してほぼ均一に進行する。これにより、基板の周縁部における不要物の除去効率を向上することができ、ひいては、基板周縁処理の生産性を向上することができる。
基板の周縁部から除去すべき不要物は、薄膜（たとえば銅薄膜等の金属薄膜）、パーティクルまたはイオン（とくに銅イオン等の金属イオン）であってもよい。
【００１０】
また、上記基板回転手段は、基板をほぼ水平に保持して回転させるものであってもよい。具体的には、上記基板回転手段は、基板を一方表面側から保持して回転するスピンチャックを含んでいてもよい。スピンチャックは、基板の一方表面を吸着保持するバキュームチャックであってもよいし、基板の端面を複数のチャックピンで挟持するメカニカルチャックであってもよい。
エッチング液が供給される複数の位置は、離間していてもよい（すなわち点在していてもよい）し、たとえば線状に連続していてもよい。エッチング液の供給位置が点在している場合に、複数のエッチング液供給位置は、各位置に向けて供給されたエッチング液の液膜が基板の周縁部において互いに結合されるように、隣接するもの同士が充分に接近していることが好ましい。
【００１１】
より具体的には、請求項２に記載のように、上記エッチング液供給手段は、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給する複数の上記吐出口（４２，４２Ｓ，７２，７２Ｓ，９２，９２Ｓ，９８）を有しているものであってもよい。また、請求項３に記載のように、上記エッチング液供給手段は、スリット状に開口した上記吐出口（４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓ）を有しているものであってもよい。
【００１２】
また、上記エッチング液供給手段は、請求項４に記載のように、少なくとも１つの上記吐出口が形成されたノズル体（４，７０，９０，９５）を含むものであってもよい。この場合、ノズル体は１つであってもよいし、複数個であってもよい。すなわち、たとえば、それぞれ１個もしくは複数個の吐出口またはスリット状の吐出口を有する複数個のノズル体から基板の周縁部に向けてエッチング液を供給してもよいし、複数個の吐出口またはスリット状の吐出口を有する１つのノズル体から基板の周縁部に向けてエッチング液を供給してもよい。
【００１３】
請求項５に記載のように、上記ノズル体は、上記基板の表面に対向（好ましくは、ほぼ平行に対向）する基板対向面（４１，７１，９１，９６）を有し、この基板対向面に上記吐出口が開口しているものであってもよい。
この場合、請求項６に記載のように、上記基板対向面は、上記基板の周縁部に供給されたエッチング液に接触し、この基板対向面と上記基板の周縁部との間に液膜（４８）を形成するように、上記基板に近接して配置されていることが好ましい。たとえば、基板対向面と基板との間隔を０．３ｍｍ〜３ｍｍとすることにより、基板対向面を基板上のエッチング液の液膜に接液させることができる。
【００１４】
この構成によれば、ノズル体と基板の周縁部との間にエッチング液の液膜を形成でき、この液膜はノズル体の基板対向面に接触して安定する。これにより、基板の周縁部におけるエッチング処理の進行をさらに均一化でき、また、エッチング処理の処理幅を正確に制御することができる。
請求項７記載の発明は、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部においてほぼ直線上に並ぶ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００１５】
この構成により、基板が回転される一方で、エッチング液の供給位置が直線上に並んでいるから、回転中心からの距離が異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。上記エッチング液供給位置が並ぶ直線は、たとえば、基板の回転の接線方向に沿っていてもよい。
また、請求項８に記載のように、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部において、この基板の回転中心から外れた位置に曲率中心を有する円弧上に並ぶ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであってもよい。
【００１６】
また、基板がほぼ円形の外周縁を有する場合には、上記円弧の曲率半径は、基板の外周縁の半径と異なることが好ましい。さらに、基板の周縁部の処理対象領域（リング状の領域）の内周縁の曲率半径とも異なっていてもよい。ただし、複数のエッチング液供給位置が並ぶ円弧の曲率中心と基板の外周縁の曲率中心とがずれている限りにおいて、上記当該円弧の曲率半径は基板の外周縁の曲率半径と等しくてもよく、基板の周縁部の処理対象領域の内周縁の曲率半径と等しくてもよい。
【００１７】
さらに、請求項９に記載のように、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部において、この基板の回転軸を取り囲んで一周するように並んだ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものとしてもよい。
この場合に、エッチング液の複数の供給位置は、楕円周に沿って配置されていてよいし、基板の回転中心とは異なる点を中心とした円周に沿って配置されていてもよいし、多角形の各辺に沿って配置されていてもよい。むろん、ジグザグ配置でもよい。
【００１８】
上記のようなエッチング液供給手段に、基板の周縁部の一周に渡る基板対向面を設け、この基板対向面に基板の周縁部におけるエッチング液の液膜を接液させるようにしておけば、基板の周縁部におけるエッチング処理幅を全周において制御することが可能になる。すなわち、基板対向面の内側縁をエッチング処理幅に応じて適切に配置することによって、正確に制御された処理幅で基板の周縁部を処理できる。
【００１９】
請求項１０記載の発明は、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部に対して、この基板に対して垂直な方向または基板外に向かって傾斜した方向に沿ってエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、エッチング液が基板の中央領域（デバイス形成領域）に入り込むことを抑制または防止できる。
【００２０】
請求項１１記載の発明は、上記基板表面において、上記エッチング液供給手段の吐出口からのエッチング液供給位置のうち上記回転軸線に最も近い供給位置よりも内方の位置に向けて、エッチング保護液を供給するエッチング保護液供給手段（５）をさらに含むことを特徴とする基板周縁処理装置である。エッチング保護液の例は、純水、炭酸水、水素水、還元水、イオン水、磁気水等である。
この構成により、基板の中央領域をエッチング保護液によって確実に保護できる。基板の周縁部では、回転半径方向に関して異なる位置に向けてエッチング液が供給されるので、基板の中央領域からその周縁領域へとエッチング保護液が流されてきても、基板の周縁部におけるエッチング液の濃度は、回転半径方向に関してほぼ均一に保持できる。これにより、回転半径方向に関するエッチング処理の進行速度がほぼ均一になるから、基板の周縁部を効率的に処理でき、良好な生産性を確保できる。
【００２１】
上記エッチング保護液供給手段は、エッチング液供給手段のノズルと一体のノズルを有していてもよいし、別体のノズルを有していてもよい。
請求項１２記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部にエッチング液を供給して、当該周縁部の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、上記基板のほぼ中心をとおり基板表面に対してほぼ直交する回転軸線（１ａ）を中心に基板を回転させる基板回転工程と、この基板回転工程中に、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置（４６）に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
である。
【００２２】
この方法により、請求項１の発明の場合と同様な効果を達成できる。
なお、いずれの請求項の発明においても、基板周縁部におけるエッチング液供給位置を時間とともに変化させてもよい。
より具体的には、たとえば、請求項４の発明において、ノズル体を往復移動または揺動させてもよい。すなわち、ノズル体を基板の回転の接線方向に沿って往復移動させたり、ノズル体を基板の回転半径方向に沿って往復移動または揺動させたりしてもよい。さらに、ノズル体を回動させて、吐出口からのエッチング液の吐出方向を変更することにより、エッチング液供給位置を時間変化させるようにしてもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解的に示す斜視図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）Ｗの表面（デバイス形成面）の周縁部の不要物をエッチング除去するための装置である。除去すべき不要物は、銅薄膜などの金属膜、パーティクル、銅イオン等の金属イオンなどを含む。
【００２４】
この基板周縁処理装置は、表面を上方に向けた水平姿勢でウエハＷを保持するとともに、ウエハＷのほぼ中央を通る鉛直軸線１ａまわりに回転するスピンチャック１を備えている。スピンチャック１は、たとえば、ウエハＷの下面の中央部を吸着して保持するバキュームチャックで構成されており、鉛直方向に沿って配置された回転軸２には、モータ等を含む回転駆動機構３からの回転力が与えられるようになっている。
【００２５】
この基板周縁処理装置は、さらに、スピンチャック１に保持されて鉛直軸線１ａまわりに回転されるウエハＷの周縁部（デバイス形成領域のまわりの非デバイス形成領域）の不要物を除去するためのエッチング液を供給するエッチング液供給ノズル４と、ウエハＷの中央領域（デバイス形成領域）をエッチング液から保護するためのエッチング保護液としての純水を供給する純水供給ノズル５とを備えている。エッチング液供給ノズル４には、エッチング液供給源からのエッチング液が、エッチング液供給バルブ６およびエッチング液供給配管７を介して供給されるようになっている。また、純水供給ノズル５には、純水供給源からの純水が純水供給バルブ８を介して供給されるようになっている。
【００２６】
エッチング液供給ノズル４は、ウエハＷの回転の接線方向にほぼ沿った長尺形状を有しており、ノズル駆動機構１０によって、ウエハＷの回転半径方向にほぼ沿った揺動方向１１に沿って揺動されるとともに、その長手方向に沿った往復運動方向１２に沿って直線的に往復移動されるようになっている。揺動方向１１に沿ってエッチング液供給ノズル４を揺動させることにより、エッチング液供給ノズル４をスピンチャック１の側方に退避させたり、ウエハＷの周縁部の上方の処理位置に導いたりすることができる。また、往復運動方向１２にそってエッチング液供給ノズル４を往復移動させることによって、ウエハＷへのエッチング液の供給位置を時間変化させることができる。
【００２７】
ウエハＷの上面の周縁部の不要物を取り除くためのエッチング処理時には、ウエハＷがスピンチャック１に保持された状態で、このスピンチャック１が、たとえば２００〜１０００ｒｐｍ（好ましくは、約３００ｒｐｍ）で回転駆動される。それとともに、エッチング液供給ノズル４がウエハＷの周縁部の上方へと導かれ、さらに、エッチング液供給バルブ６および純水供給バルブ８が開かれる。さらに、ノズル駆動機構１０により、必要に応じて、エッチング液供給ノズル４が往復運動方向１２に沿って往復運動させられる。
【００２８】
図２は、エッチング液供給ノズル４の構成を説明するための部分拡大斜視図である。エッチング液供給ノズル４は、その下部に、ウエハＷと平行で、このウエハＷの周縁部の上面に対向するウエハ対向面４１を有している。このウエハ対向面４１には、エッチング液供給ノズル４の長手方向、すなわちウエハＷの回転の接線方向に沿って、複数個の吐出口４２が、互いに間隔を開けて一列に配列されて形成されている。これらの吐出口４２は、それぞれ、ウエハＷの上面に対して垂直にエッチング液４３を吐出する。その結果、ウエハＷの上面の周縁部には、ウエハＷの周縁部を横切る直線４５上に間隔を開けて一列に配列された複数のエッチング液供給位置４６に向けて、吐出口４２からのエッチング液が供給されることになる。この場合、複数のエッチング液供給位置４６には、ウエハＷの回転中心からの距離が異なるものが含まれることになる。
【００２９】
図３は、エッチング液供給ノズル４の底面図であり、ウエハ対向面４１および吐出口４２、ならびにそれらとウエハＷとの位置関係が示されている。この例では、複数の吐出口４２は、等間隔で一列に形成されている。複数の吐出口４２は、ウエハ対向面４１の長手方向中央位置を通るウエハＷの回転半径４７に対して対称に配置されているため、この回転半径４７に対して対称な位置にある各対の吐出口４２は、ウエハＷの回転中心から等しい距離に位置している。しかし、回転半径４７上およびそのいずれかの側に位置している複数の吐出口４２は、ウエハＷの回転中心からの距離が異なり、また、回転半径４７に対して非対称な位置にある吐出口４２間では、ウエハＷの回転中心からの距離が異なっている。
【００３０】
全ての吐出口４２を回転半径４７に対して互いに非対称な位置になるように配置すれば、全ての吐出口４２に関して、ウエハＷの回転中心からの距離が異なることになる。
また、往復運動方向１２に沿ってエッチング液供給ノズル４を往復運動させれば、回転半径４７とエッチング液供給ノズル４との相対位置関係が変動するから、複数のエッチング液供給位置４６が時間変化し、結果として、ウエハＷの回転中心からそれらまでの距離が時間変化することになる。
【００３１】
図４は、ウエハＷの周縁部における処理の様子を示す図解図である。複数の吐出口４２およびそれらに対応する複数のエッチング液供給位置４６は、ウエハＷの回転中心からの距離が異なっているから、ウエハＷの周縁部には、ウエハＷの回転半径方向に関して異なる位置に向けてエッチング液４３が供給される。これにより、ウエハＷの表面に形成された薄膜５０は、ウエハＷの周縁部において、その回転半径方向の各位置で均一にエッチングされていく。これにより、ウエハＷの周縁部に対するエッチング処理を効率的に行うことができ、その処理時間を短縮できるから、生産性を著しく向上できる。
【００３２】
ウエハＷの中央領域からは、純水供給ノズル５から供給された純水が遠心力によってウエハＷの周縁部へと流れてくるが、ウエハＷの周縁部では、ウエハＷの回転半径方向に関して異なる複数の位置にエッチング液４３が形成されるから、この周縁部に形成されるエッチング液の液膜４８は、均一な濃度を有している。そのため、ウエハＷの中央領域からの純水の影響を大きくうけることなく、ウエハＷの周縁部のエッチング処理を効率的に行える。
【００３３】
エッチング液供給ノズル４の吐出口４２からのエッチング液４３の供給は、ウエハＷに対して垂直に行う必要はなく、図５に示すように、ウエハＷの回転半径方向に対して外側に向かって傾斜した方向に向けて、エッチング液４３を複数の吐出口４２から互いに平行に吐出させるようにしてもよい。
また、必要に応じて、図６（ａ）に示すように、エッチング液供給ノズル４を揺動方向１１に沿って微小幅で揺動させてもよいし、図６（ｂ）に示すように、エッチング液供給ノズル４の長手方向に沿う軸線４ａまわりに所定の角度範囲で往復回動させてもよい。
【００３４】
また、ウエハＷの周縁部に形成されるエッチング液の液膜４８を安定させるために、図７に示すように、エッチング液供給ノズル４のウエハ対向面４１をウエハＷの上面に近接させ、このウエハ対向面４１を液膜４８に接液させるようにしてもよい。すなわち、ウエハ対向面４１をウエハＷの表面から０．３〜３ｍｍの距離に近接配置すればよい。
このような構成では、液膜４８は、ウエハ対向面４１の内側縁４１ａよりもウエハＷの内方の領域に大きく入り込むことができず、エッチング液の液膜４８の存在範囲を精度良く制御できる。その結果、ウエハＷの周縁部におけるエッチング処理幅を精度良く制御することができる。
【００３５】
このように、ウエハ対向面４１を液膜４８に接液させる場合には、図８の底面図に示すように、ウエハ対向面４１の内側縁４１ａを、ウエハＷの周縁部の処理対象領域の内周縁に沿うように、この内周縁よりも若干大きな曲率半径の円弧形状に形成しておくことが好ましい。これにより、エッチング処理幅をより高精度に制御できる。
また、エッチング液は、ウエハＷ上で遠心力を受けて、回転半径方向内方側から外方側へと流されていくから、エッチング液の供給量は、ウエハＷの周縁部において、回転半径方向内方側において少なく、回転半径方向外方側において多くなる。そこで、図９の底面図に示すように、吐出口４２を、ウエハ対向面４１の長手方向中央部付近において密に配置し、両端部付近において粗に配置するようにしてもよい。
【００３６】
また、図１０に示すように、ウエハ対向面４１には、複数個の吐出口４２を設ける代わりに、ウエハ対向面４１の長手方向に沿うスリット状（スロット状）の１つの吐出口４２Ｓを設けるようにしてもよい。この場合にも、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液が供給されることになる。吐出口４２Ｓは、１つである必要はなく、２つ以上の部分に分割されていてもよい。
【００３７】
スリット状吐出口４２Ｓの幅は、その長手方向にほぼ一様であってもよいし、一様でなくてもよい。たとえば、中央部において幅広で、両端部において幅狭に形成されていてもよい。
図１１（ａ）（ｂ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口の他の例を示す底面図である。図１１（ａ）の例では、ウエハＷの回転中心から外れた位置に曲率中心を有する円弧６１に沿って複数の吐出口４２が配置されている。円弧６１は、この例では、ウエハＷの外周縁の半径よりも小さな曲率半径を有している。
【００３８】
一方、図１１（ｂ）の例では、同様な円弧６１に沿って形成された１つのスリット状の吐出口４２Ｓが設けられている。これらの構成でも、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給できる。
図１２（ａ）（ｂ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。図１２（ａ）の例では、ウエハＷの回転中心から外れた位置にそれぞれ曲率中心を有し、ウエハＷの外周縁よりも小さな曲率半径を有する複数本（この例では３本）の円弧６２，６３，６４に沿って、それぞれ複数の吐出口４２が配置されている。図１２（ｂ）の例では、同様な円弧６２，６３，６４にそれぞれ沿って形成された複数本（この実施形態では３本）のスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。これらの構成によっても、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給できる。
【００３９】
この図１２（ａ）（ｂ）の構成では、回転半径方向に対して異なる位置を通る円弧６２，６３，６４に沿って吐出口４２，４２Ｓが設けられているから、円弧６２，６３，６４の曲率中心がウエハＷの回転中心と一致していても、回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。
図１３（ａ）（ｂ）（ｃ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。図１３（ａ）の例は、複数の吐出口４２がウエハ対向面４１に千鳥配列された例である。換言すれば、ウエハＷの回転中心からの距離が異なる複数本（この実施形態では３本）の平行な直線６５，６６，６７に沿って、それぞれ複数個の吐出口４２が配列されていると言える。さらに別の見方をすれば、ウエハＷの回転の接線方向を斜めに横切る複数本（この実施形態では１１本）の直線Ｌ１〜Ｌ１１に沿って、それぞれ複数個の吐出口４２が配列されていると言える。
【００４０】
図１３（ｂ）の例では、上記のような直線６５，６６，６６に沿って複数本（この実施形態では３本）のスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。また、図１３（ｃ）の例では、上記のような直線Ｌ１〜Ｌ１１に沿って、複数本（この実施形態では１１本）のスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。
これらの構成によっても、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給できる。
【００４１】
図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。図１４（ａ）の例では、ウエハＷの回転半径方向に沿って複数個の吐出口４２が設けられており、図１４（ｂ）の例では、ウエハＷの回転半径方向に沿うスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。これらの構成でも、ウエハＷの回転中心からの距離が異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。
【００４２】
また、図１４（ｃ）に示すように、複数の吐出口４２からなる吐出口列をウエハ対向面４１の長手方向に複数列設けてもよい。また、図１４（ｄ）に示すように、複数の吐出口４２からなる吐出口列を複数列設ける場合に、各吐出口列が、ウエハＷの複数の回転半径方向にそれぞれ沿うように放射状に配置してもよい。
さらに、図１４（ｅ）に示すように、ウエハＷの回転の接線方向に直交する方向に沿う複数本のスリット状吐出口４２Ｓを設けてもよい。また、図１４（ｆ）に示すように、複数本のスリット状吐出口４２Ｓを、ウエハＷの複数の回転半径方向にそれぞれ沿うように、放射状に形成してもよい。
【００４３】
図１５（ａ）（ｂ）は、エッチング液供給ノズル４に代えて用いることができるエッチング液供給ノズル７０の構成を説明するための底面図である。図１５（ａ）のエッチング液供給ノズル７０は、ウエハＷの外径とほぼ等しい外径を有する円環状に形成されており、ウエハＷの上面に平行に対向するウエハ対向面７１には、エッチング液を吐出する複数の吐出口７２が形成されている。複数の吐出口７２は、ウエハＷの回転の接線方向に沿う複数の直線７５，７６，７７，７８，７９，８０上に間隔を開けて形成されており、ウエハＷの周縁部に向けてエッチング液を供給するようになっている。これにより、ウエハＷの周縁部には、回転中心から実質的に距離の異なる位置にエッチング液を供給できる。図１５の例では、複数の直線７５〜８０は、ウエハ対向面７１の外縁に内接する多角形（図１５の例では、正六角形）を形成している。
【００４４】
図１５（ｂ）のエッチング液供給ノズルでは、上記のような直線７５〜８０上にそれぞれスロット状の吐出口７２Ｓが形成されている。この構成の場合にも、ウエハＷの回転中心から実質的に距離の異なる複数の位置において、ウエハＷの周縁部にエッチング液を供給できる。
図１６（ａ）（ｂ）は、エッチング液供給ノズル４に代えて用いることができるさらに他のエッチング液供給ノズル９０の構成を示す底面図である。図１６（ａ）の例では、ウエハＷの上面に平行に対向するウエハ対向面９１には、エッチング液を吐出するための複数の吐出口９２が、楕円周９３に沿って間隔を開けて形成されている。また、図１６（ｂ）の例では、ウエハ対向面９１に、楕円周９３に沿って、複数のスリット状吐出口９２Ｓが形成されている。これらの構成によっても、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に、エッチング液を供給できる。
【００４５】
なお、図１５（ｂ）および図１６（ｂ）の例では、スリット状吐出口７２Ｓ，９２Ｓが複数個設けられているが、これらを連結して多角形状の１つのスリット状吐出口または楕円形状の１つのスリット状吐出口をウエハ対向面７１，９１に形成することとしてもよい。
図１７は、エッチング液供給ノズル４に代えて用いることができるさらに他のエッチング液供給ノズル９５の底面図である。このエッチング液供給ノズル９５は、ウエハ対向面９６に、ウエハＷの回転中心Ｗａから外れた位置に中心９７ａを有する円周９７上に間隔を開けて配置された複数の吐出口９８を有し、この吐出口９８からウエハＷの周縁部にエッチング液を供給する構成となっている。この構成によっても、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの回転中心からの距離の異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。図１７の例では、円周９７の半径は、ウエハＷの外周縁の半径よりも小さく、ウエハＷの周縁部の処理領域の内周縁の半径よりも大きいが、ウエハＷの回転中心Ｗａと円周９７の中心９７ａとがずれているので、この円周９７の半径は、たとえば、ウエハＷの周縁部の処理領域の内周縁の半径と等しくてもよい。
【００４６】
さらに、この図１７の構成を変形してウエハ対向面９６に、円周９７に沿う複数の円弧形状のスリット状吐出口を形成してもよいし、円周９７に沿う１つの円形のスリット状吐出口を形成してもよい。
なお、図１５（ａ）（ｂ）、図１６（ａ）（ｂ）または図１７の構成のエッチング液供給ノズル７０，９０，９５のウエハ対向面７１，９１，９６を、ウエハＷの表面の近傍でエッチング液の液膜に接液させる場合には、ウエハ対向面７１，９１，９６の内側縁７１ａ，９１ａ，９６ａは、ウエハＷの周縁部の処理対象領域（環状の領域）の内周縁よりも若干大きな半径の円周をなすように形成されていることが好ましい。このようにすれば、エッチング処理幅を良好に制御することができる。
【００４７】
図１１〜図１７のいずれの構成においても、複数の吐出口４２，７２，９２，９８またはスリット状吐出口４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓからは、互いに平行な方向にエッチング液が吐出され、その方向は、ウエハＷの表面に対して垂直であるか、または、ウエハＷの回転半径方向外方側に向かうように傾斜した方向とされる。したがって、ウエハＷの周縁部におけるエッチング液供給位置は、吐出口４２，７２，９２，９８，４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓの配置または形状に従う。
【００４８】
むろん、ウエハＷの周縁部においてウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置にエッチング液を供給できる限りにおいて、複数の吐出口４２，７２，９２，９８または複数のスリット状吐出口４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓから吐出されるエッチング液の方向は互いに平行である必要はない。
また、図１〜図１７のいずれの構成においても、間隔を開けて形成された複数の吐出口４２，７２，９２，９８または複数のスリット状吐出口４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓからのエッチング液がウエハＷの周縁部の表面に到達するエッチング液供給位置は、隣接するもの同士が十分に近接していて、隣接するエッチング液供給位置に供給されたエッチング液が形成する液膜が互いに結合されるようになっている。
【００４９】
以上、この発明のいくつかの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、ウエハＷの中央領域に純水を供給しながらエッチング処理を行っているが、この純水の供給は省かれてもよい。
また、上記の実施形態では、エッチング液供給ノズルと純水供給ノズルとが個別に設けられているが、これらは一体化されていてもよい。
【００５０】
さらに、上記の実施形態では、ウエハＷの下面の中央部を吸着して保持する吸着型のスピンチャック１が用いられているが、ウエハＷの周端面をチャックピンで挟持する構成のメカニカルチャックが用いられてもよい。
また、処理対象の基板は、半導体ウエハに限らず、光ディスク基板、光磁気ディスク基板および磁気ディスク基板などの他の円形基板であってもよいし、液晶表示装置用ガラス基板等の角形の基板であってもよい。
【００５１】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解的に示す斜視図である。
【図２】エッチング液供給ノズルの構成を説明するための部分拡大斜視図である。
【図３】エッチング液供給ノズルの底面図である。
【図４】ウエハの周縁部における処理の様子を示す図解図である。
【図５】ウエハに対して傾斜した方向に沿ってエッチング液を供給する例を示す図解図である。
【図６】エッチング液供給ノズルを揺動または回動させる例を示す図解図である。
【図７】エッチング液供給ノズルのウエハ対向面をウエハ上のエッチング液の液膜に接液させる例を示す図解的な断面図である。
【図８】ウエハ対向面をウエハ上のエッチング液の液膜に接液させる場合に好適なエッチング液供給ノズルの構成例を示す底面図である。
【図９】ウエハ対向面に吐出口を粗密配置した例を示す底面図である。
【図１０】ウエハ対向面にスリット状の吐出口を形成した例を示す底面図である。
【図１１】ウエハ対向面に形成される吐出口の他の例を示す底面図である。
【図１２】ウエハ対向面に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。
【図１３】ウエハ対向面に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。
【図１４】ウエハ対向面に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。
【図１５】エッチング液供給ノズルの他の構成例を示す底面図である。
【図１６】エッチング液供給ノズルのさらに他の構成例を示す底面図である。
【図１７】エッチング液供給ノズルのさらに他の構成例を示す底面図である。
【図１８】従来の基板周縁処理装置の問題点を説明するための図解的な断面図である。
【符号の説明】
１ スピンチャック
１ａ 鉛直軸線
２ 回転軸
３ 回転駆動機構
４ エッチング液供給ノズル
５ 純水供給ノズル
６ エッチング液供給バルブ
７ エッチング液供給配管
８ 純水供給バルブ
１０ ノズル駆動機構
１１ 揺動方向
１２ 往復運動方向
４１ ウエハ対向面
４１ａ 内側縁
４２ 吐出口
４２Ｓ スリット状吐出口
４３ エッチング液
４６ エッチング液供給位置
４８ 液膜
５０ 薄膜
７０ エッチング液供給ノズル
７１ ウエハ対向面
７１ａ 内側縁
７２ 吐出口
７２Ｓ スリット状吐出口
９０ エッチング液供給ノズル
９１ ウエハ対向面
９２ 吐出口
９２Ｓ スリット状吐出口
９５ エッチング液供給ノズル
９６ ウエハ対向面
９８ 吐出口
Ｗ ウエハ
Ｗａ 回転中心
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板表面の周縁部にエッチング液を供給して、その周縁部の不要物（薄膜、パーティクルまたはイオン等。とくに金属膜や金属イオン）を除去するための基板周縁処理装置および基板周縁処理方法に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、およびフォトマスク用基板などの各種の基板が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面および周端面（場合によってはさらに裏面）の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていればよいから、ウエハの表面の周縁部（たとえば、ウエハの周端から幅５ｍｍ程度の部分）、裏面および周端面に形成された銅薄膜は不要となる。そればかりでなく、周縁部、裏面および周端面の銅または銅イオンは、基板処理装置に備えられた基板搬送ロボットのハンドを汚染し、さらにこの汚染が当該ハンドによって保持される別のウエハへと転移するという問題を引き起こす。
【０００３】
同様の理由から、ウエハ周縁に形成された金属膜以外の膜（酸化膜や窒化膜など）を薄くエッチングすることによって、その表面の金属汚染物（金属イオンを含む）を除去するための処理が行われることがある。
ウエハの周縁部および周端面の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、図１８に示すように、ウエハＷを水平に保持して鉛直軸線まわりに回転するスピンチャック１００と、ウエハＷの周縁部に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給ノズル１０１と、ウエハＷの中央に向けて純水を供給する純水供給ノズル１０２とを有している。
【０００４】
この構成により、スピンチャック１００でウエハＷを回転させながら、エッチング液供給ノズル１０１からエッチング液を供給することにより、ウエハＷの周縁部におけるエッチング液供給位置１０５（エッチング液供給ノズル１０１からのエッチング液の到達位置）の付近から回転半径方向外方側の所定幅（たとえば３〜５ｍｍ）の周縁部領域にエッチング液が行き渡り、この領域の薄膜１０７がエッチング除去される。
【０００５】
併せて、純水供給ノズル１０２から、ウエハＷの中央に純水を供給することにより、ウエハＷの中央領域（デバイス形成領域）にエッチング液の跳ね返りが到達しても、このエッチング液をすみやかに洗い流すことができ、中央領域を保護することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
エッチング液供給ノズル１０１は、たとえば直径約０．５ｍｍの吐出口１０８からエッチング液を吐出する構成となっていて、純水供給ノズル１０２から供給される純水を排除して、ウエハＷの表面の薄膜１０７に到達できる流速を確保できるようになっている。
そのため、ウエハＷの周縁部においては、エッチング液供給位置１０５におけるエッチングの進行が速く、それよりも半径方向外方側におけるエッチング処理の進行が遅くなる。純水供給ノズル１０２からの純水の供給を行わない場合でも同様の傾向が見られるが、純水供給ノズル１０２からの純水の供給を行う場合にその傾向がさらに顕著になる。それは、エッチング液供給位置１０５においてエッチング液の濃度が最も高く、それよりも回転半径方向外方側に向かうに従って、純水による希釈のために、エッチング液の濃度が薄くなっていくからであると考えられる。
【０００７】
このようにウエハＷの周縁部において、回転半径方向外方側ほどエッチング処理の進行が遅いため、薄膜１０７の除去効率が悪く、周縁部領域の全域における薄膜１０７をエッチング除去するのに時間がかかり、生産性が悪いという問題があった。
そこで、この発明の目的は、基板の周縁部の不要物を効率的に除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部にエッチング液を供給して、当該周縁部の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、上記基板のほぼ中心をとおり基板表面に対してほぼ直交する回転軸線（１ａ）を中心に基板を回転させる基板回転手段（１）と、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置（４６）に向けてエッチング液を供給する少なくとも１つの吐出口（４２，４２Ｓ，７２，７２Ｓ，９２，９２Ｓ，９８）を有するエッチング液供給手段（４，７０，９０，９５）とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００９】
上記の構成によれば、基板が回転される一方で、基板の周縁部においてその回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液が供給されるから、基板の周縁部におけるエッチング処理が、回転半径方向に関してほぼ均一に進行する。これにより、基板の周縁部における不要物の除去効率を向上することができ、ひいては、基板周縁処理の生産性を向上することができる。
基板の周縁部から除去すべき不要物は、薄膜（たとえば銅薄膜等の金属薄膜）、パーティクルまたはイオン（とくに銅イオン等の金属イオン）であってもよい。
【００１０】
また、上記基板回転手段は、基板をほぼ水平に保持して回転させるものであってもよい。具体的には、上記基板回転手段は、基板を一方表面側から保持して回転するスピンチャックを含んでいてもよい。スピンチャックは、基板の一方表面を吸着保持するバキュームチャックであってもよいし、基板の端面を複数のチャックピンで挟持するメカニカルチャックであってもよい。
エッチング液が供給される複数の位置は、離間していてもよい（すなわち点在していてもよい）し、たとえば線状に連続していてもよい。エッチング液の供給位置が点在している場合に、複数のエッチング液供給位置は、各位置に向けて供給されたエッチング液の液膜が基板の周縁部において互いに結合されるように、隣接するもの同士が充分に接近していることが好ましい。
【００１１】
より具体的には、請求項２に記載のように、上記エッチング液供給手段は、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給する複数の上記吐出口（４２，４２Ｓ，７２，７２Ｓ，９２，９２Ｓ，９８）を有しているものであってもよい。また、請求項３に記載のように、上記エッチング液供給手段は、スリット状に開口した上記吐出口（４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓ）を有しているものであってもよい。
【００１２】
また、上記エッチング液供給手段は、請求項４に記載のように、少なくとも１つの上記吐出口が形成されたノズル体（４，７０，９０，９５）を含むものであってもよい。この場合、ノズル体は１つであってもよいし、複数個であってもよい。すなわち、たとえば、それぞれ１個もしくは複数個の吐出口またはスリット状の吐出口を有する複数個のノズル体から基板の周縁部に向けてエッチング液を供給してもよいし、複数個の吐出口またはスリット状の吐出口を有する１つのノズル体から基板の周縁部に向けてエッチング液を供給してもよい。
【００１３】
請求項５に記載のように、上記ノズル体は、上記基板の表面に対向（好ましくは、ほぼ平行に対向）する基板対向面（４１，７１，９１，９６）を有し、この基板対向面に上記吐出口が開口しているものであってもよい。
この場合、請求項６に記載のように、上記基板対向面は、上記基板の周縁部に供給されたエッチング液に接触し、この基板対向面と上記基板の周縁部との間に液膜（４８）を形成するように、上記基板に近接して配置されていることが好ましい。たとえば、基板対向面と基板との間隔を０．３ｍｍ〜３ｍｍとすることにより、基板対向面を基板上のエッチング液の液膜に接液させることができる。
【００１４】
この構成によれば、ノズル体と基板の周縁部との間にエッチング液の液膜を形成でき、この液膜はノズル体の基板対向面に接触して安定する。これにより、基板の周縁部におけるエッチング処理の進行をさらに均一化でき、また、エッチング処理の処理幅を正確に制御することができる。
請求項７記載の発明は、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部においてほぼ直線上に並ぶ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００１５】
この構成により、基板が回転される一方で、エッチング液の供給位置が直線上に並んでいるから、回転中心からの距離が異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。上記エッチング液供給位置が並ぶ直線は、たとえば、基板の回転の接線方向に沿っていてもよい。
また、請求項８に記載のように、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部において、この基板の回転中心から外れた位置に曲率中心を有する円弧上に並ぶ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであってもよい。
【００１６】
また、基板がほぼ円形の外周縁を有する場合には、上記円弧の曲率半径は、基板の外周縁の半径と異なることが好ましい。さらに、基板の周縁部の処理対象領域（リング状の領域）の内周縁の曲率半径とも異なっていてもよい。ただし、複数のエッチング液供給位置が並ぶ円弧の曲率中心と基板の外周縁の曲率中心とがずれている限りにおいて、上記当該円弧の曲率半径は基板の外周縁の曲率半径と等しくてもよく、基板の周縁部の処理対象領域の内周縁の曲率半径と等しくてもよい。
【００１７】
さらに、請求項９に記載のように、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部において、この基板の回転軸を取り囲んで一周するように並んだ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものとしてもよい。
この場合に、エッチング液の複数の供給位置は、楕円周に沿って配置されていてよいし、基板の回転中心とは異なる点を中心とした円周に沿って配置されていてもよいし、多角形の各辺に沿って配置されていてもよい。むろん、ジグザグ配置でもよい。
【００１８】
上記のようなエッチング液供給手段に、基板の周縁部の一周に渡る基板対向面を設け、この基板対向面に基板の周縁部におけるエッチング液の液膜を接液させるようにしておけば、基板の周縁部におけるエッチング処理幅を全周において制御することが可能になる。すなわち、基板対向面の内側縁をエッチング処理幅に応じて適切に配置することによって、正確に制御された処理幅で基板の周縁部を処理できる。
【００１９】
請求項１０記載の発明は、上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部に対して、この基板に対して垂直な方向または基板外に向かって傾斜した方向に沿ってエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
この構成によれば、エッチング液が基板の中央領域（デバイス形成領域）に入り込むことを抑制または防止できる。
【００２０】
請求項１１記載の発明は、上記基板表面において、上記エッチング液供給手段の吐出口からのエッチング液供給位置のうち上記回転軸線に最も近い供給位置よりも内方の位置に向けて、エッチング保護液を供給するエッチング保護液供給手段（５）をさらに含むことを特徴とする基板周縁処理装置である。エッチング保護液の例は、純水、炭酸水、水素水、還元水、イオン水、磁気水等である。
この構成により、基板の中央領域をエッチング保護液によって確実に保護できる。基板の周縁部では、回転半径方向に関して異なる位置に向けてエッチング液が供給されるので、基板の中央領域からその周縁領域へとエッチング保護液が流されてきても、基板の周縁部におけるエッチング液の濃度は、回転半径方向に関してほぼ均一に保持できる。これにより、回転半径方向に関するエッチング処理の進行速度がほぼ均一になるから、基板の周縁部を効率的に処理でき、良好な生産性を確保できる。
【００２１】
上記エッチング保護液供給手段は、エッチング液供給手段のノズルと一体のノズルを有していてもよいし、別体のノズルを有していてもよい。
請求項１２記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部にエッチング液を供給して、当該周縁部の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、上記基板のほぼ中心をとおり基板表面に対してほぼ直交する回転軸線（１ａ）を中心に基板を回転させる基板回転工程と、この基板回転工程中に、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置（４６）に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
である。
【００２２】
この方法により、請求項１の発明の場合と同様な効果を達成できる。
なお、いずれの請求項の発明においても、基板周縁部におけるエッチング液供給位置を時間とともに変化させてもよい。
より具体的には、たとえば、請求項４の発明において、ノズル体を往復移動または揺動させてもよい。すなわち、ノズル体を基板の回転の接線方向に沿って往復移動させたり、ノズル体を基板の回転半径方向に沿って往復移動または揺動させたりしてもよい。さらに、ノズル体を回動させて、吐出口からのエッチング液の吐出方向を変更することにより、エッチング液供給位置を時間変化させるようにしてもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解的に示す斜視図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）Ｗの表面（デバイス形成面）の周縁部の不要物をエッチング除去するための装置である。除去すべき不要物は、銅薄膜などの金属膜、パーティクル、銅イオン等の金属イオンなどを含む。
【００２４】
この基板周縁処理装置は、表面を上方に向けた水平姿勢でウエハＷを保持するとともに、ウエハＷのほぼ中央を通る鉛直軸線１ａまわりに回転するスピンチャック１を備えている。スピンチャック１は、たとえば、ウエハＷの下面の中央部を吸着して保持するバキュームチャックで構成されており、鉛直方向に沿って配置された回転軸２には、モータ等を含む回転駆動機構３からの回転力が与えられるようになっている。
【００２５】
この基板周縁処理装置は、さらに、スピンチャック１に保持されて鉛直軸線１ａまわりに回転されるウエハＷの周縁部（デバイス形成領域のまわりの非デバイス形成領域）の不要物を除去するためのエッチング液を供給するエッチング液供給ノズル４と、ウエハＷの中央領域（デバイス形成領域）をエッチング液から保護するためのエッチング保護液としての純水を供給する純水供給ノズル５とを備えている。エッチング液供給ノズル４には、エッチング液供給源からのエッチング液が、エッチング液供給バルブ６およびエッチング液供給配管７を介して供給されるようになっている。また、純水供給ノズル５には、純水供給源からの純水が純水供給バルブ８を介して供給されるようになっている。
【００２６】
エッチング液供給ノズル４は、ウエハＷの回転の接線方向にほぼ沿った長尺形状を有しており、ノズル駆動機構１０によって、ウエハＷの回転半径方向にほぼ沿った揺動方向１１に沿って揺動されるとともに、その長手方向に沿った往復運動方向１２に沿って直線的に往復移動されるようになっている。揺動方向１１に沿ってエッチング液供給ノズル４を揺動させることにより、エッチング液供給ノズル４をスピンチャック１の側方に退避させたり、ウエハＷの周縁部の上方の処理位置に導いたりすることができる。また、往復運動方向１２にそってエッチング液供給ノズル４を往復移動させることによって、ウエハＷへのエッチング液の供給位置を時間変化させることができる。
【００２７】
ウエハＷの上面の周縁部の不要物を取り除くためのエッチング処理時には、ウエハＷがスピンチャック１に保持された状態で、このスピンチャック１が、たとえば２００〜１０００ｒｐｍ（好ましくは、約３００ｒｐｍ）で回転駆動される。それとともに、エッチング液供給ノズル４がウエハＷの周縁部の上方へと導かれ、さらに、エッチング液供給バルブ６および純水供給バルブ８が開かれる。さらに、ノズル駆動機構１０により、必要に応じて、エッチング液供給ノズル４が往復運動方向１２に沿って往復運動させられる。
【００２８】
図２は、エッチング液供給ノズル４の構成を説明するための部分拡大斜視図である。エッチング液供給ノズル４は、その下部に、ウエハＷと平行で、このウエハＷの周縁部の上面に対向するウエハ対向面４１を有している。このウエハ対向面４１には、エッチング液供給ノズル４の長手方向、すなわちウエハＷの回転の接線方向に沿って、複数個の吐出口４２が、互いに間隔を開けて一列に配列されて形成されている。これらの吐出口４２は、それぞれ、ウエハＷの上面に対して垂直にエッチング液４３を吐出する。その結果、ウエハＷの上面の周縁部には、ウエハＷの周縁部を横切る直線４５上に間隔を開けて一列に配列された複数のエッチング液供給位置４６に向けて、吐出口４２からのエッチング液が供給されることになる。この場合、複数のエッチング液供給位置４６には、ウエハＷの回転中心からの距離が異なるものが含まれることになる。
【００２９】
図３は、エッチング液供給ノズル４の底面図であり、ウエハ対向面４１および吐出口４２、ならびにそれらとウエハＷとの位置関係が示されている。この例では、複数の吐出口４２は、等間隔で一列に形成されている。複数の吐出口４２は、ウエハ対向面４１の長手方向中央位置を通るウエハＷの回転半径４７に対して対称に配置されているため、この回転半径４７に対して対称な位置にある各対の吐出口４２は、ウエハＷの回転中心から等しい距離に位置している。しかし、回転半径４７上およびそのいずれかの側に位置している複数の吐出口４２は、ウエハＷの回転中心からの距離が異なり、また、回転半径４７に対して非対称な位置にある吐出口４２間では、ウエハＷの回転中心からの距離が異なっている。
【００３０】
全ての吐出口４２を回転半径４７に対して互いに非対称な位置になるように配置すれば、全ての吐出口４２に関して、ウエハＷの回転中心からの距離が異なることになる。
また、往復運動方向１２に沿ってエッチング液供給ノズル４を往復運動させれば、回転半径４７とエッチング液供給ノズル４との相対位置関係が変動するから、複数のエッチング液供給位置４６が時間変化し、結果として、ウエハＷの回転中心からそれらまでの距離が時間変化することになる。
【００３１】
図４は、ウエハＷの周縁部における処理の様子を示す図解図である。複数の吐出口４２およびそれらに対応する複数のエッチング液供給位置４６は、ウエハＷの回転中心からの距離が異なっているから、ウエハＷの周縁部には、ウエハＷの回転半径方向に関して異なる位置に向けてエッチング液４３が供給される。これにより、ウエハＷの表面に形成された薄膜５０は、ウエハＷの周縁部において、その回転半径方向の各位置で均一にエッチングされていく。これにより、ウエハＷの周縁部に対するエッチング処理を効率的に行うことができ、その処理時間を短縮できるから、生産性を著しく向上できる。
【００３２】
ウエハＷの中央領域からは、純水供給ノズル５から供給された純水が遠心力によってウエハＷの周縁部へと流れてくるが、ウエハＷの周縁部では、ウエハＷの回転半径方向に関して異なる複数の位置にエッチング液４３が形成されるから、この周縁部に形成されるエッチング液の液膜４８は、均一な濃度を有している。そのため、ウエハＷの中央領域からの純水の影響を大きくうけることなく、ウエハＷの周縁部のエッチング処理を効率的に行える。
【００３３】
エッチング液供給ノズル４の吐出口４２からのエッチング液４３の供給は、ウエハＷに対して垂直に行う必要はなく、図５に示すように、ウエハＷの回転半径方向に対して外側に向かって傾斜した方向に向けて、エッチング液４３を複数の吐出口４２から互いに平行に吐出させるようにしてもよい。
また、必要に応じて、図６（ａ）に示すように、エッチング液供給ノズル４を揺動方向１１に沿って微小幅で揺動させてもよいし、図６（ｂ）に示すように、エッチング液供給ノズル４の長手方向に沿う軸線４ａまわりに所定の角度範囲で往復回動させてもよい。
【００３４】
また、ウエハＷの周縁部に形成されるエッチング液の液膜４８を安定させるために、図７に示すように、エッチング液供給ノズル４のウエハ対向面４１をウエハＷの上面に近接させ、このウエハ対向面４１を液膜４８に接液させるようにしてもよい。すなわち、ウエハ対向面４１をウエハＷの表面から０．３〜３ｍｍの距離に近接配置すればよい。
このような構成では、液膜４８は、ウエハ対向面４１の内側縁４１ａよりもウエハＷの内方の領域に大きく入り込むことができず、エッチング液の液膜４８の存在範囲を精度良く制御できる。その結果、ウエハＷの周縁部におけるエッチング処理幅を精度良く制御することができる。
【００３５】
このように、ウエハ対向面４１を液膜４８に接液させる場合には、図８の底面図に示すように、ウエハ対向面４１の内側縁４１ａを、ウエハＷの周縁部の処理対象領域の内周縁に沿うように、この内周縁よりも若干大きな曲率半径の円弧形状に形成しておくことが好ましい。これにより、エッチング処理幅をより高精度に制御できる。
また、エッチング液は、ウエハＷ上で遠心力を受けて、回転半径方向内方側から外方側へと流されていくから、エッチング液の供給量は、ウエハＷの周縁部において、回転半径方向内方側において少なく、回転半径方向外方側において多くなる。そこで、図９の底面図に示すように、吐出口４２を、ウエハ対向面４１の長手方向中央部付近において密に配置し、両端部付近において粗に配置するようにしてもよい。
【００３６】
また、図１０に示すように、ウエハ対向面４１には、複数個の吐出口４２を設ける代わりに、ウエハ対向面４１の長手方向に沿うスリット状（スロット状）の１つの吐出口４２Ｓを設けるようにしてもよい。この場合にも、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液が供給されることになる。吐出口４２Ｓは、１つである必要はなく、２つ以上の部分に分割されていてもよい。
【００３７】
スリット状吐出口４２Ｓの幅は、その長手方向にほぼ一様であってもよいし、一様でなくてもよい。たとえば、中央部において幅広で、両端部において幅狭に形成されていてもよい。
図１１（ａ）（ｂ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口の他の例を示す底面図である。図１１（ａ）の例では、ウエハＷの回転中心から外れた位置に曲率中心を有する円弧６１に沿って複数の吐出口４２が配置されている。円弧６１は、この例では、ウエハＷの外周縁の半径よりも小さな曲率半径を有している。
【００３８】
一方、図１１（ｂ）の例では、同様な円弧６１に沿って形成された１つのスリット状の吐出口４２Ｓが設けられている。これらの構成でも、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給できる。
図１２（ａ）（ｂ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。図１２（ａ）の例では、ウエハＷの回転中心から外れた位置にそれぞれ曲率中心を有し、ウエハＷの外周縁よりも小さな曲率半径を有する複数本（この例では３本）の円弧６２，６３，６４に沿って、それぞれ複数の吐出口４２が配置されている。図１２（ｂ）の例では、同様な円弧６２，６３，６４にそれぞれ沿って形成された複数本（この実施形態では３本）のスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。これらの構成によっても、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給できる。
【００３９】
この図１２（ａ）（ｂ）の構成では、回転半径方向に対して異なる位置を通る円弧６２，６３，６４に沿って吐出口４２，４２Ｓが設けられているから、円弧６２，６３，６４の曲率中心がウエハＷの回転中心と一致していても、回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。
図１３（ａ）（ｂ）（ｃ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。図１３（ａ）の例は、複数の吐出口４２がウエハ対向面４１に千鳥配列された例である。換言すれば、ウエハＷの回転中心からの距離が異なる複数本（この実施形態では３本）の平行な直線６５，６６，６７に沿って、それぞれ複数個の吐出口４２が配列されていると言える。さらに別の見方をすれば、ウエハＷの回転の接線方向を斜めに横切る複数本（この実施形態では１１本）の直線Ｌ１〜Ｌ１１に沿って、それぞれ複数個の吐出口４２が配列されていると言える。
【００４０】
図１３（ｂ）の例では、上記のような直線６５，６６，６６に沿って複数本（この実施形態では３本）のスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。また、図１３（ｃ）の例では、上記のような直線Ｌ１〜Ｌ１１に沿って、複数本（この実施形態では１１本）のスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。
これらの構成によっても、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給できる。
【００４１】
図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は、ウエハ対向面４１に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。図１４（ａ）の例では、ウエハＷの回転半径方向に沿って複数個の吐出口４２が設けられており、図１４（ｂ）の例では、ウエハＷの回転半径方向に沿うスリット状吐出口４２Ｓが設けられている。これらの構成でも、ウエハＷの回転中心からの距離が異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。
【００４２】
また、図１４（ｃ）に示すように、複数の吐出口４２からなる吐出口列をウエハ対向面４１の長手方向に複数列設けてもよい。また、図１４（ｄ）に示すように、複数の吐出口４２からなる吐出口列を複数列設ける場合に、各吐出口列が、ウエハＷの複数の回転半径方向にそれぞれ沿うように放射状に配置してもよい。
さらに、図１４（ｅ）に示すように、ウエハＷの回転の接線方向に直交する方向に沿う複数本のスリット状吐出口４２Ｓを設けてもよい。また、図１４（ｆ）に示すように、複数本のスリット状吐出口４２Ｓを、ウエハＷの複数の回転半径方向にそれぞれ沿うように、放射状に形成してもよい。
【００４３】
図１５（ａ）（ｂ）は、エッチング液供給ノズル４に代えて用いることができるエッチング液供給ノズル７０の構成を説明するための底面図である。図１５（ａ）のエッチング液供給ノズル７０は、ウエハＷの外径とほぼ等しい外径を有する円環状に形成されており、ウエハＷの上面に平行に対向するウエハ対向面７１には、エッチング液を吐出する複数の吐出口７２が形成されている。複数の吐出口７２は、ウエハＷの回転の接線方向に沿う複数の直線７５，７６，７７，７８，７９，８０上に間隔を開けて形成されており、ウエハＷの周縁部に向けてエッチング液を供給するようになっている。これにより、ウエハＷの周縁部には、回転中心から実質的に距離の異なる位置にエッチング液を供給できる。図１５の例では、複数の直線７５〜８０は、ウエハ対向面７１の外縁に内接する多角形（図１５の例では、正六角形）を形成している。
【００４４】
図１５（ｂ）のエッチング液供給ノズルでは、上記のような直線７５〜８０上にそれぞれスロット状の吐出口７２Ｓが形成されている。この構成の場合にも、ウエハＷの回転中心から実質的に距離の異なる複数の位置において、ウエハＷの周縁部にエッチング液を供給できる。
図１６（ａ）（ｂ）は、エッチング液供給ノズル４に代えて用いることができるさらに他のエッチング液供給ノズル９０の構成を示す底面図である。図１６（ａ）の例では、ウエハＷの上面に平行に対向するウエハ対向面９１には、エッチング液を吐出するための複数の吐出口９２が、楕円周９３に沿って間隔を開けて形成されている。また、図１６（ｂ）の例では、ウエハ対向面９１に、楕円周９３に沿って、複数のスリット状吐出口９２Ｓが形成されている。これらの構成によっても、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置に、エッチング液を供給できる。
【００４５】
なお、図１５（ｂ）および図１６（ｂ）の例では、スリット状吐出口７２Ｓ，９２Ｓが複数個設けられているが、これらを連結して多角形状の１つのスリット状吐出口または楕円形状の１つのスリット状吐出口をウエハ対向面７１，９１に形成することとしてもよい。
図１７は、エッチング液供給ノズル４に代えて用いることができるさらに他のエッチング液供給ノズル９５の底面図である。このエッチング液供給ノズル９５は、ウエハ対向面９６に、ウエハＷの回転中心Ｗａから外れた位置に中心９７ａを有する円周９７上に間隔を開けて配置された複数の吐出口９８を有し、この吐出口９８からウエハＷの周縁部にエッチング液を供給する構成となっている。この構成によっても、ウエハＷの周縁部において、ウエハＷの回転中心からの距離の異なる複数の位置にエッチング液を供給できる。図１７の例では、円周９７の半径は、ウエハＷの外周縁の半径よりも小さく、ウエハＷの周縁部の処理領域の内周縁の半径よりも大きいが、ウエハＷの回転中心Ｗａと円周９７の中心９７ａとがずれているので、この円周９７の半径は、たとえば、ウエハＷの周縁部の処理領域の内周縁の半径と等しくてもよい。
【００４６】
さらに、この図１７の構成を変形してウエハ対向面９６に、円周９７に沿う複数の円弧形状のスリット状吐出口を形成してもよいし、円周９７に沿う１つの円形のスリット状吐出口を形成してもよい。
なお、図１５（ａ）（ｂ）、図１６（ａ）（ｂ）または図１７の構成のエッチング液供給ノズル７０，９０，９５のウエハ対向面７１，９１，９６を、ウエハＷの表面の近傍でエッチング液の液膜に接液させる場合には、ウエハ対向面７１，９１，９６の内側縁７１ａ，９１ａ，９６ａは、ウエハＷの周縁部の処理対象領域（環状の領域）の内周縁よりも若干大きな半径の円周をなすように形成されていることが好ましい。このようにすれば、エッチング処理幅を良好に制御することができる。
【００４７】
図１１〜図１７のいずれの構成においても、複数の吐出口４２，７２，９２，９８またはスリット状吐出口４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓからは、互いに平行な方向にエッチング液が吐出され、その方向は、ウエハＷの表面に対して垂直であるか、または、ウエハＷの回転半径方向外方側に向かうように傾斜した方向とされる。したがって、ウエハＷの周縁部におけるエッチング液供給位置は、吐出口４２，７２，９２，９８，４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓの配置または形状に従う。
【００４８】
むろん、ウエハＷの周縁部においてウエハＷの回転中心からの距離が実質的に異なる複数の位置にエッチング液を供給できる限りにおいて、複数の吐出口４２，７２，９２，９８または複数のスリット状吐出口４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓから吐出されるエッチング液の方向は互いに平行である必要はない。
また、図１〜図１７のいずれの構成においても、間隔を開けて形成された複数の吐出口４２，７２，９２，９８または複数のスリット状吐出口４２Ｓ，７２Ｓ，９２Ｓからのエッチング液がウエハＷの周縁部の表面に到達するエッチング液供給位置は、隣接するもの同士が十分に近接していて、隣接するエッチング液供給位置に供給されたエッチング液が形成する液膜が互いに結合されるようになっている。
【００４９】
以上、この発明のいくつかの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、ウエハＷの中央領域に純水を供給しながらエッチング処理を行っているが、この純水の供給は省かれてもよい。
また、上記の実施形態では、エッチング液供給ノズルと純水供給ノズルとが個別に設けられているが、これらは一体化されていてもよい。
【００５０】
さらに、上記の実施形態では、ウエハＷの下面の中央部を吸着して保持する吸着型のスピンチャック１が用いられているが、ウエハＷの周端面をチャックピンで挟持する構成のメカニカルチャックが用いられてもよい。
また、処理対象の基板は、半導体ウエハに限らず、光ディスク基板、光磁気ディスク基板および磁気ディスク基板などの他の円形基板であってもよいし、液晶表示装置用ガラス基板等の角形の基板であってもよい。
【００５１】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解的に示す斜視図である。
【図２】エッチング液供給ノズルの構成を説明するための部分拡大斜視図である。
【図３】エッチング液供給ノズルの底面図である。
【図４】ウエハの周縁部における処理の様子を示す図解図である。
【図５】ウエハに対して傾斜した方向に沿ってエッチング液を供給する例を示す図解図である。
【図６】エッチング液供給ノズルを揺動または回動させる例を示す図解図である。
【図７】エッチング液供給ノズルのウエハ対向面をウエハ上のエッチング液の液膜に接液させる例を示す図解的な断面図である。
【図８】ウエハ対向面をウエハ上のエッチング液の液膜に接液させる場合に好適なエッチング液供給ノズルの構成例を示す底面図である。
【図９】ウエハ対向面に吐出口を粗密配置した例を示す底面図である。
【図１０】ウエハ対向面にスリット状の吐出口を形成した例を示す底面図である。
【図１１】ウエハ対向面に形成される吐出口の他の例を示す底面図である。
【図１２】ウエハ対向面に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。
【図１３】ウエハ対向面に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。
【図１４】ウエハ対向面に形成される吐出口のさらに他の例を示す底面図である。
【図１５】エッチング液供給ノズルの他の構成例を示す底面図である。
【図１６】エッチング液供給ノズルのさらに他の構成例を示す底面図である。
【図１７】エッチング液供給ノズルのさらに他の構成例を示す底面図である。
【図１８】従来の基板周縁処理装置の問題点を説明するための図解的な断面図である。
【符号の説明】
１ スピンチャック
１ａ 鉛直軸線
２ 回転軸
３ 回転駆動機構
４ エッチング液供給ノズル
５ 純水供給ノズル
６ エッチング液供給バルブ
７ エッチング液供給配管
８ 純水供給バルブ
１０ ノズル駆動機構
１１ 揺動方向
１２ 往復運動方向
４１ ウエハ対向面
４１ａ 内側縁
４２ 吐出口
４２Ｓ スリット状吐出口
４３ エッチング液
４６ エッチング液供給位置
４８ 液膜
５０ 薄膜
７０ エッチング液供給ノズル
７１ ウエハ対向面
７１ａ 内側縁
７２ 吐出口
７２Ｓ スリット状吐出口
９０ エッチング液供給ノズル
９１ ウエハ対向面
９２ 吐出口
９２Ｓ スリット状吐出口
９５ エッチング液供給ノズル
９６ ウエハ対向面
９８ 吐出口
Ｗ ウエハ
Ｗａ 回転中心
Claims (12)
- 基板の周縁部にエッチング液を供給して、当該周縁部の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、
上記基板のほぼ中心をとおり基板表面に対してほぼ直交する回転軸線を中心に基板を回転させる基板回転手段と、
上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給する少なくとも１つの吐出口を有するエッチング液供給手段とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置。 - 上記エッチング液供給手段は、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給する複数の上記吐出口を有していることを特徴とする請求項１記載の基板周縁処理装置。
- 上記エッチング液供給手段は、スリット状に開口した上記吐出口を有していることを特徴とする請求項１または２記載の基板周縁処理装置。
- 上記エッチング液供給手段は、少なくとも１つの上記吐出口が形成されたノズル体を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記ノズル体は、上記基板の表面に対向する基板対向面を有し、この基板対向面に上記吐出口が開口していることを特徴とする請求項４記載の基板周縁処理装置。
- 上記基板対向面は、上記基板の周縁部に供給されたエッチング液に接触し、この基板対向面と上記基板の周縁部との間に液膜を形成するように、上記基板に近接して配置されていることを特徴とする請求項５記載の基板周縁処理装置。
- 上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部においてほぼ直線上に並ぶ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部において、この基板の回転中心から外れた位置に曲率中心を有する円弧上に並ぶ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部において、この基板の回転軸を取り囲んで一周するように並んだ複数の位置に向けてエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記エッチング液供給手段の吐出口は、上記基板の周縁部に対して、この基板に対して垂直な方向または基板外に向かって傾斜した方向に沿ってエッチング液を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
- 上記基板表面において、上記エッチング液供給手段の吐出口からのエッチング液供給位置のうち上記回転軸線に最も近い供給位置よりも内方の位置に向けて、エッチング保護液を供給するエッチング保護液供給手段をさらに含むことを特徴とする基板周縁処理装置。
- 基板の周縁部にエッチング液を供給して、当該周縁部の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、
上記基板のほぼ中心をとおり基板表面に対してほぼ直交する回転軸線を中心に基板を回転させる基板回転工程と、
この基板回転工程中に、上記基板の周縁部において、上記基板の回転軸線からの距離が実質的に異なる複数の位置に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給工程とを含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
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