CN114695210A - 一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法，所述硅片边缘具有切口，所述装置包括：第一驱动器，所述第一驱动器用于使硅片绕中心轴线转动；感测器，所述感测器用于感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置；喷头，所述喷头用于喷射刻蚀液；第二驱动器，所述第二驱动器用于根据所述感测器感测到的位置使所述喷头在所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述喷头与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处。通过应用于上述装置的方法，在刻蚀过程中通过改变喷头的刻蚀路径能够实现对具有切口的硅片的边缘均匀刻蚀。

Description

一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法
技术领域
本发明涉及刻蚀技术领域，尤其涉及一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法。
背景技术
集成电路制造领域中根据不同用途需要制造不同类型的硅片，单晶硅片的加工一般主要包括拉晶、切片、抛光、清洗，对于外延片而言需要额外在清洗工艺后增加外延工艺。掺杂硅片的在外延生长过程必须注意自掺杂现象，重掺成分在高温下会挥发至反应腔室内并参与到外延反应中，从而严重影响外延层的品质、如电阻率等，当重掺硅片用做外延片的衬底时，除以上工艺外还需经过背面密封处理以及边缘刻蚀等工序。
所谓的背面密封处理是指为了防止自掺杂效应的发生而进行的背部掺杂剂防溢出处理，通常采用气相沉积法（Chemical Vapour Deposition，CVD）的方式在硅片背面沉积一层薄膜，通过该薄膜能够有效地阻止掺杂剂向外扩散，即该层薄膜如密封层一样防止掺杂剂在高温下向反应腔室逃逸。现有技术中，通常使用二氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）或多晶硅作为制成背封薄膜的基础材料，其中使用二氧化硅制作的边缘沉积薄膜会影响正面外延层单晶的生长，因此需要通过刻蚀工艺去除距离硅片边缘一定宽度的二氧化硅背面密封膜，防止其对外延工艺正面单晶硅的影响。
刻蚀工艺是微电子IC制造以及微纳制造中相当重要的步骤，刻蚀技术主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种，其主要区别就是在于湿法刻蚀使用溶剂或溶液来进行刻蚀。其中，所谓的湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被背封薄膜掩蔽的部分而达到刻蚀目的，其主要包括三个阶段：溶剂或溶液中的反应物通过扩散到反应物表面，化学反应在表面上进行，然后通过扩散将反应生成物从表面移除。针对上述使用二氧化硅制成的背封薄膜，常使用由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的刻蚀溶液。通过现有技术的湿法刻蚀工艺无法对具有切口的硅片的边缘进行均匀刻蚀而且无法实现对刻蚀宽度的任意调节。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法，在刻蚀过程中通过改变喷头的刻蚀路径实现对具有切口的硅片的边缘的均匀刻蚀，同时通过使得喷头自身移动的构造使得刻蚀宽度能够任意调节。
本发明的技术方案是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种用于硅片边缘刻蚀的装置，所述硅片边缘具有切口，所述用于硅片边缘刻蚀的装置包括：第一驱动器，所述第一驱动器用于使硅片绕中心轴线转动；感测器，所述感测器用于感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置；喷头，所述喷头用于喷射刻蚀液；第二驱动器，所述第二驱动器用于根据所述感测器感测到的位置使所述喷头在所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述喷头与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处；
第二方面，本发明实施例提供了一种用于硅片边缘刻蚀的方法，所述方法包括：竖直地设置硅片，使所述硅片绕中心轴线转动；感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述硅片的外周缘上的位置；喷射刻蚀液；根据感测到的位置使所述刻蚀液的射束在所述硅片的所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述射束与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处；向下吹扫喷射至所述硅片的刻蚀液。
本发明实施例提供了一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法，在刻蚀过程中通过感测器感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置，根据感测器捕获的点的位置第二驱动器驱动喷头作出相应的移动，以使得喷头能够对硅片外周缘上的圆形周缘和切口周缘都作出均匀地刻蚀。同时，通过喷头沿着自身长度的方向作往复运动实现对硅片边缘宽的可调节，满足具有不同刻蚀宽度的刻蚀工艺。
附图说明
图1为使用现有技术中的刻蚀装置对硅片进行刻蚀的刻蚀效果；
图2为本发明实施例提供的一种用于硅片边缘刻蚀的装置的示意图；
图3为本发明实施例提供的一种用于硅片边缘刻蚀的装置的局部示意图；
图4为使用本发明实施例提供的一种用于硅片边缘刻蚀的装置的刻蚀效果；
图5为使用本发明另一实施例提供的一种用于硅片边缘刻蚀的装置的刻蚀效果；
图6为本发明实施例提供的一种用于硅片边缘刻蚀的方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
目前针对硅片边缘沉积薄膜的去除常用方法有刻蚀去除与机械研磨去除等，具体地，边缘刻蚀方法是使用真空吸盘将硅片吸附，通过吸盘胶圈将不需要刻蚀的二氧化硅薄膜隔离，将硅片放置在盛有刻蚀溶液的容器中，使得未被吸盘胶圈密封隔离的二氧化硅薄膜被浸泡在刻蚀液中发生刻蚀反应，随后经清洗、吹干等流程实现边缘刻蚀目的。但是通过上述边缘刻蚀方法能够实现的边缘刻蚀宽度有限，通常为150微米至400微米，参见附图1所示，硅片S边缘具有深度为1.2mm的切口N，边缘刻蚀宽度要求为700微米，在采用上述使用吸盘的边缘刻蚀方法进行边缘刻蚀时，浸泡在刻蚀溶液中的边缘部分便不能够完全的针对切口N进行刻蚀，导致漏刻的现象发生，通常若想要进行大于400微米的刻蚀则需要更换设备，以此使得工艺时间延长，成本提高，难以满足不同规格硅片S的连续生产。
为了针对具有切口的硅片进行均匀地边缘刻蚀，同时对刻蚀边缘的刻蚀宽度进行任意调节避免在切口N出现漏刻的问题，减少因为吸盘大面积吸附硅片导致硅片表面产生接触损伤，本发明实施例提出使用一种针对具有切口的硅片的边缘刻蚀装置10以对具有切口的硅片的边缘进行均匀刻蚀，避免切口漏刻现象的出现影响外延层单晶生长的品质，基于此，参见附图2，其示出了本发明实施提供的一种刻蚀装置10，刻蚀装置10通过喷头4对硅片S边缘喷洒刻蚀液，同时通过对硅片S边缘上的每一点在所述外周缘上的位置的感测以调节喷头4的刻蚀移动路径，使得具有切口N的硅片S边缘获得均匀的刻蚀效果，从而提高外延层单晶生长的品质。
如附图2至3所示，刻蚀装置10的主要组成模块包括：第一驱动器1，所述第一驱动器1用于使硅片S绕中心轴线转动，所述第一驱动器1通过真空吸附或者胶粘的方式使得硅片S以硅片S的中心轴线与第一驱动器1的中心轴线重合的方式连接从而将硅片S固定在第一驱动器1上，第一驱动器1优选为吸盘，通过电机或马达驱动第一驱动器1绕自身中心轴线旋转，继而带动固定至第一驱动器1上的硅片S绕硅片S自身的中心轴线旋转，硅片S通过旋转使得硅片S的整个外周缘能够经过刻蚀装置10，实现对外边缘上的每一点进行刻蚀加工；感测器3，所述感测器3用于感测所述硅片S的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置，所述感测器3安装在刻蚀装置10的底部，用于通过距离传感器或者距离感应器感测所述硅片S的外周缘上的每一个点的位置，硅片S通过旋转使得外周缘上的每一个点依次经过感测器3的感测区域，从而获得每一个点的位置为后续刻蚀装置10的刻蚀过程提供路径规划的基础信息，具体的，所述硅片S除了圆形周缘之外，在外周缘上还具有朝向圆心的扇形切口N，所述感测器3具体作用为感测待刻蚀的硅片S外周缘上的点位于连续的圆形周缘或者是切口周缘；喷头4，所述喷头4用于喷射刻蚀液，所述喷头4沿垂直于所述硅片S的外周缘的方向具有长度L的长边的喷射口，使得通过喷头4喷射至硅片S表面的刻蚀液的有效长度为L，喷头4持续地以刻蚀液喷洒至硅片S上的区域为固定形状的方式向硅片S喷射刻蚀液，从而实现对硅片S边缘的均匀刻蚀；第二驱动器2，所述第二驱动器2用于根据所述感测器3感测到的位置信息使所述喷头4在所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述喷头4与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片S的边缘处，其中，所述第二驱动器2根据所述感测器3所感测到的所述硅片S的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置，计算出喷头4所要喷洒刻蚀液的范围，从而驱动喷头4以其长边与所述圆形周缘上的点垂直的方式喷洒刻蚀液或者驱动喷头4发生旋转、移动使得喷头4的长边与所述切口边缘上的点始终垂直的方式喷洒刻蚀液，具体地，当所述感测器3捕获到的硅片S边缘上的点位于圆形周缘时，所述喷头4保持静止，即所述喷头4的长边垂直于圆形周缘的点，其长边与经过该点的半径重合，当所述感测器3捕获到的硅片S边缘上的点位于切口周缘时，第二驱动器2驱动所述喷头4发生旋转并沿着切口N边缘移动，在喷头4沿着切口N移动的过程中，喷射至硅片S表面的刻蚀液始终与切口周缘垂直，在整个刻蚀过程中，喷头4能够将刻蚀液喷射至硅片S的底部，即喷头4喷射的刻蚀液完全地喷洒至硅片S表面，最终刻蚀效果为长度与喷头4的长边L长度相等的刻蚀宽度。
优选地，所述第一驱动器1竖直地保持所述硅片S，当硅片S绕自身轴线旋转时，喷洒至硅片S表面的刻蚀液在硅片S旋转产生的离心力的作用下沿硅片S半径远离硅片S圆心被甩离硅片S表面，通过上述构型能够保证刻蚀液有效地喷洒至待刻蚀区域而不会发生过刻蚀现象。
通过上述刻蚀装置10，使用第一驱动器1竖直地保持硅片S绕自身中心轴线旋转，使用喷头4以与硅片S的外周缘之间的径向间距保持恒定的方式将刻蚀液喷射至硅片S边缘处的待刻蚀表面，其中，刻蚀液能够被喷射至硅片S的底部，使用感测器3感测硅片S的外周缘上的点的位置以通过第二驱动器2驱动上述喷头4进行第一移动，参见附图4，其示出了通过该装置对硅片S进行刻蚀的最终效果，得到刻蚀宽度为L的刻蚀区域。具体地，当感测器3感测到硅片S圆形周缘上的点时，喷头4保持静止向硅片S喷射刻蚀液，喷头4的长边垂直于圆形周缘，在硅片S旋转的过程中，喷射至硅片S外周缘的刻蚀液形成与硅片S同心的圆环，所述圆环的宽度为L；当感测器3感测到硅片S切口边缘上的点时，第二驱动器2驱动喷头4旋转使得喷头4的长边垂直于切口边缘，同时驱动喷头4沿着切口N的边缘移动，对垂直于切口边缘的距离为L范围内的硅片区域进行刻蚀。
在另一实施例中，为了扩展刻蚀装置10的通用性，即满足对硅片的刻蚀具有不同的刻蚀宽度需求的工艺，所述喷头4将刻蚀液喷射至所述硅片S的主表面的边缘，上述第二驱动器2还用于使所述喷头4进行第二移动以使被刻蚀的边缘的宽度发生变化，其中，所述第二移动为往复运动，以使得喷射至硅片S的刻蚀液的覆盖宽度可以小于所需要的刻蚀宽度。为了通过上述刻蚀装置10实现在硅片S边缘上的刻蚀不同的宽度，第二驱动器2驱动喷头4沿着长度L的方向做往复运动，具体地，当硅片S边缘的待刻蚀宽度为K时，喷头4的长边长度为L，其中L小于K，通过第二驱动器2驱动喷头4做距离为K-L的往复运动以实现宽度为K的刻蚀需求。
在通过上述实施例所公开的刻蚀装置对具有切口N的硅片S的边缘进行刻蚀时，第一驱动器1竖直地保持硅片S绕自身中心轴线旋转，喷头4以与硅片S的外周缘之间的径向间距保持恒定的方式将刻蚀液喷射至硅片S边缘处的待刻蚀表面，其中，刻蚀液能够被喷射至硅片S的底部，感测器3感测硅片S的外周缘上的每一点的位置以通过第二驱动器2驱动上述喷头4进行第一移动和第二移动，其中硅片S边缘待刻蚀宽度为K。参见附图5，其示出了通过该装置对硅片S进行刻蚀的最终效果，其中K-L为喷头4往复运动的移动距离。具体地，当感测器3感测到硅片S圆形周缘上的点时，第二驱动器2驱动喷头4做第二移动，喷头4以沿着长度L的方向做距离为K-L往复运动的方式向硅片S喷射刻蚀液，喷头4的长边垂直于圆形周缘，在硅片S旋转的过程中，喷射至硅片S外周缘的刻蚀液形成与硅片S同心的圆环，所述圆环的宽度为K；当感测器3感测到硅片S切口边缘上的点时，第二驱动器2驱动喷头4旋转使得喷头4的长边垂直于切口边缘同时喷头4以沿着长度L的方向做距离为K-L往复运动的方式向硅片S喷射刻蚀液，喷头4沿着切口N的直边移动，对垂直于切口边缘的距离为K范围内的硅片区域进行刻蚀。
在另一实施例中，所述刻蚀装置10还包括吹扫模块，所述吹扫模块包括多个用于向下吹扫喷射至所述硅片的所述刻蚀液的喷口。通过吹扫模块向硅片表面喷射保护气体以保证经过喷头4喷射至硅片S表面的刻蚀液的形状，其中，吹扫模块的喷口围绕喷头4布置，即经由喷口喷射的保护气体围绕在刻蚀液的射束四周使得喷射至硅片S表面的刻蚀液不会飞溅到硅片S表面不期望的位置，从而发生过刻蚀或其他刻蚀缺陷。整个刻蚀过程中为了防止过刻蚀的发生，吹扫模块经配置为跟随喷头4一起移动。
通过上述刻蚀装置，通过感测器感测硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置，使用第二驱动器驱动喷头做第一移动和第二移动，经过喷头对硅片的外周缘完成不同刻蚀宽度的刻蚀工艺。
参见附图6，其示出了本发明实施例提供的一种用于硅片边缘刻蚀的方法，该方法适用于附图2所示的刻蚀装置10，该刻蚀方法包括以下步骤：
竖直地设置硅片，使所述硅片绕中心轴线转动；
感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述硅片的外周缘上的位置；
喷射刻蚀液；
根据感测到的位置使所述刻蚀液的射束在所述硅片地所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述射束与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处；
向下吹扫喷射至所述硅片的刻蚀液。
为了增强设备面对具有不同刻蚀宽度需求的通用性，使得该刻蚀装置能够实现不同宽度的刻蚀，本发明还提出：所述刻蚀液被喷射至所述硅片的主表面的边缘，所述方法还包括使所述射束在所述硅片上进行第二移动以使被刻蚀的边缘的宽度发生变化，所述第二移动为垂直于所述外周缘往复运动。
因此，本发明提供了一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法，通过感测器感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置，控制喷头作出相应的移动，通过不同的喷头移动路径实现对边缘具有切口的硅片的边缘刻蚀，解决了边缘刻蚀不均匀以及刻蚀宽度不能够任意调节的技术问题，同时通过吹扫模块以及将硅片竖直地设置产生的离心力避免了过刻蚀现象的发生，相比较于现有技术还减少了对硅片表面的损伤。
需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种用于硅片边缘刻蚀的装置，所述硅片边缘具有切口，其特征在于，所述用于硅片边缘刻蚀的装置包括：
第一驱动器，所述第一驱动器用于使硅片绕中心轴线转动；
感测器，所述感测器用于感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置；
喷头，所述喷头用于喷射刻蚀液；
第二驱动器，所述第二驱动器用于根据所述感测器感测到的位置使所述喷头在所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述喷头与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处。
2.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述喷头将刻蚀液喷射至所述硅片的主表面的边缘，所述第二驱动器还用于使所述喷头进行第二移动以使被刻蚀的边缘的宽度发生变化。
3.根据权利要求2所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述第二移动为垂直于所述外周缘的往复运动，以使得所述喷头的长度能够小于所需要的刻蚀宽度。
4.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述硅片竖直地设置，所述喷头将所述刻蚀液喷射至所述硅片的底部。
5.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述第一驱动器包括吸盘，所述吸盘通过胶粘或真空吸附的方式与所述硅片连结使所述硅片绕中心轴线转动。
6.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述装置还包括吹扫模块，所述吹扫模块包括多个用于向下吹扫喷射至所述硅片的所述刻蚀液的喷口。
7.根据权利要求6所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述喷口经设置成以垂直于所述硅片表面的方式向所述硅片喷射氮气或惰性气体。
8.根据权利要求6所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述吹扫模块跟随所述喷头一起移动。
9.一种用于硅片边缘刻蚀的方法，所述方法应用于根据权利要求1-8任一所述的用于硅片边缘刻蚀的装置，其特征在于，所述方法包括：
竖直地设置硅片，使所述硅片绕中心轴线转动；
感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述硅片的外周缘上的位置；
喷射刻蚀液；
根据感测到的位置使所述刻蚀液的射束在所述硅片的所述边缘上进行第一移动，以使所述刻蚀液以所述射束与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处；
向下吹扫喷射至所述硅片的所述刻蚀液。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液被喷射至所述硅片的主表面的边缘，所述方法还包括使所述射束在所述硅片上进行第二移动以使被刻蚀的边缘的宽度发生变化，所述第二移动为垂直于所述外周缘往复运动。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115889293A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 西安奕斯伟材料科技有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118824A (ja) * 1999-08-10 2001-04-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2003086567A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2003197600A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2004079908A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2004235607A (ja) * 2002-12-04 2004-08-19 Sekisui Chem Co Ltd ウェハー外縁の常圧プラズマ処理装置及びエッチング等の処理方法
US20080035610A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Katsuhiko Miya Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101256955A (zh) * 2007-03-01 2008-09-03 胜高股份有限公司 晶片的单片式蚀刻装置
US20090181546A1 (en) * 2007-03-30 2009-07-16 Takeo Katoh Single-Wafer Etching Method for Wafer and Etching Apparatus Thereof
WO2012004147A1 (de) * 2010-07-06 2012-01-12 Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer randstruktur eines halbleiterbauelements
JP2014038949A (ja) * 2012-08-17 2014-02-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、および基板処理方法
CN104183524A (zh) * 2014-08-27 2014-12-03 上海华力微电子有限公司 一种晶圆边缘的刻蚀装置
CN105448775A (zh) * 2014-09-29 2016-03-30 盛美半导体设备（上海）有限公司 双面气相刻蚀装置
CN106033713A (zh) * 2015-03-10 2016-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种区域隔离装置、区域隔离系统和刻蚀方法
CN207637755U (zh) * 2017-10-18 2018-07-20 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台
CN109904095A (zh) * 2019-01-29 2019-06-18 长江存储科技有限责任公司 一种湿法刻蚀设备及方法
CN111048452A (zh) * 2020-01-03 2020-04-21 长江存储科技有限责任公司 晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法
CN111341704A (zh) * 2020-05-20 2020-06-26 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法
CN111403323A (zh) * 2020-04-27 2020-07-10 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置
JP2021039959A (ja) * 2019-08-30 2021-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN113547206A (zh) * 2021-07-13 2021-10-26 深圳铭创智能装备有限公司 一种激光刻蚀装置、方法及系统
CN216542412U (zh) * 2021-12-29 2022-05-17 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片边缘抛光装置
CN114551204A (zh) * 2020-11-25 2022-05-27 中国科学院微电子研究所 一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009036218A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Ehd Technology Group, Inc. Apparatus and method for cleaning wafer edge using energetic particle beams
US9837254B2 (en) * 2014-08-12 2017-12-05 Lam Research Corporation Differentially pumped reactive gas injector

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118824A (ja) * 1999-08-10 2001-04-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2003086567A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2003197600A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2004079908A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2004235607A (ja) * 2002-12-04 2004-08-19 Sekisui Chem Co Ltd ウェハー外縁の常圧プラズマ処理装置及びエッチング等の処理方法
US20080035610A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Katsuhiko Miya Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101256955A (zh) * 2007-03-01 2008-09-03 胜高股份有限公司 晶片的单片式蚀刻装置
US20090181546A1 (en) * 2007-03-30 2009-07-16 Takeo Katoh Single-Wafer Etching Method for Wafer and Etching Apparatus Thereof
WO2012004147A1 (de) * 2010-07-06 2012-01-12 Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer randstruktur eines halbleiterbauelements
JP2014038949A (ja) * 2012-08-17 2014-02-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、および基板処理方法
CN104183524A (zh) * 2014-08-27 2014-12-03 上海华力微电子有限公司 一种晶圆边缘的刻蚀装置
CN105448775A (zh) * 2014-09-29 2016-03-30 盛美半导体设备（上海）有限公司 双面气相刻蚀装置
CN106033713A (zh) * 2015-03-10 2016-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种区域隔离装置、区域隔离系统和刻蚀方法
CN207637755U (zh) * 2017-10-18 2018-07-20 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台
CN109904095A (zh) * 2019-01-29 2019-06-18 长江存储科技有限责任公司 一种湿法刻蚀设备及方法
JP2021039959A (ja) * 2019-08-30 2021-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN111048452A (zh) * 2020-01-03 2020-04-21 长江存储科技有限责任公司 晶边刻蚀设备及晶边刻蚀方法
CN111403323A (zh) * 2020-04-27 2020-07-10 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置
CN111341704A (zh) * 2020-05-20 2020-06-26 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法
CN114551204A (zh) * 2020-11-25 2022-05-27 中国科学院微电子研究所 一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法
CN113547206A (zh) * 2021-07-13 2021-10-26 深圳铭创智能装备有限公司 一种激光刻蚀装置、方法及系统
CN216542412U (zh) * 2021-12-29 2022-05-17 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片边缘抛光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115889293A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 西安奕斯伟材料科技有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备
CN115889293B (zh) * 2022-11-08 2024-04-16 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备

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