CN217768298U - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及基板处理装置，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。

Description

基板处理装置
技术领域
本公开涉及基板处理装置。
背景技术
专利文献1公开了一种基板处理装置，该基板处理装置一边使被保持于基板保持单元的基板绕铅垂轴线旋转，一边对基板的下表面实施洗净、干燥处理。该装置包含：基座构件，其与被保持于基板保持单元的基板的下表面相对配置；气体喷出口，其向基座构件和基板的下表面之间的空间喷出气体；以及阻断构件，其设为覆盖气体喷出口的上方。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10－135178号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开对能够提高蚀刻处理的面内均匀性的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。
用于解决问题的方案
基板处理装置的一例具有：支承部，该支承部构成为支承基板；基座构件，该基座构件设置有贯通孔，构成为与被支承部支承着的基板的下表面分离开并且与该下表面相对；旋转部，该旋转部构成为使基座构件和支承部旋转；化学溶液供给部，该化学溶液供给部构成为向被支承部支承着的基板的上表面供给蚀刻液；气体供给部；以及气体整流部，该气体整流部构成为对自气体供给部供给的气体进行整流，并将整流后的气体向被支承部支承着的基板的下表面和基座构件之间的空间排出。气体整流部包含：棒状构件，该棒状构件沿上下方向延伸，包含与被支承部支承着的基板的下表面相对并且配置于贯通孔内的顶端部；以及环状的整流构件，该整流构件配置为包围顶端部。顶端部包含环状的折回部，该折回部以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面。整流构件包含：环状的底壁部，该底壁部配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；环状的突出部，该突出部以上端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部向上方延伸；环状的水平整流部，该水平整流部在较折回部靠外侧的位置且是底壁部的上方处，以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，该柱部连接水平整流部和底壁部，沿顶端部的周向排列。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述折回部和所述水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm～10mm。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述整流构件还包含环状的盖部，该盖部以位于所述折回部和所述水平整流部之间的方式设于所述折回部和所述水平整流部中的一者。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述贯通孔设于所述基座构件的中央部，所述底壁部的外周缘与所述贯通孔连接。
对于上述基板处理装置，也可以是，在自所述整流构件的旋转轴线方向观察时，所述多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。
对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置还具有控制部，所述化学溶液供给部包含：喷嘴，该喷嘴构成为喷出所述蚀刻液；以及驱动部，该驱动部构成为在被所述支承部支承着的所述基板的上方使所述喷嘴沿水平方向移动，所述控制部构成为控制所述驱动部和所述气体供给部来执行如下处理：根据所述蚀刻液向所述基板喷出的喷出位置，调节自所述气体供给部供给的气体的供给量，以使自所述喷嘴向所述基板的中央部喷出所述蚀刻液时的向所述气体整流部供给的气体的供给量较自所述喷嘴向所述基板的外周部喷出所述蚀刻液时的向所述气体整流部供给的气体的供给量少。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述中央部的距所述基板的中心的半径为60mm～90mm的范围。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述控制部构成为控制所述驱动部来执行如下处理：使所述喷嘴进行往复移动，从而向所述基板的中心附近和所述基板的周缘部之间供给所述蚀刻液。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述控制部构成为控制所述驱动部来执行如下处理：使自所述喷嘴向所述基板的中央部喷出所述蚀刻液时的所述喷嘴的移动速度为150mm/sec以下。
对于上述基板处理装置，也可以是，所述控制部构成为控制所述气体供给部来执行如下处理：根据所述基板的转速，调节向所述气体整流部供给的气体的供给量。
实用新型的效果
利用本公开的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
附图说明
图1是示意性地表示基板处理装置的一例的图。
图2是将气体整流部的一例的附近放大表示的剖视图。
图3是将整流构件的一例沿图2的III－III线剖切表示的剖视图。
图4是表示基板处理装置的主要部分的一例的框图。
图5是表示控制器的硬件结构的一例的概略图。
图6是用于说明基板处理的一例的流程图。
图7是将整流构件的其他例沿水平面剖切表示的剖视图。
图8是将气体整流部的其他例的附近放大表示的剖视图。
具体实施方式
在以下的说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复说明。此外，在本说明书中当提到附图的上、下、左、右时，以图中的附图标记的方向为基准。
[基板处理装置]
首先，参照图1～图3，对基板处理装置1的一例的结构进行说明。例如，基板处理装置1构成为通过向基板W的上表面Wa供给处理液L，对形成于基板W的上表面Wa的膜F进行蚀刻处理。膜F也可以由例如氮化钛、氧化钛、钛、钨、钽、氮化钽、铝、氧化铝、铜、钌、氧化锆、氧化铪等金属膜构成。
基板W可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。基板W也可以具有局部被切除而得到的缺口部。例如，缺口部可以是槽口(U字形、V字形等的槽)，也可以是以直线状延伸的直线部(所谓的定位平面)。例如，基板W可以是半导体基板(硅晶圆)、玻璃基板、掩膜基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)基板以及其他各种基板。基板W的直径可以为例如200mm～450mm左右。
如图1所示，基板处理装置1包含：旋转保持部10、气体整流部20、化学溶液供给部30、冲洗液供给部40、气体供给部50以及控制器Ctr(控制部)。
旋转保持部10包含旋转轴11(旋转部)、驱动机构12(旋转部)、基座构件13、多个支承销14(支承部)以及多个把持机构15(支承部)。旋转轴11是沿铅垂方向延伸的中空的管状构件。旋转轴11构成为能够绕中心轴线Ax旋转。驱动机构12连接于旋转轴11。驱动机构12构成为基于来自控制器Ctr的工作信号而工作，从而使旋转轴11旋转。例如，驱动机构12也可以是电动马达等动力源。
例如，基座构件13是呈圆环状的平板，沿水平延伸。即，在基座构件13的中央部形成有贯通孔13a。基座构件13的内周部与旋转轴11的顶端部连接。因此，基座构件13构成为伴随旋转轴11的旋转而绕旋转轴11的中心轴线Ax旋转。
多个支承销14以自基座构件13的上表面朝向上方突出的方式设于基座构件13。多个支承销14的数量可以为例如3～6个左右。多个支承销14构成为通过其顶端与基板W的下表面Wb抵接而将基板W支承为大致水平。例如，多个支承销14可以呈圆柱形状，也可以呈棱台状。多个支承销14也可以在基座构件13的外周部的附近，以自上方观察整体呈圆形形状的方式大致等间隔地配置。
多个把持机构15以自基座构件13朝向上方突出的方式设于基座构件13。例如，多个把持机构15的数量也可以是3个左右。多个把持机构15是所谓的机械卡盘，构成为能够把持基板W的周缘部。多个把持机构15也可以在基座构件13的外周部的附近，以自上方观察整体呈圆形形状的方式大致等间隔地配置。
基板W在被支承销14和把持机构15支承着的状态下，基板W自基座构件13分离开并且被保持于基座构件13的上方。即，基板W在被支承销14和把持机构15支承着的状态下，基板W的下表面Wb与基座构件13相对。
另外，如上所述，多个支承销14和多个把持机构15设于基座构件13，基座构件13连接于旋转轴11。因此，当驱动机构12对旋转轴11进行旋转驱动时，基座构件13、多个支承销14以及多个把持机构15旋转。因此，若在基板W由多个支承销14支承并且由多个把持机构15把持的状态下使驱动机构12对旋转轴11进行旋转驱动，则基板W也与基座构件13等一起旋转。
气体整流部20构成为对自气体供给部50供给的气体进行整流，将整流后的气体向被支承销14和把持机构15支承着的基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V排出。如图1和图2所示，气体整流部20包含棒状构件100和整流构件200。
棒状构件100在其与旋转轴11以及贯通孔13a分离开的状态下，在旋转轴11内和贯通孔13a内沿上下方向(铅垂方向)延伸。因此，具体如图2所示，在棒状构件100的外周面和旋转轴11的内周面之间形成有间隙D。例如，棒状构件100可以呈圆柱状，也可以呈圆筒状。在棒状构件100呈圆筒状的情况下，也可以自棒状构件100朝向基板W的下表面Wb供给冲洗液、气体等。
棒状构件100包含顶端部101，该顶端部101被配置于贯通孔13a内并与被支承销14和把持机构15支承着的基板W的下表面Wb相对。顶端部101的上端也可以位于较基座构件13靠上方的位置。在顶端部101的外周面设有呈环状(例如圆环状)的折回部102。
折回部102在自顶端部101的外周面朝向外侧突出后朝向下方延伸。因此，折回部102的截面呈大致J字状。利用顶端部101和折回部102的组合，构成上方封闭且朝向下方开放的环状的有底凹部。
整流构件200整体呈环状(例如圆环状)，配置为包围顶端部101。在图2的例子中，整流构件200与棒状构件100(顶端部101)设为独立的。如图2和图3所示，整流构件200包含：底壁部201、突出部202、水平整流部203以及多个柱部204。
底壁部201是沿水平方向延伸的板状体，呈在中央部设有贯通孔的环状(例如圆环状)。底壁部201的内周缘自顶端部101的外周面分离开。底壁部201的外周缘安装于基座构件13的贯通孔13a。因此，底壁部201配置于顶端部101和基座构件13之间。
突出部202是自底壁部201的内周部(内周缘的附近)向上方延伸的筒状体。因此，突出部202呈环状(例如圆筒状)。突出部202的顶端部(上端部)位于顶端部101的外周面和折回部102的内周面之间的空间(有底凹部)内。因此，利用顶端部101、折回部102、底壁部201以及突出部202形成与间隙D连通的流路FL。流路FL自间隙D朝向上方延伸后(参照图2的箭头Ar1)，反转大致180°而朝向下方(参照图2的箭头Ar2)，再朝向底壁部201和折回部102之间的间隙改变前进路线大致90°(参照图2的箭头Ar3)。
水平整流部203是在底壁部201的上方以与底壁部201分离开的状态沿水平方向延伸的板状体，呈在中央部设有贯通孔的环状(例如圆环状)。水平整流部203在水平方向上位于较折回部102靠外侧的位置。因此，在水平整流部203和折回部102之间，形成朝向上方开放的环状的开口部OP。因此，自流路FL排出的气体(参照图2的箭头Ar3)的一部分在该开口部OP形成涡流(参照图2的箭头Ar4)。水平整流部203和折回部102的分开距离例如可以是2mm～10mm左右，也可以是4mm～8mm左右。
多个柱部204以连接底壁部201和水平整流部203的方式沿上下方向(铅垂方向)延伸。多个柱部204的数量例如可以是3～12个左右。多个柱部204可以沿顶端部101的周向排列。该情况下，利用底壁部201、水平整流部203以及多个柱部204形成被这些包围的多个贯通孔204a。自流路FL排出的气体(参照图2的箭头Ar3)之中的其他一部分(未形成涡流的部分)穿过多个贯通孔204a沿水平方向向基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V排出(参照图2的箭头Ar5)。
例如，多个柱部204可以呈棱柱形状，也可以呈圆柱形状，也可以呈棱台状，也可以呈在上下方向上的中央部凹陷的形状。多个柱部204也可以在基座构件13的外周部的附近，以自上方观察整体呈圆形形状的方式大致等间隔地配置。
化学溶液供给部30构成为向基板W供给蚀刻液L1。蚀刻液L1例如也可以含有用于去除基板W的上表面Wa的膜F的碱性或者酸性的化学溶液。碱性的化学溶液例如也可以含有SC－1液(铵、过氧化氢以及纯水的混合液)等。酸性的化学溶液例如也可以含有SC―2液(盐酸、过氧化氢水溶液以及纯水的混合液)、SPM(硫酸以及过氧化氢水溶液的混合液)、HF/HNO3液(氢氟酸以及硝酸的混合液)等。
化学溶液供给部30包含：液源31、泵32、阀33、喷嘴34、配管35以及驱动源36(驱动部)。液源31是蚀刻液L1的供给源。泵32构成为基于自控制器Ctr的工作信号进行工作，将自液源31抽吸的蚀刻液L1经由配管35和阀33向喷嘴34送出。
阀33构成为基于自控制器Ctr的工作信号进行工作，在容许配管35的流体的流通的开状态和阻碍配管35的流体的流通的闭状态之间转变。喷嘴34以喷出口朝向基板W的上表面Wa的方式配置于基板W的上方。喷嘴34构成为将自泵32送出的蚀刻液L1自喷出口朝向基板W的上表面Wa喷出。
配管35自上游侧依次连接液源31、泵32、阀33以及喷嘴34。驱动源36直接地或间接地连接于喷嘴34。驱动源36构成为基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作，在基板W的上方使喷嘴34沿水平方向或铅垂方向移动。
冲洗液供给部40构成为向基板W供给冲洗液L2。冲洗液L2例如为用于自基板W去除(冲洗)供给到基板W的上表面Wa的蚀刻液L1、由蚀刻液L1导致的膜F溶解的溶解成分等的液体。冲洗液L2例如也可以含有纯水(DIW：deionized water)、臭氧水、碳酸水(CO2水)、铵水等。
冲洗液供给部40包含：液源41、泵42、阀43、喷嘴44、配管45以及驱动源46。液源41是冲洗液L2的供给源。泵42构成为基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作，将自液源41抽吸的冲洗液L2经由配管45和阀43向喷嘴44送出。
阀43构成为基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作，以在容许配管45的流体的流通的开状态和阻碍配管45的流体的流通的闭状态之间转变。喷嘴44以喷出口朝向基板W的上表面Wa的方式配置于基板W的上方。喷嘴44与喷嘴34同样地构成为将自泵42送出的冲洗液L2自喷出口朝向基板W的上表面Wa喷出。
配管45自上游侧依次连接液源41、泵42、阀43以及喷嘴44。驱动源46直接地或间接地连接于喷嘴44。驱动源46构成为基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作，在基板W的上方使喷嘴44沿水平方向或铅垂方向移动。
气体供给部50包含：气体源51、流量调节部52以及配管53。气体源51储存非活性气体(例如氮气气体)、干燥空气等，作为气体的供给源发挥功能。流量调节部52设于自气体源51延伸至间隙D的配管53。流量调节部52构成为基于来自控制器Ctr的工作信号进行工作，从而进行该配管53的开闭以及开度调节。
如图4所示，控制器Ctr具有读取部M1、存储部M2、处理部M3以及指示部M4作为功能模块。这些功能模块仅为了方便将控制器Ctr的功能划分为多个模块，并不意味着构成控制器Ctr的硬件必须划分成像这样的模块。各功能模块不限于利用程序的执行来实现，也可以利用专用的电路(例如逻辑电路)，或将该专用电路集成后的集成电路(ASIC：ApplicationSpecific Integrated Circuit)来实现。
读取部M1构成为用于自计算机可读取的存储介质RM读取程序。存储介质RM存储有用于使基板处理装置1的各部工作的程序。作为存储介质RM，例如可以是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、磁光记录盘。此外，在下述，基板处理装置1的各部能包含旋转保持部10、化学溶液供给部30、冲洗液供给部40以及气体供给部50等。
存储部M2构成为用于存储各种数据。例如，存储部M2也可以存储由读取部M1自存储介质RM读取出的程序、由操作者借助外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。
处理部M3构成为用于处理各种数据。处理部M3也可以构成为例如基于被存储于存储部M2的各种数据，生成用于使基板处理装置1的各部工作的工作信号。
指示部M4构成为用于将在处理部M3生成的工作信号向基板处理装置1的各部发送。
控制器Ctr的硬件也可以由例如一个或多个控制用的计算机构成。如图5所示，作为硬件上的结构，控制器Ctr可以包含电路C1。电路C1也可以由电路元件(circuitry)构成。电路C1例如也可以包含处理器C2、存储器C3、存储装置C4、驱动器C5、输入输出端口C6。
处理器C2也可以构成为通过与存储器C3和存储装置C4中的至少一者协作执行程序，并执行经过了输入输出端口C6的信号的输入输出，来实现上述各功能模块。存储器C3以及存储装置C4也可以作为存储部M2发挥功能。驱动器C5也可以是构成为分别驱动基板处理装置1的各部的电路。输入输出端口C6也可以构成为在驱动器C5和基板处理装置1的各部之间传递信号的输入输出。
基板处理装置1可以具有一个控制器Ctr，也可以具有由多个控制器Ctr构成的控制器组(控制部)。在基板处理装置1具有控制器组的情况下，各上述功能模块可以由一个控制器Ctr实现，也可以由2个以上的控制器Ctr的组合来实现。在控制器Ctr由多个计算机(电路C1)构成的情况下，各上述功能模块可以由一个计算机(电路C1)实现，也可以由2个以上的计算机(电路C1)的组合来实现。控制器Ctr也可以具有多个处理器C2。在该情况下，各上述功能模块可以由一个处理器C2实现，也可以由两个以上的处理器C2的组合来实现。
[基板处理方法]
接下来，参照图6，说明利用基板处理装置1对形成于基板W的上表面Wa的膜F进行蚀刻处理的方法(基板处理方法)。
首先，利用未图示的输送机构将基板W载置于支承销14上。在该状态下，控制器Ctr控制把持机构15，使把持机构15把持基板W的周缘部。由此，基板W被支承销14和把持机构15支承(参照图6的步骤S11)。
接下来，控制器Ctr控制驱动机构12使旋转轴11以规定的转速旋转。此时，基板也与旋转轴11、基座构件13、支承销14以及把持机构15一起旋转(参照图6的步骤S12)。
接下来，控制器Ctr控制化学溶液供给部30朝向旋转中的基板W的上表面Wa供给蚀刻液L1(参照图6的步骤S13)。由此，蚀刻液L1由于离心力沿着上表面Wa朝向基板W的外周缘流动，之后自基板W的外周缘向外侧甩落。其结果为，形成于基板W的上表面Wa的膜F的蚀刻处理进展。
在供给蚀刻液L1时，控制器Ctr也控制气体供给部50，从而经过间隙D和流路FL而自气体整流部20(整流构件200)向基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V供给气体。此时，如图2所示，当气体自间隙D向流路FL流入时(参照图2的箭头Ar1)，反转大致180°(参照图2的箭头Ar2)，进而改变方向大致90°地流动(参照图2的箭头Ar3)。在这之后，一部分气体在开口部OP形成涡流(参照图2的箭头Ar4)。另一方面，其他的一部分气体穿过多个贯通孔204a朝向基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V沿水平方向被排出(参照图2的箭头Ar5)，而流动至基板W的外周缘。
接下来，控制器Ctr控制冲洗液供给部40而朝向旋转中的基板W的上表面Wa供给冲洗液L2(参照图6的步骤S14)。由此，冲洗液L2由于离心力沿着上表面Wa朝向基板W的外周缘流动，之后自基板W的外周缘向外侧甩落。其结果为，蚀刻液L1、膜F的溶解物被自基板W的上表面Wa冲洗。此时，控制器Ctr也可以控制气体供给部50而自气体整流部20(整流构件200)向空间V供给气体。
接下来，控制器Ctr控制驱动机构12而维持基板W的旋转。由此，冲洗液L2自基板W甩落，从而进行基板W的干燥(参照图6的步骤S15)。利用以上步骤，基板W的处理完成。此外，为了抑制水斑等的发生，也可以在向基板W供给冲洗液L2之后，向基板W的上表面Wa供给有机溶剂(例如，异丙醇等)，在这之后进行基板W的干燥。
[作用]
根据以上的例子，气体中的上述其他一部分穿过多个贯通孔204a，朝向基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V沿水平方向被排出(参照图2的箭头Ar5)。即，气体中的上述其他一部分通过多次改变方向，变为易于主要沿水平方向流动。由此，气体难以朝向基板W的下表面Wb，因此，基板W变得难以被气体局部冷却。其结果为，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
根据以上的例子，气体的上述一部分在开口部OP形成涡流。由此，即使在基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V之中的、处于整流构件200的上方的部分也有气体流动，因此会向空间V的大范围供给气体。因此，能够一边抑制异物附着于基板W的下表面Wb、蚀刻液向基板W的下表面Wb迂回，一边提高蚀刻处理的面内均匀性。
根据以上的例子，折回部102和水平整流部203的水平方向上的分开距离能够设定为2mm～10mm左右。在该分开距离为2mm以上的情况下，气体变得难以自开口部OP向上方喷出，存在易于在开口部OP形成气体的涡流的倾向。在该分开距离为10mm以下的情况下，存在在开口部OP形成的气体的涡流的直径难以扩大，能够抑制由涡流导致基板W的局部的冷却的倾向。
根据以上的例子，贯通孔13a设于基座构件13的中央部，底壁部201的外周缘与贯通孔13a连接。因此，整流构件200与基座构件13、支承销14、把持机构15以及基板W一起旋转。即，整流构件200成为相对于基板W相对静止的状态。因此，自气体整流部20向基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V吹送的气体在基板W的下表面Wb变得易于呈放射状流动。因此，能够进一步抑制异物附着于基板W的下表面Wb。
[变形例]
应该认为，本说明书所公开的内容在所有方面均为例示而并非限制性的。在不脱离权利要求书及其主旨的范围内，可以对以上的例子进行各种省略，置换，变更等。
(1)贯通孔13a也可以设于相对于基座构件13的中央部偏心的位置。
(2)也可以是底壁部201的外周部不与贯通孔13a连接，而是底壁部201的内周部与棒状构件100连接。即，整流构件200也可以不旋转。
(3)如图7所示，也可以是在自整流构件200的旋转轴线方向观察时，多个柱部204相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。该情况下，利用多个柱部204对气体整流，使气体变得易于向基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V排出。因此，能够进一步抑制异物附着于基板W的下表面Wb。此外，如图7所示的例子那样，柱部204可以呈翼形，也可以呈平板状。换言之，整流构件200可以是与多叶片风扇类似的构造，也可以是与涡轮风扇类似的构造。
(4)如图8所示，整流构件200还可以含有以位于折回部102和水平整流部203之间的方式设于他们中的一者的环状盖部205。该情况下，能够利用盖部205调节开口部OP的大小。即，能够调节在开口部OP形成的涡流的直径。此外，盖部205可以构成为能够相对于折回部102和水平整流部203中的一者能够安装和卸载，也可以构成为相对于折回部102和水平整流部203中的一者固定。
(5)在图6的步骤S13中，也可以是，通过使控制器Ctr控制气体供给部50，根据蚀刻液L1向基板W喷出的喷出位置来调节自气体供给部50供给的气体的供给量。具体来讲，也可以控制驱动源36和气体供给部50，以使自喷嘴34向基板W的中央部喷出蚀刻液L1时的自气体供给部50供给的气体的供给量较自喷嘴34向基板W的外周部喷出蚀刻液L1时的自气体供给部50供给的气体的供给量少。在该情况下，基板W的中央部被蚀刻时的气体的供给量相对较少，因此，蚀刻处理的进展程度在基板W的中央附近和外周部处接近。因此，能够进一步提高蚀刻处理的面内均匀性。此外，基板W的“中央部”的距基板W的中心的半径例如也可以是60mm～90mm的范围。
(6)在图6的步骤S13中，也可以是，通过使控制器Ctr控制化学溶液供给部30，从而一边使喷嘴34往复移动，一边向基板W的中心附近和基板的周缘部之间供给蚀刻液L1。在该情况下，蚀刻液L1变得易于向整个基板均匀地供给。因此，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
(7)在图6的步骤S13中，也可以是，通过使控制器Ctr控制化学溶液供给部30，将自喷嘴34向基板W的中央部喷出蚀刻液L1时的喷嘴34的移动速度设定为150mm/sec以下。该情况下，与一般的处理制程相比较，基板W的中央部被蚀刻时的喷嘴34的移动速度相对较小，因此基板W的中央部被进行较长时间的蚀刻处理。因此，蚀刻处理的进展程度在基板W的中央近傍和外周部处接近。因此，能够进一步提高蚀刻处理的面内均匀性。
(8)在图6的步骤S13中，也可以是，通过使控制器Ctr控制气体供给部50，根据基板W的转速调节向气体整流部20供给的气体的供给量。在该情况下设定为，例如，基板W的转速越小，向气体整流部20供给的气体的供给量越小。在基板W的转速较小的情况下，产生于基板W的下表面Wb和基座构件13之间的空间V的负压变小，异物难以被向空间V内抽吸，因此，存在即使气体向气体整流部20供给的供给量较小，也会抑制异物附着于基板W的下表面Wb的倾向。而且，在气体向气体整流部20供给的供给量较小的情况下，基板W难以被气体冷却。因此，也存在提高蚀刻处理的面内均匀性的倾向。例如，在基板W的转速为250rpm左右的情况下，气体向气体整流部20供给的供给量可以是20m/min左右。在基板W的转速为1000rpm左右的情况下，气体向气体整流部20供给的供给量也可以是40m/min左右。即，基板W的转速和气体的供给量可以呈指数函数的对应关系。
[其他例]
例1.基板处理装置的一例具有：支承部，该支承部构成为支承在上表面形成有膜的基板；基座构件，该基座构件设置有贯通孔，构成为与被支承部支承着的基板的下表面分离开并且与该下表面相对；旋转部，该旋转部构成为使基座构件和支承部旋转；化学溶液供给部，该化学溶液供给部构成为向被支承部支承着的基板的上表面供给蚀刻液；气体供给部；以及气体整流部，该气体整流部构成为对自气体供给部供给的气体进行整流，并将整流后的气体向被支承部支承着的基板的下表面和基座构件之间的空间排出。气体整流部包含：棒状构件，该棒状构件沿上下方向延伸，包含与被支承部支承着的基板的下表面相对并且配置于贯通孔内的顶端部；以及环状的整流构件，该整流构件配置为包围顶端部。顶端部包含环状的折回部，该折回部以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面。整流构件包含：环状的底壁部，该底壁部配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；环状的突出部，该突出部以其上端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部向上方延伸；环状的水平整流部，该水平整流部在较折回部靠外侧的位置且是底壁部的上方处，以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，该柱部连接水平整流部和底壁部，沿顶端部的周向排列。
另外，在蚀刻处理时，有时为了抑制异物附着于基板的下表面、蚀刻液自基板的周缘迂回而附着于下表面，而向基板的下表面和基座构件之间的空间供给气体。此时，在不具备上述整流构件的状态下，向基板的下表面和基座构件之间的空间供给气体时，存在由于例如装置的机械加工的精度等原因而在基板的下表面产生气流偏向一方的情况。能够想到的是，在该状态下，向基板的上表面供给蚀刻液而对基板的上表面的膜进行蚀刻时，对于蚀刻液的化学反应的进行也会产生偏向，会对基板的面内的蚀刻后的膜厚的均匀性产生影响。
然而，在例1的情况下，自气体供给部向气体整流部供给的气体在穿过顶端部的外周面和突出部之间的间隙后改变其方向，穿过突出部和折回部之间的间隙，再改变其方向为水平方向。因此，方向改变为水平方向的气体的一部分在穿过水平整流部和底壁部之间的间隙后，向基板的下表面和基座构件之间的空间排出。因此，通过使自气体整流部排出的气体多次改变方向，变为易于主要沿水平方向流动。由此，气体难以朝向基板的下表面，因此，基板变得难以被气体局部冷却。其结果为，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
另外，例1的情况下，水平整流部位于较折回部靠外侧的位置。因此，气体整流部在水平整流部和折回部之间具有朝向上方开放的环状的开口部。因此，方向改变为水平方向的气体的其他的一部分在该开口部形成涡流。由此，即使在基板的下表面和基座构件之间的空间之中的、处于整流构件的上方的部分也有气体流动，因此会向该空间的大范围供给气体。因此，能够一边抑制异物附着于基板的下表面、蚀刻液向基板的下表面迂回，一边提高蚀刻处理的面内均匀性。
例2.根据例1的基板处理装置，也可以是，折回部和水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm～10mm。在该分开距离为2mm以上的情况下，气体变得难以自气体整流部的开口部向上方喷出，存在易于在气体整流部的开口部形成气体的涡流的倾向。在该分开距离为10mm以下的情况下，存在在气体整流部的开口部形成的气体的涡流的直径难以扩大，能够抑制由涡流导致基板的局部的冷却的倾向。
例3.根据例1或例2的基板处理装置，也可以是，整流构件还包含环状的盖部，该盖部以位于折回部和水平整流部之间的方式设于折回部和水平整流部中的一者。在该情况下，能够利用盖部调节气体整流部的开口部的大小。
例4.根据例1～例3中任一项的基板处理装置，也可以是，贯通孔设于基座构件的中央部，底壁部的外周缘与贯通孔连接。在该情况下，整流构件与基座构件、支承部以及基板一起旋转。即，整流构件成为相对于基板相对静止的状态。因此，自气体整流部向基板的下表面和基座构件之间的空间吹送的气体在基板的下表面易于呈放射状流动。因此，能够进一步抑制异物附着于基板的下表面。
例5.根据例4的基板处理装置，也可以是，在自整流构件的旋转轴线方向观察时，多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。在该情况下，利用多个柱部对气体进行整流，使气体变得易于向基板的下表面和基座构件之间的空间排出。因此，能够进一步抑制异物附着于基板的下表面。
例6.根据例1～例5中任一项的基板处理装置，也可以是，该基板处理装置还具有控制部，化学溶液供给部包含：喷嘴，该喷嘴构成为喷出蚀刻液；以及驱动部，该驱动部构成为在被支承部支承着的基板的上方使喷嘴沿水平方向移动，控制部构成为，控制驱动部和气体供给部来执行如下处理：根据蚀刻液向基板喷出的喷出位置，调节自气体供给部供给的气体的供给量，以使自喷嘴向基板的中央部喷出蚀刻液时的向气体整流部供给的气体的供给量较自喷嘴向基板的外周部喷出蚀刻液时的向气体整流部供给的气体的供给量少。另外，由在气体整流部的开口部产生的涡流导致基板的中央附近冷却的程度和由自水平整流部和底壁部之间的间隙吹送的气体导致基板的外周部冷却的程度可能存在差异。然而，根据例7，基板的中央部被蚀刻时的气体的供给量相对较少，因此，蚀刻处理的进展程度在基板的中央附近和外周部处接近。因此，能够进一步提高蚀刻处理的面内均匀性。
例7.根据例6的基板处理装置，也可以是，中央部的距基板的中心的半径为60mm～90mm的范围。
例8.根据例6或例7的基板处理装置，也可以是，控制部构成为控制驱动部来执行如下处理：使喷嘴进行往复移动，从而向基板的中心附近和基板的周缘部之间供给蚀刻液。在该情况下，易于向整个基板均匀地供给蚀刻液。因此，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
例9.根据例6～例8中任一项的基板处理装置，也可以是，控制部构成为控制驱动部来执行如下处理：使自喷嘴向基板的中央部喷出蚀刻液时的喷嘴的移动速度为150mm/sec以下。另外，如例6所述，基板的中央附近被冷却的程度和基板的外周部被冷却的程度可能存在差异。然而，根据例9，基板的中央部被蚀刻时的喷嘴的移动速度相对较小，因此，基板的中央部被进行较长时间的蚀刻处理。因此，蚀刻处理的进展程度在基板的中央附近和外周部处接近。因此，能够进一步提高蚀刻处理的面内均匀性。
例10.根据例6～例9中任一项的基板处理装置，也可以是，控制部构成为，控制气体供给部来执行如下处理：根据基板的转速，调节向气体整流部供给的气体的供给量。在该情况下，例如，基板的转速越小，气体向气体整流部供给的供给量越小。在基板的转速较小的情况下，产生于基板的下表面和基座构件之间的空间的负压变小，异物难以被向该空间内抽吸，因此，存在即使气体向气体整流部供给的供给量较小，也会抑制异物附着于基板的下表面的倾向。而且，在气体向气体整流部供给的供给量较小的情况下，基板难以被气体冷却。因此，存在蚀刻处理的面内均匀性也提高的倾向。
例11.基板处理方法的一例包含：第1工序，利用支承部以在上表面形成有膜的基板的下表面与基座构件分离开且该基板的下表面与该基座构件相对的方式支承基板；第2工序，通过使基座构件和支承部旋转，从而使基板旋转；以及第3工序，通过一边向旋转中的基板的上表面供给蚀刻液一边向气体整流部供给气体，从而向在上表面被供给着蚀刻液的基板的下表面和基座构件之间的空间排出利用气体整流部进行整流后的气体。气体整流部包含：棒状构件，该棒状构件沿上下方向延伸，包含与被支承部支承着的基板的下表面相对并且配置于在基座构件设置的贯通孔内的顶端部；以及环状的整流构件，该整流构件配置为包围顶端部。顶端部包含环状的折回部，该折回部以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面。整流构件包含：环状的底壁部，该底壁部配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；环状的突出部，该突出部以其上端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部向上方延伸；环状的水平整流部，该水平整流部在较折回部靠外侧的位置且是底壁部的上方处，以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，该柱部连接水平整流部和底壁部，沿顶端部的周向排列。在该情况下，能够得到与例1的装置同样的作用效果。
例12.根据例11的基板处理方法，也可以是，折回部和水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm～10mm。在该情况下，能够得到与例2的装置同样的作用效果。
例13.根据例11或例12的基板处理方法，也可以是，整流构件还包含环状的盖部，该盖部以位于折回部和水平整流部之间的方式设于折回部和水平整流部中的一者。在该情况下，能够得到与例3的装置同样的作用效果。
例14.根据例11～例13中任一项的基板处理方法，也可以是，贯通孔设于基座构件的中央部，底壁部的外周缘与贯通孔连接。在该情况下，能够得到与例4的装置同样的作用效果。
例15.根据例14的基板处理方法，也可以是，在自整流构件的旋转轴线方向观察时，多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。在该情况下，能够得到与例5的装置同样的作用效果。
例16.根据例11～例15中任一项的基板处理方法，也可以是，在第3工序中，使自喷嘴向基板的中央部喷出蚀刻液时的向气体整流部供给的气体的供给量较自喷嘴向基板的外周部喷出蚀刻液时的向气体整流部供给的气体的供给量少。在该情况下，能够得到与例6的装置同样的作用效果。
例17.根据例16的基板处理方法，也可以是，中央部的距基板的中心的半径为60mm～90mm的范围。
例18.根据例16或例17的基板处理方法，也可以是，在第3工序中，使喷嘴进行往复移动，从而向基板的中心附近和基板的周缘部之间供给蚀刻液。在该情况下，能够得到与例8的装置同样的作用效果。
例19.根据例16～例18中任一项的基板处理方法，也可以是，在第3工序中，使自喷嘴向基板的中央部喷出蚀刻液时的喷嘴的移动速度为150mm/sec以下。在该情况下，能够得到与例9的装置同样的作用效果。
例20.根据例16～例19中任一项的基板处理方法，也可以是，在第3工序中，根据基板的转速，调节向气体整流部供给的气体的供给量。在该情况下，能够得到与例10的装置同样的作用效果。
例21.计算机可读取的存储介质的一例也可以记录用于使基板处理装置执行例11～例20中任一项的基板处理方法的程序。在该情况下，能够得到与例1的装置同样的作用效果。在本说明书中，计算机可读取的存储介质也可以包含：非临时性的有形的介质(non-transitory computer recording medium：非临时性计算机记录介质)(例如，各种主存储装置或辅助存储装置)或传播信号(transitory computer recording medium：临时性计算机记录介质)(例如，能够借助网络提供的数据信号)。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有：
支承部，该支承部构成为支承在上表面形成有膜的基板；
基座构件，该基座构件设置有贯通孔，构成为与被所述支承部支承着的所述基板的下表面分离开并且与该下表面相对；
旋转部，该旋转部构成为使所述基座构件和所述支承部旋转；
化学溶液供给部，该化学溶液供给部构成为向被所述支承部支承着的所述基板的上表面供给蚀刻液；
气体供给部；以及
气体整流部，该气体整流部构成为对自所述气体供给部供给的气体进行整流，并将整流后的气体向被所述支承部支承着的所述基板的下表面和所述基座构件之间的空间排出，
所述气体整流部包含：
棒状构件，该棒状构件沿上下方向延伸，包含与被所述支承部支承着的所述基板的下表面相对并且配置于所述贯通孔内的顶端部；以及
环状的整流构件，该整流构件配置为包围所述顶端部，
所述顶端部包含环状的折回部，该折回部以自所述顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于所述外周面，
所述整流构件包含：
环状的底壁部，该底壁部配置为内周缘与所述顶端部的外周面分离开；
环状的突出部，该突出部以其上端部位于所述折回部和所述顶端部的外周面之间的方式自所述底壁部的内周部向上方延伸；
环状的水平整流部，该水平整流部在较所述折回部靠外侧的位置且是所述底壁部的上方处，以与所述底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及
多个柱部，该柱部连接所述水平整流部和所述底壁部，沿所述顶端部的周向排列。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述折回部和所述水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm～10mm。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流构件还包含环状的盖部，该盖部以位于所述折回部和所述水平整流部之间的方式设于所述折回部和所述水平整流部中的一者。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述贯通孔设于所述基座构件的中央部，
所述底壁部的外周缘与所述贯通孔连接。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
在自所述整流构件的旋转轴线方向观察时，所述多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。
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