JP6925185B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
4 カップ部
9 基板
31,31a 基板保持部
33 基板回転機構
34 ボス部
35 基板対向部
37,37a 下部対向部
39 間隙変更機構
44 排出ポート
45 筒状整流部
51 ノズル
55 ガス供給部
91 (基板の)上面
92 (基板の)下面
342 ボス間隙
356 フィン部
363 ガス噴射部
376 (下部対向部の)外周面
381,381a 下部間隙
382,382b バッファ空間
385 (下部間隙の)外周縁
386 (下部間隙の)内周縁
J1 中心軸
Claims (13)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の下面と上下方向に対向する基板対向部を有し、水平状態で前記基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップ部と、
前記基板対向部の下側に配置され、前記基板対向部と下部間隙を介して上下方向に対向する下部対向部と、
を備え、
前記下部間隙において、径方向内側から径方向外方へと向かう間隙気流が形成され、
前記下部対向部が、前記下部間隙の外周縁から下方かつ径方向外方へと延びる外周面を備え、
前記下部対向部の前記外周面の径方向外側を下向きに通過したガスは、前記カップ部から外部へと排出され、
前記ガスとは異なるガスが、前記下部間隙に径方向内側から供給されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記下部対向部の前記外周面の少なくとも一部が、前記基板対向部の外周縁よりも径方向外側に位置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記下部間隙の前記外周縁が、前記基板の外周縁と径方向において同じ位置に位置し、または、前記基板の前記外周縁よりも径方向外側に位置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1つに記載の基板処理装置であって、
前記基板対向部を前記下部対向部に対して上下方向に相対移動することにより、前記下部間隙の上下方向の高さを変更する間隙変更機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の下面と上下方向に対向する基板対向部を有し、水平状態で前記基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップ部と、
前記基板対向部の下側に配置され、前記基板対向部と下部間隙を介して上下方向に対向する下部対向部と、
を備え、
前記下部間隙において、径方向内側から径方向外方へと向かう間隙気流が形成され、
前記下部対向部が、前記下部間隙の外周縁から下方かつ径方向外方へと延びる外周面を備え、
前記下部対向部が、前記基板対向部に接続されており、前記基板回転機構により前記基板対向部と共に回転されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記下部対向部と上下方向に対向するボス部をさらに備え、
前記下部対向部と前記ボス部との間の間隙に径方向内側からパージガスが供給され、
前記パージガスの一部が、前記下部間隙に径方向内側から供給されることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の下面と上下方向に対向する基板対向部を有し、水平状態で前記基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップ部と、
前記基板対向部の下側に配置され、前記基板対向部と下部間隙を介して上下方向に対向する下部対向部と、
を備え、
前記下部間隙において、径方向内側から径方向外方へと向かう間隙気流が形成され、
前記下部対向部が、前記下部間隙の外周縁から下方かつ径方向外方へと延びる外周面を備え、
前記基板回転機構による前記基板保持部の回転により前記間隙気流が形成され、
前記基板保持部が、前記下部間隙よりも径方向内側に配置されて前記基板保持部の回転により前記下部間隙に向けて径方向外方へとガスを送出するフィン部をさらに有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の下面と上下方向に対向する基板対向部を有し、水平状態で前記基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップ部と、
前記基板対向部の下側に配置され、前記基板対向部と下部間隙を介して上下方向に対向する下部対向部と、
を備え、
前記下部間隙において、径方向内側から径方向外方へと向かう間隙気流が形成され、
前記下部対向部が、前記下部間隙の外周縁から下方かつ径方向外方へと延びる外周面を備え、
前記基板回転機構による前記基板保持部の回転により前記間隙気流が形成され、
前記下部間隙の内周縁に連続するとともに前記下部間隙よりも上下方向の高さが大きいバッファ空間が、前記基板対向部と前記下部対向部との間に形成され、
前記バッファ空間が下方に向かって開口することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の下面と上下方向に対向する基板対向部を有し、水平状態で前記基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップ部と、
前記基板対向部の下側に配置され、前記基板対向部と下部間隙を介して上下方向に対向する下部対向部と、
を備え、
前記下部間隙において、径方向内側から径方向外方へと向かう間隙気流が形成され、
前記下部対向部が、前記下部間隙の外周縁から下方かつ径方向外方へと延びる外周面を備え、
前記基板処理装置は、前記下部間隙に向けて径方向内側からガスを噴射して前記間隙気流を形成するガス噴射部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記ガス噴射部よりも径方向外側にて前記下部間隙の内周縁に連続するとともに、前記下部間隙よりも上下方向の高さが大きいバッファ空間が、前記基板対向部と前記下部対向部との間に形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記ガス噴射部からのガスの噴射流量が制御されることにより、前記バッファ空間が陽圧に維持されることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の下面と上下方向に対向する基板対向部を有し、水平状態で前記基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の周囲を囲むカップ部と、
前記基板対向部の下側に配置され、前記基板対向部と下部間隙を介して上下方向に対向する下部対向部と、
を備え、
前記下部間隙において、径方向内側から径方向外方へと向かう間隙気流が形成され、
前記下部対向部が、前記下部間隙の外周縁から下方かつ径方向外方へと延びる外周面を備え、
前記基板処理装置は、前記下部対向部と前記カップ部との間にて上下方向に延び、前記下部対向部の周囲を囲む筒状整流部をさらに備え、
前記筒状整流部の下端縁が、前記下部対向部の前記外周面と径方向に対向し、
前記筒状整流部の上端縁と前記下部対向部との間の最短距離が、前記筒状整流部の前記下端縁と前記下部対向部の前記外周面との間の径方向の距離よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし12のいずれか1つに記載の基板処理装置であって、
前記基板よりも上側から前記基板と前記カップ部との間を通過して下方に向かう気流を形成する気流形成部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
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