JPH1142460A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】処理液ミストが装置外に流出することを防止す
る。 【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転させ
るスピンチャック２０と、このスピンチャック２０を収
容した処理カップ３０と、処理カップ３０の上方に設け
られたスプラッシュガード４０とを有する。スプラッシ
ュガード４０の上端縁には、内下方に向かって突出した
整流板４２が設けられている。この整流板４２は、処理
カップ３０およびスプラッシュガード４０の内壁面に沿
う上昇気流９１を内向き気流９２に変換して、ダウンフ
ロー９０に合流させる。したがって、処理液ミストが処
理チャンバ５０外に流出することはない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディ
スプレイ・パネル）用ガラス基板などの各種の被処理基
板に対して処理を施すための基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウエ
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に薄膜のパ
ターンを形成したり、ウエハの表面を洗浄したりするた
めの各種の基板処理装置が用いられる。図８は、ウエハ
を１枚ずつ処理するための枚葉式基板処理装置の構成例
を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置は、
ウエハＷの表面を処理液によって処理するための装置で
あり、ウエハＷを水平に保持した状態で鉛直軸まわりに
回転することができるスピンチャック１と、このスピン
チャック１の側方および下方を包囲する処理カップ２
と、この処理カップ２の上方に設けられてウエハＷから
の処理液が周囲へ飛散することを防止する円筒状のスプ
ラッシュガード３とを有している。

【０００３】処理カップ２およびスプラッシュガード３
を包囲するように、処理チャンバ５が設けられている。
処理チャンバ５の上方は開口しており、この基板処理装
置が設置されるクリーンルーム内のダウンフロー１０を
ウエハＷに向けて導入することができるようになってい
る。スピンチャック１は、モータ（図示せず）からの回
転力が与えられるスピン軸６と、スピン軸６の上端に取
り付けられたスピンベース７と、このスピンベース７に
取り付けられて、ウエハＷを周縁部で保持するためのチ
ャック８とを有している。

【０００４】ウエハＷを処理液で処理する際に生じる処
理液ミストを含む雰囲気が装置外に流出することを防止
するために、処理カップ２の底面において、スピン軸６
の近傍の位置には、排気口１１が開口している。この排
気口１１は、排気管を介して適当な負圧源に接続されて
いる。これにより、処理カップ２内の雰囲気を排気でき
るようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】スピンチャック１が回
転されると、スピンベース７の回転によって、その下方
の空気に遠心力が与えられる。これにより、スピンベー
ス７の下方では、スピン軸６から処理カップ２の側壁に
向かう外向き気流が発生する。また、スピンチャック５
に保持されて回転するウエハＷの上方においても、同様
に、ウエハＷの回転中心から処理カップ２の側壁に向か
う外向き気流が発生する。

【０００６】これらの外向き気流は、処理カップ２の側
壁にぶつかって上方に方向を変え、スプラッシュガード
３の内壁面に沿って上昇する上昇気流１３を生じさせ
る。この上昇気流１３は、処理液ミストを処理チャンバ
５の外へと運び出すおそれがあるから、これにより、ク
リーンルーム内の空気が汚染されるおそれがある。スピ
ンベース７の下方の外向き気流の一部は、排気口１１を
介する排気によって捕捉される。しかし、とりわけスピ
ンチャック１が高速回転している場合には、排気口１１
よりも外側の気流を捕捉することができず、上記のよう
な上昇気流１３の発生は避けられない。

【０００７】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、処理液ミストが装置外に流出することを防
止できる基板処理装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板をほ
ぼ水平に保持して回転させるための基板保持手段と、こ
の基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供給
する処理液供給手段と、上記基板保持手段に保持された
基板の側方および下方を取り囲むように形成された容器
と、上記基板保持手段に保持された基板よりも上方にお
いて、基板の回転領域の内方に向かう内向き気流を発生
させるための内向き気流発生手段とを含むことを特徴と
する基板処理装置である。

【０００９】基板保持手段が基板を回転させると、基板
の上面側および下面側においては、基板や基板保持手段
の周辺の空気に遠心力が与えられる。したがって、基板
の上面側および下面側においては、基板の回転中心から
外方に向かう気流が発生する。この外向き気流は、容器
の内側壁にぶつかり、この内側壁に沿って上昇する上昇
気流を生じさせる。

【００１０】一方、基板の回転領域の周縁部を除く領域
である中央領域においては、上記外向き気流によって空
気が押しのけられた領域に新たな空気を補う下降気流が
発生する。また、基板処理装置の設置場所においては、
多くの場合、ダウンフローが形成されている。いずれに
せよ、基板の回転領域の中央領域においては、下降気流
が発生している。

【００１１】そこで、この発明においては、基板保持手
段に保持された基板よりも上方において基板の回転領域
の内方に向かう内向き気流を発生させるようにしてい
る。これにより、上記上昇気流の方向を基板の回転領域
の内方に向けて変えることができる。こうして形成され
た内向きの気流は、上記下降気流と合流することにな
る。その結果、上記上昇気流によって運ばれる処理液ミ
ストがこの基板処理装置外に流出することを防止でき
る。これにより、基板処理装置外の空気の汚染を防ぐこ
とができる。

【００１２】なお、基板の回転領域とは、基板回転時の
最大回転半径内の円形領域の上方の領域を指す。請求項
２記載の発明は、上記内向き気流発生手段は、基板保持
手段に保持された基板よりも高い位置において、基板の
回転領域の内方に向けて突出して形成された整流部材を
含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置であ
る。

【００１３】この構成によれば、上昇気流の方向を、整
流部材によって、基板の回転領域の内方に変化させるこ
とで内向き気流を発生するようにしているので、処理液
ミストが基板処理装置外に運び去られることを確実に防
止できる。なお、整流部材は、基板の回転領域の内側に
まで気流を案内することができるものであることが好ま
しい。これにより、より確実に処理液ミストの漏洩を防
止できる。具体的には、整流部材は、基板の回転領域の
内側に達する内縁部を有する板状体であってもよい。

【００１４】内向き気流発生手段は、たとえば、基板よ
りも上方において、内向きに気流を吐き出す吐出口を有
するダクトと、このダクトに空気を圧送する手段（たと
えば、ブロワなど）とを用いて構成することも可能であ
る。請求項３記載の発明は、基板から飛散する処理液を
捕獲するために、上記容器の上方に設けられたほぼ円筒
状の飛散防止部材をさらに含み、上記整流部材は、上記
飛散防止部材の内方に突出するように設けられているこ
とを特徴とする請求項２記載の基板処理装置である。

【００１５】この構成によれば、飛散防止部材によっ
て、基板の表面や基板保持手段から飛散する処理液飛沫
が基板処理装置外に飛び散ることを防止できる。そし
て、この飛散防止部材は、容器の上方に設けられている
ので、この飛散防止部材に整流部材を設けることによっ
て、処理液ミストの流出を防止できる。なお、整流部材
は、飛散防止部材の上端縁に設けられてもよいし、上下
方向の途中部において内方に突出するように設けられて
もよい。

【００１６】また、飛散防止部材は、容器と一体的に設
けられてもよいが、容器への基板の搬入／搬出を容易に
するためには、容器と分離可能に設けられて、容器に対
して相対的に上下動し、容器との間に基板を搬入／搬出
するためのスペースを確保できるように設けられている
ことが好ましい。請求項４記載の発明は、上記整流部材
は、水平面に対して−６０度から＋６０度までの範囲で
ほぼ直線状に突出していることを特徴とする請求項２な
いし３のいずれかに記載の基板処理装置である。

【００１７】この構成によれば、上昇気流を下降気流に
合流する内向き気流に確実に変換させることができるの
で、処理液ミストの基板処理装置外への流出を確実に防
止できる。請求項５記載の発明は、上記整流部材は、水
平面に対して下向きの内向き気流を生じさせるものであ
ることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載
の基板処理装置である。

【００１８】この構成によれば、さらに確実に上昇気流
を下降気流に合流する内向き気流に変換させることがで
きる。しかも、整流部材を板状体で構成しておけば、こ
の基板処理装置が設置される場所にダウンフローが形成
されている場合に、このダウンフローの一部が整流部材
の上面によって、内下方に向かう内向き気流に変換され
る。これによっても、上記上昇気流による処理液ミスト
の運び出しを効果的に防ぐことができる。

【００１９】請求項６記載の発明は、上記基板保持手段
に保持された基板よりも上方からのダウンフローを上記
基板に向けて取り込むためのダウンフロー導入開口をさ
らに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
に記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板
処理装置が設置される場所に形成されているダウンフロ
ーをダウンフロー導入開口から取り込むことができるの
で、処理液ミストの流出を効果的に防止できる。

【００２０】請求項７記載の発明は、基板をほぼ水平に
保持して回転させるための基板保持手段と、この基板保
持手段に保持された基板に対して処理液を供給する処理
液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板の側
方および下方を取り囲むように形成された容器と、上記
基板保持手段に保持された基板の回転領域よりも小さく
形成され、上記基板保持手段に保持された基板よりも上
方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込むため
のダウンフロー導入開口とを含むことを特徴とする基板
処理装置である。

【００２１】この構成によれば、基板の回転領域よりも
小さく形成されたダウンフロー導入開口からダウンフロ
ーを取り込むようにしているので、基板の回転領域外に
おいて上昇気流が生じたとしても、この上昇気流は上記
ダウンフロー導入開口を通って流出することはできな
い。したがって、容器内で生じた処理液ミストが基板処
理装置外に運び出されることがない。これにより、基板
処理装置が設置される場所における空気の汚染を防止で
きる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す簡略
化した断面図である。この基板処理装置は、ウエハＷ
（基板）を１枚ずつ処理液（薬液または純水）によって
処理するための枚葉処理型の装置であり、処理対象のウ
エハＷを水平に保持して回転させるためのスピンチャッ
ク２０（基板保持手段）を備えている。スピンチャック
２０は、処理カップ３０（容器）の内部空間に配置され
ている。処理カップ３０は、ほぼ回転体形状の内壁面を
有するものであって、スピンチャック２０に下方から臨
む底壁３１と、スピンチャック２０に側方から臨む側壁
３２とを有し、上方に開口している。

【００２３】スピンチャック２０の上方には、スピンチ
ャック２０に保持されたウエハＷから飛散する処理液を
捕獲するためのスプラッシュガード４０（飛散防止部
材）が備えられている。このスプラッシュガード４０
は、ほぼ円筒形状に形成されており、上下動が可能であ
るように設けられていて、図示しない昇降機構によっ
て、処理カップ３０の上端部に当接した下方位置と、処
理カップ３０の上端との間にウエハＷの搬入／搬出スペ
ースを確保した上方位置との間で昇降されるようになっ
ている。

【００２４】スプラッシュガード４０は、円筒状の本体
部４１と、この本体部４１の上端縁に、内方に向かって
ほぼ直線状に突出するように結合された整流板４２（整
流部材）とを有している。整流板４２は、内方に向かう
に従って下方に向かう逆円錐面に沿う板状体であり、平
面視において円環状に構成されている。整流板４２の内
縁部４２ａは、スピンチャック２０によって保持された
ウエハＷの縁部よりも内方に対応する位置にまでせり出
している。これにより、整流板４２の内縁部４２ａが形
成する円は、ウエハＷの回転領域よりも小さな開口４３
（ダウンフロー導入開口）を規定している。

【００２５】処理カップ３０およびスプラッシュガード
４０は、処理チャンバ５０内に収容されている。この処
理チャンバ５０は、上方が開口しており、この基板処理
装置が設置されるクリーンルーム内のダウンフロー９０
をスピンチャック２０に保持されたウエハＷに向けて取
り込むことができるようになっている。スピンチャック
２０は、モータなどを含む回転駆動機構２５からの回転
力を得て鉛直軸まわりに回転する中空のスピン軸２１
と、このスピン軸２１の上端に取り付けられた、たとえ
ば円板状のスピンベース２２と、このスピンベース２２
の周縁部に複数個立設されたチャック２３とを有してい
る。このチャック２３は、ウエハＷの周縁部に当接し
て、このウエハＷを水平な状態で保持することができる
ようになっている。

【００２６】また、処理カップ３０の底壁３１には、排
気口３３がたとえば２箇所に形成されており、この排気
口３３は排気管３５を介して適当な負圧源３７に接続さ
れている。この負圧源３７は、真空ポンプやブロワであ
ってもよく、また、工場に設けられた排気用ユーティリ
ティであってもよい。スピンチャック２０に保持された
ウエハＷに処理液を供給するために、スプラッシュガー
ド４０の上方にはウエハＷの上面に処理液を供給するノ
ズル８１（処理液供給手段）が設けられている。また、
スピンチャック２０のスピン軸２１を挿通する処理液供
給管８３の上端には、ウエハＷの下面の中央に向けて処
理液を吐出するノズル８２（処理液供給手段）が設けら
れている。

【００２７】クリーンルーム内のダウンフロー９０は、
処理チャンバ５０の上方から、整流板４２の開口４３を
通って、スピンチャック２０に保持されたウエハＷの上
面に向けて導かれる。ウエハＷの上面の近傍では、ウエ
ハＷの回転に伴って空気に遠心力が与えられるため、ウ
エハＷの中心から処理カップ３０の側壁３２に向かう外
向き気流が発生する。また、スピンベース２２の下方に
おいては、このスピンベース２２の回転により、空気に
遠心力が与えられ、スピン軸２１から処理カップ３０の
側壁３２に向かう外向き気流が発生する。これらの外向
き気流は、処理カップ３０の側壁３２に沿い、さらに、
スプラッシュガード４０の本体部４１の内壁面に沿って
上昇する上昇気流９１を生じさせる。

【００２８】この上昇気流９１は、スプラッシュガード
４０の上端縁の整流板４２の下面によって内下方に向け
て経路を変えられ、内向き気流９２を生じさせる。この
内向き気流９２は、処理チャンバ５０の上方からのダウ
ンフロー９０と合流する。一方、整流板４２の上面は、
開口４３よりも外側のダウンフローを内下方に向かう内
向き気流に変換する働きを有している。そのため、整流
板４２の内縁部４２ａ付近においては、整流板４２ａの
上面および下面からの内向き気流が、処理チャンバ５０
の上方からのダウンフロー９０に合流していることにな
る。

【００２９】以上のようにこの実施形態の構成によれ
ば、整流板４２の働きによって、処理カップ３０の側壁
３２およびスプラッシュガード４０の本体部４１の内壁
面に沿う上昇気流９１が、ウエハＷの回転領域の内方に
向かう内向き気流９２に変換される。これにより、処理
チャンバ５０外に処理液雰囲気が運び去られることを防
ぐことができるから、クリーンルーム内の空気が汚染さ
れることを防止できる。

【００３０】図２は、スプラッシュガード４０の整流板
４２の近傍の構成を拡大して示す断面図である。整流板
４２は、水平面に対して、たとえば、約−３０度
（「−」符号は、俯角であることを表す。）の角度θを
なすように取り付けられている。これにより、整流板４
２は、円筒状の本体部４１の内壁面に沿う上昇気流９１
を内下方に向かう内向き気流９２に変換する働きを有す
る。

【００３１】ウエハＷの回転領域の内方に導かれた気流
は、処理チャンバ５０の上方からのダウンフロー９０と
合流するから、上昇気流９１を必ずしも下方に向かう気
流に変換する必要はない。すなわち、整流板４２の水平
面に対する角度が、−６０度〜＋６０度（「＋」符号は
仰角であることを表す。）であれば、上昇気流９１中に
含まれる処理液ミストをウエハＷの回転領域の内方に導
き、ダウンフロー９０に乗せて処理カップ３０の内方に
戻すことができる。

【００３２】図３は、上記のスプラッシュガード４０に
代えて用いることができるスプラッシュガード４０Ａの
構成を簡略化して示す断面図である。このスプラッシュ
ガード４０Ａは、円筒状の本体部４１Ａと、この本体部
４１Ａの上端に連なる整流板４２Ａ（整流部材）とを有
している。整流板４２Ａは、鉛直断面において上方に凸
になるように湾曲しており、その先端縁４２Ａａは、ウ
エハＷの回転領域の内方に位置していて、斜め下方を向
いている。したがって、このスプラッシュガード４０Ａ
は、ウエハＷの回転領域よりも小さな円形の開口４３Ａ
（ダウンフロー導入開口）を有しており、この開口４３
Ａを介してクリーンルーム内のダウンフロー９０をウエ
ハＷに向けて導くことができる。

【００３３】処理カップ３０の側壁３２からスプラッシ
ュガード４０Ａの本体部４１Ａの内周面に沿って導かれ
る上昇気流は、湾曲した整流板４２Ａによって、ウエハ
Ｗの回転領域の内方に向かう内向き気流に変換される。
これにより、処理液雰囲気が処理チャンバ５０の外部に
運び出されることを防止できる。なお、整流板４２Ａの
先端縁４２Ａａは、必ずしも下方を向いている必要はな
く、水平面に対して±６０度の範囲の角度の方向に向け
て、上昇気流を内方に導くことができるように整流板を
構成しておけばよい。

【００３４】図４は、この発明の第２の実施形態に係る
基板処理装置の構成を示す簡略化した断面図である。こ
の図４において、上述の図１に示された各部に相当する
部分には図１の場合と同一の参照符号を付して示す。こ
の実施形態では、スプラッシュガード６０は、円筒状の
本体部６１と、この本体部６１の上端縁に連なり、外方
に向かって斜め上方に広がる整流板６２（整流部材）と
を有している。すなわち、整流板６２は、ほぼ逆円錐面
に沿う円環状の板状体であり、処理チャンバ５０の上部
開口（ダウンフロー導入開口）からのダウンフロー９０
をウエハＷの回転領域の内方に向かう内向き気流９３に
変換して、本体部６１内に導くようになっている。

【００３５】この構成により、本体部６１の上端付近で
は、上昇気流９１によって運ばれてきた処理液ミスト
は、内向き気流９３によって、ウエハＷの回転領域の内
方に向けて運ばれ、この処理液ミストは、ダウンフロー
９０によって、処理カップ３０内に戻される。これによ
り、上記第１実施形態の場合と同様な作用および効果を
達成することができる。

【００３６】図５は、この発明の第３の実施形態に係る
基板処理装置の構成を示す簡略化した断面図である。こ
の図５において、上記の図１に示された各部に対応する
部分には図１の場合と同一の参照符号を付して示す。こ
の実施形態においては、整流板を有しない円筒状のスプ
ラッシュガード６５が用いられており、処理チャンバ５
０の上部には、ダウンフローの導入を許容するための開
口７１（ダウンフロー導入開口）を有する平板な円環状
の整流板７２（整流部材）が設けられている。開口７１
を規定する整流板７２の内周縁７２ａは、ウエハＷの回
転領域よりも内方に位置している。すなわち、開口７１
は、ウエハＷの回転領域よりも小さく形成されている。
これにより、スプラッシュガード６５の内壁面に沿う上
昇気流９１が処理チャンバ５０の上方に導かれることを
防止している。

【００３７】上昇気流９１の少なくとも一部は、整流板
７２によって、ウエハＷの回転領域の内方に向かう気流
に変換され、この内向きの気流によって、処理液ミスト
は、開口７１を通るダウンフロー９０へと導かれる。こ
れにより、上昇気流９１によって運ばれた処理液ミスト
は、再び下方に戻されることになる。整流板７２の下方
においては、上記上昇気流９１の一部が、ウエハＷの回
転領域の外方に向かうかもしれない。しかし、この気流
中の処理液ミストは処理チャンバ５０の外部に出ていく
ことはないので、大きな問題はない。

【００３８】図６は、この発明の第４の実施形態の基板
処理装置の構成を説明するための簡略化した断面図であ
り、スピンチャックに保持されたウエハＷの周縁近傍の
構成が示されている。この実施形態においては、処理カ
ップ３０Ａの上端縁には、ウエハＷの回転領域に向けて
斜め下方に延びる逆円錐面に沿う円環状の整流板８０
（整流部材）が固設されている。この整流板８０は、処
理カップ３０Ａの側壁３２Ａに沿う上昇気流をウエハＷ
の回転領域の内方に向かう内向き気流に変換する働きを
有する。これにより、上記上昇気流によって、処理液ミ
ストが処理チャンバ外に運び去られることを防止でき
る。

【００３９】処理液ミストの漏洩を確実に防ぐために
は、整流板８０の先端縁８０ａは、ウエハＷの回転領域
の内方に位置していることが好ましい。ただし、この場
合には、処理カップ３０Ａに対するウエハＷの搬入／搬
出を可能にするために、たとえば、処理カップ３０Ａ
を、側壁３２Ａおよび整流板８０を含む部分と、底壁３
１Ａとが上下に分割可能であるように構成しておく必要
がある。なお、図６には、上下に分割された状態が二点
鎖線で示されている。

【００４０】側壁３２Ａと底壁３１Ａとを固定して分割
できないようにしておいてもよいが、その場合には、ウ
エハＷの搬入／搬出を容易にするために、整流板８０の
先端縁８０ａが、ウエハＷの回転領域の外方に位置して
いるようにすることが好ましい。なお、図７に示すよう
に、整流板８０のみを、処理液カップ３０Ａの上端縁か
ら分離して上下動可能であるように構成してもよい。こ
の場合には、整流板８０の先端縁８０ａをウエハＷの回
転領域の内方に位置させることができ、かつ、処理カッ
プ３０Ａの構成などに工夫をこらすことなく、ウエハＷ
の搬入／搬出を行える。

【００４１】この発明のいくつかの実施形態について説
明したが、この発明は他の形態でも実施することができ
る。たとえば、図１の実施形態と図４の実施形態とを組
み合わせ、スプラッシュガードの上端縁に、その内方お
よび外方のいずれの方向にも突出する整流板を設けるよ
うにしてもよい。また、スプラッシュガードに設けられ
る整流板は、その上端縁に設けられる必要はなく、上下
方向の途中部に設けるようにしてもよい。

【００４２】さらに、ウエハＷよりも上方において内向
き気流を発生させるには、整流板を用いる代わりに、た
とえば、スプラッシュガードの上端縁付近において内方
に向けられた吐出口を有するダクトを配置し、このダク
トに空気を圧送するようにしてもよい。また、上記の実
施形態においては、ウエハＷを処理する装置を例にとっ
たが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板やＰＤＰ
用ガラス基板のような他の種類の基板を処理する装置に
対しても適用することができる。液晶表示装置用ガラス
基板のような角形基板においては、回転中心から最も遠
い最外方点が描く軌跡により囲まれた領域の上方の領域
を基板の回転領域とみなせばよい。

【００４３】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置
の構成を示す簡略化した断面図である。

【図２】スプラッシュガードの上端縁付近の構成を拡大
して示す断面図である。

【図３】スプラッシュガードの他の例を示す簡略化した
断面図である。

【図４】この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置
の構成を示す簡略化した断面図である。

【図５】この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置
の構成を示す簡略化した断面図である。

【図６】この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置
の処理カップの構成を示す簡略化した断面図である。

【図７】上記第４の実施形態の変形例を示す簡略化した
断面図である。

【図８】従来技術の基板処理装置の構成を示す簡略化し
た断面図である。

【符号の説明】

２０ スピンチャック ３０ 処理カップ ４０ スプラッシュガード ４２ 整流板 ４３ 開口 ５０ 処理チャンバ ８１，８２ ノズル ４２Ａ 整流板 ４３Ａ 開口 ６０ スプラッシュガード ６２ 整流板 ７２ 整流板 ７１ 開口 ３０Ａ 処理カップ ８０ 整流板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 昭 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１ 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板をほぼ水平に保持して回転させるため
   の基板保持手段と、 この基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供
   給する処理液供給手段と、 上記基板保持手段に保持された基板の側方および下方を
   取り囲むように形成された容器と、 上記基板保持手段に保持された基板よりも上方におい
   て、基板の回転領域の内方に向かう内向き気流を発生さ
   せるための内向き気流発生手段とを含むことを特徴とす
   る基板処理装置。
2. 【請求項２】上記内向き気流発生手段は、 基板保持手段に保持された基板よりも高い位置におい
   て、基板の回転領域の内方に向けて突出して形成された
   整流部材を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処
   理装置。
3. 【請求項３】基板から飛散する処理液を捕獲するため
   に、上記容器の上方に設けられたほぼ円筒状の飛散防止
   部材をさらに含み、 上記整流部材は、上記飛散防止部材の内方に突出するよ
   うに設けられていることを特徴とする請求項２記載の基
   板処理装置。
4. 【請求項４】上記整流部材は、 水平面に対して−６０度から＋６０度までの範囲でほぼ
   直線状に突出していることを特徴とする請求項２ないし
   ３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】上記整流部材は、水平面に対して下向きの
   内向き気流を生じさせるものであることを特徴とする請
   求項２ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】上記基板保持手段に保持された基板よりも
   上方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込むた
   めのダウンフロー導入開口をさらに含むことを特徴とす
   る請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】基板をほぼ水平に保持して回転させるため
   の基板保持手段と、 この基板保持手段に保持された基板に対して処理液を供
   給する処理液供給手段と、 上記基板保持手段に保持された基板の側方および下方を
   取り囲むように形成された容器と、 上記基板保持手段に保持された基板の回転領域よりも小
   さく形成され、上記基板保持手段に保持された基板より
   も上方からのダウンフローを上記基板に向けて取り込む
   ためのダウンフロー導入開口とを含むことを特徴とする
   基板処理装置。