CN107658238B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括基板保持部、外杯及内杯,上述内杯包括内杯主体及内杯排出口,上述外杯包括外杯主体、外下杯、第一排液口、第一排气口、第二排液口、第二排气口及分离间隔壁,且上述基板处理装置包括:环状构件,能够升降;驱动部,使上述环状构件升降,使上述内杯主体在回收位置和退避位置之间移动。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置,尤其涉及回收处理液的杯(Cup)的技术,上述基板处理装置向半导体晶片、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL(ElectroLuminescence:电致发光)用基板、FED(Field Emission Display:场致发射显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板(下面简称为基板)供给处理液。
背景技术
一直以来,作为这种装置,存在包括基板保持部、旋转驱动机构、第一喷嘴、第二喷嘴、杯体、第一排液管路、第二排液管路、排气管路及可动杯的基板处理装置(例如,参照日本特开2014-75575号公报)。
基板保持部将基板保持为水平姿势。旋转驱动机构使基板保持部以铅垂轴为中心旋转驱动。第一喷嘴供给正型(Positive Tone)显影用的显影液。第二喷嘴供给负型(Negative tone)显影用的显影液。杯体包围被基板保持部保持的基板的周围,回收向基板供给的显影液。第一排液管路及第二排液管路分别与杯体连通连接。可动杯通过在杯体的内部升降,仅向第一排液管路和第二排液管路中任一排液管路引导显影液。
在第一喷嘴供给显影液时,例如,可动杯将显影液导向第一排液管路,在第二喷嘴供给显影液时,可动杯将显影液导向第二排液管路。第一排液管路排出正型显影用的显影液,第二排液管路排出负型显影用的显影液。此时,排气管路排出含有显影液的雾的杯体内的气体。由此,能够防止在第一排液管路及第二排液管路中正型显影用的显影液和负型显影用的显影液混合。在第一喷嘴及第二喷嘴供给显影液时,排气管路排出含有显影液的雾的杯体内的气体。
但是,在具有这种结构的以往的例子的情况下,存在以下问题。
即,以往的装置中排气管路由一个管路构成,因此进行正型显影处理时和负型显影处理时这两种处理时,杯体内的显影液的雾从相同的排气管路排出。因此,可能存在一个排气管路内不同种类的显影液的雾混合的问题。该结果,很难清洁地保持杯内的环境气体,很难以优异品质对基板进行处理。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供能够以优异品质对基板进行处理的基板处理装置。
本发明为了实现这样的目的,采用以下的结构。
本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:基板保持部,其将基板保持为水平姿势;旋转驱动部,其使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;第一处理液供给部,其向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;第二处理液供给部,其向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;外杯,其包围上述基板保持部的侧方;以及内杯,其配置在上述基板保持部和上述外杯之间,上述内杯包括:内杯主体,其俯视时呈环状:以及内杯排出口,其形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,上述外杯包括:外杯主体,其俯视时呈环状;外下杯,其构成上述外杯主体的底部;第一排液口,其形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;第一排气口,其形成于上述外下杯,用于排出从上述内杯排出口排出的气体;第二排液口,其形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;第二排气口,其形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及分离间隔壁,其俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,上述基板处理装置包括:环状构件,其俯视时呈环状,能够沿上述外杯主体内的外周面升降,以不堵塞上述内杯排出口的方式连结于上述内杯主体;以及驱动部,其使上述环状构件升降,使上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动。
根据本发明,在由驱动部使环状构件移动从而使内杯主体位于回收位置的状态下,由旋转驱动部使基板保持部与基板一起旋转,从第一处理液供给部向基板供给第一处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第一处理液,由内杯的内杯主体回收,并通过内杯排出口由外杯的底面回收。由形成于外杯的外杯主体的底面回收的第一处理液,通过在底面由分离间隔壁与第二排液口分离的第一排液口排出。含有第一处理液的雾的内杯内的气体,从内杯主体经由内杯排出口由外杯回收,并经由外下杯的第一排出口排出。另外,在由驱动部使环状构件移动从而使内杯主体移动到退避位置的状态下,从第二处理液供给部向基板供给第二处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第二处理液,由外杯的外杯主体回收,并由外下杯的底面回收。由外杯主体的底面回收的第二处理液,经由在底面由分离间隔壁与第一排液口分离的第二排液口排出。含有第二处理液的雾的外杯内的气体,由外杯回收,并经由外下杯的第二排气口排出。通过由驱动部使环状构件升降从而使内杯移动到回收位置和退避位置,第一处理液经由第一排液口排出,并且含有第一处理液的雾的气体经由第一排气口排出,第二处理液经由第二排液口排出,并且含有第二处理液的雾的气体经由第二排气口排出。因此,内杯内的气体和外杯内的气体不会混合,因此在使用内杯时和使用外杯时,都能够以优异的品质对基板进行处理。而且,由于内杯主体没有底面,因此能够实现内杯的轻量化。因此,能够减轻驱动部经由环状构件使内杯主体移动时的负荷,能够使内杯主体快速移动。另外,由于第一处理液也由从下方离开的外下杯的底面回收,因此能够防止因第一处理液溅回而引起的不良影响。
本发明中,优选上述环状构件在俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位上包括与上述内杯主体连结的连结部。
环状构件通过俯视时成为相等的位置关系的多个部位的连结部连结于内杯主体。因此,即使由驱动部使环状构件快速升降,也能够以稳定的姿势使内杯主体移动,因此能够快速地对处理进行切换。
本发明中,优选上述内杯主体包括:引导部,将从基板向周围飞散的第一处理液引向下方;以及间隔壁容纳部,倒U状形成于上述引导部的下部,上述内杯主体在上述退避位置上将上述分离间隔壁容纳于上述间隔壁容纳部,在上述回收位置上仅将上述分离间隔壁的上部容纳于上述间隔壁容纳部。
由于在退避位置上内杯主体的间隔壁容纳部容纳分离间隔壁,在回收位置上内杯主体的间隔壁容纳部仅容纳分离间隔壁的上部,因此即使内杯和外杯共用外下杯,也能够使内杯主体内和外下杯内完全分离。因此,能够使第二处理液及含有第二处理液的雾的气体仅回收到外杯,由引导部引导第一处理液及含有第一处理液的雾的气体并且仅回收到内杯。另外,间隔壁容纳部和分离间隔壁发挥引导件的作用,因此能够使内杯主体稳定地升降。
本发明中,优选上述第一排气口在中空部的顶端形成有开口,上述中空部从上述外下杯的底面向上方延伸。
由于第一排气口的开口从外下杯的底面向上方离开,因此能够防止由底面回收的第一处理液和气体混合。
本发明中,优选包括中杯,上述中杯位于上述分离间隔壁的内周侧,上述中杯的下表面从上述第一排气口的开口分开,外周面从上述分离间隔壁的内周面分开,外周端从上述外杯主体的底面分开。
通过中杯能够防止第一处理液流入第一排气口,因此能够提高气液的分离程度并排出内杯内的气体。
本发明中,优选上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
流入到离形成于外下杯的底面的第一排液口及第二排液口远的位置的第一处理液及第二处理液,也能够通过倾斜面流入第一排液口及第二排液口。因此,能够提高第一处理液及第二处理液的回收效率。
本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:基板保持部,将基板保持为水平姿势;旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,上述内杯包括:内杯主体,俯视时呈环状;以及内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,上述外杯包括:外杯主体,俯视时呈环状;外下杯,构成上述外杯主体的底部;第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;第一排气口,形成于上述外下杯,用于排出从上述内杯排出口排出的气体;第二排液口,形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,上述第一排气口配置于俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位,上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动。
根据本发明,在使内杯主体位于回收位置的状态下,由旋转驱动部使基板保持部与基板一起旋转,从第一处理液供给部向基板供给第一处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第一处理液,由内杯的内杯主体回收,并通过内杯排出口由外杯的底面回收。由形成于外杯的外杯主体的底面回收的第一处理液,经由在底面由分离间隔壁与第二排液口分离的第一排液口排出。含有第一处理液的雾的内杯内的气体,从内杯主体经由内杯排出口由外杯回收,并经由外下杯的第一排出口排出。另外,在使内杯主体移动到退避位置的状态下,从第二处理液供给部向基板供给第二处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第二处理液,由外杯的外杯主体回收,并由外下杯的底面回收。由外杯主体的底面回收的第二处理液,经由在底面由分离间隔壁与第一排液口分离的第二排液口排出。含有第二处理液的雾的外杯内的气体,由外杯回收,并经由外下杯的第二排气口排出。通过使内杯移动到回收位置和退避位置,第一处理液经由第一排液口排出,并且含有第一处理液的雾的气体经由第一排气口排出,第二处理液经由第二排液口排出,并且含有第二处理液的雾的气体经由第二排气口排出。因此,内杯内的气体和外杯内的气体不会混合,因此在使用内杯时和使用外杯时,都能够以优异的品质对基板进行处理。而且,第一排气口在内杯配置为俯视时成为相等的位置关系,因此能够将含有第一处理液的雾的气体从内杯均匀地排气。因此,能够使内杯内的环境气体均匀平衡,因此能够提高用第一处理液对基板进行处理的面内均匀性。
本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:基板保持部,将基板保持为水平姿势;旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,上述内杯包括:内杯主体,俯视时呈环状;以及内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体;上述外杯包括:外杯主体,俯视时呈环状;外下杯,构成上述外杯主体的底部;第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;第一排气口,形成于上述外下杯,用于排出从上述内杯排出口排出的气体;第二排液口,形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,上述第二排气口配置于俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位,上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动。
根据本发明,在使内杯主体位于回收位置的状态下,由旋转驱动部使基板保持部与基板一起旋转,从第一处理液供给部向基板供给第一处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第一处理液,由内杯的内杯主体回收,并通过内杯排出口由外杯的底面回收。由形成于外杯的外杯主体的底面回收的第一处理液,经由在底面由分离间隔壁与第二排液口分离的第一排液口排出。含有第一处理液的雾的内杯内的气体,从内杯主体经由内杯排出口由外杯回收,并经由外下杯的第一排出口排出。另外,在使内杯主体移动到退避位置的状态下,从第二处理液供给部向基板供给第二处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第二处理液,由外杯的外杯主体回收,并由外下杯的底面回收。由外杯主体的底面回收的第二处理液,经由在底面由分离间隔壁与第一排液口分离的第二排液口排出。含有第二处理液的雾的外杯内的气体,由外杯回收,并经由外下杯的第二排气口排出。通过使内杯移动到回收位置和退避位置,第一处理液经由第一排液口排出,并且含有第一处理液的雾的气体经由第一排气口排出,第二处理液经由第二排液口排出,并且含有第二处理液的雾的气体经由第二排气口排出。因此,内杯内的气体和外杯内的气体不会混合,因此在使用内杯时和使用外杯时,都能够以优异的品质对基板进行处理。而且,第二排气口在外杯配置为俯视时成为相等的位置关系,因此能够将含有第二处理液的雾的气体从外杯均匀地排气。因此,能够使外杯内的环境气体均匀平衡,因此能够提高用第二处理液对基板进行处理的面内均匀性。
本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:基板保持部,将基板保持为水平姿势;旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,上述内杯包括:内杯主体,俯视时呈环状;以及内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,上述外杯包括:外杯主体,俯视时呈环状;外下杯,构成上述外杯主体的底部;第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;第一排气口,形成于上述外下杯,用于排出从上述内杯排出口排出的气体;第二排液口,形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,上述第一排气口配置于俯视时从中心成为相互等角度的位置关系的多个部位,并且上述第二排气口配置于俯视时从中心成为相互等角度的位置关系的多个部位,上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动。
根据本发明,在使内杯主体位于回收位置的状态下,由旋转驱动部使基板保持部与基板一起旋转,从第一处理液供给部向基板供给第一处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第一处理液,由内杯的内杯主体回收,并通过内杯排出口由外杯的底面回收。由形成于外杯的外杯主体的底面回收的第一处理液,经由在底面由分离间隔壁与第二排液口分离的第一排液口排出。含有第一处理液的雾的内杯内的气体,从内杯主体经由内杯排出口由外杯回收,并经由外下杯的第一排出口排出。另外,在使内杯主体移动到退避位置的状态下,从第二处理液供给部向基板供给第二处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第二处理液,由外杯的外杯主体回收,并由外下杯的底面回收。由外杯主体的底面回收的第二处理液,经由在底面由分离间隔壁与第一排液口分离的第二排液口排出。含有第二处理液的雾的外杯内的气体,由外杯回收,并经由外下杯的第二排气口排出。通过使内杯移动到回收位置和退避位置,第一处理液经由第一排液口排出,并且含有第一处理液的雾的气体经由第一排气口排出,第二处理液经由第二排液口排出,并且含有第二处理液的雾的气体经由第二排气口排出。因此,内杯内的气体和外杯内的气体不会混合,因此在使用内杯时和使用外杯时,都能够以优异的品质对基板进行处理。而且,第一排气口在内杯配置为俯视时成为相等的位置关系,因此能够将含有第一处理液的雾的气体从内杯均匀地排气,第二排气口在外杯配置为俯视时成为相等的位置关系,因此能够将含有第二处理液的雾的气体从外杯均匀地排气。因此,能够使内杯内及外杯内的环境气体均匀平衡,因此能够提高用第一处理液对基板进行处理的面内均匀性及用第二处理液对基板进行处理的面内均匀性。
本发明中,优选上述外杯主体包括外侧面杯,上述外侧面杯构成上述外下杯主体的侧面,各个上述第二排气口配置于上述外杯主体的外周部,上述外侧面杯形成有贯通口,上述贯通口位于与各个上述第二排气口对应的位置,各个上述第二排气口包括排气管,上述排气管的上端位于上述贯通口的上部的上方。
由于能够使各个第二排气口配置于外杯的外周侧,因此能够充分确保第二排气口与第一排气口的距离。因此,不会使排气结构复杂。另外,通过外侧面杯的贯通口排出上升到排气管的上端的气流,因此能够仅排出含有雾的气体,能够防止第二处理液混入到第二排气口。
本发明中,优选各个上述第一排气口的位置关系和各个上述第二排气口的位置关系俯视时偏移90度。
即使配置多个第一排气口和多个第二排气口,也能够使各个排气口充分分开,因此不会使排气口的结构复杂。
本发明中,优选上述第一排气口在中空部的顶端形成有开口,上述中空部从上述外下杯的底面向上方延伸。
由于第一排气口的开口从外下杯的底面向上方离开,因此能够防止由底面回收的第一处理液和气体混合。
本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:基板保持部,将基板保持为水平姿势;旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,上述内杯包括:内杯主体,俯视时呈环状;以及内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,上述外杯包括:外杯主体,俯视时呈环状;外下杯,构成上述外杯主体的底部;第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;第一排气口,形成于上述外下杯,为了排出从上述内杯排出口排出的气体,在从上述底面向上方延伸的中空部的上部形成有开口,并且上述开口朝向与上述基板保持部的旋转方向相反的方向;第二排液口,形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动。
根据本发明,在使内杯主体位于回收位置的状态下,由旋转驱动部使基板保持部与基板一起旋转,从第一处理液供给部向基板供给第一处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第一处理液,由内杯的内杯主体回收,并通过内杯排出口由外杯的底面回收。由形成于外杯的外杯主体的底面回收的第一处理液,经由在底面由分离间隔壁与第二排液口分离的第一排液口排出。含有第一处理液的雾的内杯内的气体,从内杯主体经由内杯排出口由外杯回收,并经由外下杯的第一排出口排出。另外,在使内杯主体移动到退避位置的状态下,从第二处理液供给部向基板供给第二处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第二处理液,由外杯的外杯主体回收,并由外下杯的底面回收。由外杯主体的底面回收的第二处理液,经由在底面由分离间隔壁与第一排液口分离的第二排液口排出。含有第二处理液的雾的外杯内的气体,由外杯回收,并经由外下杯的第二排气口排出。通过使内杯移动到回收位置和退避位置,第一处理液经由第一排液口排出,并且含有第一处理液的雾的气体经由第一排气口排出,第二处理液经由第二排液口排出,并且含有第二处理液的雾的气体经由第二排气口排出。因此,内杯内的气体和外杯内的气体不会混合,因此在使用内杯时和使用外杯时,都能够以优异的品质对基板进行处理。另外,在与由旋转产生的气流的方向相反的方向上形成有第一排气口的开口,因此能够防止第一处理液随着气流流入到第一排气口。因此,能够提高气液的分离程度。
本发明提供一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:基板保持部,将基板保持为水平姿势;旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,上述内杯包括:内杯主体,俯视时呈环状;以及内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,上述外杯包括:外杯主体,俯视时呈环状;外下杯,构成上述外杯主体的底部;第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;第一排气口,形成于上述外下杯,用于排出从上述内杯排出口排出的气体;第二排液口,形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口;上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动,上述外下杯的底面包括:内周倾斜面,从上述第一排液口的内周侧朝向上述第一排液口逐渐变低;以及外周倾斜面,从上述第一排液口的外周侧朝向上述第一排液口逐渐变低。
根据本发明,在使内杯主体位于回收位置的状态下,由旋转驱动部使基板保持部与基板一起旋转,从第一处理液供给部向基板供给第一处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第一处理液,由内杯的内杯主体回收,并通过内杯排出口由外杯的底面回收。由形成于外杯的外杯主体的底面回收的第一处理液,经由在底面由分离间隔壁与第二排液口分离的第一排液口排出。含有第一处理液的雾的内杯内的气体,从内杯主体经由内杯排出口由外杯回收,经由外下杯的第一排出口排出。另外,在使内杯主体移动到退避位置的状态下,从第二处理液供给部向基板供给第二处理液。在该状态下,向基板的周围飞散的第二处理液,由外杯的外杯主体回收,并由外下杯的底面回收。由外杯主体的底面回收的第二处理液,经由在底面由分离间隔壁与第一排液口分离的第二排液口排出。含有第二处理液的雾的外杯内的气体,由外杯回收,并经由外下杯的第二排气口排出。通过使内杯移动到回收位置和退避位置,第一处理液经由第一排液口排出,并且含有第一处理液的雾的气体经由第一排气口排出,第二处理液经由第二排液口排出,并且含有第二处理液的雾的气体经由第二排气口排出。因此,内杯内的气体和外杯内的气体不会混合,因此在使用内杯时和使用外杯时,都能够以优异的品质对基板进行处理。另外,外下杯的底面包括内周倾斜面和外周倾斜面,因此能够提高第一排液口中的第一处理液的排出效率。而且,外下杯的底面是倾斜面,因此能够防止从上方流下来的第一处理液在底面溅回而重新朝向上方并附着到基板的问题。
本发明中,优选上述外下杯的底面包括:内周倾斜面,从上述第一排液口的内周侧朝向上述第一排液口逐渐变低;以及外周倾斜面,从上述第一排液口的外周侧朝向上述第一排液口逐渐变低。
由于外下杯的底面包括内周倾斜面和外周倾斜面,因此能够提高向第一排液口排出第一处理液的排出效率。而且,由于外下杯的底面是倾斜面,因此能够防止从上方流下来的第一处理液在底面溅回而重新朝向上方并附着到基板的问题。
本发明中,优选上述第一排气口形成于上述外下杯,在从上述底面向上方延伸的中空部的上部形成有开口,并且上述开口朝向与上述基板保持部的旋转方向相反的方向。
由于在与由旋转产生的气流的方向相反的方向上形成有第一排气口的开口,因此能够防止第一处理液随着气流流入到第一排气口。因此,能够提高气液的分离程度。
本发明中,优选上述外下杯的底面实施了亲水化处理。
由于外下杯的底面实施了亲水化处理,因此即使流入第一处理液和第二处理液,也很难在底面溅回。因此,能够防止第二处理液在底面溅回而重新朝向上方并附着到基板的问题。另外,能够提高第一处理液和第二处理液在底面的周向上的流动性,因此能够由第一排液口和第二排液口容易回收。
本发明中,优选上述中杯实施了亲水化处理。
即使第一处理液流入中杯,也很难溅回。因此,能够防止第一处理液在中杯溅回而附着到基板的问题。另外,能够提高附着到中杯的第一处理液的流动性,因此能够由第一排液口容易回收。另外,由外杯回收第二处理液时,能够使附着到中杯的第二处理液容易流到外下杯,因此能够由第二排液口容易回收。
附图说明
为了说明发明,图示了目前想到的优选的几种方式,但并不限定于发明所图示的结构及方法。
图1是表示实施例的基板处理装置的概要结构的整体结构图,是表示内杯位于回收位置的状态的纵向剖面图。
图2是表示实施例的基板处理装置的概要结构的整体结构图,是表示内杯位于退避位置的状态的纵向剖面图。
图3是局部放大表示内杯位于回收位置的状态的纵向剖面图。
图4是局部放大表示内杯位于退避位置的状态的纵向剖面图。
图5是环状构件的俯视图。
图6是拆卸了外杯主体及内杯主体的状态的外下杯的立体图。
图7是表示各个排气口的位置关系的俯视图。
图8是排气口的侧视图。
图9是表示各个排气口及各个排液口的配置位置的俯视图。
具体实施方式
以下,参照图面说明本发明的一实施例。
图1是表示实施例的基板处理装置的概要结构的整体结构图,是表示内杯位于回收位置的状态的纵向剖面图,图2是表示实施例的基板处理装置的概要结构的整体结构图,是表示内杯位于退避位置的状态的纵向剖面图,另外,图3是局部放大表示内杯位于回收位置的状态的纵向剖面图,图4是局部放大表示内杯位于退避位置的状态的纵向剖面图。
本实施例的基板处理装置1是向一张基板W(例如,俯视时呈圆形状的半导体晶片)供给处理液,对基板W一张一张地依次进行处理的装置。具体地,该基板处理装置能够对基板W进行负型显影处理及正型显影处理这两种处理。
基板保持部3将基板W保持为水平姿势。该基板保持部3例如通过真空吸引来吸附保持基板W的下表面的中心部。另外,也可以利用与吸附保持式不同的机构保持基板W。
旋转驱动部5包括电动马达7和旋转轴9。电动马达7与旋转轴9的下端连结,旋转轴9的上端与基板保持部3的下端连结。因此,当驱动电动马达7时,旋转轴9以轴心P为中心旋转驱动,从而使基板W在水平面内旋转驱动。
处理液供给部11是供给各种处理液的供给部,例如,包括四个供给喷嘴13~16。例如,喷嘴13供给正型显影用的显影液作为处理液,喷嘴14供给正型显影用的冲洗液作为处理液。另外,喷嘴15供给负型显影用的显影液作为处理液,喷嘴16供给负型显影用的冲洗液作为处理液。
另外,正型显影用的显影液是碱显影液,例如是四甲基氢氧化铵(TMAH:TetraMethyl Ammonium Hydroxide)。正型显影用的冲洗液例如是纯水。另外,负型显影用的显影液例如是含有乙酸丁酯等有机溶剂的显影液。负型显影用的冲洗液例如含有甲基异丁基甲醇(MIBC:Methyl Iso Butyl Carbinol)等有机溶剂。
上述的正型显影用的显影液及冲洗液相当于本发明的“第一处理液”,上述的负型显影用的显影液及冲洗液相当于本发明的“第二处理液”。
在基板保持部3的下方具有散布盘17。该散布盘17以与基板保持部3一起一体旋转的方式安装于基板保持部3。散布盘17向下述的杯19供给来自未图示的清洗液供给部的清洗液,从而对杯19的内面进行清洗。省略对散布盘17的详细说明。
杯19包围基板保持部3的侧方,回收向基板W供给的处理液。杯19包括外杯21和内杯23。内杯23配置在基板保持部3和外杯21之间。如图1及图3所示,内杯23在内周侧(旋转轴9侧)具有收集处理液的导入口A,如图2及图4所示,外杯21在内周侧具有收集处理液的导入口B。
杯19在旋转轴9的外周侧配置有基座部25。该基座部25的外周侧,即由基板保持部3保持的基板W的外周缘的下方附近,在基座部25的外周部安装有侧板27。另外,利用升降机构(未图示)使杯19和基座部25相对基板保持部3沿上下移动,从而能够对基板保持部3比杯19的上端向上方凸出并能够与基板搬运机构(未图示)交接基板的状态,和能够进行图1及图2所示的处理的状态进行切换。
在离侧板27最远的位置配置有外杯21,在外杯21的内侧配置有内杯23,在内杯23的内侧配置有中杯29。
外杯21包括外杯主体31、外下杯33及外侧面杯35。外杯主体31俯视时呈环状。外下杯33构成外杯主体31的底部。
外下杯33在底面立设有分离间隔壁37。该分离间隔壁37俯视时呈环状,将外下杯33的底面分离成内周侧和外周侧这两个侧。在内周侧的底面形成有第一排液口39,在外周侧的底面形成有第二排液口41。第一排液口39与第一废液处理部连通,第二排液口41与第二废液处理部连通。另外,在外下杯33的内周侧形成有第一排气口43,在外下杯33的比外侧面杯35位于外周侧,形成有第二排气口45。第一排气口43与第一排气处理部连通,第二排气口45与第二排气处理部连通。
在外下杯33的上方,即外杯主体31的内部,配置有内杯主体47。内杯主体47俯视时呈环状。该内杯主体47没有底部,底部成为向下方排出处理液和气体的内杯排出口49。内杯主体47包括引导部51和间隔壁容纳部53。引导部51将从基板W向周围飞散的正型显影用的显影液及冲洗液导向下方的内杯排出口49。间隔壁容纳部53形成于引导部51的下部,纵向剖面呈倒U状。该间隔壁容纳部53容纳有分离间隔壁37,根据下述的动作,容纳分离间隔壁37,或者仅容纳分离间隔壁37的上部。
中杯29配置成中杯29的外周侧位于分离间隔壁37的内周侧。中杯29的下表面从第一排气口43的开口分开,外周面从分离间隔壁37的内周面向内侧分开,外周端从外下杯33的底面分开。另外,中杯29实施了亲水化处理,从基板W向周围飞散的正型显影用的显影液及冲洗液能够由引导部51顺畅地导向外下杯33的底面。另外,亲水化处理优选不是涂覆药剂等,而是通过喷砂处理使表面粗糙。
由于中杯29进行了亲水化处理,所以即使向中杯29流入正型显影用的显影液及冲洗液也很难溅回。因此,能够防止正型显影用的显影液及冲洗液从中杯29溅回而附着到基板W的问题。另外,能够提高附着到中杯29的正型显影用的显影液及冲洗液的流动性,因此能够通过第一排液口39容易回收。
另外,优选内杯主体47也实施了亲水化处理。由此,由外杯21回收负型显影用的显影液及冲洗液时,能够使附着到内杯主体47的上面的负型显影用的显影液及冲洗液容易流到外下杯33,因此能够通过第二排液口41容易回收。
侧板27在一个部位(图1~图4的左侧)形成有切口部55,上述切口部55从内周侧向外周侧贯通,且高度方向长。在切口部55的内周侧配置有连杆构件57和气缸59。气缸59以动作片朝向纵向的姿势安装于基座部25,其顶端与连杆构件57的底部连结。在侧板27的外周面配置有环状构件61。
另外,上述的气缸59相当于本发明的“驱动部”。
此处,参照图5。另外,图5是环状构件的俯视图。
环状构件61俯视时呈环状,以从相当于外杯主体31内的外周面的侧板27的外周面向外侧稍微分开的状态,能够沿外周面升降。环状构件61在外周的三个部位设置有连结部63,上述连结部63以在俯视时从中心相互成为等间隔的角度向外周侧延伸。各个连结部63与形成于内杯主体47内周面的凸起部65卡止。另外,各个连结部63通过形成于中杯29的纵向开口67与凸起部65连结。因此,使中杯29和连结部63不干扰。
这样环状构件61通过俯视时成为相等的位置关系的三个部位的连结部63与内杯主体47连结。因此,即使环状构件61快速升降,也能够使内杯主体47以稳定的姿势移动,从而能够快速地对处理进行切换。
连杆构件57的上部从侧板27的切口部55向上方延伸,与环状构件61的内周面的一个部位连结。由此,当使气缸59动作从而使动作片升降时,内杯主体47与环状构件61一起在外杯21的内部升降。具体地,当使气缸59的动作片伸长时,内杯主体47上升到“回收位置”,当使气缸59的动作片收缩时,内杯主体47下降到“退避位置”。回收位置是从内杯23的导入口A回收正型显影用的显影液及冲洗液的位置,退避位置是从外杯21的导入口B回收负型显影用的显影液及冲洗液的位置。
另外,在退避位置上内杯主体47的间隔壁容纳部53容纳分离间隔壁37,在退避位置上内杯主体47的间隔壁容纳部53仅容纳分离间隔壁37的上部,因此即使内杯23和外杯21共用外下杯33,也能够使内杯主体47内和外下杯33内完全分离。因此,在退避位置上能够将负型显影用的显影液及冲洗液以及含有负型显影用的显影液及冲洗液的雾的气体仅回收到外杯21,在回收位置上能够由引导部51引导正型显影用的显影液及冲洗液以及含有正型显影用的显影液及冲洗液的雾的气体并且仅回收到内杯23。另外,间隔壁容纳部53和分离间隔壁37发挥引导件的作用,因此能够使内杯主体47稳定地升降。
上述的电动马达7、处理液供给部11及气缸59被控制部69控制。控制部69包括CPU和存储器等,按照规定了基板W的处理顺序的规程操作上述的各个部。
此处,参照图6~图9。另外,图6是拆卸了外杯主体及内杯主体的状态的外下杯的立体图,图7是表示各个排气口的位置关系的俯视图,图8是排气口的侧视图,图9是表示各个排气口及各个排液口的配置位置的俯视图。
上述的第一排气口43例如图7及图9所示形成于四个部位。各个第一排气口43配置为俯视时从中心相互成为等角度的位置关系。在本实施例中,第一排气口43有四个,因此相互成为90度的角度的位置关系。第一排气口43包括:中空部71,其从外下杯33的底面向上方延伸;以及开口73,其形成于中空部71的上部。第一排气口43的高度设置成不与中杯29的下表面抵接的高度,开口73朝向与基板保持部3的旋转方向相反的方向。中杯29覆盖开口73的上方,能够防止正型显影用的显影液和冲洗液流入第一排气口43,因此能够提高气液的分离程度并排出内杯23内的气体。
第一排气口43的开口73朝向与由旋转产生的气流的方向相反的方向,因此能够防止正型显影用的显影液和冲洗液以及正型显影用的显影液和冲洗液的雾随着气流流入到第一排气口43。因此,能够提高气液的分离程度。另外,第一排气口43的开口73从外下杯33的底面向上方分开,因此能够防止在外下杯33的底面回收的正型显影用的显影液和冲洗液与气体混合。
上述的第二排气口45例如图6及图7所示形成于四个部位。各个第二排气口45配置为俯视时从中心相互成为等角度的位置关系。在本实施例中,第二排气口45有四个,因此相互成为90度的角度的位置关系。另外,四个第二排气口45和四个第一排气口43的位置关系俯视时相互偏移90度。
通过这样偏移90度配置,即使配置四个第一排气口43和四个第二排气口45,也能够使各个排气口充分分开,从而不会使排气口的结构复杂化。
各个上述的第二排气口45配置于从俯视时呈圆形状的外杯19的外周面向外侧延伸的外下杯33的四角。换言之,各个第二排气口45配置于外杯主体31的外周部。外侧面杯35仅在与各个第二排气口45对应的位置形成有贯通口75。贯通口75由贯通口盖77覆盖。在外下杯33安装有排气管79,上述排气管79的上端朝向由外侧面杯35、贯通口盖77及外下杯33形成的空间开口。另外,排气管79配置成其上端比贯通口75的上部位于上方。即,从贯通口75流入的气体暂时向上方上升,流入到由贯通口盖77和外下杯33形成的空间后,从排气管79的上端排出,从而从第二排气口45排出。
根据这样的结构,各个第二排气口45可以配置于外杯21的外周侧,因此能够充分确保第二排气口45与第一排气口43的距离。因此,不会使排气结构密集并复杂化。另外,排出通过外侧面杯35的贯通口75朝向排气管79的上端上升的气流,因此能够仅排出含有雾的气体,能够防止负型显影用的显影液和冲洗液混入到第二排气口45的开口73。
如上所述配置有第一排气口43及第二排气口45,因此能够使含有正型显影用的显影液和冲洗液的雾的气体从内杯23均匀地排出,因此能够使含有负型显影用的显影液和冲洗液的雾的气体从外杯21均匀地排出。因此,能够使内杯23内及外杯21内的环境气体均匀平衡,因此能够提高用正型显影用的显影液和冲洗液对基板W进行处理的面内均匀性及用负型显影用的显影液和冲洗液对基板W进行处理的面内均匀性。
在外下杯33的底面中的由分离间隔壁37分离的内周侧,形成有内周流路81,在由分离间隔壁37分离的外周侧,形成有外周流路83。上述的第一排液口39形成于内周流路81的两个部位。具体地,形成于俯视时隔着轴心P相向的位置。另外,上述的第二排液口41形成于外周流路83的两个部位。具体地,形成于俯视时隔着轴心P相向的位置,并且两个第一排液口39的位置关系在绘制通过图9的轴心P的纵线的情况下,相对纵线成为线对称。
内周流路81以通过两个第一排液口39的中心的圆C1为基准,包括:内周倾斜面85,其从比圆C1位于内周的内周侧朝向第一排液口39逐渐变低;以及外周倾斜面87,其从比圆C1位于外周的外周侧朝向第一排液口39逐渐变低(参照图3或图4)。
外周流路83以通过两个第二排液口41的中心的圆C2为基准,包括:内周倾斜面89,其从比圆C2位于内周的内周侧朝向第二排液口41逐渐变低;以及外周倾斜面91,其从比圆C2位于外周的外周侧朝向第二排液口41逐渐变低(参照图3或图4)。
这样,外下杯33的底面包括内周倾斜面85和外周倾斜面87,因此能够提高向第一排液口39排出的正型显影用的显影液和冲洗液的排出效率。而且,外下杯33的底面是由内周倾斜面85和外周倾斜面87构成的倾斜面,因此能够防止从上方流下来的正型显影用的显影液和冲洗液在底面溅回而重新朝向上方并附着到基板W的问题。另外,底面包括内周倾斜面89和外周倾斜面91,因此能够提高向第二排液口41排出的负型显影用的显影液和冲洗液的排出效率。而且,外下杯33的底面是由内周倾斜面89和外周倾斜面91构成的倾斜面,因此能够防止从上方流下来的负型显影用的显影液和冲洗液在在底面溅回而重新朝向上方并附着到基板W的问题。
而且,内周流路81是在周向上朝向各个第一排液口39逐渐变低的倾斜面。即,本实施例中,内周流路81形成有两个第一排液口39的中间附近高且朝向各个第一排液口39变低的倾斜面。另外,外周流路83也同样地,在周向上形成有朝向各个第二排液口41变低的倾斜面。
通过形成这样的倾斜面,使流到离形成于外下杯33的底面的第一排液口39及第二排液口41远的位置的正型显影用的显影液和冲洗液以及负型显影用的显影液和冲洗液,也能够通过倾斜面流到第一排液口39及第二排液口41。因此,能够提高正型显影用的显影液和冲洗液以及负型显影用的显影液和冲洗液的回收效率。
另外,优选外下杯33的底面实施了亲水化处理。具体地,优选上述的内周流路81和外周流路83的上表面进行了亲水化处理。
当这样外下杯33的底面实施了亲水化处理,特别内周流路81实施了亲水化处理时,所以即使正型显影用的显影液及冲洗液流下来也很难在外下杯33的底面溅回。因此,能够防止正型显影用的显影液及冲洗液重新朝向上方并附着到基板W的问题。另外,能够提高正型显影用显影液和冲洗液以及负型显影用的显影液和冲洗液在外下杯33的底面的周向上的流动性,因此能够由第一排液口39和第二排液口41容易回收。
在如上所述构成的基板处理装置中,在被基板保持部3保持的基板W上覆盖有正型光致抗蚀剂的情况下,通过控制部69进行用正型显影用的显影液和冲洗液的显影处理。首先,控制部69使气缸59进行拉伸动作。由此,使内杯23上升并移动到“回收位置”,从而使导入口A开放。然后,控制部69使喷嘴13移动到轴心P,并且驱动电动马达7,使转数提升到处理转数,仅在规定时间内向基板W供给正型显影用的显影液。此时,从基板W飞散的正型显影用的显影液由内杯23回收,经由第一排液口39回收。另外,含有正型显影用的显影液的雾的内杯23内的气体在内杯23内流动,并经由第一排气口43排出。接着,通过控制部69使喷嘴14代替喷嘴13移动到轴心P,仅在规定时间内供给正型显影用的冲洗液。此时,与上述同样地,从内杯23回收及排出正型显影用的冲洗液和包含正型显影用的冲洗液的雾的气体。
接着,在被基板保持部3保持的基板W上覆盖有负型光致抗蚀剂的情况下,通过控制部69进行用负型显影用的显影液和冲洗液的显影处理。首先,控制部69使气缸59进行收缩动作。由此,使内杯23下降并移动到“退避位置”,从而使导入口B开放。然后,控制部69使喷嘴15移动到轴心P,并且驱动电动马达7,使转速提升到处理转数,仅在规定时间内向基板W供给负型显影用的显影液。此时,从基板W飞散的负型显影用的显影液由外杯21回收,经由第二排液口41回收。另外,含有负型显影用的显影液的雾的外杯21内的气体在外杯21内流动,并经由第二排气口45排出。接着,通过控制部69使喷嘴16代替喷嘴15移动到轴心P,仅在规定时间内供给负型显影用的冲洗液。此时,与上述同样地,从外杯21回收及排出负型显影用的冲洗液和含有负型显影用的冲洗液的雾的气体。
根据本实施例装置,内杯23内的气体和外杯21内的气体不会混合,因此使用内杯23时和使用外杯21时,都能够以优异品质对基板W进行处理。而且,内杯主体47没有底面,因此能够实现内杯23的轻量化。因此,能够减轻利用气缸59经由环状构件61移动内杯主体47时的负荷,能够使内杯主体47快速移动。另外,正型显影用的显影液和冲洗液也在向下方分开的外下杯33的底面被回收,因此能够防止因正型显影用的显影液和冲洗液的溅回而引起的不良影响。
另外,根据本实施例装置,第一排气口43在内杯23配置为俯视时成为相等的位置关系,因此能够使含有正型显影用的显影液和冲洗液的雾的气体从内杯均匀排出。因此,能够使内杯23内的环境气体均匀平衡,因此能够提高用正型显影用的显影液和冲洗液对基板W进行处理的面内均匀性。
另外,根据本实施例装置,在与由旋转产生的气流的方向相反的方向上形成有第一排气口43的开口73,因此能够防止正型显影用的显影液和冲洗液随着气流流入第一排气口43。因此,能够提高气液的分离程度。
另外,外下杯33的底面包括内周倾斜面85和外周倾斜面87,因此能够提高从第一排液口39排出的正型显影用的显影液和冲洗液的排出效率。而且,外下杯33的底面包括内周倾斜面85和外周倾斜面87,因此能够防止从上方流下来的正型显影用的显影液和冲洗液在底面溅回而重新朝向上方附着到基板W的问题。
本发明并不限于上述的实施方式,能够变形为下述那样的实施方式。
(1)在上述的实施例中,以进行正型显影处理和负型显影处理的基板处理装置为例进行了说明,但本发明并不限定于此。例如,本发明能够应用于对基板W进行清洗处理和涂覆处理等,用处理液对基板W进行处理的各种装置。
(2)在上述的实施例中,在环状构件61上设置有三个连结部63,俯视时相互等间隔配置,但本发明并不限定于这样的配置。即,也可以将多个连结部63俯视时非等间隔地配置。
(3)在上述的实施例中,内杯主体47由引导部51和间隔壁容纳部53构成,但能够分离分离间隔壁53的内周侧和外周侧的环境气体,并且只要能够使内杯主体47稳定地升降,就不限于必须设置间隔壁容纳部53。
(4)在上述的实施例中,作为驱动部例示有气缸59,但本发明的驱动部并不限于气缸59。即,驱动部只要能够使环状构件61沿上下位移即可,例如,也可以由滚珠螺杆和电动马达构成。
(5)在上述的实施例中,第一排气口43由中空部71和开口73构成,但只要使配置有第一排气口43的外下杯33的底面高于第一排液口39,也可以不用设置中空部71。
(6)在上述的实施例中,包括四个第一排气口43和四个第二排气口45,将其配置成俯视时偏移90度,但只要不使排气结构复杂,并不限于偏移配置,也可以使四个第一排气口43和四个第二排气口45配置于大致相同角度的位置。
(7)在上述的实施例中,分别包括四个第一排气口43和第二排气口45,但也可以分别至少包括三个第一排气口43和第二排气口45,且俯视时均等配置。另外,本发明并不限于将第一排气口43和第二排气口45都配置成俯视时均等的角度,可以仅将第一排气口43配置成俯视时均等的角度,或仅将第二排气口45配置成俯视时均等的角度。
(8)在上述的实施例中,第一排气口43包括中空部71和开口73,该开口73朝向与基板W的旋转方向相反的方向,并且外下杯33在底面包括内周倾斜面85和外周倾斜面87。但是,本发明不限于同时包括这些结构,也可以根据目的仅包括任一结构。
(9)在上述的实施例中,外下杯33的底面实施了亲水化处理,但本发明中实施该亲水化处理不是必须的。另外,同样地,中杯29的亲水化处理也不是必须的。
(10)在上述的实施例中,外下杯33的底面具有在周向上朝向第一排液口39及第二排液口41变低的倾斜面,但本发明不需要必须具备该结构。
(11)在上述的实施例中,内杯主体47由引导部51和间隔壁容纳部53构成,但只要能够使分离间隔壁53的内周侧和外周侧的环境气体分离,并且使内杯主体47稳定地升降,不需要必须设置间隔壁容纳部53。
本发明在不脱离其思想或者本质的范围内,能够以其它具体的形式实施,因此,本发明的范围应该参照权利要求书,而不是以上的说明。

Claims (35)

1.一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,包括:
基板保持部,将基板保持为水平姿势;
旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;
第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;
第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;
外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及
内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,
上述内杯包括:
内杯主体,俯视时呈环状:以及
内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,
上述外杯包括:
外杯主体,俯视时呈环状;
外下杯,构成上述外杯主体的底部;
第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;
第一排气口,形成于上述外下杯,用于排出从上述内杯排出口排出的气体;
第二排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出上述外杯主体内的第二处理液;
第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及
分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,
上述基板处理装置包括:
环状构件,与上述内杯主体分开构成,俯视时呈环状,能够沿上述外杯主体内的外周面升降,以不堵塞上述内杯排出口的方式连结于上述内杯主体;以及
驱动部,使上述环状构件升降,使上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动,
上述环状构件在俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位包括与上述内杯主体连结的连结部,
上述连结部从上述环状构件的外周部向上述内杯主体的内周部沿水平方向延伸。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述内杯主体包括:引导部,将从基板向周围飞散的第一处理液引向下方;以及间隔壁容纳部,倒U状形成于上述引导部的下部,
上述内杯主体在上述退避位置将上述分离间隔壁容纳于上述间隔壁容纳部,在上述回收位置仅将上述分离间隔壁的上部容纳于上述间隔壁容纳部。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口在中空部的顶端形成有开口,上述中空部从上述外下杯的底面向上方延伸。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
包括中杯,上述中杯位于上述分离间隔壁的内周侧,
上述中杯的下表面从上述第一排气口的开口分开,上述中杯的外周面从上述分离间隔壁的内周面分开,上述中杯的外周端从上述外杯主体的底面分开。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口配置于俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述第二排气口配置于俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口配置于俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位,并且上述第二排气口配置于俯视时从中心相互成为等角度的位置关系的多个部位。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
上述外杯主体包括外侧面杯,上述外侧面杯构成上述外下杯主体的侧面,
各个上述第二排气口配置于上述外杯主体的外周部,
上述外侧面杯在与各个上述第二排气口对应的位置形成有贯通口,
各个上述第二排气口包括排气管,上述排气管的上端位于比上述贯通口的上部靠近上方的位置。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
上述外杯主体包括外侧面杯,上述外侧面杯构成上述外下杯主体的侧面,
各个上述第二排气口配置于上述外杯主体的外周部,
上述外侧面杯形成有贯通口,上述贯通口位于与各个上述第二排气口对应的位置,
各个上述第二排气口包括排气管,上述排气管的上端位于上述贯通口的上部的上方。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
上述外杯主体包括外侧面杯,上述外侧面杯构成上述外下杯主体的侧面,
各个上述第二排气口配置于上述外杯主体的外周部,
上述外侧面杯形成有贯通口,上述贯通口位于与各个上述第二排气口对应的位置,
各个上述第二排气口包括排气管,上述排气管的上端位于上述贯通口的上部的上方。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
各个上述第一排气口的位置关系和各个上述第二排气口的位置关系,俯视时偏移90度。
13.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口在中空部的顶端形成有开口,上述中空部从上述外下杯的底面向上方延伸。
14.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口在中空部的顶端形成有开口,上述中空部从上述外下杯的底面向上方延伸。
15.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口在中空部的顶端形成有开口,上述中空部从上述外下杯的底面向上方延伸。
16.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
上述内杯主体包括:引导部,将从基板向周围飞散的第一处理液引向下方;以及间隔壁容纳部,倒U状形成于上述引导部的下部,
上述内杯主体在上述退避位置上将上述分离间隔壁容纳于上述间隔壁容纳部,在上述回收位置上仅将上述分离间隔壁的上部容纳于上述间隔壁容纳部。
17.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
上述内杯主体包括:引导部,将从基板向周围飞散的第一处理液引向下方;以及间隔壁容纳部,倒U状形成于上述引导部的下部,
上述内杯主体在上述退避位置上将上述分离间隔壁容纳于上述间隔壁容纳部,在上述回收位置上仅将上述分离间隔壁的上部容纳于上述间隔壁容纳部。
18.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
上述内杯主体包括:引导部,将从基板向周围飞散的第一处理液引向下方;以及间隔壁容纳部,倒U状形成于上述引导部的下部,
上述内杯主体在上述退避位置上将上述分离间隔壁容纳于上述间隔壁容纳部,在上述回收位置上仅将上述分离间隔壁的上部容纳于上述间隔壁容纳部。
19.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
包括中杯,上述中杯位于上述分离间隔壁的内周侧,
上述中杯的下表面从上述第一排气口的开口分开,外周面从上述分离间隔壁的内周面分开,外周端从上述外杯主体的底面分开。
20.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
包括中杯,上述中杯位于上述分离间隔壁的内周侧,
上述中杯的下表面从上述第一排气口的开口分开,外周面从上述分离间隔壁的内周面分开,外周端从上述外杯主体的底面分开。
21.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
包括中杯,上述中杯位于上述分离间隔壁的内周侧,
上述中杯的下表面从上述第一排气口的开口分开,外周面从上述分离间隔壁的内周面分开,外周端从上述外杯主体的底面分开。
22.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
23.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
24.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
25.一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其中,上述基板处理装置包括以下的构件:
基板保持部,将基板保持为水平姿势;
旋转驱动部,使上述基板保持部以铅垂轴为中心旋转;
第一处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第一处理液;
第二处理液供给部,向被上述基板保持部保持的基板供给第二处理液;
外杯,包围上述基板保持部的侧方;以及
内杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之间,
上述内杯包括:
内杯主体,俯视时呈环状;以及
内杯排出口,形成于上述内杯主体的下部,向下方排出上述内杯主体内的第一处理液及气体,
上述外杯包括:
外杯主体,俯视时呈环状;
外下杯,构成上述外杯主体的底部;
第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出从上述内杯排出口排出的上述第一处理液;
第一排气口,形成于上述外下杯,为了排出从上述内杯排出口排出的气体,在从上述底面向上方延伸的中空部的上部形成有开口,并且上述开口朝向与上述基板保持部的旋转方向相反的方向;
第二排液口,形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主体内的第二处理液;
第二排气口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主体内的气体;以及
分离间隔壁,俯视时呈环状地立设在上述外下杯的底面,分离上述第一排液口和上述第二排液口,
上述内杯主体在上述内杯回收处理液的回收位置和上述外杯回收处理液的退避位置之间移动。
26.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯的底面包括:内周倾斜面,从上述第一排液口的内周侧朝向上述第一排液口逐渐变低;以及外周倾斜面,从上述第一排液口的外周侧朝向上述第一排液口逐渐变低。
27.根据权利要求25所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯的底面包括:内周倾斜面,从上述第一排液口的内周侧朝向上述第一排液口逐渐变低;以及外周倾斜面,从上述第一排液口的外周侧朝向上述第一排液口逐渐变低。
28.根据权利要求26所述的基板处理装置,其中,
上述第一排气口形成于上述外下杯,在从上述底面向上方延伸的中空部的上部形成有开口,并且上述开口朝向与上述基板保持部的旋转方向相反的方向。
29.根据权利要求25所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
30.根据权利要求26所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯在底面形成有倾斜面,上述倾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口变低地倾斜。
31.根据权利要求25所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯的底面实施了亲水化处理。
32.根据权利要求26所述的基板处理装置,其中,
上述外下杯的底面实施了亲水化处理。
33.根据权利要求25所述的基板处理装置,其中,
上述内杯主体包括:引导部,将从基板向周围飞散的第一处理液引向下方;以及间隔壁容纳部,倒U状形成于上述引导部的下部,
上述内杯主体在上述退避位置上将上述分离间隔壁容纳于上述间隔壁容纳部,在上述回收位置上仅将上述分离间隔壁的上部容纳于上述间隔壁容纳部。
34.根据权利要求25所述的基板处理装置,其中,
包括中杯,上述中杯位于上述分离间隔壁的内周侧,
上述中杯的下表面从上述第一排气口的开口分开,外周面从上述分离间隔壁的内周面分开,外周端从上述外杯主体的底面分开。
35.根据权利要求34所述的基板处理装置,其中,
上述中杯实施了亲水化处理。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7067950B2 (ja) * 2018-02-16 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN108983551A (zh) * 2018-08-22 2018-12-11 南京中电熊猫液晶材料科技有限公司 涂布机光阻回收系统
TWI711491B (zh) * 2020-01-03 2020-12-01 弘塑科技股份有限公司 基板濕處理設備及回收環
JP6911950B2 (ja) * 2020-01-10 2021-07-28 株式会社Sumco 半導体ウェーハの洗浄装置および半導体ウェーハの洗浄方法
JP7360973B2 (ja) * 2020-02-27 2023-10-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
KR102583458B1 (ko) * 2020-11-27 2023-09-26 세메스 주식회사 기판 처리액 회수 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US11923209B2 (en) * 2021-07-27 2024-03-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102616061B1 (ko) * 2021-08-24 2023-12-20 (주)디바이스이엔지 바울 조립체를 포함하는 기판 처리장치
JP2023140684A (ja) * 2022-03-23 2023-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN117066241B (zh) * 2023-10-13 2024-01-23 江苏芯梦半导体设备有限公司 排气排液装置、晶圆容器载具及晶圆容器清洗设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101204708A (zh) * 2006-12-19 2008-06-25 大日本网目版制造株式会社 回收杯清洗方法以及基板处理装置
CN101615567A (zh) * 2008-06-27 2009-12-30 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN102479736A (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 东京毅力科创株式会社 基板处理系统及基板处理方法
CN103779254A (zh) * 2012-10-24 2014-05-07 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置、基板处理系统及基板处理装置的控制方法
CN104051305A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231964A (ja) 1988-03-10 1989-09-18 Teru Kyushu Kk スピンコーティング装置
JP3352371B2 (ja) 1997-10-31 2002-12-03 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP4257816B2 (ja) 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
JP4593713B2 (ja) 2000-02-04 2010-12-08 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2006066501A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd スピン洗浄乾燥装置及びスピン洗浄乾燥方法
JP2007088398A (ja) 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
JP2007180379A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
KR101042666B1 (ko) * 2006-06-16 2011-06-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP4823036B2 (ja) 2006-09-15 2011-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100900628B1 (ko) * 2006-09-15 2009-06-02 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5218450B2 (ja) 2010-03-03 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR101592058B1 (ko) * 2010-06-03 2016-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치
JP2012015348A (ja) 2010-07-01 2012-01-19 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナ洗浄装置
JP5375871B2 (ja) 2011-04-18 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体
JP5885989B2 (ja) 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6005604B2 (ja) 2012-09-13 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP6234736B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-22 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP6287750B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101204708A (zh) * 2006-12-19 2008-06-25 大日本网目版制造株式会社 回收杯清洗方法以及基板处理装置
CN101615567A (zh) * 2008-06-27 2009-12-30 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN102479736A (zh) * 2010-11-29 2012-05-30 东京毅力科创株式会社 基板处理系统及基板处理方法
CN103779254A (zh) * 2012-10-24 2014-05-07 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置、基板处理系统及基板处理装置的控制方法
CN104051305A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置

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