JP2011211095A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1処理室8および第2処理室9は、それぞれ、第1処理空間S1および第2処理空間S2を区画している。第2処理空間S2は、第1処理空間S1内に設けられ、第1処理空間S1に通じている。スピンチャック10に保持された基板Wは、チャック昇降機構36によって第1処理空間S1または第2処理空間S2に配置される。処理液供給機構12は、第2処理空間S2で基板Wに処理液を供給する。第1処理空間S1および第2処理空間S2の気圧は、排気機構23およびFFU24によって、第1処理空間S1の気圧が第1処理空間S1の外の気圧よりも高く、第2処理空間S2の気圧が第1処理空間S1の気圧よりも低くなるように制御されている。
【選択図】図2
Description
前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、第1処理空間(S1)を区画する第1処理室(8)と、前記第1処理空間内に設けられ、前記第1処理空間に通じる第2処理空間(S2)を区画する第2処理室(9)と、基板(W)を保持する基板保持機構(10)と、前記第2処理室および基板保持機構を相対移動させて、前記基板保持機構に保持された基板を前記第1処理空間または第2処理空間に位置させる相対移動機構(36)と、処理液を吐出する吐出部材(14,15)を含み、前記基板保持機構に保持された基板が前記第2処理空間に位置しているときに、前記吐出部材から処理液を吐出させて前記基板保持機構に保持された基板に処理液を供給する処理液供給機構(12)と、前記第1処理空間の気圧が前記第1処理空間の外の気圧よりも高く、前記第2処理空間の気圧が前記第1処理空間の気圧よりも低くなるように、前記第1処理空間および第2処理空間の気圧を制御する気圧制御機構(23,24)とを含む、基板処理装置(1)である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
請求項8記載の発明は、前記処理液供給工程は、基板を覆う処理液の液膜を形成する工程を含み、前記移動工程は、基板に前記液膜を保持させ、かつ当該基板への処理液の供給を停止させた状態で当該基板を前記第2処理空間から前記第1処理空間に移動させる工程を含む、請求項7記載の基板処理方法である。この発明によれば、請求項3の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液によって半導体ウエハ等の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、インデクサブロック2と、インデクサブロック2に結合された処理ブロック3とを備えている。基板処理装置1は、たとえば、クリーンルーム内に配置される。
処理部6は、第1処理室8と、第1処理室8内に設けられた第2処理室9とを備えている。また、処理部6は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック10(基板保持機構)と、スピンチャック10の真上で水平に配置された遮断板11(閉塞部材)と、スピンチャック10に保持された基板Wに処理液を供給する処理液供給機構12と、スピンチャック10を取り囲む環状のカップ13とを備えている。遮断板11は、第1処理室8内に配置されており、スピンチャック10およびカップ13は、第2処理室9内に配置されている。処理液供給機構12は、第1処理室8内に配置された中心軸ノズル14(吐出部材)と、第2処理室9内に配置された薬液ノズル15(吐出部材)とを含む。
未処理の基板Wは、センターロボットCRによって第1処理室8内に搬入される。具体的には、制御装置7は、チャック昇降機構36を制御して、図3に示すように、薬液ノズル15が退避位置に配置されており、遮断板11が第2上位置に配置されている状態で、スピンチャック10を第1下位置から第1上位置に移動させる。これにより、スピンベース33が、開口部22を通って第2処理空間S2から第1処理空間S1に移動する。スピンチャック10が第1上位置に配置された後は、制御装置7が、開閉機構20を制御して、シャッター18を下降させる。これにより、図4に示すように、出入り口19が開かれる。第1処理空間S1の気圧が、第1処理空間S1の外の気圧よりも高いので、このとき、第1処理空間S1の外の空気が、出入り口19を通って第1処理空間S1に進入することはない。そのため、第1処理空間S1の外に存在するパーティクルが、空気と共に第1処理空間S1に進入することはない。
7 制御装置
8 第1処理室
9 第2処理室
10 スピンチャック(基板保持機構)
11 遮断板(閉塞部材)
12 処理液供給機構
14 中心軸ノズル(吐出部材)
15 薬液ノズル(吐出部材)
22 開口部(連通部)
23 排気機構(気圧制御機構)
24 FFU(気圧制御機構)
35 スピンモータ(乾燥機構)
36 チャック昇降機構(相対移動機構)
39 遮断板昇降機構(閉塞部材移動機構)
S1 第1処理空間
S2 第2処理空間
W 基板
Claims (8)
- 第1処理空間を区画する第1処理室と、
前記第1処理空間内に設けられ、前記第1処理空間に通じる第2処理空間を区画する第2処理室と、
基板を保持する基板保持機構と、
前記第2処理室および基板保持機構を相対移動させて、前記基板保持機構に保持された基板を前記第1処理空間または第2処理空間に位置させる相対移動機構と、
処理液を吐出する吐出部材を含み、前記基板保持機構に保持された基板が前記第2処理空間に位置しているときに、前記吐出部材から処理液を吐出させて前記基板保持機構に保持された基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記第1処理空間の気圧が前記第1処理空間の外の気圧よりも高く、前記第2処理空間の気圧が前記第1処理空間の気圧よりも低くなるように、前記第1処理空間および第2処理空間の気圧を制御する気圧制御機構とを含む、基板処理装置。 - 前記基板保持機構に保持された基板を乾燥させる乾燥機構と、前記乾燥機構、相対移動機構、および処理液供給機構を制御する制御装置とをさらに含み、
前記制御装置は、前記処理液供給機構を制御することにより、前記第2処理空間で前記基板保持機構に保持された基板に処理液を供給させる処理液供給工程と、前記相対移動機構を制御することにより、当該基板に処理液を供給させた後に前記第2処理室および基板保持機構を相対移動させて当該基板を前記第2処理空間から前記第1処理空間に移動させる移動工程と、前記乾燥機構を制御することにより、当該基板を前記第1処理空間で乾燥させる乾燥工程とを実行する、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給工程は、前記基板保持機構に保持された基板を覆う処理液の液膜を形成する工程を含み、
前記移動工程は、前記基板保持機構に保持された基板に前記液膜を保持させ、かつ当該基板への処理液の供給を停止させた状態で当該基板を前記第2処理空間から前記第1処理空間に移動させる工程を含む、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記気圧制御機構は、前記第1および第2処理空間から気体を排出する排気機構を含み、
前記制御装置は、前記排気機構および乾燥機構を制御することにより、前記乾燥工程において、前記第1処理空間の気圧が前記第2処理空間の気圧よりも高い状態を維持しつつ、前記第1処理空間の排気流量を増加させる、請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記第2処理室は、前記第1処理空間および第2処理空間を連通させる連通部を含み、
前記基板処理装置は、前記連通部を塞ぐ閉塞部材と、前記閉塞部材を移動させる閉塞部材移動機構とをさらに含み、
前記制御装置は、前記閉塞部材移動機構および処理液供給機構を制御することにより、前記閉塞部材によって前記連通部を塞いだ状態で前記処理液供給工程を実行する、請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 周囲の気圧よりも高い気圧を有し、第1処理室によって区画された第1処理空間から、前記第1処理空間の気圧よりも低い気圧を有し、第2処理室によって区画され、前記第1処理空間内に設けられた第2処理空間に基板を移動させる工程と、
前記第2処理空間で基板に処理液を供給する処理液供給工程と含む、基板処理方法。 - 処理液が供給された基板を前記第2処理空間から前記第1処理空間に移動させる移動工程と、
前記第1処理空間で基板を乾燥させる乾燥工程とをさらに含む、請求項6記載の基板処理方法。 - 前記処理液供給工程は、基板を覆う処理液の液膜を形成する工程を含み、
前記移動工程は、基板に前記液膜を保持させ、かつ当該基板への処理液の供給を停止させた状態で当該基板を前記第2処理空間から前記第1処理空間に移動させる工程を含む、請求項7記載の基板処理方法。
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