TW202230500A - 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 - Google Patents

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Abstract

本申請案說明書揭示之技術係用以抑制洗淨由伯努利吸盤保持之基板之洗淨液殘存於洗淨噴嘴內之技術。 本申請案說明書揭示之技術相關之基板洗淨方法係洗淨以伯努利吸盤保持的基板之基板洗淨方法，且具備如下步驟：經由洗淨噴嘴將洗淨液供給至與保持基板之保持面對向之面即基板之下表面；及於供給洗淨液之步驟後，以由伯努利吸盤保持基板之狀態，吸引洗淨噴嘴內。

Description

基板洗淨方法及基板洗淨裝置
本申請案說明書所揭示之技術係關於一種洗淨基板之技術。於成為包含洗淨之處理的對象之基板，例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(electroluminescence：電致發光)顯示裝置等之平面顯示器(FPD：flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用玻璃基板、陶瓷基板、場發射顯示器(FED：field emission display)用基板、或太陽電池用基板等。
作為於基板處理裝置中保持基板之方法，有使用伯努利原理將基板非接觸保持之伯努利吸盤(例如參照專利文獻1)。
於基板處理裝置中，於洗淨以伯努利吸盤保持之基板時，有除基板之上表面外，亦對下表面噴出洗淨液且洗淨基板之情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-149420號公報
[發明所欲解決之問題]
於使用配置於基板下方之洗淨噴嘴將洗淨液噴出至基板下表面之洗淨方法中，於洗淨步驟後，有洗淨液殘存於洗淨噴嘴內之情形。殘存於洗淨噴嘴內之洗淨液因可能成為後續處理步驟中附著於基板之顆粒之原因等，故期望適當去除。
本申請案說明書揭示之技術係鑑於以上記載般之問題而完成者，即用以抑制洗淨由伯努利吸盤保持之基板的洗淨液殘存於洗淨噴嘴內之技術。 [解決問題之技術手段]
本申請案揭示之技術之第1態樣之基板洗淨方法係洗淨以伯努利吸盤保持之基板之基板洗淨方法，且具備如下步驟：經由洗淨噴嘴將洗淨液供給至與保持上述基板之保持面對向之面即上述基板之下表面；及於供給上述洗淨液之步驟後，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，吸引上述洗淨噴嘴內。
本申請案說明書揭示之技術之第2態樣之基板洗淨方法係如第1態樣之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟：於將上述洗淨液供給至上述基板之上述下表面之步驟前，將藥液供給至上述基板之上表面；及於供給上述藥液之步驟之期間、及將上述洗淨液供給至上述基板之上述下表面之步驟之期間，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，經由氣體噴嘴將氣體供給至上述基板之上述下表面；且經由上述氣體噴嘴供給之上述氣體於俯視時自上述基板之徑向內側向徑向外側流動。
本申請案說明書揭示之技術之第3態樣之基板洗淨方法係如第2態樣之基板洗淨方法，其中上述氣體噴嘴為與上述洗淨噴嘴共通之噴嘴。
本申請案說明書揭示之技術之第4態樣之基板洗淨方法係如第1至3中任一態樣之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟：於吸引上述洗淨噴嘴內之步驟之期間，將上述洗淨液供給至上述基板之上表面。
本申請案說明書揭示之技術之第5態樣之基板洗淨方法係如第1至4中任一態樣之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟：於將上述洗淨液供給至上述基板之下表面之步驟之期間，將上述洗淨液供給至上述基板之上表面。
本申請案說明書揭示之技術之第6態樣之基板洗淨方法係如第1至5中任一態樣之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟：於吸引上述洗淨噴嘴內之步驟之後，使上述基板乾燥。
本申請案說明書揭示之技術之第7態樣之基板洗淨方法係如第6態樣之基板洗淨方法，其中上述洗淨噴嘴內之吸引亦於使上述基板乾燥之步驟中進行，且於使上述基板乾燥之步驟中，控制上述基板之旋轉數、及上述洗淨噴嘴內之吸引量中之至少1者，藉此將上述基板與上述保持面之間之空間中之壓力調整至預先設定之範圍內。
本申請案說明書揭示之技術之第8態樣之基板洗淨方法係如第6或7態樣之基板洗淨方法，其中使上述基板乾燥之步驟以未由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，不使上述基板旋轉地進行，且進而具備如下步驟：於使上述基板乾燥之步驟之期間，將氣體供給至上述基板之上述下表面；且供給之上述氣體於俯視時自上述基板之徑向內側向徑向外側流動。
本申請案說明書揭示之技術之第9態樣之基板洗淨方法係如第6或7態樣之基板洗淨方法，其中使上述基板乾燥之步驟進行複數次，使上述基板乾燥之步驟以未由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，不使上述基板旋轉地進行後，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，使上述基板旋轉而進行，且進而具備如下步驟：於使上述基板不旋轉地乾燥之步驟之期間，將氣體供給至上述基板之上述下表面；且供給之上述氣體於俯視時自上述基板之徑向內側向徑向外側流動。
本申請案說明書揭示之技術之第10態樣之基板洗淨裝置係洗淨以伯努利吸盤保持之基板之基板洗淨裝置，且具備如下機構：經由洗淨噴嘴將洗淨液供給至保持上述基板之保持面所對向之面即上述基板之下表面之機構；及於供給上述洗淨液後，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，吸引上述洗淨噴嘴內之機構。 [發明之效果]
根據本申請案說明書揭示之技術之至少第1、10態樣，可於以伯努利吸盤保持基板之情形時，抑制洗淨液殘存於位於基板下表面之洗淨噴嘴內。
又，本申請案說明書揭示之技術所關聯之目的、特徵、局面、優勢藉由以下所示之詳細說明與附加圖式而進一步明確。
以下，參照附加圖式說明實施形態。於以下實施形態中，亦顯示用以說明技術之詳細特徵，但該等為例示，該等並非為了可使實施形態實施而全部為必須之特徵。
另，圖式係概略性顯示之圖，即，為便於說明而適當省略圖式中之構成或使構成簡略化之圖。又，不同圖式各自顯示之構成等之大小及位置之相互關係未必正確記述，為可適當變更者。又，於俯視圖等而非剖視圖之圖式中，為便於理解實施形態之內容，有時附加陰影線。
又，以下顯示之說明中，對同樣之構成要件附註相同符號且予以圖示，該等名稱與功能亦設為同樣者。因此，有時為避免重複而省略該等之詳細說明。
又，於本申請案說明書記載之說明中，於記載為「具備」、「包含」或「具有」某構成要件等之情形，除非另有說明，否則並非排除其他構成要件存在之排他性表現。
又，於本申請案說明書記載之說明中，即便使用「第1之」或「第2之」等序數之情形，該等用語亦係為便於理解實施形態之內容而方便使用者，並非限定於可能因該等序數產生之順序等者。
又，本申請案說明書記載之說明中顯示相對或絕對位置關係之表現例如「於一方向」、「沿一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」或「同軸」等，除非另有說明，否則設為包含嚴格顯示其位置關係之情形、及角度或距離在獲得公差或同程度功能之範圍內位移之情形者。
又，於本申請案說明書記載之說明中，即便有使用意指「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」或「背」等特定位置或方向之用語之情形，該等用語亦係為便於理解實施形態之內容而方便使用者，即與實際實施時之位置或方向無關者。
又，本申請案說明書記載之說明中，記載為「…之上表面」或「…之下表面」等之情形，設為除作為對象之構成要件之上表面自身或下表面自身外，亦包含其他構成要件形成於作為對象之構成要件之上表面或下表面之狀態者。即，例如記載為「乙設置於甲之上表面」之情形，並非阻止其他構成要件「丙」介存於甲與乙之間者。
＜實施形態＞ 以下對本實施形態相關之基板處理裝置進行說明。
＜關於基板處理裝置之構成＞ 圖1係概略性顯示本實施形態相關之基板處理裝置1之構成例之俯視圖。基板處理裝置1具備裝載口601、分度機器人602、中心機器人603、控制部90、及至少1個處理單元600(圖1中為4個處理單元)。
處理單元600係可用於基板處理之單片式裝置，具體而言為進行將附著於基板W之有機物去除之處理的裝置。附著於基板W之有機物為例如使用過之抗蝕劑膜。該抗蝕劑膜例如作為離子注入步驟用之注入遮罩而使用者。
另，處理單元600可具有腔室180。此時，藉由利用控制部90控制腔室180內之環境氣體，處理單元600可進行期望環境氣體中之基板處理。
控制部90可控制基板處理裝置1中之各構成(後述之擋閘50C、調整閥56、調整閥62、調整閥111、調整閥112、調整閥113、旋轉驅動源152A、旋轉驅動源160A、旋轉驅動部193等)之動作。載體C為收納基板W之收納器。又，裝載口601為保持複數個載體C之收納器保持機構。分度機器人602可於裝載口601與基板載置部604之間搬送基板W。中心機器人603可於基板載置部604及處理單元600間搬送基板W。
根據以上構成，分度機器人602、基板載置部604及中心機器人603作為於各處理單元600與裝載口601之間搬送基板W之搬送機構發揮功能。
未處理之基板W藉由分度機器人602自載體C取出。接著，未處理之基板W經由基板載置部604交接至中心機器人603。
中心機器人603將該未處理之基板W搬入處理單元600。接著，處理單元600對基板W進行處理。
於處理單元600中處理過之基板W藉由中心機器人603自處理單元600取出。接著，處理過之基板W根據需要經由其他處理單元600後，經由基板載置部604交接至分度機器人602。分度機器人602將處理過之基板W搬入至載體C。藉此，進行對基板W之處理。
圖2係顯示圖1例示之控制部90之構成之例之圖。控制部90亦可藉由具有電性電路之一般電腦而構成。具體而言，控制部90具備中央運算處理裝置(central processing unit，即CPU)91、唯讀記憶體(read only memory，即ROM)92、隨機存取記憶體(random access memory，即RAM)93、記錄裝置94、輸入部96、顯示部97及通信部98、與將該等彼此連接之匯流排線95。
ROM92儲存基本程式。RAM93作為CPU91進行特定處理時之作業區域而使用。記錄裝置94藉由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性記錄裝置構成。輸入部96藉由各種開關或觸控面板等構成，自使用者接收處理參數等之輸入設定指示。顯示部97例如由液晶顯示裝置及燈等構成，於CPU91之控制下，顯示各種資訊。通信部98具有經由區域網路(LAN：local area network)等進行資料通信之功能。
於記錄裝置94預先設定有圖1之基板處理裝置1中之各構成之控制相關之複數個模式。CPU91藉由執行處理程式94P，選擇上述複數個模式中之1個模式，且以該模式控制各構成。另，處理程式94P亦可記錄於外部之記錄媒體。若使用該記錄媒體，則可將處理程式94P安裝至控制部90。又，控制部90執行之功能之一部分或全部未必由軟體實現，亦可由專用邏輯電路等硬體實現。
圖3係概略性顯示本實施形態相關之處理單元600之構成之例之圖。另，根據便於理解構成之觀點，於該圖式中有省略一部分之構成要件或簡略化顯示之情形。
處理單元600對基板W進行使用處理用之液體(即，包含藥液、洗淨液或清洗液之處理液)或氣體之流體處理、使用紫外線等之電磁波之處理、或物理洗淨處理(例如，刷子洗淨或噴嘴洗淨等)等之各種處理(洗淨處理或蝕刻處理等)。
如圖3例示，處理單元600具備：箱型之處理室50，其具有內部空間；旋轉吸盤51，其於處理室50內以水平姿勢保持1片基板W且使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線Z1旋轉；及筒狀之處理杯511，其繞基板W之旋轉軸線Z1包圍旋轉吸盤51。
處理室50由箱狀之隔離壁50A包圍。於隔離壁50A形成有用以對處理室50內搬入搬出基板W之開口部50B。
開口部50B藉由擋閘50C開閉。擋閘50C藉由擋閘升降機構(此處未圖示)而於蓋住開口部50B之關閉位置(圖3中以二點鏈線顯示)、與開啟開口部50B之打開位置(圖3中以實線顯示)之間升降。
於基板W之搬入搬出時，中心機器人603通過開口部50B對處理室50內使用機器臂進行存取。藉此，可使未處理之基板W配置於旋轉吸盤51之上表面、或自旋轉吸盤51卸除處理過之基板W。
如圖3例示，旋轉吸盤51具備與基板W之下表面對向之板101、連結於板101之下表面之旋轉軸192、及使旋轉軸192繞旋轉軸線Z1旋轉之旋轉驅動部193。
如圖3例示，處理單元600具備向旋轉吸盤51所保持之基板W之上表面噴出藥液之藥液噴嘴52、前端安裝有藥液噴嘴52之藥液臂152、將來自藥液供給源(此處，未圖示)之藥液引導至藥液噴嘴52之藥液供給配管54、及開閉藥液供給配管54之內部之調整閥56。
藥液臂152具備旋轉驅動源152A、及一端可藉由安裝之旋轉驅動源152A旋轉且另一端安裝有藥液噴嘴52之臂部152B。
藥液臂152藉由旋轉驅動源152A使臂部152B旋轉，而使安裝於臂部152B之前端之藥液噴嘴52可沿旋轉吸盤51所保持之基板W之上表面移動。即，安裝於臂部152B之前端之藥液噴嘴52可於水平方向移動。此處，旋轉驅動源152A之驅動由控制部90控制。
調整閥56之開閉由控制部90控制。於藥液供給至藥液噴嘴52之情形，調整閥56打開。另一方面，於停止向藥液噴嘴52供給藥液之情形，調整閥56關閉。
又，如圖3例示，處理單元600具備：清洗液噴嘴60，其向旋轉吸盤51所保持之基板W之上表面噴出清洗液；清洗液臂160，其前端安裝有清洗液噴嘴60；清洗液供給配管61，其將來自清洗液供給源(此處未圖示)之清洗液供給至清洗液噴嘴60；及調整閥62，其對自清洗液供給配管61向清洗液噴嘴60之清洗液之供給及供給停止進行切換。作為清洗液，使用DIW(Deionized Water：去離子水)等。
清洗液臂160具備旋轉驅動源160A、及一端可藉由安裝之旋轉驅動源160A旋轉且另一端安裝有清洗液噴嘴60之臂部160B。
清洗液臂160藉由旋轉驅動源160A使臂部160B旋轉，而使安裝於臂部160B之前端之清洗液噴嘴60可沿旋轉吸盤51所保持之基板W之上表面移動。即，安裝於臂部160B之前端之清洗液噴嘴60可於水平方向移動。此處，旋轉驅動源160A之驅動藉由控制部90控制。
於利用藥液噴嘴52對基板W供給藥液後，自清洗液噴嘴60對基板W供給清洗液，藉此可洗掉附著於基板W等之藥液。
處理杯511以包圍旋轉吸盤51周圍之方式設置，藉由未圖示之馬達沿鉛直方向升降。處理杯511之上部於其上端成為較旋轉吸盤51所保持之基板W更上側之上位置、與成為較該基板W更下側之下位置之間升降。
自基板W之上表面飛散至外側之處理液由處理杯511之內側面擋住。接著，被處理杯511擋住之處理液通過處理室50之底部且設置於處理杯511之內側之排液口513，適當排液至處理室50之外部。
又，於處理室50之側部設置有通往處理杯511之排氣口515。通過排氣口515，將處理室50內之環境氣體適當排出至處理室50外。
圖4係模式性顯示旋轉吸盤51之主要構成之例之圖。旋轉吸盤51具備與基板W之下表面對向之板101。板101具有大致圓盤形狀。板101之上表面102大致平坦且大致水平配置。板101之直徑於俯視時較基板W之直徑更大。
於板101之下表面(即，與上表面102相反側之面)連結有旋轉軸192。旋轉軸192藉由圖3所示之旋轉驅動部193繞旋轉軸線Z1旋轉。旋轉軸線Z1與鉛直方向Z平行。又，旋轉軸線Z1為通過板101之中心之線。
藉由旋轉驅動部193使旋轉軸192旋轉，而使連結於旋轉軸192之上端之板101及其所保持之基板W於水平面內旋轉。
固定銷103自板101之上表面102突出至上方。固定銷103與基板W之下表面16接觸。更詳細而言，固定銷103與基板W之周緣部中之下表面16接觸。藉此，固定銷103於較板101之上表面102更高之位置支持基板W。另，亦可藉由未圖示之複數個吸盤銷等保持基板W之外周部。
固定銷103未與基板W之上表面接觸。即，固定銷103容許基板W相對於固定銷103移動至上方。固定銷103未與基板W之外緣部20接觸。固定銷103自身容許基板W相對於固定銷103滑動。如此，固定銷103自身未保持基板W。
旋轉吸盤51具備吹出口104。吹出口104形成於板101之上表面102。吹出口104於俯視時配置於與固定銷103所支持之基板W重疊之位置。吹出口104將氣體吹出至上方。吹出口104將氣體吹出至板101之上表面102與固定銷103所支持之基板W之下表面16之間。吹出之氣體沿固定銷103所支持之基板W之下表面16流動。
藉此，吹出口104吸引基板W。具體而言，藉由氣體沿基板W之下表面16流動，而於板101之上表面102與基板W之下表面16之間形成負壓。即，基板W之下表面16受到之氣壓較基板W之上表面受到之氣壓更小。藉此，利用伯努利原理，而使朝下之力對基板W作用。即，基板W被吸引至下方(伯努利吸盤)。基板W被吸引向吹出口104及板101。但，吹出口104及板101未與基板W接觸。
吹出口104將基板W吸引至下方且固定銷103與基板W之下表面16接觸，藉此支持基板W並保持於特定位置。又，藉由對基板W作用之吸引力，基板W相對於固定銷103不於水平方向滑動。即，旋轉吸盤51於板101中吸附且保持基板W。
吹出口104具備俯視時位於基板W之中央部之吹出口、及俯視時位於基板W之周邊部之複數個吹出口106。其中，位於基板W之中央部之吹出口於本實施形態中與噴出洗淨液(清洗液)之洗淨噴嘴105共通。
洗淨噴嘴105例如配置於板101之旋轉軸線Z1上。吹出口106較洗淨噴嘴105配置於板101之旋轉軸線Z1之徑向更外側。吹出口106較固定銷103配置於板101之旋轉軸線Z1之徑向更內側。吹出口106例如俯視時排列於繞旋轉軸線Z1之圓周上。又，吹出口106以將氣體吹出至基板之徑向外側之方式傾斜形成。
於旋轉軸192之內部及板101之內部，設置有用以將來自氣體供給源(此處未圖示)之氣體供給至吹出口104之氣體供給配管107及氣體供給配管108。氣體供給配管107將氣體供給至與洗淨噴嘴105共通之吹出口。又，氣體供給配管108將氣體供給至吹出口106。
供給至洗淨噴嘴105及吹出口106之氣體係例如氮氣等惰性氣體或空氣。又，供給至洗淨噴嘴105及吹出口106之氣體係例如高壓氣體或壓縮氣體。
於氣體供給配管107設置有調整閥111。調整閥111之開閉藉由控制部90控制，藉此控制自與洗淨噴嘴105共通之吹出口吹出之氣體之流量及吹出時序等。同樣，於氣體供給配管108設置有調整閥112。調整閥112之開閉藉由控制部90控制，藉此控制自吹出口106吹出之氣體之流量及吹出時序等。
調整閥111及調整閥112可彼此獨立控制。因此，洗淨噴嘴105吹出之氣體之流量、與吹出口106吹出之氣體之流量可彼此獨立調整。
又，於旋轉軸192之內部及板101之內部，設置用以將來自清洗液供給源(此處，未圖示)之清洗液供給至洗淨噴嘴105之清洗液供給配管109。供給至洗淨噴嘴105之清洗液例如為DIW(去離子水)等。
於清洗液供給配管109設置有調整閥113。藉由利用控制部90控制調整閥113之開閉，而控制自洗淨噴嘴105噴出之清洗液之流量及噴出時序等。
氣體供給配管107與清洗液供給配管109於洗淨噴嘴105附近合流。因此，於自氣體供給配管107供給氣體之時序，亦自清洗液供給配管109供給清洗液之情形，清洗液與惰性氣體之氣液混合物自洗淨噴嘴105供給至基板W之下表面。
於板101之上表面102，亦可進而設置有複數個位置調整銷及複數個導銷(此處皆未圖示)。位置調整銷可與由固定銷103支持之基板W之外緣部20接觸，且可調整水平方向中之基板W之位置。位置調整銷沿基板W之外緣部20間歇配置，例如於基板W之周向中每旋轉間隔30°配置。導銷係用以防止由伯努利吸盤保持之基板W因保持狀態之異常等而自旋轉吸盤51脫離之銷，於旋轉吸盤51所保持之基板W之徑向外側中，配置於未接觸基板W之位置。導銷沿基板Ｗ之外緣部20間歇配置，例如於基板W之周向中每旋轉間隔30°配置。
＜關於基板處理裝置之動作＞ 接著，對基板處理裝置1之動作之例，參照圖5加以說明。具體而言，針對包含基板W之洗淨之基板處理方法進行說明。另，圖5係顯示基板處理裝置1之動作中之處理單元600中之動作之流程圖。
分度機器人602自裝載口601中之載體C將基板W搬送至基板載置部604。中心機器人603自基板載置部604將基板W搬送至1個處理單元600。處理單元600處理基板W。中心機器人603自處理單元600將基板W搬送至基板載置部604。分度機器人602自基板載置部604將基板W搬送至裝載口601中之載體C。
於處理單元600中，藉由複數個導銷及固定銷103支持基板W之端部及下表面。藉此，基板W暫時由旋轉吸盤51保持。
此處，藉由利用控制部90適當控制調整閥111及調整閥112，而自洗淨噴嘴105及吹出口106吹出氮氣等惰性氣體。藉此，自洗淨噴嘴105吹出之氣體吹至基板W之下表面之中央部，進而向基板W之徑向外側流動。又，自吹出口106吹出之氣體向徑向外側傾斜且吹至基板W之下表面之周邊部，進而向基板W之徑向外側流動。基板W以伯努利原理由旋轉吸盤51非接觸保持(伯努利吸盤)。
作為處理單元600中之基板處理，首先測定形成於基板W之上表面之包含有機物等之膜之厚度。於膜厚測定時例如使用未圖示之光學式之位移感測器等。於膜厚測定中，使基板W例如以100 rpm等旋轉且進行測定，但例如藉由以1200 rpm等使基板W旋轉，亦可縮短膜厚測定所需之時間。接著，對基板W之上表面供給藥液(例如氫氟酸(HF)與硝酸(HNO 3)之混合液即氟硝酸)進行特定之藥液處理(圖5中之步驟ST01)。此時，可以供給藥液之狀態再次進行膜厚測定，確認與先前步驟中之測定值之差異是否在預先設定之範圍內。且，於脫離上述範圍之情形，可例如發出警報等通知使用者。其後，將純水(DIW)等清洗液供給至基板W且進行清洗處理(圖5中之步驟ST02)。再者，藉由使基板W高速旋轉而甩掉清洗液，藉此使基板W乾燥(圖5中之步驟ST03)。其後，以上述光學式之位移感測器等測定形成於基板W之上表面之膜之厚度，確認利用藥液處理之膜之去除是否適當進行。
上述中之藥液處理藉由自藥液噴嘴52將藥液噴出至基板W之上表面而進行。又，清洗處理藉由使自位於基板W之上表面側之清洗液噴嘴60噴出之清洗液、及自位於基板W之下表面側之洗淨噴嘴105噴出之清洗液適當組合供給而進行。
又，於上述之膜厚測定中，亦有因使基板W高速旋轉而使自基板W去除之顆粒飛揚，再次附著於基板W成為顆粒之情形。藉此，於使基板W高速旋轉且進行膜厚測定之情形，期望將處理杯511設於其上端成為較基板W更上側之上位置，且於形成於處理杯511之上端與基板W之間之空間，使顆粒向基板W之徑向外側流動，並自設置於處理單元600之下方之排氣口515適當進行排氣。
＜關於基板處理之細節＞ 接著，參照圖6至圖9且對基板處理之細節(主要為藥液處理至乾燥處理)進行說明。圖6至圖9顯示基板處理之順序之圖。於圖6至圖9中，藥液處理係自藥液噴嘴52對基板W供給藥液之處理。又，上表面清洗處理係自清洗液噴嘴60對基板W之上表面供給清洗液之處理。又，兩面清洗處理係自清洗液噴嘴60及洗淨噴嘴105對基板W之上表面及下表面供給清洗液之處理。又，乾燥處理係使基板W乾燥之處理。
又，於圖6至圖9中，下表面清洗顯示自洗淨噴嘴105噴出清洗液之狀態(ON：開啟)及未噴出之狀態(OFF：關閉)。又，基板旋轉數顯示基板W之旋轉數。又，下表面吸引顯示吸引洗淨噴嘴105內之狀態(開啟)及未吸引之狀態(關閉)。又，下表面中央氣體顯示自洗淨噴嘴105吹出氣體之狀態(開啟)及未吹出之狀態(關閉)。自洗淨噴嘴105吹出之氣體於俯視時自基板W之徑向內側向徑向外側流動。又，下表面周邊氣體顯示自吹出口106吹出氣體之狀態(開啟)及未吹出之狀態(關閉)。
圖6例示之情形，首先，於藥液處理時，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為700 rpm，下表面吸引為關閉，下表面中央氣體為開啟，下表面周邊氣體為開啟。此時，藉由使下表面中央氣體及下表面周邊氣體為開啟，而由伯努利吸盤保持基板W且抑制噴出至基板W之上表面之藥液繞至基板W之下表面側。
接著，於上表面清洗處理時，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為700 rpm，下表面吸引為關閉，下表面中央氣體為開啟，下表面周邊氣體為開啟。此時，藉由使下表面中央氣體及下表面周邊氣體為開啟，而由伯努利吸盤保持基板W且抑制噴出至基板W之上表面之清洗液繞至基板W之下表面側。
接著，於兩面清洗處理時，下表面清洗為開啟，基板旋轉數為300 rpm，下表面吸引為關閉，下表面中央氣體為開啟，下表面周邊氣體為開啟。此時，基板W由伯努利吸盤保持，又，自洗淨噴嘴105同時供給清洗液與惰性氣體成為氣液混合物，該氣液混合物供給至基板W之下表面，藉此提高基板W之下表面之洗淨效果。
接著，於上表面清洗處理時，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為300 rpm，下表面吸引為開啟，下表面中央氣體為關閉，下表面周邊氣體為開啟。此處，因於先前之兩面清洗處理中自洗淨噴嘴105噴出清洗液，故有於洗淨噴嘴105之內部殘存清洗液之情形。因此，於本上表面清洗處理中，於洗淨噴嘴105內進行吸引，去除殘存於洗淨噴嘴105內之清洗液。此時，藉由自吹出口106吹出惰性氣體，基板W因伯努利原理而由旋轉吸盤51保持(伯努利吸盤)。
於以伯努利吸盤保持基板W之狀態下，期望基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間中之壓力保持為特定，通常不期望進行可能使該空間之壓力變動之洗淨噴嘴105內之吸引。然而，於本實施形態中，藉由維持伯努利吸盤(於本實施形態中，利用自吹出口106吹出之惰性氣體)且吸引洗淨噴嘴105內，而於以伯努利吸盤保持基板W之情形中，亦去除殘存於洗淨噴嘴105內之清洗液。
另，若僅去除殘存於洗淨噴嘴105內之清洗液，則不必將清洗液供給至基板W之上表面，但藉由將清洗液供給至基板W之上表面，可抑制顆粒等於進行洗淨噴嘴105內之吸引之期間附著於基板W之上表面。又，清洗液供給至基板W之上表面時，藉由預先自吹出口106吹出惰性氣體，可抑制供給至基板W之上表面之清洗液繞至基板W之下表面側。
其次，於乾燥處理時，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為1500 rpm，下表面吸引為開啟，下表面中央氣體為關閉，下表面周邊氣體為開啟。此時，藉由使基板W高速旋轉，可去除附著於基板W之顆粒等。藉由基板W高速旋轉，基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間之壓力降低成為負壓，殘存於洗淨噴嘴105之清洗液容易於該空間中被吸起。如此，有效於洗淨噴嘴105內進行吸引。但，若過度進行該吸引，則上述空間中之壓力過度降低，有使基板W之下表面與板101之上表面102接觸之虞。因此，控制部90必須於上述空間之壓力不小於較預先設定之壓力之範圍內，控制基板W之旋轉數及洗淨噴嘴105內之吸引量中之至少1者。此時，藉由自吹出口106吹出惰性氣體，基板W因伯努利原理而由旋轉吸盤51保持(伯努利吸盤)。
圖7例示之情形，藥液處理、上表面清洗處理、兩面清洗處理、及兩面清洗處理後之上表面清洗處理與圖6所示之情形同樣。
於上表面清洗處理後之乾燥處理中，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為0 rpm(即，非旋轉)，下表面吸引為關閉，下表面中央氣體為開啟，下表面周邊氣體為關閉。
此時，由於為基板W不旋轉之步驟，故未因基板W之旋轉，而使基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間之壓力降低。如此，不必於洗淨噴嘴105內進行吸引。但，亦可於洗淨噴嘴105內進行吸引。
又，於該乾燥步驟中，俯視時自位於基板W之中央部之洗淨噴嘴105吹出惰性氣體，且未自吹出口106吹出惰性氣體。此為藉由自洗淨噴嘴105吹出之惰性氣體，將殘存於基板W之下表面或板101之上表面102等之清洗液推出至基板W之徑向外側，且解除基板W之伯努利吸盤者。
以伯努利吸盤保持之基板W被認為係基板W之中央部易彎曲者。因此，殘存於基板W下表面之中央部之清洗液於基板W之下表面與板101之上表面102之間變窄之部位與兩者接觸且殘存，且亦難以利用自洗淨噴嘴105吹出之惰性氣體推出。又，以伯努利吸盤保持基板W之情形，基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間壓力變得較其外部之空間壓力更低，因而殘存於基板W之下表面或板101之上表面102之清洗液亦難以利用自洗淨噴嘴105及吹出口106吹出之惰性氣體推出。
因此，停止吹出口106之惰性氣體之吹出且解除基板W之伯努利吸盤，以基板W之彎曲得以緩解之狀態自洗淨噴嘴105使惰性氣體自基板W之徑向內側向徑向外側流動，藉此可將殘存於基板W之中央部之清洗液推出至基板W之徑向外側。
圖8例示之情形，藥液處理、上表面清洗處理、兩面清洗處理、及兩面清洗處理後之上表面清洗處理與圖6所示之情形同樣。
又，上表面清洗處理後之乾燥處理(第1乾燥處理)與圖6所示之乾燥處理同樣。又，乾燥處理後之乾燥處理(第2乾燥處理)與圖7所示之乾燥處理同樣。又，最後之乾燥處理(第3乾燥處理)與圖6所示之乾燥處理同樣。
此時，藉由於第1乾燥處理中使基板W高速旋轉，而將包含先前步驟後附著於基板W之處理液之液體去除。接著，以基板W不旋轉之第2乾燥處理，將尤其容易殘存於基板W下表面之中央部之清洗液至少推出至基板W之徑向外側。再者，藉由第3乾燥處理使基板W再度高速旋轉，而將推出至基板W之徑向外側之清洗液去除。藉由以上，可更確實地將附著於基板W之液體去除。另，第1乾燥處理並非為必須步驟。
於圖4中，清洗液供給配管109與氣體供給配管107連接於同一洗淨噴嘴105，但亦可分別連接於不同之吹出口(或噴嘴)。另，連接清洗液供給配管109之吹出口與連接氣體供給配管107之吹出口皆設為配置於與基板W之下表面對向之位置者。
圖9係顯示如上所述清洗液供給配管109與氣體供給配管107連接於不同吹出口之情形之順序之圖，如圖9例示之情形，藥液處理、上表面清洗處理及兩面清洗處理與圖6所示之情形同樣。
接著，於上表面清洗處理時，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為300 rpm，下表面吸引為開啟，下表面中央氣體為開啟，下表面周邊氣體為開啟。此時，因清洗液供給配管109與氣體供給配管107連接於不同吹出口，故可將下表面吸引與下表面中央氣體均設為開啟。藉由如此，可自洗淨噴嘴105吹出惰性氣體吹出且抑制供給至基板W之上表面之清洗液繞至基板W之下表面之情況，且可於洗淨噴嘴105內進行吸引，將殘存於洗淨噴嘴105內之清洗液去除。
接著，於乾燥處理時，下表面清洗為關閉，基板旋轉數為1500 rpm，下表面吸引為開啟，下表面中央氣體為開啟，下表面周邊氣體為開啟。此時，因清洗液供給配管109與氣體供給配管107連接於不同吹出口，故可將下表面吸引與下表面中央氣體均設為開啟。藉由如此，可抑制基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間之壓力過低且可於洗淨噴嘴105內進行吸引。即，可提高吸引量之自由度。
＜關於藉由以上記載之實施形態產生之效果＞ 接著，顯示藉由以上記載之實施形態產生之效果之例。另，於以下說明中，基於以上記載之實施形態中例示之具體構成記載該效果，但亦可於產生同樣效果之範圍內，與本申請案說明書中例示之其他具體構成置換。即，以下為求方便，有僅以對應之具體構成中之任一者為代表進行記載之情形，但代表性記載之具體構成亦可與對應之其他具體構成置換。
根據以上記載之實施形態，於基板洗淨方法中，經由洗淨噴嘴105將洗淨液(清洗液)供給至與保持基板W之保持面對向之面即基板W之下表面。接著，將洗淨液(清洗液)供給至基板W之下表面之步驟後，以由伯努利吸盤保持基板W之狀態，吸引洗淨噴嘴105內。此處，保持面為例如與板101之上表面102等對應者。經由洗淨噴嘴105之洗淨液之供給係藉由控制部90控制清洗液供給配管109中之調整閥113而進行。又，洗淨噴嘴105內之吸引係藉由控制部90控制氣體供給配管107中之調整閥111及氣體供給配管108中之調整閥112而進行。
根據此種構成，於由伯努利吸盤保持基板W之情形，可抑制洗淨液(清洗液)殘存於位於基板W之下表面之洗淨噴嘴105內。藉此，於自洗淨噴嘴105噴出洗淨液之步驟後，即便為例如具有乾燥步驟之情形，仍可抑制因殘存於洗淨噴嘴105內之洗淨液而產生之異常。
另，於未特別限制之情形，可變更進行各處理之順序。
又，於上述構成中適當追加本申請案說明書例示之其他構成之情形，即適當追加未作為上述構成提及之本申請案說明書中之其他構成之情形，亦可產生同樣之效果。
又，根據以上記載之實施形態，於基板洗淨方法中，於對基板W之下表面供給洗淨液(清洗液)之步驟前，將藥液供給至基板W之上表面。接著，於供給藥液之步驟之期間、及供給洗淨液之步驟之期間，以由伯努利吸盤保持基板W之狀態，經由氣體噴嘴將氣體供給至基板W之下表面。此處，氣體噴嘴於本實施形態中，為與洗淨噴嘴105等對應者。另，經由洗淨噴嘴105供給之氣體於俯視時自基板W之徑向內側向徑向外側流動。根據此種構成，藉由使下表面中央氣體為開啟，而抑制噴出至基板W之上表面之藥液及清洗液繞至基板W之下表面側。
又，根據以上記載之實施形態，氣體噴嘴為與洗淨噴嘴105共通之噴嘴。根據此種構成，清洗液與惰性氣體自洗淨噴嘴105同時供給且成為氣體混合物，該氣液混合物供給至基板W之下表面，藉此提高基板W之下表面中之洗淨效果。又，與用以供給清洗液之噴嘴與用以供給惰性氣體之噴嘴分別設置於基板W之下表面之情形相比，可減少裝置構成。
又，根據以上記載之實施形態，於基板洗淨方法中，於吸引洗淨噴嘴105內之步驟之期間，將洗淨液(清洗液)供給至基板W之上表面。根據此種構成，藉由將洗淨液(清洗液)供給至基板W之上表面，可抑制顆粒等於進行洗淨噴嘴105內之吸引之期間附著於基板W之上表面。
又，根據以上記載之實施形態，於基板洗淨方法中，於對基板W之下表面供給洗淨液(清洗液)之步驟之期間，洗淨液(清洗液)供給至基板W之上表面。根據此種構成，對基板W之上表面，亦可去除於前步驟之前附著之顆粒等。
又，根據以上記載之實施形態，於基板洗淨方法中，於吸引洗淨噴嘴105內之步驟之後，使基板W乾燥。根據此種構成，可抑制先前步驟殘存於洗淨噴嘴105內之洗淨液(清洗液)因乾燥步驟中基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間之負壓而被吸起，所產生異常之情況。
又，根據以上記載之實施形態，於使基板W乾燥之步驟亦進行洗淨噴嘴105內之吸引。接著，於使基板W乾燥之步驟中，藉由控制基板W之旋轉數及洗淨噴嘴105內之吸引量中至少1者，而將基板W與上表面102之間之空間之壓力調整至預先設定之範圍內。根據此種構成，因基板W之旋轉數越高，且洗淨噴嘴105內之吸引量越大，基板W之下表面與板101之上表面102之間之空間之壓力越降低，故藉由控制兩者，可利用兩者之作用，於基板W之下表面與板101之上表面102不接觸之範圍內進行乾燥步驟。
又，根據以上記載之實施形態，使基板W乾燥之步驟以未由伯努利吸盤保持基板W之狀態，不使基板W旋轉地進行。接著，於基板洗淨方法中，使基板W乾燥之步驟之期間，將氣體供給至基板W之下表面。此處，供給之氣體於俯視時自基板W之徑向內側向徑向外側流動。根據此種構成，藉由以停止吹出口106之惰性氣體之吹出且解除基板W之伯努利吸盤之狀態，自洗淨噴嘴105吹出惰性氣體，可將殘存於基板W之中央部之清洗液推出至基板W之徑向外側。
又，根據以上記載之實施形態，進行複數次使基板W乾燥之步驟。接著，使基板W乾燥之步驟以未由伯努利吸盤保持基板W之狀態，不使基板W旋轉地進行後，以伯努利吸盤保持基板W之狀態，使基板W旋轉而進行。接著，於基板洗淨方法中，使基板W不旋轉地乾燥之步驟之期間，將氣體供給至基板W之下表面。此處，供給之氣體於俯視時自基板W之徑向內側向徑向外側流動。根據此種構成，可將於基板W不旋轉之乾燥步驟中被推出至基板W之徑向外側之清洗液，於其後之基板W旋轉之乾燥步驟中確實地去除。
＜關於以上記載之實施形態之變化例＞ 於以上記載之實施形態中，有時亦記載各構成要件之材質、材料、尺寸、形狀、相對配置關係或實施條件等之情形，但該等所有局面為一例，並非限定性者。
因此，未例示之無數變化例及均等物推定於本申請案說明書揭示之技術範圍內。例如，包含使至少1個構成要件變化之情形、追加之情形或省略之情形。
又，以上記載之實施形態中，未特別指定而記載有材料名等之情形，只要不產生矛盾，則包含該材料中含有其他添加物之例如合金等者。
1:基板處理裝置 16:基板下表面 20:外緣部 50:處理室 50A:隔離壁 50B:開口部 50C:擋閘 51:旋轉吸盤 52:藥液噴嘴 54:藥液供給配管 56:調整閥 60:清洗液噴嘴 61:清洗液供給配管 62:調整閥 90:控制部 91:中央運算處理裝置 92:唯讀記憶體 93:隨機存取記憶體 94:記錄裝置 94P:處理程式 95:匯流排線 96:輸入部 97:顯示部 98:通信部 101:板 102:板上表面 103:固定銷 104:吹出口 105:洗淨噴嘴 106:吹出口 107:氣體供給配管 108:氣體供給配管 109:清洗液供給配管 111:調整閥 112:調整閥 113:調整閥 152:藥液臂 152A:旋轉驅動源 152B:臂部 160:清洗液臂 160A:旋轉驅動源 160B:臂部 180:腔室 192:旋轉軸 193:旋轉驅動部 511:處理杯 513:排液口 515:排氣口 600:處理單元 601:裝載口 602:分度機器人 603:中心機器人 604:基板載置部 C:載體 ST01～ST03:步驟 W:基板 Z:鉛直方向 Z1:旋轉軸線
圖1係概略性顯示實施形態相關之基板處理裝置之構成例之俯視圖。 圖2係顯示圖1例示之控制部之構成之例之圖。 圖3係概略性顯示實施形態相關之處理單元之構成例之圖。 圖4係模式性顯示旋轉吸盤之主構成之例之圖。 圖5係顯示基板處理裝置之動作中之處理單元中之動作之流程圖。 圖6係顯示基板處理之順序之圖。 圖7係顯示基板處理之順序之圖。 圖8係顯示基板處理之順序之圖。 圖9係顯示基板處理之順序之圖。
16:基板下表面
20:外緣部
51:旋轉吸盤
101:板
102:板上表面
103:固定銷
104:吹出口
105:洗淨噴嘴
106:吹出口
107:氣體供給配管
108:氣體供給配管
109:清洗液供給配管
111:調整閥
112:調整閥
113:調整閥
192:旋轉軸
Z1:旋轉軸線

Claims (10)

  1. 一種基板洗淨方法，其係洗淨以伯努利吸盤保持的基板之基板洗淨方法；且具備如下步驟： 經由洗淨噴嘴將洗淨液供給至與保持上述基板之保持面對向之面即上述基板之下表面；及 於供給上述洗淨液之步驟後，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，吸引上述洗淨噴嘴內。
  2. 如請求項1之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟： 於將上述洗淨液供給至上述基板之上述下表面之步驟前，將藥液供給至上述基板之上表面；及 於供給上述藥液之步驟之期間、及將上述洗淨液供給至上述基板之上述下表面之步驟之期間，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，經由氣體噴嘴將氣體供給至上述基板之上述下表面；且 經由上述氣體噴嘴供給之上述氣體於俯視時自上述基板之徑向內側向徑向外側流動。
  3. 如請求項2之基板洗淨方法，其中 上述氣體噴嘴為與上述洗淨噴嘴共通之噴嘴。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟： 於吸引上述洗淨噴嘴內之步驟之期間，將上述洗淨液供給至上述基板之上表面。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟： 於將上述洗淨液供給至上述基板之下表面之步驟之期間，將上述洗淨液供給至上述基板之上表面。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板洗淨方法，其中進而具備如下步驟： 於吸引上述洗淨噴嘴內之步驟之後，使上述基板乾燥。
  7. 如請求項6之基板洗淨方法，其中 上述洗淨噴嘴內之吸引亦於使上述基板乾燥之步驟中進行；且 於使上述基板乾燥之步驟中，控制上述基板之旋轉數、及上述洗淨噴嘴內之吸引量中之至少1者，藉此將上述基板與上述保持面之間之空間中之壓力調整至預先設定之範圍內。
  8. 如請求項6之基板洗淨方法，其中 使上述基板乾燥之步驟以未由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，不使上述基板旋轉地進行；且進而具備如下步驟： 於使上述基板乾燥之步驟之期間，將氣體供給至上述基板之上述下表面；且 供給之上述氣體於俯視時自上述基板之徑向內側向徑向外側流動。
  9. 如請求項6之基板洗淨方法，其中 使上述基板乾燥之步驟進行複數次； 使上述基板乾燥之步驟以未由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，不使上述基板旋轉地進行後，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，使上述基板旋轉而進行；且進而具備如下步驟： 於使上述基板不旋轉地乾燥之步驟之期間，將氣體供給至上述基板之上述下表面；且 供給之上述氣體於俯視時自上述基板之徑向內側向徑向外側流動。
  10. 一種基板洗淨裝置，其係洗淨以伯努利吸盤保持的基板之基板洗淨裝置；且具備如下機構： 經由洗淨噴嘴將洗淨液供給至保持上述基板之保持面所對向之面即上述基板之下表面之機構；及 於供給上述洗淨液後，以由伯努利吸盤保持上述基板之狀態，吸引上述洗淨噴嘴內之機構。
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