TW202407793A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置，防止處理液在基板面上的再附著。本發明的實施方式的基板處理裝置包括：處理室、旋轉台、供給部、受液部、送風部以及氣流形成部。處理室對基板進行處理。旋轉台設置於處理室內，保持基板並使所述基板旋轉。供給部對旋轉台上保持的基板供給處理液。受液部以圍繞旋轉台的方式設置，在受液部的上端具有圓形的開口，對因旋轉台的旋轉而從旋轉的基板飛散的處理液進行接擋。送風部設置於處理室的頂板側，使處理室的內部產生下降氣流。氣流形成部設置於受液部與送風部之間，形成為：在氣流形成部的上端及下端分別具有圓形的開口的筒狀，使由送風部產生的下降氣流集中於受液部的上端的開口的內側。

Description

基板處理裝置

本發明的實施方式涉及一種基板處理裝置。

對半導體晶圓（wafer）等基板執行化學液處理或清洗處理的基板處理裝置，出於處理的均勻性和再現性的觀點，而廣泛採用有逐片處理基板的單片方式。單片方式的基板處理裝置將基板固定於旋轉台，以與基板中心正交的軸為轉軸使基板旋轉，並對基板的中心部供給處理液（例如，化學液或純水等），而對基板面進行處理。供給到基板面的處理液，在離心力的作用下朝基板的邊緣擴散，而從基板的邊緣分離，並被覆蓋旋轉台周圍的杯體的內周面接住。

另外，基板處理裝置在處理室內的頂板側，設置有風機過濾單元（Fan Filter Unit：FFU）。FFU通過從頂板側朝下方送出潔淨的空氣來產生下降氣流（下降流），將處理室內保持在高水平的潔淨度。例如，FFU通過對基板面供給由FFU產生的潔淨的空氣的下降流，而對供給至基板面的處理液的飛濺或回濺進行抑制，從而防止處理液從基板面上飛散至杯體的外側。另外，下降流從處理室的下部側進行排氣，由此，與空氣一起，將從基板的邊緣分離後的處理液或者在處理室內飄蕩的塵埃等從處理室排出。

[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2014-27201號公報

[發明所要解決的問題] 在所述基板處理裝置中，即便在使用了所述FFU的情況下，在對基板的表面供給處理液而對基板面進行處理時，有時也會在基板的表面上或者基板的周邊發生處理液的飛濺或回濺等。這樣的處理液的飛濺或回濺，會產生處理液在基板面上的再附著，而導致產品的不良。例如，在使基板的表面乾燥的乾燥工序中，若因飛濺或回濺而飛揚起來的處理液附著於乾燥處理已結束的基板面上，則基板的表面會出現水印（水漬），導致產品的品質降低。因而，抑制處理液的飛濺或回濺，在防止處理液在基板面上的再附著、提高產品的品質方面是比較重要的。

作為抑制所述處理液的飛濺或回濺的對策，考慮以下做法：增加從FFU送出的空氣的量而產生更強的下降流，由此來進一步壓制處理液在基板的表面上的飛濺或回濺。然而，若增加從FFU送出的空氣的量，則處理室內的壓力上升，從而有處於處理室內的處理液的霧等流出至處理室外之虞。因而，不能增加從FFU送出的空氣的量，從而難以進一步壓制處理液的飛濺或回濺。

本發明是為了解決上文所述那樣的問題而成，其目的在於提供一種基板處理裝置，能在不增加從FFU送出的空氣的量的情況下，增大對基板的表面的下降流的風量，防止處理液在基板面上的再附著。

[解決問題的技術手段] 為解決所述問題而達成目的，本發明的一形態的基板處理裝置包括：處理室、旋轉台、供給部、受液部、送風部以及氣流形成部。處理室對基板進行處理。旋轉台設置於所述處理室內，保持所述基板並使所述基板旋轉。供給部對所述旋轉台上保持的所述基板供給處理液。受液部以圍繞所述旋轉台的方式設置，在受液部的上端具有圓形的開口，對因所述旋轉台的旋轉而從旋轉的所述基板飛散的處理液進行接擋。送風部設置於所述處理室的頂板側，使所述處理室的內部產生下降氣流。氣流形成部設置於所述受液部與所述送風部之間，形成為：在氣流形成部的上端及下端分別具有圓形的開口的筒狀，使由所述送風部產生的下降氣流集中於所述受液部的上端的開口的內側。

[發明的效果] 根據本發明的一形態，能夠防止處理液在基板面上的再附著。

下面，參照隨附圖式，對本申請所公開的基板處理裝置的實施方式進行詳細說明。再者，本申請所公開的基板處理裝置，不受以下實施方式所限定。

（第一實施方式） 圖1A為表示第一實施方式的基板處理裝置1的概略結構的圖。如圖1A所示，基板處理裝置1具有內室11。內室11被分隔壁11a分隔成上下2個空間，下側的空間形成為處理室11b。分隔壁11a在上下方向上與底座體21相向。即，處理室11b由分隔壁11a（頂板）及底座體21（基台）和內室11的側壁形成。再者，所述的上下意指基板處理裝置1中的上側和下側（即，意指圖1A中的上側和下側）。此處，在本實施方式中，有時將上側及下側分別記作上方及下方。

在內室11的側壁上，在與處理室11b相對應的位置設置有搬出搬入口（未圖示）。搬出搬入口是用於進行基板W朝處理室11b內的搬入及搬出的出入口，由能夠開閉的擋閘等形成。基板處理裝置1在基板W朝處理室11b內搬入時以及已處理的基板W從處理室11b內搬出時打開擋閘，使得搬送基板W的搬送臂能插入處理室11b內。再者，在正在對基板W執行處理的期間內，擋閘呈關閉狀態。

另外，如圖1A所示，基板處理裝置1包括：在中央具有通孔的底座體21、可旋轉地設置於底座體21的上方的旋轉台22、成為旋轉台22的驅動源的馬達23、圍繞旋轉台22的環狀的受液部24（杯體）、對基板W供給處理液的噴嘴25（供給部）、風機過濾單元（Fan Filter Unit：FFU）26（送風部）、離子發生器27（靜電去除部）、氣流形成機構30（氣流形成部）、控制裝置40（控制部）、以及氣體供給源50（氣體供給部）。

旋轉台22配置於底座體21的上表面側，以中心與馬達23的轉軸一致的方式固定於馬達23的轉子23b的上端。另外，旋轉台22上，在載置基板W的一側的面上以規定間隔設置有抓持基板W的多個（例如6個）卡盤銷22a。多個卡盤銷22a抓持作為處理對象的基板W的外周面，由此將基板W保持在旋轉台22上。

馬達23包括：筒狀的定子23a、和可旋轉地插入於定子23a內的筒狀的轉子23b。定子23a安裝在底座體21的下方，轉子23b的上端側在底座體21的上方與旋轉台22連接。馬達23為用於使旋轉台22旋轉的驅動源的一例。馬達23與控制裝置40電連接，根據控制裝置40的控制加以驅動。由此，旋轉台22通過馬達23的驅動進行旋轉。旋轉台22及馬達23的轉軸成為基板轉軸A1。

受液部24包括：環狀的可動受液部24a和環狀的固定受液部24b，對從基板W飛散出來的處理液或者從基板W流下的處理液進行接取。受液部24是以圍繞旋轉台22的方式形成。即，所述受液部24以旋轉台22上保持的基板W的表面露出的方式作了開口。可動受液部24a例如構成為能藉助液壓缸等升降機構（未圖示）而沿上下方向移動。可動受液部24a的上部朝徑向的內側傾斜。固定受液部24b固定於底座體21的上表面，在固定受液部24b的底面連接有用於排出處理室11b內的氣體和從基板W排出的處理液（例如化學液或純水等）的管道12。

管道12連接有排氣管14和廢液管13，所述排氣管14通向使處理室11b內的氣體排出至外部的排氣泵（未圖示），所述廢液管13用於將被受液部24接擋而滴下的處理液排出至外部。

噴嘴25對旋轉台22上保持的基板W供給處理液。具體而言，噴嘴25由設置於底座體21上的規定位置的噴嘴移動機構保持，在對基板W進行處理的期間內，朝下方噴出處理液。噴嘴移動機構具有可動臂和臂擺動機構，在對基板W進行處理時，使噴嘴25在基板W的中心部與基板W的周邊部之間往復移動。具體而言，可動臂在一端部設置有噴嘴25，另一端部由臂擺動機構支承。臂擺動機構以可動臂上的另一端部為支點使可動臂擺動。再者，當基板W的處理結束時，臂擺動機構以使噴嘴25退避至遠離基板W的待機位置的方式使可動臂擺動。

FFU 26設置於內室11的分隔壁11a上。FFU 26內置有風機，在風機的下方設置有過濾器（例如，超低穿透空氣過濾器（Ultra Low Penetration Air Filter，ULPA）等），將穿過過濾器之後的潔淨的氣體穿過分隔壁11a送出至處理室11b內。由FFU 26送出的氣體，使得處理室11b內產生了朝向底座體21側的下降氣流。

離子發生器27為細長的棒狀（杆形）的靜電消除器，設置於FFU 26的下方，將靜電去除。具體而言，離子發生器27是以切換且釋放正離子及負離子中的任一種離子的方式形成，對從FFU 26送出的氣體賦予離子。由此，將賦予了離子的氣體供給至基板W，基板W的帶電得以中和。

氣流形成機構30設置於受液部24與FFU 26之間，且設置在基板W上所配置的噴嘴25（換句話說就是可動臂）的上方，使由FFU 26產生的下降氣流集中於受液部24的開口的內側。圖1B為用於說明第一實施方式的氣流形成機構30的概要的示意圖。如圖1B所示，氣流形成機構30形成為在上端及下端分別具有圓形的開口（上端的開口30a以及下端的開口30b）的筒狀（環狀），並且，以旋轉台22的轉軸與開口30a及開口30b的中心一致的方式，設置於離子發生器27的下方。於是，氣流形成機構30從上端的開口30a吸入由設置於處理室11b的頂板側的FFU 26產生並由離子發生器27賦予了離子的下降氣流，並從下端的開口30b送出至受液部24的上端的開口24c的內側。此處，氣流形成機構30形成為：通過引誘現象及附壁效應（Coanda effect），使送出至受液部24的上端的開口24c的內側的下降氣流（下降流）增大，所述引誘現象及附壁效應是通過噴出由氣體供給源50供給的氣體來產生。再者，氣流形成機構30的詳情於後文敘述。

控制裝置40對包括馬達23、氣體供給源50在內的各結構進行控制。例如，控制裝置40通過控制氣體供給源50，來控制對氣流形成機構30的氣體的供給。

氣體供給源50經由管道與氣流形成機構30連接。另外，氣體供給源50與控制裝置40電連接，根據控制裝置40所進行的控制，對氣流形成機構30供給氣體（例如氮氣或空氣等）。此處，連接氣體供給源50與氣流形成機構30的管道上，設置有與FFU 26同樣的過濾器（例如ULPA過濾器等）。即，氣流形成機構30被供給穿過過濾器之後的潔淨的氣體，並噴出所供給的潔淨的氣體。

下面，對本實施方式的氣流形成機構30的詳情進行說明。圖2A為第一實施方式的氣流形成機構30的側視圖。圖2B為第一實施方式的氣流形成機構30的俯視圖。例如，氣流形成機構30如圖2A及圖2B所示那樣，在側面等間隔地形成有4個氣體導入口31a。氣體導入口31a使形成於氣流形成機構30內部的腔室（空間）與氣流形成機構30的外部連通。並且，氣體導入口31a在外部側的開口，連接與氣體供給源50連接的管道。即，氣體導入口31a是：使從氣體供給源50供給的氣體，導入至形成於氣流形成機構30內部的腔室的導入口。例如，4個氣體導入口31a的外周面各自由支承構件（未圖示）支承，由此，氣流形成機構30得以保持在離子發生器27下方的位置。

圖3為表示第一實施方式的氣流形成機構30的結構的一例的圖。如圖3所示，氣流形成機構30包括第一圓環狀構件31和第二圓環狀構件32。具體而言，氣流形成機構30是以形成有氣體導入口31a的第一圓環狀構件31的內側的壁面，將第二圓環狀構件32上的外側的壁面的一部分覆蓋並重疊的方式而形成。即，第二圓環狀構件32的上端的外徑，形成得比第一圓環狀構件31的下端的內徑小，通過對第二圓環狀構件32重疊第一圓環狀構件31來形成氣流形成機構30。

此處，氣流形成機構30通過對第二圓環狀構件32重疊第一圓環狀構件31，而形成用於在內部積存並壓縮氣體的腔室。圖4A為表示第一實施方式的氣流形成機構30的概略結構的截面圖。再者，圖4A展示圖3中的A-A截面的截面圖。即，圖4A為基板處理裝置1中的上下方向的截面圖。

如圖4A所示，氣流形成機構30通過對第二圓環狀構件32重疊第一圓環狀構件31，而形成有腔室33。具體而言，氣流形成機構30形成有由第一圓環狀構件31的內側的壁面和第二圓環狀構件32的外側的壁面的一部分圍成的腔室33。此處，氣流形成機構30是跨及其內部的整周來形成腔室33。

腔室33與狹縫34（氣體噴出部）相連，所述狹縫34分別與4個氣體導入口31a（未圖示）相連，而且是跨及氣流形成機構30的內側的整周而形成。於是，從氣體供給源50經由4個氣體導入口31a對腔室33供給氣體。從氣體供給源50供給的氣體，在腔室33內擴散，而從狹縫34噴出。此處，腔室33具有緩衝功能，用於做到能將從氣體供給源50供給的氣體從狹縫34的整周穩定地噴出。具體而言，當腔室33從氣體供給源50得到氣體的供給時，成為整體充滿氣體的狀態，並通過持續供給的氣體來維持充滿受到壓縮的氣體的狀態，同時，氣體從狹縫34噴出。

為實現這樣的緩衝功能，腔室33在上下方向上錯開的位置上與氣體導入口31a和狹縫34相連。圖4B為表示第一實施方式的氣流形成機構的概略結構的截面圖。再者，圖4B為氣流形成機構30的、基板處理裝置1中的上下方向的截面，而且是包含氣體導入口31a的截面圖。如圖4B所示，氣體導入口31a設置於腔室33的下端側的外壁37，將從氣體供給源50供給的氣體導入腔室33。另外，如圖4B所示，狹縫34設置於腔室33的上端側的內壁36。

通過將氣體導入口31a、腔室33以及狹縫34設為圖4B所示的位置關係，從4個氣體導入口31a導入到腔室33內的氣體，不會立即從狹縫34噴出，而是滯留在腔室33內。由此，腔室33成為整體充滿氣體的狀態，從氣體供給源50供給的氣體，得以從狹縫34的整周穩定地噴出。

另外，氣流形成機構30是如圖4A所示那樣，在第二圓環狀構件32的上方嵌套第一圓環狀構件31，而通過第二圓環狀構件32與第一圓環狀構件31的結合來形成。此處，第二圓環狀構件32與第一圓環狀構件31的結合部39是以具有高氣密性的構造來形成，以免供給到腔室33內的氣體洩漏。例如，結合部39如圖4A所示那樣，在第一圓環狀構件31的內壁下端形成有凹口，在第二圓環狀構件32的外壁形成有與所述凹口卡合的凹口。再者，為保持更高的氣密性，結合部39也可使用密封構件。

另外，如圖4A、圖4B所示，氣流形成機構30具有外壁37、內壁36、狹縫34以及曲面35，其中，所述外壁37是對第二圓環狀構件32重疊有第一圓環狀構件31的狀態下的外側的壁面；在上下方向的截面中，所述內壁36的上下方向上的中央部朝外壁37的方向彎曲；所述狹縫34設置於內壁36，噴出朝向下端的開口30b流動的氣體；在上下方向的截面中，所述曲面35是外形朝上方鼓起的曲面，從外壁37的上端朝上方延伸後，朝下方延伸至狹縫34的位置為止。

外壁37是對第二圓環狀構件32重疊有第一圓環狀構件31的狀態下的氣流形成機構30的外側的壁面，包括：第一圓環狀構件31的外側的壁面、和第二圓環狀構件32的外側的壁面的一部分（未形成腔室33的外側的壁面）。內壁36相當於第二圓環狀構件32的內側的壁面，形成為在上下方向的截面中，朝上端側往內側傾斜。即，第二圓環狀構件32形成為內徑朝上端側逐漸減小。

曲面35形成於第一圓環狀構件31的上端側，包括：從第一圓環狀構件31的上端朝外側的壁面的上端部下降的曲面、和從第一圓環狀構件31的上端朝內側下降到狹縫34為止的曲面。再者，如圖4A、圖4B所示，在上下方向的截面中，第一圓環狀構件31的內側的壁面具有外形朝上方鼓起的形狀，形成為內側的壁面的端部與曲面35的狹縫34側端部相連。

狹縫34是由在第一圓環狀構件31的內側的壁面上與曲面35相連的位置附近的壁面、和第二圓環狀構件32的上端側的端面（將第二圓環狀構件32的外側的壁面與內側的壁面相連的平面）所形成的空間，使得腔室33與外部（氣流形成機構30的內側）連通。狹縫34將供給到腔室33的氣體，以朝向下端的開口30b流動的方式噴出。另外，噴出的氣體的一部分，沿內壁36朝向下端的開口30b流動。即，狹縫34將在腔室33內積存、壓縮後的氣體，朝向氣流形成機構30的下端的開口30b方向擴散而噴出，此擴散後的氣體的一部分沿內壁36朝向下端的開口30b的方向流動。如上所述，狹縫34是跨及氣流形成機構30的整周而形成於內壁36，從整周穩定地噴出氣體。因而，狹縫34使氣體從氣流形成機構30的整周朝向下端的開口30b擴散並噴出所述氣體，噴出的氣體的一部分在氣流形成機構30的內壁36整周沿內壁36流動。

接著，對氣流形成機構30的尺寸及設置位置進行說明。圖5為用於說明第一實施方式的氣流形成機構30的尺寸及設置位置的圖。再者，圖5中與圖4同樣地展示上下方向的截面圖。

圖5所示的狹縫34的寬度“a”（形成狹縫34的第一圓環狀構件31的內側的壁面與第二圓環狀構件32的上端側的端面的距離），是以從狹縫34噴出的氣體的風速達到期望的風速的尺寸來形成。具體而言，狹縫34是以如下寬度“a”來形成：在氣流形成機構30上端的開口30a附近，實現能將其周圍的氣體捲入的程度的風速的下降氣流。即，狹縫34是以在能引發引誘現象及附壁效應的風速下噴出氣體的寬度“a”（例如0.1 mm～1.5 mm左右）來形成。此處，為了使從狹縫34噴出的氣體以達到所述風速的方式在狹縫34一邊加速一邊噴出，以腔室33內的壓力達到規定壓力的方式，對供給至腔室33的氣體的壓力進行調節。例如，將0.3 Mpa～0.5 Mpa的氣體供給至腔室33，而在腔室33內壓縮至所述規定壓力。如此，通過以規定寬度來形成狹縫34而以達到規定壓力的方式調節腔室33內的壓力，狹縫34可以噴出能引發引誘現象及附壁效應的風速的氣體。

如上所述，狹縫34噴出能引發引誘現象及附壁效應的風速的氣體，由此，從氣流形成機構30送出的氣體的風量（也就是從下端的開口30b送出的氣體的風量）比來自FFU 26的風量多。即，從狹縫34噴出的氣流和因引誘現象及附壁效應而產生的氣流，使得從下端的開口30b送出的氣體的風量比來自FFU 26的風量多。例如，從下端的開口30b送出的氣體的風量為來自FFU 26的風量的2倍以上。

另外，狹縫34的壁的形狀，是以狹縫34處的氣體的噴出角度“θ”成為期望的角度的方式加以設定。即，以從狹縫34噴出的氣體的上下方向的擴散情況成為期望的擴散情況的方式，設定狹縫34的壁的形狀。例如，以如下方式設定狹縫34的壁的形狀：從狹縫34噴出的氣體以角度“θ”噴出，在所述角度“θ”下，從狹縫34噴出的氣體朝向氣流形成機構30的下端的開口30b流動並且以其一部分沿內壁36流動的方式擴散。再者，所述的狹縫34的寬度“a”以及氣體的噴出角度“θ”，是通過實驗或模擬等來決定最合適的數值。

另外，如圖5所示，氣流形成機構30是以下端的開口30b的內徑“b”比受液部24的上端的開口24c的內徑“c”小的方式形成。即，從氣流形成機構30的下端送出的氣流會沿氣流形成機構30的半徑方向擴散，因此，為了使從氣流形成機構30的下端送出的氣流集中於受液部24的上端的開口24c的內側，下端的開口30b的內徑“b”形成得比受液部24的上端的開口24c的內徑“c”小。

外，受液部24的上端的開口24c與氣流形成機構30的下端的開口30b的距離“d”，是基於下端的開口30b的內徑“b”、受液部24的上端的開口24c的內徑“c”、以及下端的開口30b處的氣流的擴散角度“ϕ”來決定。即，以在下端的開口30b以角度“ϕ”擴散的氣流落在受液部24的上端的開口24c的內徑“c”的內側的方式，而決定距離“d”。此處，以成為如下高度的方式決定距離“d”：在滿足所述條件的同時，不阻礙利用臂擺動機構進行的可動臂的擺動。再者，所述的下端的開口30b的內徑“b”以及距離“d”，是通過實驗或模擬等來決定最合適的數值。

通過配備所述氣流形成機構30，基板處理裝置1能在不增加從FFU 26送出的空氣的量的情況下，增大對基板的表面的下降流的風量。圖6為用於說明由第一實施方式的氣流形成機構30形成的氣流的圖。如上所述，經由氣體導入口31a對氣流形成機構30的腔室33供給氣體，而從狹縫34噴出氣流。由此，如圖6所示，氣流從狹縫34朝氣流形成機構30的下端的開口30b猛烈噴出。其原因在於，在腔室33內壓縮後的氣體穿過狹窄開口的狹縫34而噴出。如上所述，狹縫34的開口徑（寬度）是以幾毫米（例如0.1 mm～1.5 mm）左右來形成。即，氣體從腔室33朝很狹窄的狹縫34流動，因此氣流的速度在狹縫34內加快（伯努利定理）。結果，從狹縫34噴出的氣體便猛烈噴出。如此，通過使氣體從狹縫34猛烈噴出，在氣流形成機構30上端的開口30a將周圍的氣體捲入的力變強，結果，從氣流形成機構30的下端的開口30b送出的風量，變為來自FFU 26的風量的數倍。

如上所述，氣流形成機構30一邊吸入來自FFU 26的下降氣流（從FFU 26直接進入氣流形成機構30的內側的氣流），一邊捲入氣流形成機構30的周圍（尤其是氣流形成機構30上端的周圍）的氣體，由此來增大從氣流形成機構30的下端的開口30b送出的風量。進而，從狹縫34噴出的氣體從氣流形成機構30的下端送出，由此，將處於氣流形成機構30的下端（也就是開口30b）周圍的氣體捲入（引誘現象），形成下降氣流。再者，從下端的開口30b送出的下降氣流一邊吸入此氣流周圍的氣體一邊供給至基板W，所以，供給至基板W的下降氣流的風量進一步增大。即，通過使用氣流形成機構30，能將比從FFU 26送出的風量多的下降氣流集中地流至基板W。此處，為了將處於周圍的空氣有效率地吸入氣流形成機構30內，氣流形成機構30在上端形成曲面35，來產生氣流沿曲面流動的附壁效應。

如此，基板處理裝置1從氣體供給源50對氣流形成機構30供給氣體，並從狹縫34猛烈地噴出氣流，由此，能在受液部24的上端的開口24c的內側形成比從FFU 26送出的下降流強的下降流。此處，基板處理裝置1可以在任意時刻形成集中於受液部24的上端的開口24c的內側的下降流。具體而言，基板處理裝置1在正在執行對基板W的處理的期間內藉助氣流形成機構30來形成下降流，在未執行對基板W的處理的期間內停止氣流形成機構30所進行的下降流的形成。

作為未執行對基板W的處理的時刻，例如可列舉基板W向處理室11b內搬出搬入的時刻。即，控制裝置40在基板W向處理室11b內搬出搬入時，以停止氣體供給源50所進行的氣體的供給的方式進行控制。在此情況下，例如，控制裝置40在基板W的搬出搬入口的擋閘打開的期間內，以停止氣體供給源50所進行的氣體的供給的方式進行控制。

再者，所述例子只是一例，也可在其他任意時刻利用氣流形成機構30來形成下降流。例如，控制裝置40也能以僅在基板W的乾燥工序中，利用氣流形成機構30來形成下降流的方式進行控制。

如上所述，根據第一實施方式，處理室11b由在上下方向上相向的分隔壁11a和底座體21形成。旋轉台22設置於處理室11b的底座體21側，使基板W旋轉。噴嘴25對旋轉台22上保持的基板W供給處理液。受液部24以圍繞旋轉台22的方式設置，在上端具有圓形的開口24c，對因旋轉台22的旋轉而從旋轉的基板W飛散的處理液進行接擋。FFU 26設置於處理室11b的分隔壁11a側，使處理室11b內產生下降氣流。氣流形成機構30設置於受液部24與FFU 26之間，使由FFU 26產生的下降氣流集中於受液部24的開口24c的內側。因而，第一實施方式的基板處理裝置1能在不增加從FFU 26送出的空氣的量的情況下增大對基板W的表面的下降流的風量，從而能壓制處理液在基板的表面上的飛濺或回濺。結果，基板處理裝置1能夠防止處理液在基板W上的再附著、提高基板品質。

另外，通過使由FFU 26產生的下降氣流集中於受液部24的開口24c的內側，基板處理裝置1能夠防止受液部24周邊的亂流的產生。例如，在來自FFU 26的下降氣流流到了受液部24的周邊（例如設置有噴嘴25的位置等）的情況下，下降氣流有時會在底座體21的上表面上回彈而產生亂流。在產生有處理液的霧的情況下，這樣的亂流會使得處理液的霧在處理室內飛揚而有發生霧在基板W上的再附著之虞。本實施方式的基板處理裝置1使下降氣流集中於受液部24的開口24c的內側，由此來防止這樣的亂流的產生，即便在產生有處理液的霧的情況下也能抑制處理液的霧在處理室11b內飛揚。結果，基板處理裝置1能夠防止處理液在基板W上的再附著。

另外，根據第一實施方式，氣流形成機構30形成為在上端及下端分別具有圓形的開口的筒狀，並且具有外壁37、內壁36、狹縫34以及曲面35，所述外壁37是對第二圓環狀構件32重疊有第一圓環狀構件31的狀態下的外側的壁面，在上下方向的截面中，所述內壁36的上下方向上的中央部朝外壁37的方向彎曲，所述狹縫34設置於內壁36，噴出朝下端的開口30b流動的氣體，在上下方向的截面中，所述曲面35是外形朝上方鼓起的曲面，從外壁37的上端朝上方延伸後朝下方延伸至狹縫34的位置為止，所述氣流形成機構30從上端的開口30a吸入下降氣流，從下端的開口30b朝受液部24的開口24c的內側送出下降氣流。因而，第一實施方式的基板處理裝置1能產生引誘現象及附壁效應來放大下降流，從而能削減來自FFU 26的風量。結果，基板處理裝置1能減少基板處理相關的耗能。

另外，通過使下降氣流集中於受液部24的開口24c的內側，基板處理裝置1能夠提高處理液的排出效率。如上所述，與以往的僅靠FFU來產生下降氣流的情況相比，基板處理裝置1增大了流至受液部24內的氣流的量。因此，在受液部24內流動的氣流的流速也加快，容易將從基板W飛散的處理液的霧以及飄蕩在基板W周邊的霧送入管道12。如此，基板處理裝置1能使處理液的霧有效率地排出，結果，能夠抑制處理液的霧在基板W周邊飄蕩而抑制處理液在基板W上表面的再附著。

另外，在第一實施方式中，氣流形成機構30的下端的開口30b的內徑比受液部24的上端的開口24c的內徑小。另外，氣流形成機構30是以如下方式設置於處理室11b內：下端的開口30b與受液部24的上端的開口24c的距離成為基於下端的開口30b的內徑、受液部24的上端的開口24c的內徑、以及下端的開口30b處的氣流的擴散角度的距離。因而，第一實施方式的基板處理裝置1能夠考慮氣流的擴散，從而能使下降氣流精度更良好地集中於受液部24的開口24c的內側。

另外，根據第一實施方式，離子發生器27設置於FFU 26的下方，將靜電去除。氣流形成機構30設置於離子發生器27的下方。因而，第一實施方式的基板處理裝置1能使由離子發生器27賦予了離子的下降氣流集中於受液部24的開口24c的內側，能夠中和基板W的帶電。

另外，根據第一實施方式，氣體供給源50供給從狹縫34噴出的氣體。氣流形成機構30由第一圓環狀構件31和第二圓環狀構件32形成。由第一圓環狀構件31和第二圓環狀構件32形成用於積存、壓縮氣體的腔室33。狹縫34噴出從氣體供給源50供給到腔室33的氣體。因而，第一實施方式的基板處理裝置1能從狹縫34穩定地噴出氣體。

另外，通過設為由2個構件（第一圓環狀構件31和第二圓環狀構件32）來形成被供給氣體的腔室33的結構，可以對氣流形成機構30進行分拆清洗。因而，能將腔室33內始終保持在潔淨的狀態，從而能防止對基板W供給已被污染的氣體、避免基板W污染的產生。

另外，根據第一實施方式，將從氣體供給源50供給的氣體導入腔室33的氣體導入口31a設置於腔室33的下端側的外壁37，狹縫34設置於腔室33的上端側的內壁36。因而，第一實施方式的基板處理裝置1能夠形成在整個腔室33內充滿受到壓縮的氣體的狀態，從而能從狹縫34的整周穩定地噴出氣體。

另外，根據第一實施方式，控制裝置40對氣體供給源50所進行的氣體的供給進行控制。控制裝置40在基板W向處理室11b內搬出搬入時以停止氣體供給源50所進行的氣體的供給的方式進行控制。因而，第一實施方式的基板處理裝置1在基板W的搬出搬入時能避免對基板W吹拂不需要的強勁的下降流。

1:基板處理裝置 11:內室 11a:分隔壁 11b:處理室 12:管道 13:廢液管 14:排氣管 21:底座體 22:旋轉台 22a:卡盤銷 23:馬達 23a:定子 23b:轉子 24:受液部 24a:可動受液部 24b:固定受液部 24c:開口 25:噴嘴 26:風機過濾單元（FFU） 27:離子發生器 30:氣流形成機構 30a、30b:開口 31:第一圓環狀構件 31a:氣體導入口 32:第二圓環狀構件 33:腔室 34:狹縫 35:曲面 36:內壁 37:外壁 39:結合部 40:控制裝置 50:氣體供給源 a:寬度 A1:基板轉軸 b:內徑 c:內徑 d:距離 W:基板 θ:角度 ϕ:角度

圖1A為表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的圖。 圖1B為用於說明第一實施方式的氣流形成機構的概要的示意圖。 圖2A為第一實施方式的氣流形成機構的側視圖。 圖2B為第一實施方式的氣流形成機構的俯視圖。 圖3為表示第一實施方式的氣流形成機構的結構的一例的圖。 圖4A為表示第一實施方式的氣流形成機構的概略結構的截面圖。 圖4B為表示第一實施方式的氣流形成機構的概略結構的截面圖。 圖5為用於說明第一實施方式的氣流形成機構的尺寸及設置位置的圖。 圖6為用於說明由第一實施方式的氣流形成機構形成的氣流的圖。

1:基板處理裝置

11:內室

11a:分隔壁

11b:處理室

12:管道

13:廢液管

14:排氣管

21:底座體

22:旋轉台

22a:卡盤銷

23:馬達

23a:定子

23b:轉子

24:受液部

24a:可動受液部

24b:固定受液部

24c:開口

25:噴嘴

26:風機過濾單元

27:離子發生器

30:氣流形成機構

40:控制裝置

50:氣體供給源

A1:基板轉軸

W:基板

Claims (8)

1. 一種基板處理裝置，包括： 處理室，對基板進行處理； 旋轉台，設置於所述處理室內，保持所述基板並使所述基板旋轉； 供給部，對所述旋轉台上保持的所述基板供給處理液； 受液部，以圍繞所述旋轉台的方式設置，在所述受液部的上端具有圓形的開口，對因所述旋轉台的旋轉而從旋轉的所述基板飛散的處理液進行接擋； 送風部，設置於所述處理室的頂板側，使所述處理室的內部產生下降氣流；以及 氣流形成部，設置於所述受液部與所述送風部之間，形成為在所述氣流形成部的上端及下端分別具有圓形的開口的筒狀，使由所述送風部產生的下降氣流集中於所述受液部的上端的開口的內側。
2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述氣流形成部具有內壁、外壁、曲面以及氣體噴出部， 在所述基板處理裝置的上下方向的截面中，所述內壁的所述上下方向上的中央部朝所述外壁的方向彎曲， 所述氣體噴出部設置於所述內壁，噴出朝向所述下端的開口流動的氣體， 在所述上下方向的截面中，所述曲面為外形朝上方鼓起的曲面，從所述外壁的上端朝上方延伸後，朝下方延伸至所述氣體噴出部的位置為止。
3. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中， 所述氣流形成部的下端的開口的內徑，比所述受液部的上端的開口的內徑小。
4. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 所述氣流形成部以如下方式設置於所述處理室內：所述下端的開口與所述受液部的上端的開口的距離，成為基於所述下端的開口的內徑、所述受液部的上端的開口的內徑、以及所述下端的開口處的氣流的擴散角度的距離。
5. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，更包括： 靜電去除部，設置於所述送風部的下方，將靜電去除， 其中，所述氣流形成部設置於所述靜電去除部的下方。
6. 如請求項2所述的基板處理裝置，更包括： 氣體供給部，將從所述氣體噴出部噴出的氣體，供給至所述氣流形成部， 其中，所述氣流形成部包括第一圓環狀構件和第二圓環狀構件， 通過所述第一圓環狀構件和所述第二圓環狀構件，形成用於積存、壓縮所述氣體的空間， 所述氣體噴出部將從所述氣體供給部供給到所述空間的氣體噴出。
7. 如請求項6所述的基板處理裝置，其中， 將從所述氣體供給部噴出的氣體導入所述空間的氣體導入口，設置於所述空間的下端側的所述外壁， 所述氣體噴出部設置於所述空間的上端側的所述內壁。
8. 如請求項6或7所述的基板處理裝置，更包括： 控制部，對所述氣體供給部所進行的氣體的供給進行控制， 所述控制部在所述基板向所述處理室內搬出搬入時，以停止所述氣體供給部所進行的所述氣體的供給的方式進行控制。