CN109427629B - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN109427629B
CN109427629B CN201810965777.XA CN201810965777A CN109427629B CN 109427629 B CN109427629 B CN 109427629B CN 201810965777 A CN201810965777 A CN 201810965777A CN 109427629 B CN109427629 B CN 109427629B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
treatment liquid
liquid nozzle
treatment
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810965777.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427629A (zh
Inventor
藤田阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN109427629A publication Critical patent/CN109427629A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427629B publication Critical patent/CN109427629B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only

Abstract

本发明提供一种基片处理装置，其具有：包含处理液喷嘴(61)的处理液供给部(60)；和使处理液喷嘴(61)在第一处理位置(P1)、比第一处理位置(P1)靠上述基片的中心侧的第二处理位置(P2)和后退位置(Q1)之间移动的处理液喷嘴驱动部(65)。在第一移动步骤中，使基片以第一转速(R1)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从后退位置(Q1)向第一处理位置(P1)移动。在第一移动步骤后的第二移动步骤中，使基片以比第一转速(R1)高的第二转速(R2)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从第一处理位置(P1)向第二处理位置(P2)移动。由此，能够抑制在基片的上表面产生颗粒。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
在作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)等的上表面形成集成电路的层叠构造(器件)的半导体器件的制造工序中，使用氟酸等的药液，来除去形成在晶片的上表面的自然氧化膜中的在晶片周缘部形成的部分(例如参照专利文献1)。除去这样的自然氧化膜的步骤有时称为斜边清洗或者边缘清洗。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-164858号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
为了在晶片的周缘部等的有限区域中通过蚀刻来除去自然氧化膜，需要减少药液向晶片的排出量，实现自然氧化膜的蚀刻宽度的精度提高。当减少药液的排出量时，在药液刚开始排出后，排出量变得不稳定。于是，当要除去晶片周缘部的自然氧化膜时，在从喷嘴向晶片周缘部供给药液之前，在从晶片后退了的后退位置从喷嘴排出药液规定时间。之后，一边排出药液一边使喷嘴向晶片的周缘部移动，由此，在喷嘴向晶片周缘部供给药液时，使来自喷嘴的药液排出量稳定。
但是，由于喷嘴一边排出药液一边通过晶片的斜边部的上方，因此，排出的药液冲撞斜边部而向周围飞散。当该飞散了的药液附着在蚀刻后残留的自然氧化膜的表面时，成为颗粒源。特别是，近年来，颗粒的检查对象小粒径化，或颗粒的检查范围在半径方向上扩大，使得颗粒的应对方法成为当务之急。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制在基片的上表面产生颗粒的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
用于解决问题的技术方案
本发明的一实施方式提供一种基片处理装置，其包括：
将基片水平保持的保持部；
使上述保持部旋转的旋转驱动部；
包含排出处理液的处理液喷嘴的处理液供给部；
处理液喷嘴驱动部，其使上述处理液喷嘴在以下位置之间移动，即：对上述基片供给上述处理液的第一处理位置、比上述第一处理位置靠上述基片的中心侧的对上述基片供给上述处理液的第二处理位置、从上述基片后退出的后退位置；和
控制部，
上述控制部控制上述旋转驱动部、上述处理液喷嘴驱动部和上述处理液供给部来执行以下步骤：
第一移动步骤，使上述基片以第一转速旋转，并且一边从上述处理液喷嘴排出上述处理液一边使上述处理液喷嘴从上述后退位置移动到上述第一处理位置；和
第二移动步骤，在上述第一移动步骤之后，使上述基片以比上述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从上述处理液喷嘴排出上述处理液一边使上述处理液喷嘴从上述第一处理位置移动到上述第二处理位置。
本发明的一实施方式提供一种基片处理方法，其包括：
将基片水平保持的保持步骤；
第一移动步骤，使上述基片以第一转速旋转，并且一边从处理液喷嘴排出处理液，一边使上述处理液喷嘴从自上述基片后退出的后退位置移动到对上述基片供给上述处理液的第一处理位置；和
第二移动步骤，在上述第一移动步骤之后，使上述基片以比上述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从上述处理液喷嘴排出上述处理液，一边使上述处理液喷嘴从上述第一处理位置移动到比上述第一处理位置靠上述基片的中心侧的对上述基片供给上述处理液的第二处理位置。
本发明的另一实施方式提供一种存储介质，其记录有程序，该程序在由用于控制基片处理装置的动作的计算机执行时，上述计算机控制上述基片处理装置来执行上述基片处理方法。
发明效果
根据本发明，能够抑制在基片的上表面产生颗粒。
附图说明
图1是表示本实施方式中的基片处理系统的概略结构的图。
图2是本实施方式中的基片处理装置的概略纵截面图。
图3是表示图2的各喷嘴的示意平面图。
图4是用于说明来自图3的氟酸喷嘴的氟酸的排出方向的图，是图3的A-A线截面的示意纵截面图。
图5是用于说明来自图3的氟酸喷嘴的氟酸的排出方向的图，是图3的B-B线截面的示意纵截面图。
图6是用于说明来自图3的氟酸喷嘴的氟酸的排出方向的示意平面图。
图7是用于说明本实施方式的基片处理方法中的旋转开始步骤的图。
图8是用于说明图7所示的旋转开始步骤之后的氟酸的排出开始步骤的图。
图9是用于说明图8所示的排出开始步骤之后的氟酸喷嘴从后退位置向第一处理位置移动的第一移动步骤的图。
图10是用于说明图9所示的第一移动步骤之后的晶片的转速上升步骤的图。
图11是用于说明图10所示的转速上升步骤之后的氟酸喷嘴从第一处理位置向第二处理位置移动的第二移动步骤的图。
图12是用于说明图11所示的第二移动步骤之后的自然氧化膜除去步骤的图。
图13是用于说明图12所示的自然氧化膜除去步骤之后的氟酸喷嘴从第二处理位置向第一处理位置移动的第三移动步骤的图。
图14是用于说明图13所示的第三移动步骤之后的晶片的转速降低步骤的图。
图15是用于说明图14所示的转速降低步骤之后的氟酸喷嘴从第一处理位置向后退位置移动的第四步骤的图。
图16是用于说明图15所示的第四移动步骤之后的氟酸的排出结束步骤的图。
附图标记说明
18 控制部
30 基片处理装置
31 保持部
33 旋转驱动部
42 上部环
48 排气部
51 流量调节阀
60 处理液供给部
61 处理液喷嘴
65 处理液喷嘴驱动部
E1 第一排气量
E2 第二排气量
P1 第一处理位置
P2 第二处理位置
R1 第一转速
R2 第二转速
Q1 后退位置
S1 内侧空间
S2 周缘空间
W 晶片。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的基片处理装置、基片处理方法和存储介质的一实施方式。此外，本说明书的附图所示的结构中，为了方便图示和理解，包含有尺寸和比例尺与实际物品不同的部分。
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。在以下中，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置用于将多个基片，在本实施方式中为半导体晶片(以下晶片W)以水平状态收纳的多个载体C。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有用于保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有用于保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动和以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17搬送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19存储有用于控制基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过对存储在存储部19中的程序进行读取和执行，来控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，能够从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。
在如上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，并被送入到处理单元16。
被送入到处理单元16的晶片W，在处理单元16处理之后，由基片输送装置17从处理单元16送出，并载置于交接部14。然后，载置于交接部14的处理完成的晶片W，由基片输送装置13送回到载体载置部11的载体C。
图1所示的处理单元16具有图2所示的基片处理装置30。在此，本实施方式中的基片处理装置30是用于对形成在晶片W的周缘部的自然氧化膜进行蚀刻并将其除去的装置，对作为处理液的一个例子使用氟酸利用蚀刻来除去自然氧化膜的装置进行说明。在此，晶片W的周缘部是指晶片W的上表面的没有形成器件的环状区域。晶片W的周缘部包括斜边部Wb(晶片W的外缘侧的形成为弯曲状的部分，参照图7等)，是从晶片W的外缘We向半径方向内侧去的规定距离(例如3mm)的区域。
如图2所示，基片处理装置30包括：将硅制的半导体晶片等的基片(以下也称为晶片W)水平保持的保持部31；从保持部31向下方延伸的旋转轴32；经由旋转轴32来使保持部31旋转的旋转驱动部33。保持部31例如通过真空吸附来对载置在保持部31上的晶片W进行保持。
如图2所示，旋转轴32在铅垂方向上延伸。旋转驱动部33包括：设置在旋转轴32的下端部的滑轮34；电动机35；设置在电动机35的旋转轴的滑轮36；卷绕在滑轮34和滑轮36上的驱动带37。通过这样的结构，电动机35的旋转驱动力经由驱动带37被传递到旋转轴32。旋转轴32经由轴承38可旋转地保持于后述的腔室39。
上述的保持部31和旋转轴32等收纳在腔室39内。腔室39的顶板附近设置有从外部导入清洁空气的清洁空气导入单元40。另外，腔室39的底面附近设置有排出腔室39内的清洁空气的排气口41。由此，在腔室39内形成有从上部向下部流动的清洁空气的下降流。
在保持部31所保持的晶片W的上方设置有形成为环状的上部环42(罩部件)。该上部环42划分出形成在保持部31所保持的晶片W的上方的内侧空间S1。另外，上部环42设置成覆盖保持部31所保持的晶片W的上表面的周缘部，与晶片W的上表面相对并且分开。在上部环42与晶片W的周缘部之间形成有与内侧空间S1连通的周缘空间S2。该周缘空间S2为从清洁空气导入单元40供给到上部环42的内侧空间S1的清洁空气在向后述的杯体43去时通过的空间。通过该周缘空间S2，能够缩小清洁空气的流路，使清洁空气的流向被调整为向晶片W的外周侧去并且使清洁空气的流速增大。由此，能够将从晶片W的周缘部飞散出的处理液(后述的氟酸、DIW等)向外周侧排出，防止该处理液飘回并附着于晶片W。
在保持部31所保持的晶片W的周围设置有杯体43。该杯体43是以包围保持部31的外周的方式设置的环状的部材。杯体43具有承接并回收从晶片W飞散出的处理液，并将其向外部排出的作用。
在杯体43，环状的凹部44沿杯体43的周向形成。通过该凹部44划分出杯体43的杯空间S3。在凹部44的底部设置排液口45，该排液口45与排液路46连接。另外，在凹部44中的比排液路46更靠内周侧的位置设置有排气口47，该排气口47与排气部48连接。该排气部48将上述的上部环42的内侧空间S1的清洁空气(气体)经由周缘空间S2排出。具体来讲，排气部48包括：与排气口47连接的排气路49；设置在排气路49上的排气驱动部50(排出器或者真空泵等)；设置在排气路49中的比排气驱动部50更靠上游侧(排气口47的侧)的位置的流量调节阀51(排气量调节部)。流量调节阀51(例如阻尼阀等)通过调整其开度，来调整从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量(与通过排气路49的清洁空气的排气量相当)。在晶片W处理过程中，排气驱动部50被驱动，杯空间S3的清洁空气被吸引而被排出。在此期间，来自清洁空气导入单元40的清洁空气的一部分通过下降流，被供给到上部环42的内侧空间S1，该内侧空间S1的清洁空气通过上部环42与晶片W之间的周缘空间S2而被吸入到杯空间S3中。
此外，图2虽未图示，但是排气口47在杯体43的凹部44的周向上设置有多个。因此，内侧空间S1的清洁空气在晶片W的周向上均等地排出。
在腔室39的侧部形成有用于将晶片W送入腔室39内或者从腔室39内送出晶片W的侧部开口52。在侧部开口52设置有可开闭的开闭件53。
上部环42能够通过未图示的升降机构进行升降。另外，杯体43能够通过未图示的其他升降机构进行升降。在图1所示的基片输送装置17的臂与保持部31之间进行晶片W的交接时，使上部环42从图2所示的位置上升，并且使杯体43从图2所示的位置下降。
如图2所示，在腔室39内设置有用于对保持部31所保持的晶片W的周缘部供给氟酸(处理液)的处理液喷嘴61。如图3所示，处理液喷嘴61向保持部31所保持的晶片W的周缘部供给氟酸(HF、处理液)。具体来讲，如图3所示，处理液喷嘴61经由处理液供给管62与处理液供给源63连接，从处理液供给源63经由处理液供给管62对处理液喷嘴61供给氟酸。在处理液供给管62设置有控制是否对处理液喷嘴61供给氟酸以及供给量的处理液阀64。通过上述的处理液喷嘴61、处理液供给管62、处理液供给源63和处理液阀64，构成向保持部31所保持的晶片W的周缘部供给氟酸的处理液供给部60(处理液供给部)。处理液喷嘴61配置在上部环42中所设置的凹陷42a内。
如图3所示，处理液喷嘴61经由处理液喷嘴臂66与处理液喷嘴驱动部65连结。该处理液喷嘴驱动部65使处理液喷嘴61在对晶片W的周缘部供给氟酸的第一处理位置P1及第二处理位置P2与从晶片W后退出的后退位置Q1之间移动。处理液喷嘴61在第一处理位置P1、第二处理位置P2与后退位置Q1之间在晶片W的半径方向移动。第二处理位置P2位于比第一处理位置P1更靠晶片W的中心O的一侧的位置，设定为能够供给氟酸来将晶片W的上表面所形成的自然氧化膜中的自晶片W的外缘We起的期望的宽度区域(以后记为蚀刻宽度)除去的位置。后退位置Q1设定为从处理液喷嘴61排出的氟酸不会到达晶片W的上表面的位置。第一处理位置P1为第二处理位置P2与后退位置Q1之间的位置，可以设定为能够对晶片W的周缘部供给氟酸的位置。
如图4～图6所示，处理液喷嘴61能够对晶片W的上表面以规定的角度排出氟酸。具体来讲，如图4中实线箭头所示，在与晶片W的半径方向正交的方向上观看时，氟酸的排出方向与铅垂下方相比更向晶片W的半径方向外侧倾斜。另外，如图5实线箭头所示，在晶片W的半径方向上观看时，氟酸的排出方向与铅垂下方相比更向晶片W的旋转方向下游侧倾斜。其结果，在从晶片W的上方观看时，如图6的实线箭头所示，来自处理液喷嘴61的氟酸的排出方向由图6所示的角度θ1表示。在该情况下，能够提高自然氧化膜的蚀刻宽度的精度。在此，角度θ1由表示来自处理液喷嘴61的氟酸的排出方向的实线箭头的延长线L1和该延长线L1与晶片W的外缘We的交点上的晶片W的切线T1所成的角度定义。
与这样的处理液喷嘴61同样，还设置有DIW喷嘴71。如图3所示，DIW喷嘴71配置在晶片W的周向上的与处理液喷嘴61不同的位置。
如图3所示，DIW喷嘴71对保持部31所保持的晶片W的周缘部供给DIW(去离子水)。具体来讲，DIW喷嘴71经由DIW供给管72与DIW供给源73连接，从DIW供给源73经由DIW供给管72对DIW喷嘴71供给DIW。在DIW供给管72设置有控制是否对DIW喷嘴71供给DIW以及供给量的DIW阀74。通过上述的DIW喷嘴71、DIW供给管72、DIW供给源73和DIW阀74，构成对保持部31所保持的晶片W的周缘部供给DIW的DIW供给部70。
如图3所示，DIW喷嘴71经由DIW喷嘴臂76与DIW喷嘴驱动部75连结。该DIW喷嘴驱动部75使DIW喷嘴71在对晶片W的周缘部供给DIW的清洗位置P3与从晶片W后退出的后退位置Q2之间移动。DIW喷嘴71在清洗位置P3与后退位置Q2之间在晶片W的半径方向上移动。清洗位置P3设定为能够供给DIW来冲洗残留在晶片W的上表面中的氟酸的位置。具体来讲，关于清洗位置P3，优选向晶片W供给DIW的供给位置位于比处理液喷嘴61向晶片W供给氟酸的供给位置更靠晶片W的中心O侧的位置。后退位置Q2设定为从DIW喷嘴71排出DIW的DIW不会到达晶片W的上表面的位置。
基片处理装置30的各构成要素的控制由上述控制装置4的控制部18进行。具体来说，控制部18分别与保持部31、旋转驱动部33、处理液供给部60(尤其是处理液阀64)和DIW供给部70(尤其是DIW阀74)等的构成要素连接。另外，控制部18还与处理液喷嘴驱动部65、DIW喷嘴驱动部75和排气部48(尤其是排气驱动部50和流量调节阀51)连接。而且，控制部18对与该控制部18连接的各构成要素发送控制信号，来进行各构成要素的控制。关于控制部18所进行的各构成要素的控制的具体内容在后面述说。
接着，使用图7～图16所示的附图来说明上述基片处理装置30的动作(晶片W的处理方法)。此外，以下所示的基片处理装置30的动作，由控制部18按照存储于存储介质中的程序(处理方案)控制基片处理装置30的各构成要素来进行。在此，图7～图16表示从与晶片W的半径方向正交的方向看到的图。
[保持步骤]
首先，将晶片W保持为水平。具体来讲，由图1所示的基片输送装置17从基片处理装置30的外部经由腔室39的侧部开口52向腔室39内输送晶片W。接着，基片输送装置17将晶片W载置在腔室39内的保持部31上。在此，在载置于保持部31上的晶片W的上表面形成有自然氧化膜。
[旋转开始步骤]
接着，如图7所示，使保持部31所保持的晶片W开始旋转。具体来讲，驱动旋转驱动部33(参照图2)，以在铅垂方向延伸的轴线为中心使旋转轴32旋转。由此，保持部31所保持的晶片W在水平面内旋转。此时，电动机35的旋转驱动力经由滑轮36、驱动带37和滑轮34施加到旋转轴32，而使旋转轴32旋转。在此，使晶片W的转速为第一转速R1(例如，几十～几百rpm)。
另外，在旋转开始步骤中，驱动排气驱动部50，吸引杯空间S3的清洁空气并将其排出。此时，流量调节阀51将从上部环42的内侧空间S1排出的清洁空气的排气量设定为第一排气量E1。
[处理液供给步骤]
接着，对晶片W的周缘部供给氟酸。即，从处理液喷嘴61对旋转的晶片W的周缘部所形成的自然氧化膜供给氟酸，将自然氧化膜除去。
<排出开始步骤>
在处理液供给步骤中，首先，处理液阀64(参照图2)打开，如图8所示，从位于后退位置Q1的处理液喷嘴61排出氟酸。处理液喷嘴61一边维持在后退位置Q1，一边排出氟酸规定时间。由此，即使在氟酸的排出量少的情况下，也能够使氟酸的排出量稳定。例如，氟酸以3秒钟、15mL/分的排出量持续排出。至后述的排出停止步骤为止，氟酸的排出量维持为一定。
<第一移动步骤>
接着，如图9所示，使晶片W以第一转速R1旋转，并且，一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动。
具体来讲，驱动处理液喷嘴驱动部65(参照图3)，使处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动。例如，处理液喷嘴61用0.5秒从后退位置Q1移动到第一处理位置P1。在此期间，从处理液喷嘴61持续排出氟酸，处理液喷嘴61到达第一处理位置P1，由此开始对晶片W的周缘部供给氟酸。
在第一移动步骤中，从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量被维持为比后述的第二排气量E2多的第一排气量E1。因此，从处理液喷嘴61排出的氟酸被排气吹出，从处理液喷嘴61向图4～图6中虚线所示的箭头方向排出氟酸。
具体来讲，如图4中的虚线箭头所示，在与晶片W的半径方向正交的方向上观看时，氟酸的排出方向与实线箭头所示的排出方向相比向晶片W的半径方向外侧倾斜。另外，如图5中的虚线箭头所示，在晶片W的半径方向上观看时，氟酸的排出方向与铅垂下方相比向晶片W的旋转方向下游侧倾斜，但没有比实线箭头所示的排出方向更加倾斜。其结果，从晶片W的上方观看时，如图6的虚线箭头所示，氟酸从处理液喷嘴61排出的排出方向由图6所示的角度θ2表示。在该情况下，能够抑制与晶片W的斜边部Wb冲撞的氟酸向内周侧飞散。由此，在以第一排气量E1进行排气时从处理液喷嘴61排出的氟酸的排出方向为与晶片W的切线所成的角度接近垂直的方向。即，氟酸向与晶片W的旋转方向下游侧相比向靠晶片W的半径方向外侧去的方向被排出。在此，角度θ2与上述的角度θ1同样地被定义，由表示氟酸从处理液喷嘴61排出的排出方向的虚线箭头的延长线L2和该延长线L2与晶片W的外缘We的交点的晶片W的切线T2所成的角度定义。
<转速上升步骤>
接着，如图10所示，一边将处理液喷嘴61维持在第一处理位置P1，一边使晶片W的转速从第一转速R1上升到比第一转速R1高的第二转速R2(例如，几百～3000rpm)。
在转速上升步骤中，从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量，从第一排气量E1降低至比第一排气量E1小的第二排气量E2。因此，从处理液喷嘴61向图4～图6中的实线所示的箭头的方向排出氟酸。由此，在以第二排气量E2排气时从处理液喷嘴61排出的氟酸的排出方向，如图6实线箭头所示，为与晶片W的半径方向外侧相比更向晶片W的旋转方向下游侧去的方向。由此，如图10所示，在与晶片W的半径方向正交的方向上观看时，从处理液喷嘴61排出的氟酸到达晶片W上表面的到达点，向晶片W的中心O侧偏移。
<第二移动步骤>
接着，如图11所示，使晶片W以第二转速R2旋转，并且，一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动。
具体来讲，驱动处理液喷嘴驱动部65，使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动。例如，处理液喷嘴61用0.5秒从第一处理位置P移动到第二处理位置P2。在此期间，从处理液喷嘴61持续排出氟酸。
在第二移动步骤中，从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量，被维持为比第一排气量E1少的第二排气量E2。因此，从处理液喷嘴61向图4～图6中实线箭头所示的方向排出氟酸。
<自然氧化膜除去步骤>
接着，如图12所示，处理液喷嘴61被维持在第二处理位置P2规定时间。然后，从处理液喷嘴61向形成在旋转的晶片W的周缘部的自然氧化膜持续供给氟酸规定时间。从位于第二处理位置P2的处理液喷嘴61供给的氟酸的供给位置，为能够除去晶片W上的自然氧化膜中的与蚀刻宽度相当的区域的位置。由此，自然氧化膜的该区域被氟酸蚀刻而被除去，晶片W的周缘部的上表面露出。例如，氟酸从位于第二处理位置P2的处理液喷嘴61持续排出60秒。排出到晶片W的周缘部的氟酸，受到来自晶片W的旋转的离心力而从晶片W的周缘部流向外周侧，从晶片W的斜边部Wb排出。此外，在自然氧化膜除去步骤中，为了提高自然氧化膜的除去精度，晶片W的转速优选如第二转速R2那样高。由此，能够使离心力作用在供给到晶片W的氟酸，能够抑制晶片W的上表面中的氟酸进入到内周侧。在该情况下，能够提高自然氧化膜的蚀刻宽度的精度。
<第三移动步骤>
接着，如图13所示，使晶片W以第二转速R2旋转，并且，一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从第二处理位置P2向第一处理位置P1移动。
具体来讲，驱动处理液喷嘴驱动部65，使处理液喷嘴61从第二处理位置P2向第一处理位置P1移动。例如，处理液喷嘴61用0.5秒从第二处理位置P2移动到第一处理位置P1。在此期间，从处理液喷嘴61持续排出氟酸。
<转速降低步骤>
接着，如图14所示，一边将处理液喷嘴61维持在第一处理位置P1，一边使晶片W的转速从第二转速R2降低到第一转速R1。
在转速降低步骤中，从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量，从第二排气量E2增大至第一排气量E1。因此，从处理液喷嘴61向图4～图6中的虚线箭头所示的方向排出氟酸。由此，在以第一排气量E1排气时从处理液喷嘴61排出的氟酸的排出方向，为与晶片W的旋转方向下游侧相比更向晶片W的半径方向外侧去的方向。由此，如图14所示，在与晶片W的半径方向正交的方向上观看时，从处理液喷嘴61排出的氟酸到达晶片W的上表面的到达点，向晶片W的外缘We侧偏移。
<第四移动步骤>
接着，如图15所示，使晶片W以第一转速R1旋转，并且一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向后退位置Q1移动。
具体来讲，驱动处理液喷嘴驱动部65，使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向后退位置Q1移动。例如，处理液喷嘴61用0.5秒从第一处理位置P1移动到后退位置Q1。在此期间，从处理液喷嘴61持续排出氟酸，到达后退位置Q1，由此氟酸对晶片W的周缘部的供给结束。
<排出停止步骤>
之后，处理液阀64关闭，停止氟酸从位于后退位置Q1的处理液喷嘴61的排出。由此，处理液供给步骤结束。此外，氟酸从处理液喷嘴61的排出的停止，不限于在处理液喷嘴61到达后退位置Q1之后进行。例如，在上述的转速降低步骤中，可以在位于第一处理位置P1的晶片W的转速降低至第一转速R1后进行。另外，作为在自然氧化膜除去步骤之后使处理液喷嘴61后退到后退位置Q1的步骤，不限于上述的步骤，可以是任意的。
[DIW供给步骤]
在上述的处理液供给步骤之后，向晶片W的周缘部供给作为清洗液的DIW。在DIW供给步骤中，晶片W的转速例如为600rpm。另外，从排气路49排出的清洁空气的排气量降低至比第一排气量E1小的第二排气量E2。
具体来讲，首先，DIW阀74打开，从DIW喷嘴71排出DIW。接着，驱动DIW喷嘴驱动部75，使DIW喷嘴71从后退位置Q2向清洗位置P3移动。接着，DIW喷嘴71被维持在清洗位置P3规定时间。关于DIW喷嘴71的清洗位置P3，对晶片W供给DIW的供给位置为与对晶片W供给氟酸的供给位置相比更靠近晶片W的中心O的位置。由此，对晶片W进行清洗处理，能够冲走在晶片W的上表面残留的氟酸。被排出到晶片W的周缘部的DIW，受到来自晶片W的旋转的离心力而从晶片W的周缘部流到外周侧，从晶片W的斜边部Wb被排出。接着，驱动DIW喷嘴驱动部75，使DIW喷嘴71从清洗位置P3向后退位置Q2移动，之后，DIW阀74关闭，停止从位于后退位置Q2的DIW喷嘴71的DIW排出。由此，DIW供给步骤结束。
[干燥步骤]
在上述的DIW供给步骤之后，提高晶片W的转速，进行晶片W的干燥处理。例如使晶片W的转速为2500rpm。由此，残留在晶片W的上表面的DIW受到来自晶片W旋转的离心力而从晶片W的周缘部流向外周侧，从晶片W的斜边部Wb被排出。因此，从晶片W的上表面除去DIW，晶片W的上表面被干燥。
如上所述，根据本实施方式，首先，使晶片W以第一转速R1旋转，并且一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动。之后，使晶片W以第二转速R2旋转，并且一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动。由此，能够使处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动时的晶片W的转速，比处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动时的晶片W的转速低，能够在处理液喷嘴61通过从处理液喷嘴61排出的氟酸冲撞晶片W的斜边部Wb的位置时降低晶片W的转速。因此，能够抑制冲撞晶片W的斜边部Wb的氟酸飞散，能够抑制其向蚀刻后残留的自然氧化膜的表面飞散。其结果，能够抑制氟酸成为颗粒源而残留在晶片W的上表面，能够抑制在晶片W的上表面产生颗粒。
尤其是，在晶片W的上表面由疏水面形成的情况或疏水面和亲水面混合存在的情况下，冲撞晶片W的斜边部Wb的氟酸容易飞散，但是，由于如上所述晶片W的转速低，因此能够抑制氟酸向内周侧飞散。另外，通过抑制晶片W的飞散，能够抑制飞散的氟酸附着在晶片W的斜边部Wb周围所存在的部件(例如上部环42、处理液喷嘴61等)上。并且，在本实施方式中，在处理液喷嘴61通过氟酸冲撞晶片W的斜边部Wb的位置时，晶片W的转速变低，因此，能够在晶片W的斜边部Wb的弯曲状表面形成氟酸的液膜，能够有效地蚀刻形成在斜边部的表面的自然氧化膜并将其除去。
另外，根据本实施方式，在处理液喷嘴61从后退位置Q1移动到第一处理位置P1后，一边将处理液喷嘴61维持在第一处理位置P1，一边使晶片W的转速从第一转速R1上升至第二转速R2。由此，在处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动时，能够将晶片W的转速提高至第二转速R2。因此，能够提高自然氧化膜的蚀刻宽度的精度。
另外，根据本实施方式，在处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动时，上部环42的内侧空间S1的清洁空气经由存在于上部环42与晶片W的周缘部之间的周缘空间S2以第一排气量E1排出。处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动时，内侧空间S1的清洁空气经由周缘空间S2以第二排气量E2排出。由此，能够使处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动时的内侧空间S1的清洁空气的排气量，比处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动时的内侧空间S1的清洁空气的排气量多，能够在处理液喷嘴61通过从处理液喷嘴61排出的氟酸冲撞晶片W的斜边部Wb的位置时，增多内侧空间S1的清洁空气的排气量。因此，能够抑制冲撞晶片W的斜边部Wb的氟酸向内周侧飞散，能够使氟酸从晶片W的斜边部Wb排出到外周侧，能够进一步抑制其飞散到蚀刻后残留的自然氧化膜的表面。
另外，根据本实施方式，在使晶片W的转速从第一转速R1向第二转速R2上升时，使上部环42的内侧空间S1的清洁空气的排气量从第一排气量E1降低至第二排气量E2。由此，在处理液喷嘴61从第一处理位置P1向第二处理位置P2移动时，能够使氟酸从处理液喷嘴61排出的排出方向朝向晶片W的旋转方向下游侧。因此，能够提高自然氧化膜的蚀刻精度。
另外，根据本实施方式，在处理液喷嘴61从后退位置Q1经由第一处理位置P1向第二处理位置P2移动的期间，从处理液喷嘴61排出的氟酸的排出量被维持为一定。由此，即使为了在晶片W的周缘部等的有限区域除去自然氧化膜而减少氟酸的排出量的情况下，也能够使处理液喷嘴61到达第二处理位置P2时的排出量稳定。因此，能够提高自然氧化膜的蚀刻宽度的精度。
另外，根据本实施方式，使晶片W以第二转速R2旋转，并且一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从第二处理位置P2向第一处理位置P1移动。之后，使晶片W以第一转速R1旋转，并且一边从处理液喷嘴61排出氟酸一边使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向后退位置Q1移动。由此，能够使处理液喷嘴61从第一处理位置P1向后退位置Q1移动时的晶片W的转速，比处理液喷嘴61从第二处理位置P2向第一处理位置P1移动时的晶片W的转速低，能够在处理液喷嘴61通过从处理液喷嘴61排出的氟酸冲撞晶片W的斜边部Wb的位置时，降低晶片W的转速。因此，能够抑制冲撞晶片W的斜边部Wb的氟酸飞散，能够抑制其飞散到蚀刻后残留的自然氧化膜的表面上。
此外，在上述的本实施方式中，说明处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动时排出氟酸的例子。但是，不限于此，处理液喷嘴61也可以构成为排出相互不同的多种处理液，第一移动步骤中的处理液喷嘴61排出的处理液与第二移动步骤中的处理液喷嘴61排出的处理液也可以彼此不同。例如，处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动时(第一移动步骤)，可以不排出氟酸，而排出作为处理液的一个例子的DIW。在该情况下，处理液喷嘴61与图3所示的DIW供给管72连接，处理液喷嘴61构成为能够有选择地排出氟酸和DIW即可。
具体来讲，在第一移动步骤中，DIW从DIW供给源73被供给到处理液喷嘴61后，从处理液喷嘴61排出。在转速上升步骤中，向处理液喷嘴61供给的处理液从DIW被切换为氟酸。此时，优选直到从处理液喷嘴61排出的氟酸的排出量稳定为止，处理液喷嘴61被维持在第一处理位置P1。之后，在第二移动步骤中，从处理液喷嘴61排出氟酸。即使在该情况下，处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动时的晶片W的转速变低，因此，能够抑制冲撞晶片W的斜边部Wb的DIW飞散。另外，在该情况下，能够使从处理液喷嘴61排出的氟酸不会供给到晶片W的干燥的上表面，而供给到形成在晶片W的上表面的DIW液膜上。因此，能够抑制供给到晶片W的上表面的氟酸在该上表面弹起而飞散，能够抑制形成颗粒源。
另外，在处理液喷嘴61能够有选择地排出氟酸和DIW的情况下，在自然氧化膜除去步骤后，不使处理液喷嘴61向后退位置Q1，就能够对晶片W的上表面进行清洗处理。即，一边将处理液喷嘴61维持在第二处理位置P2，一边将从处理液喷嘴61排出的处理液从氟酸切换为DIW，由此能够对晶片W的上表面进行清洗处理。因此，能够使步骤简化。另外，即使处理液喷嘴61不能有选择排出氟酸和DIW，也可以在处理液供给步骤的排出开始步骤中，对于晶片W的表面周缘部，首先从DIW喷嘴71排出DIW，之后从处理液喷嘴61排出氟酸，使处理液喷嘴61从后退位置Q1向第一处理位置P1移动。在处理液喷嘴61移动的期间，从DIW喷嘴71持续排出DIW。在该情况下，能够使从处理液喷嘴61排出的氟酸不会供给到晶片W的干燥的上表面，而供给到形成在晶片W的上表面的DIW液膜上。因此，能够抑制供给到晶片W的上表面的氟酸在该上表面弹起而飞散，能够抑制形成颗粒源。DIW的供给位置优选配置于俯视时比氟酸的供给位置更靠晶片W的旋转方向上游侧的附近。此外，替代DIW，也能够使用臭氧水、硝酸或硫酸。作为上述DIW的替代，只要为具有氧化能力且对硅制的晶片W不具有蚀刻作用的液体即可。
另外，在上述的本实施方式中，说明了排气部48具有用于调整从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量的流量调节阀51的例子。但是，只要能够调整排气量，则不限于该结构。例如，能够设置流量彼此不同的多个排气路，可以将这些排气路有选择地连接到排气口47。在该情况下，也能够切换从内侧空间S1排出的清洁空气的排气量。
另外，在上述的本实施方式中，说明了基片处理装置30是用于对形成在晶片W的周缘部的自然氧化膜进行蚀刻并将其除去的装置的例子。但是，不限于此，基片处理装置30可以为用于对形成在晶片W的周缘部的其他种类的膜进行除去的装置。例如，基片处理装置30可以为用于除去形成在晶片W的上表面上的抗蚀剂膜的装置。在该情况下，作为处理液能够使用除去抗蚀剂膜用的抗蚀剂除去液(抗蚀剂除去剂)。
另外，在上述的本实施方式中，作为用于通过蚀刻来除去形成在晶片W的上表面的自然氧化膜的处理液，以氟酸为例进行了说明。但是不限于此，只要能够除去形成在晶片W的周缘部的膜，则能够使用作为包含氟酸的水溶液的稀氟酸水溶液(DHF)等其他药液。
本发明不限于上述实施方式以及变形例，在实施阶段在不脱离其主旨的范围内能够使构成要素变形而具体化。另外，通过上述实施方式和变形例所公开的多个构成要素的适当组合，能够形成多种发明。可以从实施方式和变形例所公开的全构成要素削除若干的构成要素。并且，可以将不同的实施方式和变形例的构成要素适当组合。

Claims (11)

1.一种用于去除位于基片的周缘部上的膜的基片处理装置，其特征在于，包括：
将所述基片水平保持的保持部；
使所述保持部旋转的旋转驱动部；
包含排出处理液的处理液喷嘴的处理液供给部；
处理液喷嘴驱动部，其使所述处理液喷嘴在以下位置之间移动，即：比所述基片的外缘靠所述基片的中心侧的对所述基片供给所述处理液的第一处理位置、比所述第一处理位置靠所述基片的中心侧的对所述基片供给所述处理液的第二处理位置、从所述基片后退出的后退位置；和
控制部，
所述控制部控制所述旋转驱动部、所述处理液喷嘴驱动部和所述处理液供给部来执行以下步骤：
第一移动步骤，使所述基片以第一转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述后退位置移动到所述第一处理位置；和
第二移动步骤，在所述第一移动步骤之后，使所述基片以比所述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述第一处理位置移动到所述第二处理位置，
所述基片处理装置还包括：
环状的罩部件，其划分出形成在所述保持部所保持的所述基片的上方的内侧空间，且隔着与所述内侧空间连通的周缘空间覆盖所述基片的所述周缘部；和
经由所述周缘空间将所述罩部件的所述内侧空间的气体排出的排气部，
所述排气部具有调整从所述内侧空间排出的所述气体的排气量的排气量调节部，
所述控制部控制所述排气部，使得在所述第一移动步骤中，将所述内侧空间的所述气体以第一排气量排出，在所述第二移动步骤中，将所述内侧空间的所述气体以比所述第一排气量少的第二排气量排出。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部控制所述旋转驱动部和所述处理液喷嘴驱动部，使得在所述第一移动步骤与所述第二移动步骤之间执行一边使所述处理液喷嘴维持在所述第一处理位置，一边使所述基片的转速从所述第一转速上升到所述第二转速的转速上升步骤。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部控制所述排气部，使得在所述转速上升步骤中所述内侧空间的所述气体的排气量从所述第一排气量降低至所述第二排气量。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理液喷嘴能够排出相互不同的多种所述处理液，
所述第一移动步骤中的所述处理液喷嘴排出的所述处理液与所述第二移动步骤中的所述处理液喷嘴排出的所述处理液彼此不同。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部控制所述旋转驱动部、所述处理液喷嘴驱动部和所述处理液供给部，使得在所述第二移动步骤之后，执行使所述基片以所述第二转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述第二处理位置向所述第一处理位置移动的第三移动步骤。
6.一种用于去除位于基片的周缘部上的膜的基片处理方法，其特征在于，具有：
将所述基片水平保持的保持步骤；
第一移动步骤，使所述基片以第一转速旋转，并且一边从处理液喷嘴排出处理液，一边使所述处理液喷嘴从自所述基片后退出的后退位置移动到比所述基片的外缘靠所述基片的中心侧的对所述基片供给所述处理液的第一处理位置；和
第二移动步骤，在所述第一移动步骤之后，使所述基片以比所述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液，一边使所述处理液喷嘴从所述第一处理位置移动到比所述第一处理位置靠所述基片的中心侧的对所述基片供给所述处理液的第二处理位置，
在所述基片的上方配置环状的罩部件，
所述罩部件划分出形成在所述基片的上方的内侧空间，
所述基片的所述周缘部隔着与所述内侧空间连通的周缘空间由所述罩部件覆盖，
在所述第一移动步骤中，所述内侧空间的气体经由所述周缘空间以第一排气量排出，在所述第二移动步骤中，所述内侧空间的所述气体经由所述周缘空间以比所述第一排气量少的第二排气量排出。
7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述第一移动步骤与所述第二移动步骤之间，还具有一边将所述处理液喷嘴维持在所述第一处理位置，一边使所述基片的转速从所述第一转速上升到所述第二转速的转速上升步骤。
8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述转速上升步骤中，使所述周缘空间的所述气体的排气量从所述第一排气量降低至所述第二排气量。
9.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：
所述处理液喷嘴能够排出相互不同的多种所述处理液，
所述第一移动步骤中的所述处理液喷嘴排出的所述处理液与所述第二移动步骤中的所述处理液喷嘴排出的所述处理液彼此不同。
10.如权利要求6～9中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述第二移动步骤之后，还具有使所述基片以所述第二转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述第二处理位置向所述第一处理位置移动的第三移动步骤。
11.一种存储介质，其特征在于：
记录有程序，该程序在由用于控制基片处理装置的动作的计算机执行时，所述计算机控制所述基片处理装置来执行权利要求6～10中任一项所述的基片处理方法。
CN201810965777.XA 2017-08-23 2018-08-23 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Active CN109427629B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017160538A JP6980457B2 (ja) 2017-08-23 2017-08-23 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2017-160538 2017-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427629A CN109427629A (zh) 2019-03-05
CN109427629B true CN109427629B (zh) 2024-02-20

Family

ID=65435532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810965777.XA Active CN109427629B (zh) 2017-08-23 2018-08-23 基片处理装置、基片处理方法和存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190067041A1 (zh)
JP (1) JP6980457B2 (zh)
KR (1) KR102603021B1 (zh)
CN (1) CN109427629B (zh)
TW (1) TWI759526B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7309485B2 (ja) * 2019-07-04 2023-07-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
KR20210009276A (ko) 2019-07-16 2021-01-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 토출 노즐, 노즐 아암, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
CN114400192A (zh) * 2019-08-27 2022-04-26 长江存储科技有限责任公司 一种晶片刻蚀装置
JP7469073B2 (ja) 2020-02-28 2024-04-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TW202242991A (zh) 2020-12-18 2022-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP2022185240A (ja) 2021-06-02 2022-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0910658A (ja) * 1995-06-27 1997-01-14 Hitachi Ltd 塗布方法および塗布装置
JP2003086566A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Supurauto:Kk 基板処理装置及び方法
JP3703281B2 (ja) * 1998-01-28 2005-10-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN101075553A (zh) * 2006-05-17 2007-11-21 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
CN101388333A (zh) * 2007-09-13 2009-03-18 株式会社迅动 基板处理装置以及基板处理方法
CN101551602A (zh) * 2008-04-03 2009-10-07 东京毅力科创株式会社 基板洗净方法和基板洗净装置
JP2013171960A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2016136572A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社東芝 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3512270B2 (ja) * 1995-07-10 2004-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板塗布装置
JPH11147066A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
KR20070058310A (ko) * 2005-12-02 2007-06-08 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법
JP5516447B2 (ja) 2011-02-08 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5951444B2 (ja) * 2012-10-25 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6225067B2 (ja) * 2013-06-21 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6329428B2 (ja) * 2014-05-09 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体
JP5931230B1 (ja) * 2015-01-15 2016-06-08 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。
TWI661479B (zh) * 2015-02-12 2019-06-01 日商思可林集團股份有限公司 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0910658A (ja) * 1995-06-27 1997-01-14 Hitachi Ltd 塗布方法および塗布装置
JP3703281B2 (ja) * 1998-01-28 2005-10-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2003086566A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Supurauto:Kk 基板処理装置及び方法
CN101075553A (zh) * 2006-05-17 2007-11-21 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
CN101388333A (zh) * 2007-09-13 2009-03-18 株式会社迅动 基板处理装置以及基板处理方法
CN101551602A (zh) * 2008-04-03 2009-10-07 东京毅力科创株式会社 基板洗净方法和基板洗净装置
JP2013171960A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2016136572A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社東芝 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190067041A1 (en) 2019-02-28
TW201921480A (zh) 2019-06-01
TWI759526B (zh) 2022-04-01
CN109427629A (zh) 2019-03-05
JP6980457B2 (ja) 2021-12-15
KR20190022357A (ko) 2019-03-06
KR102603021B1 (ko) 2023-11-15
JP2019040958A (ja) 2019-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109427629B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
CN107210216B (zh) 湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质
KR100970060B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN107026071B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
US20080142051A1 (en) Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus
CN109564862B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN108335995B (zh) 基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质
CN110364453B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2013128015A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2009295662A (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
CN108028195B (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
JP5516447B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
CN115332110A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
WO2023136200A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW202310934A (zh) 液體處理設備
JP2009070996A (ja) 真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法。
JP6971699B2 (ja) 基板処理方法、記憶媒体および基板処理装置
JP7460448B2 (ja) 基板処理方法、および、基板処理装置
TWI836216B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
CN110364454B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
TWI717675B (zh) 基板處理裝置
JP2019125659A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN107591345B (zh) 基板液处理方法和基板液处理装置
JP2022096760A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
TW202303730A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant