JP2016136572A - 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所望膜厚の保護膜を均質に形成することができる基板処理装置を提供すること。【解決手段】実施形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置は、基板の周縁部に薬液を吐出するノズルと、前記基板を回転させる回転処理部と、を備えている。また、前記基板処理装置は、判断部と、回転数制御部と、を備えている。前記判断部は、前記ノズルによる前記薬液の吐出位置が、前記基板よりも外側の位置から前記基板の外周部に到達したか否かを判断する。また、前記回転数制御部は、前記判断部による判断結果に基づいて、前記基板の回転数を制御する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法に関する。

半導体装置の製造過程では、基板上に種々の膜が成膜された後、レジストの塗布処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などが行われる。このような基板の周縁部では、エッチングが複数回行われるので、基板の中心部と比べて過度にエッチングが進む。このため、基板の周縁部には、剣山状の突起が形成される場合がある。この突起は、トレンチパターンなどと比べて微小であるので、基板の洗浄時などに基板から剥がれる。そして、剥がれた突起は、基板上に再付着することで、ダストになる場合がある。

そのため、基板の周縁部に剣山状の突起ができないよう、周縁部に保護膜を形成するプロセスが提案されている。しかしながら、所望膜厚の保護膜を均質に形成することは困難であった。

特開２００７−９８３２６号公報 特開２００１−１１０７１２号公報 特開平９−７５８２６号公報

本発明が解決しようとする課題は、所望膜厚の保護膜を均質に形成することができる基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法を提供することである。

実施形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置は、基板の周縁部に薬液を吐出するノズルと、前記基板を回転させる回転処理部と、を備えている。また、前記基板処理装置は、判断部と、回転数制御部と、を備えている。前記判断部は、前記ノズルによる前記薬液の吐出位置が、前記基板よりも外側の位置から前記基板の外周部に到達したか否かを判断する。また、前記回転数制御部は、前記判断部による判断結果に基づいて、前記基板の回転数を制御する。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図２は、実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。 図３は、実施形態に係る、薬液吐出位置と回転数との関係を説明するための図である。 図４は、実施形態に係る基板処理装置における、ノズルとカメラの位置関係を説明するための図である。 図５は、実施形態に係る基板処理装置の塗布処理手順を示すフローチャートである。 図６は、実施形態に係る吐出部の別構成例を示す図である。 図７は、吐出部とカメラとが別構成である場合の、実施形態に係るカメラの第１の配置例を示す図である。 図８は、吐出部とカメラとが別構成である場合の、実施形態に係るカメラの第２の配置例を示す図である。 図９は、制御装置のハードウェア構成を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態に係る基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。

（実施形態）
図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図１では、基板処理装置１０の断面構成例を示している。基板処理装置１０は、被処理基板（ウェハＷａ）を所定の回転数で回転させながら、ウェハＷａの周縁部に薬液６０を吐出する装置である。これにより、ウェハＷａの周縁部には、薬液６０が塗布された膜（後述する保護膜６１）が形成される。

本実施形態の基板処理装置１０は、ノズル３２から薬液６０の吐出を開始した後、ウェハＷａを所定値よりも低い第１の回転数で回転させながら、ノズル３２をウェハＷａ上に近づける。そして、基板処理装置１０は、ノズル３２による薬液６０の吐出位置（以下、薬液吐出位置という）がウェハＷａの最外周部に到達すると、ノズル３２が所定の距離だけ移動した後に、ウェハＷａの回転数を第１の回転数よりも高い第２の回転数に変更する。

これにより、基板処理装置１０は、ウェハＷａを第２の回転数で回転させながら薬液６０をウェハＷａ上に滴下する。このように、基板処理装置１０は、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達すると、ウェハＷａの回転数を低回転数から高回転数に変更する。換言すると、基板処理装置１０は、第１の回転数でウェハＷａへの薬液６０の吐出を開始し、その後、第２の回転数でウェハＷａへの薬液６０の吐出を行う。このような、回転数の変更制御によって、所望膜厚の保護膜６１がウェハＷａ上の周縁部（基板周縁部）に均質に形成されることとなる。

なお、以下では、ウェハＷａの上面に平行な面をＸＹ平面とし、ウェハＷａの上面に垂直な方向をＺ方向として、基板処理装置１０の構成や動作を説明する。

基板処理装置１０は、ウェハＷａの周縁部にのみノズル３２から選択的に薬液６０を供給して、ウェハＷａ上に保護膜６１を形成する基板周縁処理装置である。基板処理装置１０は、ウェハＷａの回転数を制御することによって、保護膜６１の膜厚を任意に制御できる。

基板処理装置１０は、制御装置２０と、吐出部３０Ａと、回転処理部４０と、を備えている。吐出部３０Ａは、ノズル３２と、薬液吐出位置を検出する吐出位置検出部の一例であるカメラ５０と、を有している。ノズル３２は、薬液６０を吐出する。

また、基板処理装置１０は、薬液供給源３１と、配管３３とを備えている。薬液供給源３１は、ウェハＷａに滴下される薬液６０を格納する槽などを有している。配管３３は、薬液供給源３１およびノズル３２に接続されている。薬液供給源３１から送出された薬液（処理液）６０は、配管３３を介してノズル３２に送られ、ノズル３２の先端部から吐出される。

吐出部３０Ａは、ウェハＷａの表面に対して平行な面内で移動可能なよう構成されている。吐出部３０Ａは、ノズル３２がウェハＷａに薬液６０を吐出する際には、ウェハＷａの外周部領域に移動する。また、吐出部３０Ａは、ノズル３２によるウェハＷａへの薬液６０の吐出が完了すると、ウェハＷａよりも外側に移動する。

ウェハＷａを上面側から見た場合、吐出部３０Ａは、ウェハＷａ外（ウェハＷａよりも外側）からウェハＷａ上への第１の移動と、ウェハＷａ上からウェハＷａ外への第２の移動と、を行う。吐出部３０Ａは、薬液６０を吐出する際には、ウェハＷａ毎に、前記第１の移動および前記第２の移動を行う。吐出部３０Ａは、薬液６０を吐出する際には、第１の移動を行い、薬液６０の吐出が完了した後には、前記第２の移動を行う。

カメラ５０は、ノズル３２の近傍に配置されている。カメラ５０は、ウェハＷａの上面側に配置されている。吐出部３０ＡがウェハＷａ外からウェハＷａ上へ移動することにより、カメラ５０は、ノズル３２とともにウェハＷａ外からウェハＷａ上へ移動する。カメラ５０は、鉛直方向の下方を撮像しながらウェハＷａ外からウェハＷａ上に移動してくる。

カメラ５０は、ウェハＷａ外を移動している間は、ウェハＷａ以外の部分を撮像する。一方、カメラ５０は、ウェハＷａ外からウェハＷａの最外周部（外縁部）上に到達すると、ウェハＷａの上面側からウェハＷａの外周部を撮像する。カメラ５０は、撮像した画像を制御装置２０に送る。

制御装置２０は、吐出部３０Ａおよび回転処理部４０に接続されている。制御装置２０は、吐出部３０Ａおよび回転処理部４０を制御する。本実施形態の制御装置２０は、カメラ５０から送られてくる画像（画像内におけるウェハＷａの外周部の位置）に基づいて、回転処理部４０を制御する。具体的には、制御装置２０は、薬液吐出位置がウェハＷａの外周部に到達したことを示す画像（ウェハＷａの最外周部が画像の所定領域に撮像されている画像）を受信すると、ウェハＷａの回転数を低回転数から高回転数に変更させる指示を回転処理部４０に送る。

回転処理部４０は、ウェハＷａの上面がＸＹ平面に平行となるよう、ウェハＷａを支持する。回転処理部４０は、ウェハＷａの中心を回転軸としてウェハＷａを回転させる。回転処理部４０は、ウェハＷａの上面と平行な平面内でウェハＷａを回転させる。

回転処理部４０は、回転機構４１と支持機構４２とを備えている。支持機構４２は、ウェハＷａを底面側から支持する。ウェハＷａは、例えば、半導体基板などの基板であり、円板状をなしている。ウェハＷａは、上面が薬液６０の吐出される面であり、底面が支持機構４２によって支持される面である。

回転機構４１は、支持機構４２を回転させる。回転機構４１は、ウェハＷａを支持した支持機構４２を、ウェハＷａの中心を回転軸として回転させる。回転機構４１は、制御装置２０からの指示に従ってウェハＷａの回転数を変更する。

つぎに、制御装置２０の構成例について説明する。図２は、実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。制御装置２０は、画像入力部２１、端部判断部２２、回転数制御部２３、吐出制御部２４、記憶部２５を備えている。

画像入力部２１は、吐出部３０Ａのカメラ５０から送られてくる画像を受信する。画像入力部２１は、受信した画像を端部判断部２２に送る。端部判断部２２は、画像入力部２１から送られてくる画像に基づいて、薬液吐出位置を検出する。例えば、端部判断部２２は、ウェハＷａの最外周部からの座標を薬液吐出位置として検出する。

また、端部判断部２２は、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したか否かを判断する。端部判断部２２は、画像内に含まれるウェハＷａの最外周部とノズル３２との位置関係に基づいて、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したか否かを判断する。なお、端部判断部２２は、受信した画像の所定領域にウェハＷａの最外周部の画像が含まれている場合に、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したと判断してもよい。

なお、カメラ５０の位置とノズル３２の位置との間には、所定の距離（配置間隔）がある。このため、端部判断部２２は、前記配置間隔と、ノズル３２の移動速度と、を用いて、検出した薬液吐出位置を補正してもよい。この場合、端部判断部２２は、補正後の薬液吐出位置に基づいて、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したか否かを判断する。端部判断部２２は、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したと判断すると、到達したことを示す情報（以下、到達通知という）を回転数制御部２３に送る。

回転数制御部２３は、回転処理部４０を制御する。回転数制御部２３は、ウェハＷａの回転数を指示する情報を回転処理部４０に送る。回転数制御部２３は、記憶部２５に格納されている回転数情報（回転数を指定した数情報）に基づいて、回転処理部４０を制御する。回転数情報では、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達する前の回転数（第１の回転数）と、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達した後の回転数（第２の回転数）と、が規定されている。第２の回転数は、第１の回転数よりも大きな回転数である。

回転数制御部２３は、端部判断部２２から到達通知を受信するまでは、第１の回転数を指定した指示を回転処理部４０に送る。これにより、回転処理部４０は、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達するまでは、第１の回転数でウェハＷａを回転させる。

また、回転数制御部２３は、端部判断部２２から到達通知を受信すると、第２の回転数を指定した指示を回転処理部４０に送る。これにより、回転処理部４０は、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達すると、第２の回転数でウェハＷａを回転させる。

吐出制御部２４は、記憶部２５内に格納されている吐出レシピに基づいて、吐出部３０Ａを制御する。吐出レシピには、ノズル３２による薬液６０の吐出開始タイミングおよび吐出終了タイミング、カメラ５０による画像の撮像開始タイミングおよび撮像終了タイミングなどが格納されている。

また、吐出レシピには、薬液６０の単位時間当たりの吐出量、ノズル３２の移動経路などが格納されている。ノズル３２の移動経路では、例えば、ウェハＷａ上の何れの位置までノズル３２を移動させるかを示した情報（ウェハＷａの最外周部からの距離）などが規定されている。記憶部２５は、吐出レシピおよび回転数情報を記憶する。

図３は、実施形態に係る、薬液吐出位置と回転数との関係を説明するための図である。図３の（ａ）では、ウェハＷａ、ノズル３２およびカメラ５０などの断面図を示している。また、図３の（ｂ）では、薬液吐出位置の座標と、ウェハＷａの回転数との関係（特性７０）を示している。

回転数制御部２３は、特性７０に示すような回転数となるよう、回転処理部４０を制御する。具体的には、ノズル３２（カメラ５０）がウェハＷａよりも外側の位置Ｐ１を移動している間は、回転数制御部２３は、第１の回転数Ｒ１となるよう回転処理部４０を制御する。また、ノズル３２（カメラ５０）がウェハＷａの最外周部である位置Ｐ２に到達すると、回転数制御部２３は、ウェハＷａの回転数が上昇していくよう回転処理部４０を制御する。そして、ウェハＷａの回転数が目標の回転数である第２の回転数Ｒ２まで到達すると、回転数制御部２３は、この第２の回転数Ｒ２を維持する。この後、ノズル３２（カメラ５０）がウェハＷａ上の目標塗布位置である位置Ｐ３に到達すると、ノズル３２は、薬液６０の吐出を停止する。

このように、基板処理装置１０は、薬液吐出位置が位置Ｐ１から位置Ｐ２である間は、回転数Ｒ１でウェハＷａを回転させておく。また、基板処理装置１０は、薬液吐出位置が位置Ｐ２に到達した後は、回転数を回転数Ｒ１から上昇させて回転数Ｒ２でウェハＷａを回転させる。

これにより、ウェハＷａの外周領域には、薬液６０で形成された保護膜（被処理膜）６１が配置されることとなる。この保護膜６１は、上面から見た場合に、円環形状となっている。

図４は、実施形態に係る基板処理装置における、ノズルとカメラの位置関係を説明するための図である。図４では、ウェハＷａを上面側から見た場合の、ノズル３２とカメラ５０との位置関係を示している。吐出部３０Ａには、ノズル３２およびカメラ５０が配置されている。ノズル３２とカメラ５０とは、所定の距離（配置間隔）Ｌ１だけ離れた位置に配置されている。この場合、端部判断部２２は、距離Ｌ１と、ノズル３２の移動速度と、を用いて、検出した薬液吐出位置を補正する。なお、端部判断部２２は、距離Ｌ１＝０に設定して、検出した薬液吐出位置を補正してもよい。この場合、端部判断部２２は、ノズル３２の移動速度を用いて、検出した薬液吐出位置を補正する。

つぎに、基板処理装置１０による薬液６０の塗布処理手順について説明する。図５は、実施形態に係る基板処理装置の塗布処理手順を示すフローチャートである。基板処理装置１０では、吐出制御部２４が、ノズル３２に移動を開始させる（ステップＳ１０）。吐出制御部２４は、ウェハＷａよりも外側の位置からウェハＷａの中心位置の方向に向かってノズル３２を移動させる。

また、吐出制御部２４は、ノズル３２に薬液６０の吐出を開始させる（ステップＳ２０）。また、回転数制御部２３は、ウェハＷａを所定値よりも低い低回転数で回転させる（ステップＳ３０）。また、吐出制御部２４は、カメラ５０に画像の撮像処理を開始させる。

なお、ステップＳ１０〜Ｓ３０の処理および画像の撮像処理は、何れの順番で開始されてもよい。吐出制御部２４は、ウェハＷａが所定値よりも低い低回転数（第１の回転数）で回転している状態で、吐出部３０ＡをウェハＷａに近づける。この第１の回転数は、薬液６０の飛散（ミストの発生）を防止できる回転数である。

吐出部３０Ａは、ノズル３２から薬液６０が吐出され且つカメラ５０が画像を撮像している状態でウェハＷａに近づく。カメラ５０は、撮像した画像を画像入力部２１に送る。画像入力部２１は、受信した画像を端部判断部２２に送る。端部判断部２２は、画像入力部２１から送られてくる画像に基づいて、薬液吐出位置を検出する。端部判断部２２は、薬液吐出位置に基づいて、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したか否かを判断する。換言すると、端部判断部２２は、薬液吐出位置としてウェハ端を検知したか否かを判断する（ステップＳ４０）。

端部判断部２２は、ウェハ端を検知していなければ（ステップＳ４０、Ｎｏ）、到達通知を回転数制御部２３に送らない。これにより、回転数制御部２３は、ウェハＷａを所定値よりも低い低回転数で回転させる処理を継続する（ステップＳ３０）。そして、端部判断部２２は、ウェハ端を検知したか否かを判断する（ステップＳ４０）。

端部判断部２２は、ウェハ端を検知すると（ステップＳ４０、Ｙｅｓ）、薬液吐出位置がウェハＷａの最外周部に到達したことを示す到達通知を、回転数制御部２３に送る。換言すると、端部判断部２２は、薬液吐出位置がウェハ端を跨いだことを検知すると、到達通知を回転数制御部２３に送る。

回転数制御部２３は、端部判断部２２から到達通知を受信すると、ウェハＷａの回転数を上昇させる。これにより、回転数制御部２３は、ウェハＷａを所定値よりも高い高回転数（第２の回転数）で回転させる（ステップＳ５０）。この第２の回転数は、保護膜６１の膜厚を決定する回転数である。したがって、回転数制御部２３は、所望膜厚を形成することができる第２の回転数でウェハＷａを回転させる。

このように、回転数制御部２３は、薬液吐出位置がウェハＷａの外周部に到達してから所定の時間は第１の回転数でウェハＷａを回転させ、前記所定の時間が経過した後は第１の回転数よりも大きな第２の回転数でウェハＷａを回転させる。

基板処理装置１０では、ノズル３２による薬液６０の吐出処理と、ノズル３２をウェハＷａの中心方向に移動させる処理と、が継続された状態で、上述したステップＳ４０，Ｓ５０の処理が実行される。

そして、ノズル３２がウェハＷａ上の所定位置まで移動した時点で、ノズル３２は、薬液６０の吐出を停止する。これにより、ウェハＷａの外周領域のみに薬液６０が塗布される。ウェハＷａへの薬液６０の塗布が完了すると、ノズル３２は、初期位置に戻され、ウェハＷａは回転が停止させられる。そして、回転処理部４０では、塗布済みのウェハＷａが排出され、新しいウェハＷａが搬入される。基板処理装置１０は、新しいウェハＷａに対して、上述したステップＳ１０〜Ｓ５０の処理を実行する。

なお、本実施形態では、カメラ５０を用いてウェハ端を検知する場合について説明したが、基板処理装置１０は、センサ（光量検知部）を用いてウェハ端を検知してもよい。図６は、実施形態に係る吐出部の別構成例を示す図である。図６では、ウェハＷａを上面側から見た場合の、吐出部３０Ｂの構成を示している。

吐出部３０Ｂは、カメラ５０の代わりにセンサ５５および光源５６を備えている。センサ５５は、吐出位置検出部の一例であり、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサである。光源（照射部）５６は、例えばレーザ光源である。光源５６は、センサ５５の近傍に配置されている。

光源５６は、例えば、レーザ光などの光を出射し、センサ５５は、その反射光量を検出する。センサ５５は、検出した反射光量を制御装置２０に送る。これにより、端部判断部２２が、反射光量に基づいて、ウェハ端を検知する。

また、ノズル３２とセンサ５５とは、所定の距離（配置間隔）Ｌ２だけ離れた位置に配置されている。この場合、端部判断部２２は、距離Ｌ２と、ノズル３２の移動速度と、を用いて、検出した薬液吐出位置を補正する。なお、端部判断部２２は、距離Ｌ２＝０に設定して、検出した薬液吐出位置を補正してもよい。この場合、端部判断部２２は、ノズル３２の移動速度を用いて、検出した薬液吐出位置を補正する。

吐出制御部２４は、光源５６にレーザ光を出射させた状態で、ウェハＷａよりも外側からウェハＷａの中心部側に向かって吐出部３０Ｂを移動させる。センサ５５がウェハＷａよりも外側の位置を移動している間は、センサ５５は、所定値よりも低い反射光量を検出する。そして、センサ５５がウェハ端まで移動してくると、センサ５５は、所定値よりも高い反射光量を検出する。

端部判断部２２は、反射光量が所定値よりも低い場合に薬液吐出位置がウェハＷａよりも外側であると判断する。一方、端部判断部２２は、反射光量が所定値よりも高い場合に薬液吐出位置がウェハ端に到達したと判断する。

また、本実施形態では、吐出部３０Ａがカメラ５０を有している場合について説明したが、吐出部３０Ａとカメラ（後述するカメラ５１，５２）とは別構成であってもよい。この場合、カメラ５１，５２は、ノズル３２を撮像する。そして、端部判断部２２は、ノズル３２の位置に基づいて、薬液吐出位置がウェハ端であるか否かを判断する。

図７は、吐出部とカメラとが別構成である場合の、実施形態に係るカメラの第１の配置例を示す図である。図７の（ａ）では、ウェハＷａを上面側から見た場合の、カメラ５１の配置位置を示している。また、図７の（ｂ）では、ウェハＷａを側面側から見た場合の、カメラ５１の配置位置を示している。カメラ５１は、カメラ５０と同様の機能を有している。

吐出部３０Ａとカメラ５１とを別構成とした場合、カメラ５１は、ウェハ端を撮像可能な位置に固定配置される。カメラ５１は、例えば、ウェハ端の側面を撮像できる位置に配置されている。具体的には、カメラ５１は、ウェハＷａの上面と平行な面内（ウェハＷａと同じＺ座標）でウェハＷａから所定の距離だけ離れた位置に配置されている。この場合、カメラ５１は、ウェハＷａよりも外側からウェハ端に移動してくるノズル３２を撮像する。そして、端部判断部２２は、ノズル３２の位置がウェハ端の上部となっている画像を受信すると、薬液吐出位置がウェハ端であると判断する。

図８は、吐出部とカメラとが別構成である場合の、実施形態に係るカメラの第２の配置例を示す図である。図８の（ａ）では、ウェハＷａを上面側から見た場合の、カメラ５２の配置位置を示している。また、図８の（ｂ）では、ウェハＷａを側面側から見た場合の、カメラ５２の配置位置を示している。カメラ５２は、カメラ５０と同様の機能を有している。

吐出部３０Ａとカメラ５２とを別構成とした場合、カメラ５２は、ウェハ端を撮像可能な位置に固定配置される。カメラ５２は、例えば、ウェハ端の上面を撮像できる位置に配置されている。具体的には、カメラ５２は、ウェハ端の上部で且つウェハＷａから所定の距離だけ離れた位置に配置されている。この場合、カメラ５２は、ウェハ端に移動してくるノズル３２を撮像する。そして、端部判断部２２は、ノズル３２の位置がウェハ端の上部となっている画像を受信すると、薬液吐出位置がウェハ端であると判断する。

基板処理装置１０は、種々のウェハプロセス（例えば、エッチング処理前）の際に実行される。半導体装置（半導体集積回路）が製造される際には、レジストの塗布されたウェハＷａに露光処理が実行される。その後、ウェハＷａが現像されてウェハＷａ上にレジストパターンが形成される。この後、必要に応じて、基板処理装置１０によるウェハＷａへの薬液６０の塗布が実行される。そして、レジストパターンおよび保護膜６１をマスクとしてレジストパターンの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウェハＷａ上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述した露光処理、現像処理、薬液６０の塗布処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。なお、半導体装置を製造する際には、露光処理および現像処理の代わりにインプリント処理などが用いられてもよい。

半導体装置の製造過程では、例えば、シリコン基板であるウェハＷａ上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等でシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が成膜される。その後、レジストの塗布、露光、現像などが行われる。これにより、ウェハＷａ上にレジストパターンが形成される。次に、形成されたレジストパターンをマスクにしてエッチングが行われると、キャパシタとなるトレンチやコンタクトビアが形成される。

ところが、ウェハＷａの外周領域は、複数回に渡ってエッチングされるので、保護膜６１がなければ、ウェハＷａの中心部に比べて過度にエッチングが進む。この結果、保護膜６１がなければ、ウェハＷａの外周領域に剣山状の突起が形成される。

そのため、本実施形態では、ウェハＷａの外周部領域には、剣山状の突起ができないように保護膜６１が形成される。そして、本実施形態では、薬液吐出位置がウェハ端となるまでは低回転数でウェハＷａを回転させながら薬液６０がウェハＷａに滴下される。これにより、ウェハ端へは、ウェハＷａが低回転数で回転させられながら薬液６０が滴下される。そして、薬液吐出位置がウェハ端となった後に高回転数でウェハＷａを回転させながら薬液６０がウェハＷａに滴下される。

このように、基板処理装置１０は、ウェハＷａを低回転数で回転させながらウェハ端へ薬液６０を滴下するので、ウェハＷａ上への薬液６０の飛散を防止できる。また、基板処理装置１０は、薬液吐出位置がウェハ端となった後は、ウェハＷａを高回転数で回転させながらウェハ端へ薬液６０を滴下するので、所望膜厚の保護膜６１をウェハＷａに形成できる。

これにより、基板処理装置１０は、所望膜厚の保護膜６１をウェハＷａ上の外周部領域に均質に形成することが可能となる。また、ウェハＷａの径に依存することなく、均質な保護膜６１を外周部領域に形成することが可能となる。また、反り量の大きなウェハＷａに対しても、膜厚などのプロセスマージンを向上させることが可能となる。

つぎに、制御装置２０のハードウェア構成について説明する。図９は、制御装置のハードウェア構成を示す図である。制御装置２０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＯＭ（Read Only Memory）９２、ＲＡＭ（Random Access Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。制御装置２０では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。

ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである制御プログラム９７を用いてウェハＷａの回転数を制御する。制御プログラム９７は、コンピュータで実行可能な、ウェハＷａの回転数を制御するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な記録媒体（nontransitory computer readable medium）を有するコンピュータプログラムプロダクトである。制御プログラム９７では、前記複数の命令がウェハＷａの回転数を制御することをコンピュータに実行させる。

表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、ウェハＷａの回転数、薬液吐出位置（ウェハＷａからの座標）、カメラ５０が撮像した画像などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（ウェハＷａの回転数制御に必要なパラメータや、回転数情報等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。

制御プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図９では、制御プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。

ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた制御プログラム９７を実行する。具体的には、制御装置２０では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から制御プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。

制御装置２０で実行される制御プログラム９７は、端部判断部２２、回転数制御部２３を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。

なお、図４や図６では、ノズル３２の位置よりもカメラ５０やセンサ５５の位置の方がウェハＷａに近くなるよう配置される場合について説明したが、カメラ５０やセンサ５５の位置よりもノズル３２の位置の方がウェハＷａに近くなるよう配置されてもよい。また、ウェハＷａからのノズル３２の位置とウェハＷａからのカメラ５０の位置とが同じになるようノズル３２およびカメラ５０が配置されてもよい。また、ウェハＷａからのノズル３２の位置とウェハＷａからのセンサ５５の位置とが同じになるようセンサ５５およびカメラ５０が配置されてもよい。

このように実施形態では、薬液吐出位置が、ウェハＷａよりも外側からウェハＷａの外周部に到達したか否かの判断結果に基づいて、ウェハＷａの回転数が制御される。これにより、ウェハＷａ上への薬液６０の飛散を防止できる。また、保護膜６１を所望膜厚にすることができる。したがって、ウェハＷａ上に所望膜厚の保護膜６１を均質に形成することが可能となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…基板処理装置、２０…制御装置、２１…画像入力部、２２…端部判断部、２３…回転数制御部、２４…吐出制御部、２５…記憶部、３０Ａ，３０Ｂ…吐出部、３１…薬液供給源、３２…ノズル、４０…回転処理部、４１…回転機構、４２…支持機構、５０〜５２…カメラ、５５…センサ、５６…光源、６０…薬液、６１…保護膜、Ｗａ…ウェハ。

Claims (5)

1. 基板の周縁部に薬液を吐出するノズルと、
   前記基板を回転させる回転処理部と、
   前記ノズルによる前記薬液の吐出位置が、前記基板よりも外側の位置から前記基板の外周部に到達したか否かを判断する判断部と、
   前記判断部による判断結果に基づいて、前記基板の回転数を制御する回転数制御部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記回転数制御部は、前記吐出位置が前記基板の外周部に到達してから所定の時間は第１の回転数で前記基板を回転させ、前記所定の時間が経過した後は前記第１の回転数よりも大きな第２の回転数で前記基板を回転させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記吐出位置を検出して前記判断部に送る吐出位置検出部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
4. コンピュータに、
   ノズルによる薬液の吐出位置が、基板よりも外側の位置から前記基板の外周部に到達したか否かを判断する判断ステップと、
   前記判断による判断結果に基づいて、前記基板の回転数を制御する回転数制御ステップと、
   を実行させることを特徴とする制御プログラム。
5. ノズルによる薬液の吐出位置が、基板よりも外側の位置から前記基板の外周部に到達したか否かを判断する判断ステップと、
   前記判断の結果に基づいて、前記基板の回転数を制御する制御ステップと、
   を含むことを特徴とする制御方法。

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