JPH04316315A - ホトレジスト液塗布装置 - Google Patents
ホトレジスト液塗布装置Info
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- JPH04316315A JPH04316315A JP10988391A JP10988391A JPH04316315A JP H04316315 A JPH04316315 A JP H04316315A JP 10988391 A JP10988391 A JP 10988391A JP 10988391 A JP10988391 A JP 10988391A JP H04316315 A JPH04316315 A JP H04316315A
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハプロセスにお
ける半導体製造装置に関するもので、特にホトリソグラ
フィー（光食刻、ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
）におけるホトマスク作製のためのホトレジスト（以
下単にレジストと呼ぶ）液塗布に使用されるものである
。
ける半導体製造装置に関するもので、特にホトリソグラ
フィー（光食刻、ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
）におけるホトマスク作製のためのホトレジスト（以
下単にレジストと呼ぶ）液塗布に使用されるものである
。
【０００２】
【従来の技術】レジスト液塗布装置は、半導体装置の製
造における微細加工に不可欠なリソグラフィー技術のホ
トマスク作製のため、半導体基板（以下ウェーハ）にレ
ジスト液を塗布する装置である。
造における微細加工に不可欠なリソグラフィー技術のホ
トマスク作製のため、半導体基板（以下ウェーハ）にレ
ジスト液を塗布する装置である。
【０００３】このようなウェーハ上にレジスト液を塗布
する方法はいろいろあるが、最もよく使われる方法は、
ウェーハ上にレジスト液を滴下し、高速回転（数千ｒｐ
ｍ ）し、遠心力により均一にレジスト液をウェーハ上
に塗布しようとする方法で、スピンコート法と呼ばれ、
その塗布装置をスピンナという。
する方法はいろいろあるが、最もよく使われる方法は、
ウェーハ上にレジスト液を滴下し、高速回転（数千ｒｐ
ｍ ）し、遠心力により均一にレジスト液をウェーハ上
に塗布しようとする方法で、スピンコート法と呼ばれ、
その塗布装置をスピンナという。
【０００４】図２（ａ）は、スピンナの構成の概要を、
また同図（ａ）ないし（ｃ）は、レジスト液塗布方法を
説明する模式図である。同図（ａ）において、スピンナ
は、ウェーハ１を真空吸着により保持する回転プレート
２、回転プレート２を回転駆動するスピンモータ３、及
びレジスト液４をウェーハ１に供給する滴下ノズル５等
から構成される。
また同図（ａ）ないし（ｃ）は、レジスト液塗布方法を
説明する模式図である。同図（ａ）において、スピンナ
は、ウェーハ１を真空吸着により保持する回転プレート
２、回転プレート２を回転駆動するスピンモータ３、及
びレジスト液４をウェーハ１に供給する滴下ノズル５等
から構成される。
【０００５】次に図２（ａ）ないし（ｃ）及び図３を参
照してレジスト塗布方法と塗布のタイミングについて説
明する。同図（ａ）は、滴下ノズル５からウェーハ１に
レジスト液４を滴下した状態を示す。１２５φのウェー
ハに対し、滴下するレジスト液は約数ｃｃである。次に
同図（ｂ）に示すように、スピンモータ３を低速回転し
１次塗布厚ｄ１ になるように、レジスト液４をウェー
ハ全面に拡げていく。ウェーハ全面にレジスト液が伸び
た後、同図（ｃ）に示すように、基準（２次）の塗布厚
ｄ２ になるまで、高速回転でレジスト液をウェーハ全
面に均一に拡げる。図３は、上記レジスト液の塗布のタ
イミングの一例を模式的に示すもので、横軸は回転時間
を示し、ｔ１ 及びｔ２ は、定常回転に達してからの
それぞれ低速回転及び高速回転の時間（秒）を示す。縦
軸は回転プレートの回転数で、Ｎ１ は低速回転数、Ｎ
２ は高速回転数を示す。
照してレジスト塗布方法と塗布のタイミングについて説
明する。同図（ａ）は、滴下ノズル５からウェーハ１に
レジスト液４を滴下した状態を示す。１２５φのウェー
ハに対し、滴下するレジスト液は約数ｃｃである。次に
同図（ｂ）に示すように、スピンモータ３を低速回転し
１次塗布厚ｄ１ になるように、レジスト液４をウェー
ハ全面に拡げていく。ウェーハ全面にレジスト液が伸び
た後、同図（ｃ）に示すように、基準（２次）の塗布厚
ｄ２ になるまで、高速回転でレジスト液をウェーハ全
面に均一に拡げる。図３は、上記レジスト液の塗布のタ
イミングの一例を模式的に示すもので、横軸は回転時間
を示し、ｔ１ 及びｔ２ は、定常回転に達してからの
それぞれ低速回転及び高速回転の時間（秒）を示す。縦
軸は回転プレートの回転数で、Ｎ１ は低速回転数、Ｎ
２ は高速回転数を示す。
【０００６】上記のレジスト液塗布装置における塗布方
法では、低速回転から高速回転に移るタイミングを、ウ
ェーハ径及びレジスト液の粘度等から条件出しを行ない
、低速回転の時間をプリセットしていた。
法では、低速回転から高速回転に移るタイミングを、ウ
ェーハ径及びレジスト液の粘度等から条件出しを行ない
、低速回転の時間をプリセットしていた。
【０００７】そのためウェーハ径、レジスト液の粘度及
び温度等の条件が少しでも変化すると、低速回転から高
速回転に移るタイミングがずれてしまい、レジスト塗布
厚にムラが生じ、歩留まり、品質に悪影響を及ぼしてい
た。
び温度等の条件が少しでも変化すると、低速回転から高
速回転に移るタイミングがずれてしまい、レジスト塗布
厚にムラが生じ、歩留まり、品質に悪影響を及ぼしてい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
レジスト液塗布方法では、レジスト液滴下後、あらかじ
め設定された時間だけ、低速回転を行ない、ウェーハ全
面にレジスト液を伸ばしてから、高速回転に移行し、所
望のレジスト液塗布厚を得ていた。ウェーハが低速回転
から高速回転に移るタイミングについては、ウェーハ径
、レジスト液の粘度及び温度等の条件を考慮し、予め決
められる。しかし前記条件が変化すると、そのためタイ
ミングがずれ、レジスト液塗布厚にムラが発生する。
レジスト液塗布方法では、レジスト液滴下後、あらかじ
め設定された時間だけ、低速回転を行ない、ウェーハ全
面にレジスト液を伸ばしてから、高速回転に移行し、所
望のレジスト液塗布厚を得ていた。ウェーハが低速回転
から高速回転に移るタイミングについては、ウェーハ径
、レジスト液の粘度及び温度等の条件を考慮し、予め決
められる。しかし前記条件が変化すると、そのためタイ
ミングがずれ、レジスト液塗布厚にムラが発生する。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、ウェーハ径やレジスト液の粘度等に変化があっても
、常に均一なレジスト液塗布厚が得られるレジスト液塗
布装置を提供することを目的とする。
で、ウェーハ径やレジスト液の粘度等に変化があっても
、常に均一なレジスト液塗布厚が得られるレジスト液塗
布装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のホトレジスト液
塗布装置は、半導体基板にホトレジスト液をスピンコー
ト法により塗布するホトレジスト液塗布装置において、
半導体基板に滴下したホトレジスト液が該基板の低速回
転により基板の外周に伸びたことを検知するホトレジス
ト液検知センサーと、ホトレジスト液検知センサーの前
記検知信号により低速回転から高速回転に移る基板駆動
手段とを、具備することを特徴とするものである。
塗布装置は、半導体基板にホトレジスト液をスピンコー
ト法により塗布するホトレジスト液塗布装置において、
半導体基板に滴下したホトレジスト液が該基板の低速回
転により基板の外周に伸びたことを検知するホトレジス
ト液検知センサーと、ホトレジスト液検知センサーの前
記検知信号により低速回転から高速回転に移る基板駆動
手段とを、具備することを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】ウェーハの中央にレジスト液を滴下し、直ちに
高速回転（例えば４０００ｒｐｍ）を行なうと塗布厚に
ムラができる。このため低速回転（例えば２００ｒｐｍ
）を行ない、ウェーハ全面にムラなくレジスト液を伸ば
した後、高速回転に移行し、所望の均一な塗布厚とする
のであるが、従来は低速回転から高速回転に移行する時
期を、ウェーハ径、レジスト液の粘度及び温度等の条件
から予め設定していた。そのため、これら条件が変動す
ると、低速回転から高速回転に移行する時期がずれて、
レジスト液の均一な塗布が得られないことがあった。本
発明は、この移行時期、すなわちレジスト液がウェーハ
外周に伸びた時期を、レジスト液検知センサーにより直
接検知し、その検知信号により、高速回転に切り換える
ことができるようにした。すなわちウェーハ径やレジス
ト液の粘度等の条件が変動しても、低速回転から高速回
転に移行する時期は、常にウェーハ全面にレジスト液が
伸びた時期となり、均一なレジスト塗布厚が得られる。 レジスト液検知センサーは、例えば光電センサーのよう
に、発光素子と受光素子等からなり、ウェーハ周縁部に
光を投射し、外周面のレジスト液塗布の有無を、反射光
により検知するものである。また基板駆動手段は、例え
ばスピンモータと、前記検知信号によりスピンモータの
回転速度を制御するコントローラとから成り、ウェーハ
を低速回転から高速回転に移行させるものである。
高速回転（例えば４０００ｒｐｍ）を行なうと塗布厚に
ムラができる。このため低速回転（例えば２００ｒｐｍ
）を行ない、ウェーハ全面にムラなくレジスト液を伸ば
した後、高速回転に移行し、所望の均一な塗布厚とする
のであるが、従来は低速回転から高速回転に移行する時
期を、ウェーハ径、レジスト液の粘度及び温度等の条件
から予め設定していた。そのため、これら条件が変動す
ると、低速回転から高速回転に移行する時期がずれて、
レジスト液の均一な塗布が得られないことがあった。本
発明は、この移行時期、すなわちレジスト液がウェーハ
外周に伸びた時期を、レジスト液検知センサーにより直
接検知し、その検知信号により、高速回転に切り換える
ことができるようにした。すなわちウェーハ径やレジス
ト液の粘度等の条件が変動しても、低速回転から高速回
転に移行する時期は、常にウェーハ全面にレジスト液が
伸びた時期となり、均一なレジスト塗布厚が得られる。 レジスト液検知センサーは、例えば光電センサーのよう
に、発光素子と受光素子等からなり、ウェーハ周縁部に
光を投射し、外周面のレジスト液塗布の有無を、反射光
により検知するものである。また基板駆動手段は、例え
ばスピンモータと、前記検知信号によりスピンモータの
回転速度を制御するコントローラとから成り、ウェーハ
を低速回転から高速回転に移行させるものである。
【００１２】
【実施例】この発明の一実施例について、図面を参照し
て以下説明する。
て以下説明する。
【００１３】図１は、本発明のレジスト液塗布装置の構
成の概要を示す模式図である。該塗布装置は、ウェーハ
１を真空吸着により保持する回転プレート２、回転プレ
ート２を駆動するスピンモータ３、ウェーハ１の中央に
レジスト液を滴下する滴下ノズル５、レジスト液がウェ
ーハの外周に伸びたことを検知するレジスト液検知セン
サー８及び検知センサー８の検知信号により、スピンモ
ータ３の回転速度を制御するコントローラ９等から構成
される。レジスト液検知センサー８は、発光素子と受光
素子をもつ光電センサーで、発光素子から一定の光ビー
ムをウェーハ外周に照射し、ウェーハ外周面からの反射
光を受光素子で受光し、その減衰の程度で外周面上のレ
ジスト液の有無を検知するもので、本実施例では市販の
寸法判別センサーを使用した。光ビームのスポットは０
．数ｍｍ角で、ウェーハ外周面の不活性領域を照射する
。またコントローラ９は、レジスト液検知センサー８か
らの検知信号により、スピンモータ３の低速回転と高速
回転との切り換えを行なう公知技術によるリレーを使用
した。
成の概要を示す模式図である。該塗布装置は、ウェーハ
１を真空吸着により保持する回転プレート２、回転プレ
ート２を駆動するスピンモータ３、ウェーハ１の中央に
レジスト液を滴下する滴下ノズル５、レジスト液がウェ
ーハの外周に伸びたことを検知するレジスト液検知セン
サー８及び検知センサー８の検知信号により、スピンモ
ータ３の回転速度を制御するコントローラ９等から構成
される。レジスト液検知センサー８は、発光素子と受光
素子をもつ光電センサーで、発光素子から一定の光ビー
ムをウェーハ外周に照射し、ウェーハ外周面からの反射
光を受光素子で受光し、その減衰の程度で外周面上のレ
ジスト液の有無を検知するもので、本実施例では市販の
寸法判別センサーを使用した。光ビームのスポットは０
．数ｍｍ角で、ウェーハ外周面の不活性領域を照射する
。またコントローラ９は、レジスト液検知センサー８か
らの検知信号により、スピンモータ３の低速回転と高速
回転との切り換えを行なう公知技術によるリレーを使用
した。
【００１４】次に上記装置を使用したレジスト液塗布手
順等について図１ないし図３を参照して説明する。
順等について図１ないし図３を参照して説明する。
【００１５】まず回転プレート２上に吸着保持されたウ
ェーハ１の中心に滴下ノズル５よりレジスト液４を供給
する。ウェーハ径１２５ｍｍに対し例えば６ｃｃ程度と
する。
ェーハ１の中心に滴下ノズル５よりレジスト液４を供給
する。ウェーハ径１２５ｍｍに対し例えば６ｃｃ程度と
する。
【００１６】次にスピンモータ３を低速回転、例えばＮ
１ ＝２００ｒｐｍ で回転する。ウェーハ１の外周上
にレジスト液４が伸び、１次塗布厚ｄ１ が約０．４ｍ
ｍ程度になったことをレジスト液検知センサー８によっ
て検知する。なおｄ１ は、０．１〜０．５ｍｍの値を
とるが、試行により適値を決める。低速回転の時間ｔ１
は、例えば約５秒である。
１ ＝２００ｒｐｍ で回転する。ウェーハ１の外周上
にレジスト液４が伸び、１次塗布厚ｄ１ が約０．４ｍ
ｍ程度になったことをレジスト液検知センサー８によっ
て検知する。なおｄ１ は、０．１〜０．５ｍｍの値を
とるが、試行により適値を決める。低速回転の時間ｔ１
は、例えば約５秒である。
【００１７】次にレジスト液検知センサー８によって検
知された信号により、コントローラ９が作動し、スピン
モータ３の回転速度が高速回転例えば４０００ｒｐｍ
となり、回転時間ｔ２ ＝約１５秒で均一な２次塗布厚
ｄ２ が得られる。
知された信号により、コントローラ９が作動し、スピン
モータ３の回転速度が高速回転例えば４０００ｒｐｍ
となり、回転時間ｔ２ ＝約１５秒で均一な２次塗布厚
ｄ２ が得られる。
【００１８】上記実施例では、スピンモータが低速回転
から高速回転に移るタイミングが、ウェーハ径やレジス
ト液の粘度等が変化しても、必ずウエーハ外周にレジス
ト液が伸びたときに行なわれる。そのためウェーハ内及
びウェーハごとのレジスト塗布厚にムラがなくなり、品
質が安定し、歩留まりも向上した。
から高速回転に移るタイミングが、ウェーハ径やレジス
ト液の粘度等が変化しても、必ずウエーハ外周にレジス
ト液が伸びたときに行なわれる。そのためウェーハ内及
びウェーハごとのレジスト塗布厚にムラがなくなり、品
質が安定し、歩留まりも向上した。
【００１９】
【発明の効果】これまで述べたように、本発明では、レ
ジスト液検知センサーを設け、低速回転でレジスト液が
ウェーハ外周に伸びたことを検知するようにしたので、
ウェーハ径やレジスト液の粘度等に変化があっても、常
に均一なレジスト塗布厚が得られるレジスト液塗布装置
を提供することができた。
ジスト液検知センサーを設け、低速回転でレジスト液が
ウェーハ外周に伸びたことを検知するようにしたので、
ウェーハ径やレジスト液の粘度等に変化があっても、常
に均一なレジスト塗布厚が得られるレジスト液塗布装置
を提供することができた。
【図１】本発明のレジスト液塗布装置の構成の概要の一
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図２】同図（ａ）は、従来のレジスト液塗布装置の構
成の概要を説明する図、また同図（ａ）ないし（ｃ）は
、スピンコート法によるレジスト液塗布手順を説明する
図である。
成の概要を説明する図、また同図（ａ）ないし（ｃ）は
、スピンコート法によるレジスト液塗布手順を説明する
図である。
【図３】スピンコート法によるレジスト液塗布のタイミ
ングの概要を示す図である。
ングの概要を示す図である。
１ 半導体基板（ウェーハ）
２ 回転プレート
３ スピンモータ
４ レジスト液
５ 滴下ノズル
８ レジスト液検知センサー
９ コントローラ
ｄ１ レジスト液１次塗布厚
ｄ２ レジスト液２次塗布厚
Ｎ１ 低速回転数
Ｎ２ 高速回転数
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板にホトレジスト液をスピンコー
ト法により塗布するホトレジスト液塗布装置において、
半導体基板に滴下したホトレジスト液が該基板の低速回
転により基板の外周に伸びたことを検知するホトレジス
ト液検知センサーと、ホトレジスト液検知センサーの前
記検知信号により低速回転から高速回転に移る基板駆動
手段とを、具備することを特徴とするホトレジスト液塗
布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03109883A JP3103134B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | ホトレジスト液塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03109883A JP3103134B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | ホトレジスト液塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316315A true JPH04316315A (ja) | 1992-11-06 |
| JP3103134B2 JP3103134B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=14521581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03109883A Expired - Fee Related JP3103134B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | ホトレジスト液塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3103134B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013022608A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Disco Corp | レーザ加工装置 |
| JP2016136572A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP03109883A patent/JP3103134B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013022608A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Disco Corp | レーザ加工装置 |
| JP2016136572A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3103134B2 (ja) | 2000-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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