JPH02156626A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH02156626A JPH02156626A JP31105588A JP31105588A JPH02156626A JP H02156626 A JPH02156626 A JP H02156626A JP 31105588 A JP31105588 A JP 31105588A JP 31105588 A JP31105588 A JP 31105588A JP H02156626 A JPH02156626 A JP H02156626A
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- wafer
- resist
- seconds
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体デバイスの製造工程におけるレジスト
パターニング工程での半導体ウエノ＼へのレジスト塗布
方法に関する。
パターニング工程での半導体ウエノ＼へのレジスト塗布
方法に関する。
現在、半導体製造分野においては、半導体ウェハへのレ
ジストの塗布は一般にスピンコード法で行われている。
ジストの塗布は一般にスピンコード法で行われている。
その際凹凸のあるウニ／％上にレジストを均一に塗布す
ることが必要である。レジスト膜厚を薄くすると凹凸の
多い細かいパターンのウェハ上にも均一に塗布できるが
、ピンポールが多くなるという欠点が生じる。凹凸の程
度、ノ（ターンの細かさに応じて塗布するレジストの膜
厚を適切に決めることが大切である。
ることが必要である。レジスト膜厚を薄くすると凹凸の
多い細かいパターンのウェハ上にも均一に塗布できるが
、ピンポールが多くなるという欠点が生じる。凹凸の程
度、ノ（ターンの細かさに応じて塗布するレジストの膜
厚を適切に決めることが大切である。
スピンコード法で塗布する場合、その膜厚は塗布するレ
ジストの粘度、ウェハの回転速度に密接に関係し、さら
にウェハの初期回転速度にも関係する。
ジストの粘度、ウェハの回転速度に密接に関係し、さら
にウェハの初期回転速度にも関係する。
従来、低粘度レジスト（３０ｃＰ程度）を使用する場合
には、ウェハ中央にレジストを滴下しつつ。
には、ウェハ中央にレジストを滴下しつつ。
または滴下した後に、ウェハを数百回転で数秒間回転さ
せてレジストをウェハ上に拡げ、その後、レジスト膜厚
を決定する回転数で数十秒間回転させて所要の塗布膜を
形成していた。第２図はこのような塗布方法におけるレ
ジスト滴下終了時点を起点とする工程時間とウェハ回転
数との関係の一例を示す線図であるが、レジスト滴下後
ウェハを９０Ｏｒｐｍで３秒間回転させてレジストを拡
げた後、３５００ｒｐｍで２０秒間回転させて所要の膜
厚のレジスト塗布膜とする。また、高粘度レジス） （
ｄ０ＣＰ程度以上）を使用する場合には、低粘度レジス
トの場合と同様にしてウェハ上にレジストを拡げた後、
ウェハをレジスト膜厚を決定する回転数で数秒間回転さ
せた後、レジスト膜厚をおちつかせる目的で、膜厚を決
定する回転数より数千回転低い回転数で数十秒間回転さ
せて塗布膜を形成していた。
せてレジストをウェハ上に拡げ、その後、レジスト膜厚
を決定する回転数で数十秒間回転させて所要の塗布膜を
形成していた。第２図はこのような塗布方法におけるレ
ジスト滴下終了時点を起点とする工程時間とウェハ回転
数との関係の一例を示す線図であるが、レジスト滴下後
ウェハを９０Ｏｒｐｍで３秒間回転させてレジストを拡
げた後、３５００ｒｐｍで２０秒間回転させて所要の膜
厚のレジスト塗布膜とする。また、高粘度レジス） （
ｄ０ＣＰ程度以上）を使用する場合には、低粘度レジス
トの場合と同様にしてウェハ上にレジストを拡げた後、
ウェハをレジスト膜厚を決定する回転数で数秒間回転さ
せた後、レジスト膜厚をおちつかせる目的で、膜厚を決
定する回転数より数千回転低い回転数で数十秒間回転さ
せて塗布膜を形成していた。
第３図はこのような高粘度レジストの塗布方法における
レジスト滴下終了時点を起点とする工程時間とウェハ回
転数との関係の一例を示す線図であるが、レジスト滴下
後、ウェハを９０Ｏｒｐｍで３秒間回転させてレジスト
を拡げた後、膜厚を決定する回転数４８０Ｏｒｐｍで５
秒間回転後、３０００ｒｐｍで１０秒間回転させて塗布
膜を形成する。
レジスト滴下終了時点を起点とする工程時間とウェハ回
転数との関係の一例を示す線図であるが、レジスト滴下
後、ウェハを９０Ｏｒｐｍで３秒間回転させてレジスト
を拡げた後、膜厚を決定する回転数４８０Ｏｒｐｍで５
秒間回転後、３０００ｒｐｍで１０秒間回転させて塗布
膜を形成する。
レジストが塗布される半導体ウェハの表面には、つくり
こまれる半導体チップの種類に応じて凹凸のパターンが
あり段差が生じているが、この段差がきつくなるとレジ
ストのステップカバレージが悪化して段差部を充分に被
覆する均一なレジスト膜を形成することが難しくなる。
こまれる半導体チップの種類に応じて凹凸のパターンが
あり段差が生じているが、この段差がきつくなるとレジ
ストのステップカバレージが悪化して段差部を充分に被
覆する均一なレジスト膜を形成することが難しくなる。
このステップカバレージの悪化を防ぐために高粘度レジ
ストを使用するが、段差が５μｍ程度以上と非常にきつ
くなると高粘度レジストを用いても従来の塗布方法では
ウェハの外周部２ｃＩ１１〜３ｃ１１の範囲でレジスト
のステップカバレージが悪くて段差部のレジストの塗布
状態が不完全となる欠点があった。特に、ウェハの中心
側が高く外周側が低くなっている段差の上端の角の部分
で塗膜が不完全となり易い。
ストを使用するが、段差が５μｍ程度以上と非常にきつ
くなると高粘度レジストを用いても従来の塗布方法では
ウェハの外周部２ｃＩ１１〜３ｃ１１の範囲でレジスト
のステップカバレージが悪くて段差部のレジストの塗布
状態が不完全となる欠点があった。特に、ウェハの中心
側が高く外周側が低くなっている段差の上端の角の部分
で塗膜が不完全となり易い。
この発明は、上述の欠点を除去して、ウェハ表面にきつ
い段差がある場合でも、ステップカバレージが悪化する
ことなく、段差部も充分に被覆した均一で良好なレジス
ト膜を形成できるレジスト塗布方法を提供することを目
的とする。
い段差がある場合でも、ステップカバレージが悪化する
ことなく、段差部も充分に被覆した均一で良好なレジス
ト膜を形成できるレジスト塗布方法を提供することを目
的とする。
上記の目的を達成するために、この発明によれば、半導
体ウェハ表面に以下のステップでレジストを塗布し、レ
ジスト膜を形成する。
体ウェハ表面に以下のステップでレジストを塗布し、レ
ジスト膜を形成する。
ステップ（ａ）半導体ウェハ表面中央にレジストを滴下
後、または滴下しながら、ウェハを 中心軸のまわりに数百回転の第１の回 転数で数秒間回転させる。
後、または滴下しながら、ウェハを 中心軸のまわりに数百回転の第１の回 転数で数秒間回転させる。
ステップら）ウェハの回転を止め数秒間停止させる。
ステップ（ｃ）ウェハの回転を再開し、徐々に数秒かけ
て回転数を第１の回転数と同程度に まであげ、数秒間回転させる。
て回転数を第１の回転数と同程度に まであげ、数秒間回転させる。
ステップ〔山峡いて、徐々に数秒かけて回転数を数千回
転の第２の回転数にまであげ、数 秒間回転させる。
転の第２の回転数にまであげ、数 秒間回転させる。
ステップ（ｅ）次に回転数を第２の回転数の２／３程度
の回転数に下げ、数十秒間回転させ た後ウェハを停止させる。
の回転数に下げ、数十秒間回転させ た後ウェハを停止させる。
ステップ（ｂ）によりウェハの回転を一時的に停止させ
ること、およびステップ（ｃ）、ステップ（ｄ）におい
てウェハの回転が目的の回転数に達するまでの立ち上が
り時間を長くする（従来の方法の場合の１０倍程度）こ
とにより、ウェハ表面にレジストの壜が不足する部分が
生じるという不都合が解消され、ウェハ外周部のステッ
プカバレージの悪化を防ぐことができ、段差部も充分に
被覆した均一で良好なレジスト膜を形成することが可能
となる。
ること、およびステップ（ｃ）、ステップ（ｄ）におい
てウェハの回転が目的の回転数に達するまでの立ち上が
り時間を長くする（従来の方法の場合の１０倍程度）こ
とにより、ウェハ表面にレジストの壜が不足する部分が
生じるという不都合が解消され、ウェハ外周部のステッ
プカバレージの悪化を防ぐことができ、段差部も充分に
被覆した均一で良好なレジスト膜を形成することが可能
となる。
第１図は、この発明によるレジスト塗布方法の一実施例
における塗布工程時間とウェハ回転数との関係を示す線
図である。第１図において、横軸はウェハへのレジスト
滴下終了時点を起点とする時間を示し、縦軸はウェハ回
転数を示す。ウェハ表面に粘度６０ｃＰ〜７０ｃＰの高
粘度レジストを滴下後、ウェハの回転を開始し、０．８
秒で回転数を３０Ｏｒｐｍにまであげ５秒間回転させレ
ジストをウェハ表面に拡げる。 ５秒後ウェハを０．３
秒で停止させ、３秒間停止させてウェハ外周部のレジス
トをウェハから飛散しないようにおちつかせる。次にウ
ェハの回転を再開し回転数を３０Ｏｒｐｍまであげるが
、この回転立ち上がり時間を５秒間と従来の方法に比べ
て約１０倍と長くしレジストの拡がりが不均一になるこ
と、特に段差部でレジストの量が少なくなることを避け
る。ウェハを３０ｏｒρｍで５秒間回転させてレジスト
がウェハ表面全面により均一に拡がるようにする。続い
てウェハ回転数を４８０Ｏｒｐｍまであげるが、このと
きも回転数立ち上がり時間を５秒間と従来方法より約１
０倍と長くしてレジスト塗布膜の均一な拡がりを乱さな
いようにする。ウェハを回転数４８０Ｏｒｐｍで５秒間
回転させ、その間にレジスト塗布膜は所要の膜厚となる
。次にウェハ回転数を０．３秒で３００Ｏｒｐｍまで下
げこの回転数を１０秒間回転を続けてレジスト塗布膜を
所要の膜厚でおちつかせる。その後０．３秒でウェハの
回転を止める。このような塗布方法によりウェハ外周部
でのレジストのステップカバレージの悪化を防ぎ、段差
部も充分に被覆した良好なレジスト塗布膜が形成できる
。
における塗布工程時間とウェハ回転数との関係を示す線
図である。第１図において、横軸はウェハへのレジスト
滴下終了時点を起点とする時間を示し、縦軸はウェハ回
転数を示す。ウェハ表面に粘度６０ｃＰ〜７０ｃＰの高
粘度レジストを滴下後、ウェハの回転を開始し、０．８
秒で回転数を３０Ｏｒｐｍにまであげ５秒間回転させレ
ジストをウェハ表面に拡げる。 ５秒後ウェハを０．３
秒で停止させ、３秒間停止させてウェハ外周部のレジス
トをウェハから飛散しないようにおちつかせる。次にウ
ェハの回転を再開し回転数を３０Ｏｒｐｍまであげるが
、この回転立ち上がり時間を５秒間と従来の方法に比べ
て約１０倍と長くしレジストの拡がりが不均一になるこ
と、特に段差部でレジストの量が少なくなることを避け
る。ウェハを３０ｏｒρｍで５秒間回転させてレジスト
がウェハ表面全面により均一に拡がるようにする。続い
てウェハ回転数を４８０Ｏｒｐｍまであげるが、このと
きも回転数立ち上がり時間を５秒間と従来方法より約１
０倍と長くしてレジスト塗布膜の均一な拡がりを乱さな
いようにする。ウェハを回転数４８０Ｏｒｐｍで５秒間
回転させ、その間にレジスト塗布膜は所要の膜厚となる
。次にウェハ回転数を０．３秒で３００Ｏｒｐｍまで下
げこの回転数を１０秒間回転を続けてレジスト塗布膜を
所要の膜厚でおちつかせる。その後０．３秒でウェハの
回転を止める。このような塗布方法によりウェハ外周部
でのレジストのステップカバレージの悪化を防ぎ、段差
部も充分に被覆した良好なレジスト塗布膜が形成できる
。
この発明によるレジスト塗布方法によれば、下地となる
半導体ウェハに ５μｍ以上というようなきつい段差が
ある場合でも、レジストのステップカバレージの悪化を
防ぐことができ、段差部も含めてウェハ全面を充分に被
覆した均一で良好なレジスト塗布膜を形成することが可
能となる。例えば、直径４インチ以上の大口径のウェハ
を用いてＭＯＳゲートバイポーラトランジスタなどを製
造する場合のように、微細で段差のきついウェハ表面に
もレジストを全面に良好に塗布することができ不良（バ
ターニング不良）を大幅に低減することができる。
半導体ウェハに ５μｍ以上というようなきつい段差が
ある場合でも、レジストのステップカバレージの悪化を
防ぐことができ、段差部も含めてウェハ全面を充分に被
覆した均一で良好なレジスト塗布膜を形成することが可
能となる。例えば、直径４インチ以上の大口径のウェハ
を用いてＭＯＳゲートバイポーラトランジスタなどを製
造する場合のように、微細で段差のきついウェハ表面に
もレジストを全面に良好に塗布することができ不良（バ
ターニング不良）を大幅に低減することができる。
第１図はこの発明によるレジスト塗布方法の一実施例の
塗布工程時間とウェハ回転数との関係を示す線図、第２
図は低粘度のレジストを塗布する従来方法の塗布工程時
間とウェハ回転数との関係を示す線図、第３図は高粘度
のレジストを塗布する従来方法の塗布工程時間とウェハ
回転数との関係を示す線図である。 ×１０３ ×１０３ 塗布工程時間（秒） 第１図 塗布工程時間（秒） 第２図
塗布工程時間とウェハ回転数との関係を示す線図、第２
図は低粘度のレジストを塗布する従来方法の塗布工程時
間とウェハ回転数との関係を示す線図、第３図は高粘度
のレジストを塗布する従来方法の塗布工程時間とウェハ
回転数との関係を示す線図である。 ×１０３ ×１０３ 塗布工程時間（秒） 第１図 塗布工程時間（秒） 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体ウェハ表面に下記のステップ（ａ）ないしス
テップ（ｅ）でレジストを塗布しレジスト塗布膜を形成
することを特徴とするレジスト塗布方法。 ステップ（ａ）半導体ウェハ表面中央にレジストを滴下
後または滴下しながらウェハを中心 軸のまわりに数百回転の第１の回転数 で数秒間回転させる。 ステップ（ｂ）ウェハの回転を止め数秒間停止させる。 ステップ（ｃ）ウェハの回転を再開し、徐々に数秒かけ
て回転数を第１の回転数と同程度に まであげ、数秒間回転させる。 ステップ（ｄ）続いて徐々に数秒かけて回転数を数千回
転の第２の回転数にまであげ、数秒 間回転させる。 ステップ（ｅ）次に回転数を第２の回転数の２／３程度
の回転数にまでさげ、数十秒間回転 させた後、ウェハを停止させる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31105588A JPH0656832B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31105588A JPH0656832B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156626A true JPH02156626A (ja) | 1990-06-15 |
| JPH0656832B2 JPH0656832B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=18012568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31105588A Expired - Fee Related JPH0656832B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656832B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214104B1 (en) | 1995-08-07 | 2001-04-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming silica coating and method of forming silica coating |
| US6277441B1 (en) | 1994-02-17 | 2001-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming coating film on a substrate |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP31105588A patent/JPH0656832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277441B1 (en) | 1994-02-17 | 2001-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming coating film on a substrate |
| US6214104B1 (en) | 1995-08-07 | 2001-04-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming silica coating and method of forming silica coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0656832B2 (ja) | 1994-07-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |