JPH0845923A - 半導体塗布膜形成方法 - Google Patents
半導体塗布膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0845923A JPH0845923A JP6197424A JP19742494A JPH0845923A JP H0845923 A JPH0845923 A JP H0845923A JP 6197424 A JP6197424 A JP 6197424A JP 19742494 A JP19742494 A JP 19742494A JP H0845923 A JPH0845923 A JP H0845923A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- several
- semiconductor
- coating liquid
- coating
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体ウェハの表面に比較的大きな
凹凸がある場合であっても、半導体ウェハ表面全体に亘
って、平坦な塗布膜が得られるようにした、スピンコー
ト方式の半導体塗布膜形成方法を提供することを目的と
する。 【構成】回転可能に支持された半導体ウェハの表面中央
部に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高速回転
させることにより、遠心力によって、該塗布液を半導体
ウェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振
り切るようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形
成方法において、半導体ウェハ１０が、塗布液吐出後に
数秒間だけ高速回転され、最後に数秒乃至数十秒間低速
回転せしめられるように、半導体塗布膜形成方法を構成
する。
凹凸がある場合であっても、半導体ウェハ表面全体に亘
って、平坦な塗布膜が得られるようにした、スピンコー
ト方式の半導体塗布膜形成方法を提供することを目的と
する。 【構成】回転可能に支持された半導体ウェハの表面中央
部に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高速回転
させることにより、遠心力によって、該塗布液を半導体
ウェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振
り切るようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形
成方法において、半導体ウェハ１０が、塗布液吐出後に
数秒間だけ高速回転され、最後に数秒乃至数十秒間低速
回転せしめられるように、半導体塗布膜形成方法を構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにて、例えば、半導体ウェハの表面に、平坦なＳＯ
Ｇ膜を形成する等、半導体ウェハの表面への平坦な塗布
膜形成方法に関するものである。
セスにて、例えば、半導体ウェハの表面に、平坦なＳＯ
Ｇ膜を形成する等、半導体ウェハの表面への平坦な塗布
膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造プロセスにおい
て、半導体ウェハの表面に、例えば拡散ソース，平坦化
膜等に用いるＳＯＧ 膜の形成，レジスト膜，表面保護
膜等の薄膜を形成する場合、所謂スピンコート方式の半
導体塗布膜形成方法が採用されている。
て、半導体ウェハの表面に、例えば拡散ソース，平坦化
膜等に用いるＳＯＧ 膜の形成，レジスト膜，表面保護
膜等の薄膜を形成する場合、所謂スピンコート方式の半
導体塗布膜形成方法が採用されている。
【０００３】ここで、スピンコート方式の半導体塗布膜
形成方法は、図３に示すように、先づ真空チャックで吸
着され且つ前以てエアー吹き付け等によって表面の塵埃
が除去された半導体ウェハ１（図３（Ａ）参照）の表面
中央に、ノズル２を介して、ＳＯＧ等の塗布液３を吐出
する（図３（Ｂ）参照）。このとき、半導体ウェハ１
は、静止状態、または図４に示すように数十乃至数百ｒ
ｐｍで回転されている。
形成方法は、図３に示すように、先づ真空チャックで吸
着され且つ前以てエアー吹き付け等によって表面の塵埃
が除去された半導体ウェハ１（図３（Ａ）参照）の表面
中央に、ノズル２を介して、ＳＯＧ等の塗布液３を吐出
する（図３（Ｂ）参照）。このとき、半導体ウェハ１
は、静止状態、または図４に示すように数十乃至数百ｒ
ｐｍで回転されている。
【０００４】その後、半導体ウェハ１は、図４に示すよ
うに、例えば数千ｒｐｍで数十秒間高速回転せしめられ
ることにより、振り切り処理が行なわれる。これによ
り、半導体ウェハ１上の塗布液３は、回転による遠心力
により、均一な厚さに平均化されると共に、余分な塗布
液３が振り切られる（図３（Ｃ）参照）。かくして、半
導体ウェハの表面に、例えば数千Å乃至数μｍの塗布膜
４が形成され得ることになる。
うに、例えば数千ｒｐｍで数十秒間高速回転せしめられ
ることにより、振り切り処理が行なわれる。これによ
り、半導体ウェハ１上の塗布液３は、回転による遠心力
により、均一な厚さに平均化されると共に、余分な塗布
液３が振り切られる（図３（Ｃ）参照）。かくして、半
導体ウェハの表面に、例えば数千Å乃至数μｍの塗布膜
４が形成され得ることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された半導体塗布膜形成方法においては、半導
体ウェハ１の表面に比較的大きな凹凸がある場合には、
この半導体ウェハ１の表面の凹凸に対して、塗布膜４の
表面を完全に平坦にすることは困難であった。これは、
半導体ウェハ１の表面の凹部１ａ内に収容された塗布液
３が、半導体ウェハ１の高速回転によって、遠心力を受
けて、該凹部１ａ内から外側に出てしまうためと考えら
れる。従って、該塗布膜４は、半導体ウェハ１の凹凸に
対して、完全に平坦にはならなくなってしまう。このた
め、半導体ウェハ１の表面を平坦化するためには、さら
にエッチバック処理を行なう必要があり、工程数が多く
なり、コストが高くなってしまうという問題があった。
うに構成された半導体塗布膜形成方法においては、半導
体ウェハ１の表面に比較的大きな凹凸がある場合には、
この半導体ウェハ１の表面の凹凸に対して、塗布膜４の
表面を完全に平坦にすることは困難であった。これは、
半導体ウェハ１の表面の凹部１ａ内に収容された塗布液
３が、半導体ウェハ１の高速回転によって、遠心力を受
けて、該凹部１ａ内から外側に出てしまうためと考えら
れる。従って、該塗布膜４は、半導体ウェハ１の凹凸に
対して、完全に平坦にはならなくなってしまう。このた
め、半導体ウェハ１の表面を平坦化するためには、さら
にエッチバック処理を行なう必要があり、工程数が多く
なり、コストが高くなってしまうという問題があった。
【０００６】本発明は、以上の点に鑑み、半導体ウェハ
の表面に比較的大きな凹凸がある場合であっても、半導
体ウェハ表面全体に亘って、凸上部に薄く凹部に厚く特
徴を持った平坦な塗布膜が得られるようにした、スピン
コート方式の半導体塗布膜形成方法を提供することを目
的としている。
の表面に比較的大きな凹凸がある場合であっても、半導
体ウェハ表面全体に亘って、凸上部に薄く凹部に厚く特
徴を持った平坦な塗布膜が得られるようにした、スピン
コート方式の半導体塗布膜形成方法を提供することを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、回転可能に支持された半導体ウェハの表面中央部
に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高速回転さ
せることにより、遠心力によって、該塗布液を半導体ウ
ェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り
切るようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成
方法において、半導体ウェハが、塗布液吐出後に数秒間
だけ高速回転、例えば数千ｒｐｍで回転され、最後に数
秒乃至数十秒間低速回転、例えば数百ｒｐｍで回転せし
められることを特徴とする、半導体塗布膜形成方法によ
り、達成される。
れば、回転可能に支持された半導体ウェハの表面中央部
に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高速回転さ
せることにより、遠心力によって、該塗布液を半導体ウ
ェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り
切るようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成
方法において、半導体ウェハが、塗布液吐出後に数秒間
だけ高速回転、例えば数千ｒｐｍで回転され、最後に数
秒乃至数十秒間低速回転、例えば数百ｒｐｍで回転せし
められることを特徴とする、半導体塗布膜形成方法によ
り、達成される。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、塗布液の吐出後に、先づ半
導体ウェハが高速回転せしめられることにより、半導体
ウェハ表面中央部に滴下された塗布液は、この高速回転
による遠心力によって、円滑に半径方向外側に向かって
流れることになる。これにより、半導体ウェハ表面に滴
下された塗布液は、該半導体ウェハ表面中央部に留まる
ことなく、該半導体ウェハ表面全体に亘って塗布され得
ることになる。
導体ウェハが高速回転せしめられることにより、半導体
ウェハ表面中央部に滴下された塗布液は、この高速回転
による遠心力によって、円滑に半径方向外側に向かって
流れることになる。これにより、半導体ウェハ表面に滴
下された塗布液は、該半導体ウェハ表面中央部に留まる
ことなく、該半導体ウェハ表面全体に亘って塗布され得
ることになる。
【０００９】その後、半導体ウェハが低速回転せしめら
れたとき、塗布液は、半導体ウェハの表面全体に亘っ
て、ほぼ均一に平均化されると共に、余分の塗布液が、
高速回転による遠心力によって、振り切られる。
れたとき、塗布液は、半導体ウェハの表面全体に亘っ
て、ほぼ均一に平均化されると共に、余分の塗布液が、
高速回転による遠心力によって、振り切られる。
【００１０】このとき、塗布液に対して半径方向外側に
向かって作用する遠心力が小さくなるので、半導体ウェ
ハの表面の凹凸による凹部内に収容された塗布液は、低
速回転による遠心力によって、該凹部から外に出てしま
うようなことはなく、該凹部内に留まることになる。従
って、半導体表面の凹凸が比較的大きい場合であって
も、塗布膜表面は、確実に平坦化され得ることになる。
向かって作用する遠心力が小さくなるので、半導体ウェ
ハの表面の凹凸による凹部内に収容された塗布液は、低
速回転による遠心力によって、該凹部から外に出てしま
うようなことはなく、該凹部内に留まることになる。従
って、半導体表面の凹凸が比較的大きい場合であって
も、塗布膜表面は、確実に平坦化され得ることになる。
【００１１】かくして、高粘度の塗布液の場合であって
も、半導体ウェハ表面全体に亘って、均一な厚さの塗布
膜が形成され得ることになる。
も、半導体ウェハ表面全体に亘って、均一な厚さの塗布
膜が形成され得ることになる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明による半導体塗布
膜形成方法の一実施例を示している。即ち、図１におい
て、先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー吹き
付け等によって表面の塵埃が除去された半導体ウェハ１
０（図２参照）を図示しない回転駆動機構により静止状
態または数十乃至数百ｒｐｍで低速回転させておく。こ
の静止または低速回転の状態にて、該半導体ウェハ１０
の表面中央に、ノズルを介して、ＳＯＧ等の塗布液を吐
出する。
明を詳細に説明する。図１は、本発明による半導体塗布
膜形成方法の一実施例を示している。即ち、図１におい
て、先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー吹き
付け等によって表面の塵埃が除去された半導体ウェハ１
０（図２参照）を図示しない回転駆動機構により静止状
態または数十乃至数百ｒｐｍで低速回転させておく。こ
の静止または低速回転の状態にて、該半導体ウェハ１０
の表面中央に、ノズルを介して、ＳＯＧ等の塗布液を吐
出する。
【００１３】その後、半導体ウェハ１０は、図１に示す
ように、例えば数千ｒｐｍで数秒間だけ高速回転せしめ
られる。これにより、半導体ウェハ１０の表面に吐出さ
れた塗布液は、該半導体ウェハ１０の高速回転による遠
心力によって、半径方向外側に向かって流れることによ
り、半導体ウェハ１０の表面全体に亘って塗布されるこ
とになる。
ように、例えば数千ｒｐｍで数秒間だけ高速回転せしめ
られる。これにより、半導体ウェハ１０の表面に吐出さ
れた塗布液は、該半導体ウェハ１０の高速回転による遠
心力によって、半径方向外側に向かって流れることによ
り、半導体ウェハ１０の表面全体に亘って塗布されるこ
とになる。
【００１４】その後、半導体ウェハ１０が例えば数百ｒ
ｐｍで数秒乃至数十秒間だけ低速回転せしめられること
により、半導体ウェハ１０上の塗布液１１は、低速回転
による遠心力により、均一に平均化されると共に、余分
な塗布液１１が振り切られることになる。
ｐｍで数秒乃至数十秒間だけ低速回転せしめられること
により、半導体ウェハ１０上の塗布液１１は、低速回転
による遠心力により、均一に平均化されると共に、余分
な塗布液１１が振り切られることになる。
【００１５】この場合、塗布液１１に対して半径方向外
側に向かって作用する遠心力が小さくなるので、半導体
ウェハ１０の表面の凹凸による凹部１２内に収容された
塗布液１１は、低速回転による遠心力によって、該凹部
から外に出てしまうようなことはなく、該凹部１２内に
留まることになる。従って、半導体表面の凹凸が比較的
大きい場合であっても、塗布膜表面は、確実に平坦化さ
れ得ることになる。
側に向かって作用する遠心力が小さくなるので、半導体
ウェハ１０の表面の凹凸による凹部１２内に収容された
塗布液１１は、低速回転による遠心力によって、該凹部
から外に出てしまうようなことはなく、該凹部１２内に
留まることになる。従って、半導体表面の凹凸が比較的
大きい場合であっても、塗布膜表面は、確実に平坦化さ
れ得ることになる。
【００１６】かくして、半導体ウェハ１０の表面全体に
亘って、例えば数千Å乃至数μｍの均一な厚さで、且つ
凹部１２の領域においても平坦である塗布膜が形成され
得ることになる。
亘って、例えば数千Å乃至数μｍの均一な厚さで、且つ
凹部１２の領域においても平坦である塗布膜が形成され
得ることになる。
【００１７】尚、上記の説明においては、高速回転によ
る振り切り処理と、低速回転による振り切り処理とい
う、二段階の振り切り処理が行なわれているが、これに
限らず、例えば低粘度の塗布液の場合や、溶剤の揮発性
が高い塗布液の場合には、最初の高速回転による振り切
り処理によって、塗布膜表面の平坦化もほぼ完全に行な
われ得るので、低速回転による振り切り処理は、その時
間が短縮され得るか、場合によっては省略してもよい。
る振り切り処理と、低速回転による振り切り処理とい
う、二段階の振り切り処理が行なわれているが、これに
限らず、例えば低粘度の塗布液の場合や、溶剤の揮発性
が高い塗布液の場合には、最初の高速回転による振り切
り処理によって、塗布膜表面の平坦化もほぼ完全に行な
われ得るので、低速回転による振り切り処理は、その時
間が短縮され得るか、場合によっては省略してもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、塗
布液の吐出後に、先づ半導体ウェハが高速回転せしめら
れることにより、半導体ウェハ表面に滴下された塗布液
は、該半導体ウェハ表面中央部に留まることなく、該半
導体ウェハ表面全体に亘って塗布され得ることになる。
その後、半導体ウェハが低速回転せしめられたとき、塗
布液は、半導体ウェハの表面全体に亘って、ほぼ均一に
平均化されると共に、余分の塗布液が、高速回転による
遠心力によって、振り切られる。
布液の吐出後に、先づ半導体ウェハが高速回転せしめら
れることにより、半導体ウェハ表面に滴下された塗布液
は、該半導体ウェハ表面中央部に留まることなく、該半
導体ウェハ表面全体に亘って塗布され得ることになる。
その後、半導体ウェハが低速回転せしめられたとき、塗
布液は、半導体ウェハの表面全体に亘って、ほぼ均一に
平均化されると共に、余分の塗布液が、高速回転による
遠心力によって、振り切られる。
【００１９】ここで、低速回転時には、半導体ウェハの
表面の凹凸による凹部内に収容された塗布液は、該凹部
内に留まることになるので、半導体表面の凹凸が比較的
大きい場合であっても、塗布膜表面は、確実に平坦化さ
れ得ることになる。均一な厚さの塗布膜が形成され得る
ことになる。
表面の凹凸による凹部内に収容された塗布液は、該凹部
内に留まることになるので、半導体表面の凹凸が比較的
大きい場合であっても、塗布膜表面は、確実に平坦化さ
れ得ることになる。均一な厚さの塗布膜が形成され得る
ことになる。
【００２０】かくして、本発明によれば、半導体ウェハ
の表面に比較的大きな凹凸がある場合であっても、半導
体ウェハ表面全体に亘って、平坦な塗布膜が得られるよ
うにした、極めて優れたスピンコート方式の半導体塗布
膜形成方法が提供され得ることになる。
の表面に比較的大きな凹凸がある場合であっても、半導
体ウェハ表面全体に亘って、平坦な塗布膜が得られるよ
うにした、極めて優れたスピンコート方式の半導体塗布
膜形成方法が提供され得ることになる。
【図１】本発明による半導体塗布膜形成方法の一実施例
における塗布液吐出及び振り切りの各工程における半導
体ウェハの回転数を示すグラフである。
における塗布液吐出及び振り切りの各工程における半導
体ウェハの回転数を示すグラフである。
【図２】図１の方法により形成された塗布膜を有する半
導体ウェハの部分断面図である。
導体ウェハの部分断面図である。
【図３】従来の半導体塗布膜形成方法の一例の各工程を
順次に示す概略図である。
順次に示す概略図である。
【図４】図３の方法における塗布液吐出及び振り切りの
各工程における半導体ウェハの回転数を示すグラフであ
る。
各工程における半導体ウェハの回転数を示すグラフであ
る。
【図５】図４の方法により形成された塗布膜を有する半
導体ウェハの部分断面図である。
導体ウェハの部分断面図である。
１０ 半導体ウェハ １１ 塗布液 １２ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768
Claims (3)
- 【請求項１】 回転可能に支持された半導体ウェハの表
面中央部に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高
速回転させることにより、遠心力によって、該塗布液を
半導体ウェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布
液を振り切るようにした、スピンコート方式の半導体塗
布膜形成方法において、 半導体ウェハが、塗布液吐出後に数秒間だけ高速回転さ
れ、最後に数秒乃至数十秒間低速回転せしめられること
を特徴とする、半導体塗布膜形成方法。 - 【請求項２】 高速回転が、数千ｒｐｍであることを特
徴とする、請求項１に記載の半導体塗布膜形成方法。 - 【請求項３】 低速回転が、数百ｒｐｍであることを特
徴とする、請求項１または２に記載の半導体塗布膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197424A JPH0845923A (ja) | 1994-07-30 | 1994-07-30 | 半導体塗布膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197424A JPH0845923A (ja) | 1994-07-30 | 1994-07-30 | 半導体塗布膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845923A true JPH0845923A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16374296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6197424A Pending JPH0845923A (ja) | 1994-07-30 | 1994-07-30 | 半導体塗布膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246780B1 (ko) * | 1996-10-31 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 소자의 스핀 온 글라스막 형성 방법 |
| KR20010003577A (ko) * | 1999-06-24 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
| JP2015000356A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | シャープ株式会社 | 塗布膜の形成方法 |
-
1994
- 1994-07-30 JP JP6197424A patent/JPH0845923A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246780B1 (ko) * | 1996-10-31 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 소자의 스핀 온 글라스막 형성 방법 |
| KR20010003577A (ko) * | 1999-06-24 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
| JP2015000356A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | シャープ株式会社 | 塗布膜の形成方法 |
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