JPH07153677A - 半導体塗布膜形成方法 - Google Patents
半導体塗布膜形成方法Info
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- JPH07153677A JPH07153677A JP32606193A JP32606193A JPH07153677A JP H07153677 A JPH07153677 A JP H07153677A JP 32606193 A JP32606193 A JP 32606193A JP 32606193 A JP32606193 A JP 32606193A JP H07153677 A JPH07153677 A JP H07153677A
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- coating liquid
- coating film
- coating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、高粘度の塗布液の場合であっても、
ウェハ表面全体に亘って、均一な塗布膜が得られるよう
にした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法を提
供することを目的とする。 【構成】回転可能に支持されたウェハ１０の表面中央部
に、塗布液１２を滴下した後、該ウェハを高速回転させ
ることにより、遠心力によって、該塗布液をウェハの表
面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り切るよう
にした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法にお
いて、塗布液滴下時から高速回転までの間に、ウェハを
低速または中速回転させる工程を備えるように、半導体
塗布膜形成方法を構成する。
ウェハ表面全体に亘って、均一な塗布膜が得られるよう
にした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法を提
供することを目的とする。 【構成】回転可能に支持されたウェハ１０の表面中央部
に、塗布液１２を滴下した後、該ウェハを高速回転させ
ることにより、遠心力によって、該塗布液をウェハの表
面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り切るよう
にした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法にお
いて、塗布液滴下時から高速回転までの間に、ウェハを
低速または中速回転させる工程を備えるように、半導体
塗布膜形成方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにて、半導体ウェハの表面に、均一な薄膜を形成す
るための、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法に
関するものである。
セスにて、半導体ウェハの表面に、均一な薄膜を形成す
るための、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造プロセスにおい
て、半導体ウェハの表面に、例えば拡散ソース，平坦化
膜等に用いるＳ．Ｏ．Ｇ 膜の形成，フォトレジスト
層，表面保護膜等の薄膜を形成する場合、所謂スピンコ
ート方式の半導体塗布膜形成方法が採用されている。
て、半導体ウェハの表面に、例えば拡散ソース，平坦化
膜等に用いるＳ．Ｏ．Ｇ 膜の形成，フォトレジスト
層，表面保護膜等の薄膜を形成する場合、所謂スピンコ
ート方式の半導体塗布膜形成方法が採用されている。
【０００３】ここで、スピンコート方式の半導体塗布膜
形成方法は、図４に示すように、先づ真空チャックで吸
着され且つ前以てエアー吹き付け等によって表面の塵埃
が除去されたウェハ１（図４（Ａ）参照）の表面中央
に、ノズル２を介して、レジスト，ポリイミド等の塗布
液３を滴下する（図４（Ｂ）参照）。
形成方法は、図４に示すように、先づ真空チャックで吸
着され且つ前以てエアー吹き付け等によって表面の塵埃
が除去されたウェハ１（図４（Ａ）参照）の表面中央
に、ノズル２を介して、レジスト，ポリイミド等の塗布
液３を滴下する（図４（Ｂ）参照）。
【０００４】その後、ウェハ１が高速回転せしめられる
ことにより、振り切り処理が行なわれる。これにより、
ウェハ１上の塗布液３は、回転による遠心力により、均
一な厚さに平均化されると共に、余分な塗布液３が振り
切られる（図４（Ｃ）参照）。かくして、ウェハの表面
に、例えば数千Å乃至数μｍの塗布膜４が形成され得る
ことになる。
ことにより、振り切り処理が行なわれる。これにより、
ウェハ１上の塗布液３は、回転による遠心力により、均
一な厚さに平均化されると共に、余分な塗布液３が振り
切られる（図４（Ｃ）参照）。かくして、ウェハの表面
に、例えば数千Å乃至数μｍの塗布膜４が形成され得る
ことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された半導体塗布膜形成方法においては、例え
ば塗布液が高粘度である場合には、ウェハ１の表面中央
部に塗布液３を滴下した状態で、溶剤が徐々に蒸発する
ことになる。このため、滴下された塗布液３は、ウェハ
１の表面中央部にて、やや固まった状態になってしま
い、その後振り切り処理のために、該ウェハ１を高速回
転させた後にも、図４（Ｃ）に示すように、塗布膜４の
中央部が、少しだけ盛り上がってしまう。従って、該塗
布膜４は、ウェハ１の中央部のみがやや厚膜となり、ウ
ェハ１の表面全体の塗布膜４の厚さが不均一になってし
まうという問題があった。
うに構成された半導体塗布膜形成方法においては、例え
ば塗布液が高粘度である場合には、ウェハ１の表面中央
部に塗布液３を滴下した状態で、溶剤が徐々に蒸発する
ことになる。このため、滴下された塗布液３は、ウェハ
１の表面中央部にて、やや固まった状態になってしま
い、その後振り切り処理のために、該ウェハ１を高速回
転させた後にも、図４（Ｃ）に示すように、塗布膜４の
中央部が、少しだけ盛り上がってしまう。従って、該塗
布膜４は、ウェハ１の中央部のみがやや厚膜となり、ウ
ェハ１の表面全体の塗布膜４の厚さが不均一になってし
まうという問題があった。
【０００６】また、塗布液が高粘度である場合には、塗
布液の滴下後、いきなりウェハを高速回転させると、遠
心力による塗布液の振り切りが均一ではなく、全体とし
て、塗布膜４の厚さが不均一になってしまうという問題
もあった。
布液の滴下後、いきなりウェハを高速回転させると、遠
心力による塗布液の振り切りが均一ではなく、全体とし
て、塗布膜４の厚さが不均一になってしまうという問題
もあった。
【０００７】さらに、上述したような高速回転による塗
布膜４の形成では、該塗布膜４の厚さは、一定の厚さ以
下になってしまうため、比較的厚い塗布膜４を形成する
場合には、ウェハ１を低速回転させるようにしている
が、回転速度が低いことから、振り切り処理に時間がか
かることになり、コストが高くなってしまうと共に、高
粘度の塗布液の場合には、完成した塗布膜の厚さが不均
一になってしまうという問題があった。
布膜４の形成では、該塗布膜４の厚さは、一定の厚さ以
下になってしまうため、比較的厚い塗布膜４を形成する
場合には、ウェハ１を低速回転させるようにしている
が、回転速度が低いことから、振り切り処理に時間がか
かることになり、コストが高くなってしまうと共に、高
粘度の塗布液の場合には、完成した塗布膜の厚さが不均
一になってしまうという問題があった。
【０００８】本発明は、以上の点に鑑み、高粘度の塗布
液の場合であっても、ウェハ表面全体に亘って、均一な
塗布膜が得られるようにした、スピンコート方式の半導
体塗布膜形成方法を提供することを目的としている。
液の場合であっても、ウェハ表面全体に亘って、均一な
塗布膜が得られるようにした、スピンコート方式の半導
体塗布膜形成方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、回転可能に支持されたウェハの表面中央部に、塗
布液を滴下した後、該ウェハを高速回転させることによ
り、遠心力によって、該塗布液をウェハの表面全体に塗
布すると共に、余分な塗布液を振り切るようにした、ス
ピンコート方式の半導体塗布膜形成方法において、塗布
液滴下時から高速回転までの間に、ウェハを低速または
中速回転させる工程を備えていることを特徴とする、半
導体塗布膜形成方法により、達成される。
れば、回転可能に支持されたウェハの表面中央部に、塗
布液を滴下した後、該ウェハを高速回転させることによ
り、遠心力によって、該塗布液をウェハの表面全体に塗
布すると共に、余分な塗布液を振り切るようにした、ス
ピンコート方式の半導体塗布膜形成方法において、塗布
液滴下時から高速回転までの間に、ウェハを低速または
中速回転させる工程を備えていることを特徴とする、半
導体塗布膜形成方法により、達成される。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、ウェハが低速回転せしめら
れることにより、ウェハ表面中央部に滴下された塗布液
は、この低速回転による遠心力によって、円滑に半径方
向外側に向かって、流れることになる。これにより、ウ
ェハ表面に滴下された塗布液は、該ウェハ表面中央部に
留まることなく、該ウェハ表面全体に亘って塗布され得
ることになる。従って、その後、ウェハが高速回転せし
められたとき、塗布液は、ウェハの表面全体に亘って、
ほぼ均一に平均化されると共に、余分の塗布液が、高速
回転による遠心力によって、振り切られることになる。
れることにより、ウェハ表面中央部に滴下された塗布液
は、この低速回転による遠心力によって、円滑に半径方
向外側に向かって、流れることになる。これにより、ウ
ェハ表面に滴下された塗布液は、該ウェハ表面中央部に
留まることなく、該ウェハ表面全体に亘って塗布され得
ることになる。従って、その後、ウェハが高速回転せし
められたとき、塗布液は、ウェハの表面全体に亘って、
ほぼ均一に平均化されると共に、余分の塗布液が、高速
回転による遠心力によって、振り切られることになる。
【００１１】かくして、高粘度の塗布液の場合であって
も、ウェハ表面全体に亘って、均一な厚さの塗布膜が形
成され得ることになる。
も、ウェハ表面全体に亘って、均一な厚さの塗布膜が形
成され得ることになる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明による半導体塗布
膜形成方法の第一の実施例を示している。即ち、図１に
おいて、先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー
吹き付け等によって表面の塵埃が除去されたウェハ１０
を図示しない回転駆動機構により低速回転させておく。
この低速回転の状態にて、該ウェハ１０の表面中央に、
ノズル１１を介して、レジスト，ポリイミド等の塗布液
１２を滴下する（図１（Ａ）参照）。
明を詳細に説明する。図１は、本発明による半導体塗布
膜形成方法の第一の実施例を示している。即ち、図１に
おいて、先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー
吹き付け等によって表面の塵埃が除去されたウェハ１０
を図示しない回転駆動機構により低速回転させておく。
この低速回転の状態にて、該ウェハ１０の表面中央に、
ノズル１１を介して、レジスト，ポリイミド等の塗布液
１２を滴下する（図１（Ａ）参照）。
【００１３】これにより、ウェハ１０の表面に滴下され
た塗布液１２は、該ウェハ１０の低速回転の遠心力によ
って、高粘度の塗布液１２の場合であっても、溶剤が蒸
発しないうちに、迅速に半径方向外側に向かって流れる
ことにより（図１（Ｂ）参照）、ウェハ１０の表面全体
に亘って塗布されることになる（図１（Ｃ）参照）。
た塗布液１２は、該ウェハ１０の低速回転の遠心力によ
って、高粘度の塗布液１２の場合であっても、溶剤が蒸
発しないうちに、迅速に半径方向外側に向かって流れる
ことにより（図１（Ｂ）参照）、ウェハ１０の表面全体
に亘って塗布されることになる（図１（Ｃ）参照）。
【００１４】その後、ウェハ１０が高速回転せしめられ
ることにより、振り切り処理が行なわれる。これによ
り、ウェハ１０上の塗布液１２は、高速回転による遠心
力により、均一な厚さに平均化されると共に、余分な塗
布液１２が振り切られることになる（図１（Ｄ）参
照）。かくして、ウェハ１０の表面全体に亘って、例え
ば数千Å乃至数μｍの均一な厚さの塗布膜１３が形成さ
れ得ることになる。
ることにより、振り切り処理が行なわれる。これによ
り、ウェハ１０上の塗布液１２は、高速回転による遠心
力により、均一な厚さに平均化されると共に、余分な塗
布液１２が振り切られることになる（図１（Ｄ）参
照）。かくして、ウェハ１０の表面全体に亘って、例え
ば数千Å乃至数μｍの均一な厚さの塗布膜１３が形成さ
れ得ることになる。
【００１５】図２は、本発明による半導体塗布膜形成方
法の第二の実施例を示している。即ち、図２において、
先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー吹き付け
等によって表面の塵埃が除去されたウェハ２０の表面中
央に、ノズル２１を介して、レジスト，ポリイミド等の
塗布液２２を滴下する（図２（Ａ）参照）。
法の第二の実施例を示している。即ち、図２において、
先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー吹き付け
等によって表面の塵埃が除去されたウェハ２０の表面中
央に、ノズル２１を介して、レジスト，ポリイミド等の
塗布液２２を滴下する（図２（Ａ）参照）。
【００１６】その後、ウェハ２０が図示しない回転駆動
機構によって中速回転せしめられる。これにより、ウェ
ハ２０の表面に滴下された塗布液２２は、該ウェハ２０
の中速回転の遠心力によって、半径方向外側に向かって
流れることにより、ウェハ２０の表面全体に亘ってほぼ
均一な厚さに塗布されると共に、余分の塗布液２２が振
り切られることになる（図２（Ｂ）参照）。
機構によって中速回転せしめられる。これにより、ウェ
ハ２０の表面に滴下された塗布液２２は、該ウェハ２０
の中速回転の遠心力によって、半径方向外側に向かって
流れることにより、ウェハ２０の表面全体に亘ってほぼ
均一な厚さに塗布されると共に、余分の塗布液２２が振
り切られることになる（図２（Ｂ）参照）。
【００１７】最後に、ウェハ２０が高速回転せしめられ
ることにより、二回目の振り切り処理が行なわれる。こ
れにより、ウェハ２０上の塗布液２２は、高速回転によ
る遠心力により、より一層均一な厚さに平均化されると
共に、余分な塗布液２２が振り切られることになる（図
２（Ｃ）参照）。かくして、ウェハ２０の表面全体に亘
って、例えば数千Å乃至数μｍの均一な厚さの塗布膜２
３が形成され得ることになる。
ることにより、二回目の振り切り処理が行なわれる。こ
れにより、ウェハ２０上の塗布液２２は、高速回転によ
る遠心力により、より一層均一な厚さに平均化されると
共に、余分な塗布液２２が振り切られることになる（図
２（Ｃ）参照）。かくして、ウェハ２０の表面全体に亘
って、例えば数千Å乃至数μｍの均一な厚さの塗布膜２
３が形成され得ることになる。
【００１８】この場合、二回の振り切り処理によって、
より一層均一な塗布膜２３が得られることになる。
より一層均一な塗布膜２３が得られることになる。
【００１９】尚、上記の説明においては、低速回転によ
る振り切り処理と、高速回転による振り切り処理とい
う、二段階の振り切り処理が行なわれているが、これに
限らず、例えば三段階，四段階等の複数段階の振り切り
処理が行なわれるようにしてもよいことは明らかであ
る。その場合、各段階の振り切り処理は、徐々にウェハ
２０の回転数が高くなるように、行なわれてもよく、ま
た最初の複数段階が、低速回転にて、またその後の複数
段階が、高速回転にて行なわれてもよい。
る振り切り処理と、高速回転による振り切り処理とい
う、二段階の振り切り処理が行なわれているが、これに
限らず、例えば三段階，四段階等の複数段階の振り切り
処理が行なわれるようにしてもよいことは明らかであ
る。その場合、各段階の振り切り処理は、徐々にウェハ
２０の回転数が高くなるように、行なわれてもよく、ま
た最初の複数段階が、低速回転にて、またその後の複数
段階が、高速回転にて行なわれてもよい。
【００２０】図３は、本発明による半導体塗布膜形成方
法の第三の実施例を示している。即ち、図３において、
先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー吹き付け
等によって表面の塵埃が除去されたウェハ３０の表面中
央に、ノズル３１を介して、レジスト，ポリイミド等の
塗布液３２を滴下する（図３（Ａ）参照）。
法の第三の実施例を示している。即ち、図３において、
先づ真空チャックで吸着され且つ前以てエアー吹き付け
等によって表面の塵埃が除去されたウェハ３０の表面中
央に、ノズル３１を介して、レジスト，ポリイミド等の
塗布液３２を滴下する（図３（Ａ）参照）。
【００２１】その後、ウェハ３０が図示しない回転駆動
機構によって低速回転せしめられる。これにより、ウェ
ハ３０の表面に滴下された塗布液３２は、溶剤が蒸発し
ない状態のうちに、該ウェハ３０の低速回転の遠心力に
よって、強制的に半径方向外側に向かって流れることに
より、ウェハ３０の表面全体に亘って塗布されることに
なる（図３（Ｂ）参照）。
機構によって低速回転せしめられる。これにより、ウェ
ハ３０の表面に滴下された塗布液３２は、溶剤が蒸発し
ない状態のうちに、該ウェハ３０の低速回転の遠心力に
よって、強制的に半径方向外側に向かって流れることに
より、ウェハ３０の表面全体に亘って塗布されることに
なる（図３（Ｂ）参照）。
【００２２】この低速回転が所定時間、例えば数秒乃至
数十秒間継続されることにより、塗布液３２は、上記遠
心力によって、ウェハ３０の表面全体に亘ってほぼ均一
な厚さに塗布されると共に、塗布液３２中に含まれる溶
剤が、故意に蒸発を促進されることになるので、該塗布
液３２の粘度が高められることになる（図３（Ｃ）参
照）。
数十秒間継続されることにより、塗布液３２は、上記遠
心力によって、ウェハ３０の表面全体に亘ってほぼ均一
な厚さに塗布されると共に、塗布液３２中に含まれる溶
剤が、故意に蒸発を促進されることになるので、該塗布
液３２の粘度が高められることになる（図３（Ｃ）参
照）。
【００２３】最後に、ウェハ３０が高速回転せしめられ
ることにより、振り切り処理が行なわれる。これによ
り、ウェハ３０上の塗布液３２は、高速回転による遠心
力により、均一な厚さに平均化されると共に、余分な塗
布液３２が振り切られることになる（図２（Ｄ）参
照）。かくして、ウェハ３０の表面全体に亘って、例え
ば数千Å乃至数μｍの均一な厚さの塗布膜３３が形成さ
れ得ることになる。その際、前記低速回転によって塗布
液３２の粘度が高くなっていることから、そのまま高速
回転による振り切り処理が行なわれる場合に比較して、
より厚い膜厚の塗布膜３２が得られることになる。
ることにより、振り切り処理が行なわれる。これによ
り、ウェハ３０上の塗布液３２は、高速回転による遠心
力により、均一な厚さに平均化されると共に、余分な塗
布液３２が振り切られることになる（図２（Ｄ）参
照）。かくして、ウェハ３０の表面全体に亘って、例え
ば数千Å乃至数μｍの均一な厚さの塗布膜３３が形成さ
れ得ることになる。その際、前記低速回転によって塗布
液３２の粘度が高くなっていることから、そのまま高速
回転による振り切り処理が行なわれる場合に比較して、
より厚い膜厚の塗布膜３２が得られることになる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
粘度の塗布液の場合であっても、ウェハ表面全体に亘っ
て、均一な塗布膜が得られるようにした、極めて優れた
スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法が提供され得
ることになる。
粘度の塗布液の場合であっても、ウェハ表面全体に亘っ
て、均一な塗布膜が得られるようにした、極めて優れた
スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法が提供され得
ることになる。
【図１】本発明による半導体塗布膜形成方法の第一の実
施例の各工程を順次に示す（Ａ）〜（Ｄ）は概略図であ
る。
施例の各工程を順次に示す（Ａ）〜（Ｄ）は概略図であ
る。
【図２】本発明による半導体塗布膜形成方法の第二の実
施例の各工程を順次に示す（Ａ）〜（Ｃ）は概略図であ
る。
施例の各工程を順次に示す（Ａ）〜（Ｃ）は概略図であ
る。
【図３】本発明による半導体塗布膜形成方法の第三の実
施例の各工程を順次に示す（Ａ）〜（Ｄ）は概略図であ
る。
施例の各工程を順次に示す（Ａ）〜（Ｄ）は概略図であ
る。
【図４】従来の半導体塗布膜形成方法の一例の各工程を
順次に示す（Ａ）〜（Ｃ）は概略図である。
順次に示す（Ａ）〜（Ｃ）は概略図である。
１０，２０，３０ ウェハ １１，２１，３１ ノズル １２，２２，３２ 塗布液
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０５Ｄ 1/40 Ａ 7717−4Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】 回転可能に支持されたウェハの表面中央
部に、塗布液を滴下した後、該ウェハを高速回転させる
ことにより、遠心力によって、該塗布液をウェハの表面
全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り切るように
した、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法におい
て、 塗布液滴下時から高速回転までの間に、ウェハを低速ま
たは中速回転させる工程を備えていることを特徴とす
る、半導体塗布膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32606193A JPH07153677A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体塗布膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32606193A JPH07153677A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体塗布膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153677A true JPH07153677A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=18183680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32606193A Pending JPH07153677A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体塗布膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153677A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069823A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| CN107303706A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 东和株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型方法 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP32606193A patent/JPH07153677A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069823A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| CN107303706A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 东和株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型方法 |
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