JPH10339956A - ウエハのレジスト現像方法 - Google Patents
ウエハのレジスト現像方法Info
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- JPH10339956A JPH10339956A JP14923997A JP14923997A JPH10339956A JP H10339956 A JPH10339956 A JP H10339956A JP 14923997 A JP14923997 A JP 14923997A JP 14923997 A JP14923997 A JP 14923997A JP H10339956 A JPH10339956 A JP H10339956A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハ上に滴下される現像液中のマイクロバブ
ルをなくすことによって、ウエハ上の回路パターンの欠
陥を低減させ、良品の半導体チップを得る。 【解決手段】現像液に含まれている、もしくは現像液が
ウエハに接触するときに発生するマイクロバブルが、ウ
エハ中央部に溜まると、回転半径が小さく遠心力が小さ
いため、ウエハ外に振り切ることができない。そこで、
ウエハ中央部と外周部とでは遠心力が異なるため、現像
液を滴下する位置によって、ウエハの回転数を複数段階
に設定することで、ウエハ上のマイクロバブルを振り切
ることができる。
ルをなくすことによって、ウエハ上の回路パターンの欠
陥を低減させ、良品の半導体チップを得る。 【解決手段】現像液に含まれている、もしくは現像液が
ウエハに接触するときに発生するマイクロバブルが、ウ
エハ中央部に溜まると、回転半径が小さく遠心力が小さ
いため、ウエハ外に振り切ることができない。そこで、
ウエハ中央部と外周部とでは遠心力が異なるため、現像
液を滴下する位置によって、ウエハの回転数を複数段階
に設定することで、ウエハ上のマイクロバブルを振り切
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの製
造工程において、ウエハ面に形成されたマスクパターン
露光済みの感光性樹脂（以下レジストという）の現像方
法に関する。
造工程において、ウエハ面に形成されたマスクパターン
露光済みの感光性樹脂（以下レジストという）の現像方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造工程において、ウエ
ハ面に形成された露光済みレジストの現像処理を行うた
めに、現像液をレジスト面に滴下しウエハを回転させて
拡散塗布する工程がある。この現像工程において、滴下
された現像液中に気泡が入り込み、この気泡がウエハの
回転によっても飛散せずに現像液中に残存し、特にマイ
クロバブルと呼ばれる微小な気泡がウエハ上に残存して
しまう。
ハ面に形成された露光済みレジストの現像処理を行うた
めに、現像液をレジスト面に滴下しウエハを回転させて
拡散塗布する工程がある。この現像工程において、滴下
された現像液中に気泡が入り込み、この気泡がウエハの
回転によっても飛散せずに現像液中に残存し、特にマイ
クロバブルと呼ばれる微小な気泡がウエハ上に残存して
しまう。
【０００３】気泡が入り込む原因としては、最初から現
像液に含まれているもの、あるいは、滴下した現像液が
ウエハに接触する際に入り込むもの等がある。その結
果、レジストの現像が不十分となり、微細化が進む回路
パターンに欠陥が発生し、歩留まり低下を引き起こす原
因となっていた。
像液に含まれているもの、あるいは、滴下した現像液が
ウエハに接触する際に入り込むもの等がある。その結
果、レジストの現像が不十分となり、微細化が進む回路
パターンに欠陥が発生し、歩留まり低下を引き起こす原
因となっていた。
【０００４】このマイクロバブルが残存する原因として
は、現像液滴下時のウエハ回転数が１２０ｒｐｍと低速
回転であるため、ウエハの中心部と周辺部とでは回転半
径の違いによって遠心力に差が生じ、特に遠心力の小さ
い中心部では、マイクロバブルが振り切られずに残って
しまうことに原因している。
は、現像液滴下時のウエハ回転数が１２０ｒｐｍと低速
回転であるため、ウエハの中心部と周辺部とでは回転半
径の違いによって遠心力に差が生じ、特に遠心力の小さ
い中心部では、マイクロバブルが振り切られずに残って
しまうことに原因している。
【０００５】この遠心力の差によるマイクロバブルの残
存を解決するために、ウエハの回転中心位置を変えるこ
とによって、ウエハ面に働く遠心力をできるだけ均等に
しようとする提案がなされている。この提案（特開平７
−２１１６１１号公報）は、図５の構成図に示すよう
に、ウエハ３の中心を保持するスピンチャック４と、こ
のスピンチャック４から一定の距離を開けて別のスピン
チャック４ａを設けている。
存を解決するために、ウエハの回転中心位置を変えるこ
とによって、ウエハ面に働く遠心力をできるだけ均等に
しようとする提案がなされている。この提案（特開平７
−２１１６１１号公報）は、図５の構成図に示すよう
に、ウエハ３の中心を保持するスピンチャック４と、こ
のスピンチャック４から一定の距離を開けて別のスピン
チャック４ａを設けている。
【０００６】その動作は、ノズル１からウエハ３上に現
像液２を滴下後、スピンチャック４を回転させ、現像液
２をウエハ３全体に拡散させたところでスピンチャック
４ａを上昇させ、ウエハ３を偏心位置で保持すると同時
に、スピンチャック４を降下させてウエハ３から切り離
す。この状態でスピンチャック４ａを回転させるとウエ
ハ３は偏心回転し、ウエハ３の中心部に残っていた気泡
溜まりや液溜まりを周辺方向に拡散させることができる
ようになっている。
像液２を滴下後、スピンチャック４を回転させ、現像液
２をウエハ３全体に拡散させたところでスピンチャック
４ａを上昇させ、ウエハ３を偏心位置で保持すると同時
に、スピンチャック４を降下させてウエハ３から切り離
す。この状態でスピンチャック４ａを回転させるとウエ
ハ３は偏心回転し、ウエハ３の中心部に残っていた気泡
溜まりや液溜まりを周辺方向に拡散させることができる
ようになっている。
【０００７】また、別の提案（特開平８−１３８９９０
号公報）として、現像液の供給手段と、ウエハの回転速
度を可変にする手段とを組み合わせた塗布方法がある。
この方法は、まず、ウエハを高速で回転させながら中心
部に現像液をスプレー塗布し、その後、低速回転に切り
替えて別のノズルから同じく中心部に現像液を滴下して
液盛りし、回転を停止させて現像液の均一性を向上させ
る方法である。
号公報）として、現像液の供給手段と、ウエハの回転速
度を可変にする手段とを組み合わせた塗布方法がある。
この方法は、まず、ウエハを高速で回転させながら中心
部に現像液をスプレー塗布し、その後、低速回転に切り
替えて別のノズルから同じく中心部に現像液を滴下して
液盛りし、回転を停止させて現像液の均一性を向上させ
る方法である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
技術では、たとえウエハを偏心回転させても、ウエハ中
心部のマイクロバブルが外周部に拡散されるだけで、現
像欠陥の総数はほとんど減少していないという問題があ
る。また、回転数を変化させても、現像の面内均一性は
改善されるものの、マイクロバブルを完全に振り切るこ
とは難しいという問題がある。本発明は、現像液中のマ
イクロバブルをなくすことによって、ウエハ上の回路パ
ターンの欠陥を低減させ、良品の半導体チップを得るこ
とを目的とする。
技術では、たとえウエハを偏心回転させても、ウエハ中
心部のマイクロバブルが外周部に拡散されるだけで、現
像欠陥の総数はほとんど減少していないという問題があ
る。また、回転数を変化させても、現像の面内均一性は
改善されるものの、マイクロバブルを完全に振り切るこ
とは難しいという問題がある。本発明は、現像液中のマ
イクロバブルをなくすことによって、ウエハ上の回路パ
ターンの欠陥を低減させ、良品の半導体チップを得るこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスクパター
ンを露光したレジストが形成されたウエハを回転させ、
移動するノズルから現像液をウエハ面に滴下するウエハ
のレジスト現像方法において、ウエハ面に現像液を滴下
するときに、ウエハの回転数を低速回転から高速回転へ
と段階的に引き上げて行くことを特徴とするウエハのレ
ジスト現像方法である。
ンを露光したレジストが形成されたウエハを回転させ、
移動するノズルから現像液をウエハ面に滴下するウエハ
のレジスト現像方法において、ウエハ面に現像液を滴下
するときに、ウエハの回転数を低速回転から高速回転へ
と段階的に引き上げて行くことを特徴とするウエハのレ
ジスト現像方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実
施の形態を示す現像シーケンスのタイムチャートであ
る。図１において、Ａはウエハに対するノズル位置を示
し、はノズルの移動シーケンスを示している。例え
ば、８インチウエハにおいて、−３ｍｍはウエハ外、＋
３ｍｍはウエハ最外周、＋１１０ｍｍはウエハ中央部を
示す。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実
施の形態を示す現像シーケンスのタイムチャートであ
る。図１において、Ａはウエハに対するノズル位置を示
し、はノズルの移動シーケンスを示している。例え
ば、８インチウエハにおいて、−３ｍｍはウエハ外、＋
３ｍｍはウエハ最外周、＋１１０ｍｍはウエハ中央部を
示す。
【００１１】最初に、中心をスピンチャックしたウエハ
を１２０ｒｐｍで回転させる。ノズルは最初−３の位置
にあり、現像液のダミー滴下を１秒間行ったところで中
央部へ向かって最初２０ｍｍ／ｓ、次いで１５０ｍｍ／
ｓの速度で移動を開始し、それと同時に、Ｂの状態にお
いて急速にスピンモータの回転数を３０００ｒｐｍ／ｓ
の加速度で、ついで１００００ｒｐｍ／ｓの加速度で上
昇させる。
を１２０ｒｐｍで回転させる。ノズルは最初−３の位置
にあり、現像液のダミー滴下を１秒間行ったところで中
央部へ向かって最初２０ｍｍ／ｓ、次いで１５０ｍｍ／
ｓの速度で移動を開始し、それと同時に、Ｂの状態にお
いて急速にスピンモータの回転数を３０００ｒｐｍ／ｓ
の加速度で、ついで１００００ｒｐｍ／ｓの加速度で上
昇させる。
【００１２】０．３秒後にノズルがウエハ外周にきたと
ころで、ウエハは１０００ｒｐｍに達し、この状態でウ
エハ外周部に現像液が接液され、マイクロバブルを振り
切っている。さらに、ノズルがウエハ中央部に到達する
時点では、ウエハの回転数は３０００ｒｐｍまで上昇し
ており、０．７秒間維持する。これがＣの状態である。
ころで、ウエハは１０００ｒｐｍに達し、この状態でウ
エハ外周部に現像液が接液され、マイクロバブルを振り
切っている。さらに、ノズルがウエハ中央部に到達する
時点では、ウエハの回転数は３０００ｒｐｍまで上昇し
ており、０．７秒間維持する。これがＣの状態である。
【００１３】この状態でウエハ中央部の接液と、マイク
ロバブルの振り切りを行う。このウエハ中央部に現像液
を滴下するときの回転数は、１０００ｒｐｍから３００
０ｒｐｍが望ましい。これは、ウエハ上のマイクロバブ
ルの付着を減少させるとともに、高速回転で現像液が飛
散することによって発生するミストが、増加しない範囲
だからである。
ロバブルの振り切りを行う。このウエハ中央部に現像液
を滴下するときの回転数は、１０００ｒｐｍから３００
０ｒｐｍが望ましい。これは、ウエハ上のマイクロバブ
ルの付着を減少させるとともに、高速回転で現像液が飛
散することによって発生するミストが、増加しない範囲
だからである。
【００１４】その後、段階的に回転数を落として液盛り
を行い、正味の現像液滴下時間４．２秒で滴下を終了す
る。その後、パドル現像法を用いて、ウエハは１０ｒｐ
ｍ程度の低速回転と静止とを繰り返し、現像を進行させ
る。これがＤの状態である。パドル現像は６０秒間行
い、１秒間の低速回転と１９秒の静止とを３回繰り返
す。
を行い、正味の現像液滴下時間４．２秒で滴下を終了す
る。その後、パドル現像法を用いて、ウエハは１０ｒｐ
ｍ程度の低速回転と静止とを繰り返し、現像を進行させ
る。これがＤの状態である。パドル現像は６０秒間行
い、１秒間の低速回転と１９秒の静止とを３回繰り返
す。
【００１５】最後に、再びウエハを１０００ｒｐｍで高
速回転させ、約１５秒間のリンス処理を行い、現像液を
除去する。これがＥの状態である。引き続いて４０００
ｒｐｍで高速回転させ、約１０秒間のスピンドライを行
う。このＤ、Ｅの状態は、通常用いられている方法であ
る。
速回転させ、約１５秒間のリンス処理を行い、現像液を
除去する。これがＥの状態である。引き続いて４０００
ｒｐｍで高速回転させ、約１０秒間のスピンドライを行
う。このＤ、Ｅの状態は、通常用いられている方法であ
る。
【００１６】図２は、本発明の実施の形態における現像
液の滴下方法を説明する斜視図である。レジストを塗布
し、マスクパターンが露光済みのウエハ３をスピンチャ
ック４に保持し、現像時には、ノズル１をウエハ３の外
周方向から中央部に向けて移動させながら、現像液２を
吐出する。ウエハ中央部では、ウエハ外周部に比べて回
転半径が小さいため、ウエハを高速回転させることによ
って、マイクロバブルをウエハ外に振り切ることができ
る。
液の滴下方法を説明する斜視図である。レジストを塗布
し、マスクパターンが露光済みのウエハ３をスピンチャ
ック４に保持し、現像時には、ノズル１をウエハ３の外
周方向から中央部に向けて移動させながら、現像液２を
吐出する。ウエハ中央部では、ウエハ外周部に比べて回
転半径が小さいため、ウエハを高速回転させることによ
って、マイクロバブルをウエハ外に振り切ることができ
る。
【００１７】図３は、従来の現像方法と本発明との、ウ
エハ中央部における現像欠陥数を比較した図である。す
なわち、従来の現像液滴下時における回転数が１２０ｒ
ｐｍの場合と、高速回転を加えた本発明の場合との比較
である。レジスト現像の３工程であるフィールド形成工
程Ａ、ゲート形成工程Ｂ、配線形成工程Ｃにおける合計
のパターン欠陥数は、本発明では解消している。
エハ中央部における現像欠陥数を比較した図である。す
なわち、従来の現像液滴下時における回転数が１２０ｒ
ｐｍの場合と、高速回転を加えた本発明の場合との比較
である。レジスト現像の３工程であるフィールド形成工
程Ａ、ゲート形成工程Ｂ、配線形成工程Ｃにおける合計
のパターン欠陥数は、本発明では解消している。
【００１８】図４は、従来の現像方法と本発明との、半
導体チップの良品収率を比較した図である。従来の収率
を１とすると、ウエハ中央部において約６％、ウエハ外
周部において約３％の収率向上が得られている。
導体チップの良品収率を比較した図である。従来の収率
を１とすると、ウエハ中央部において約６％、ウエハ外
周部において約３％の収率向上が得られている。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、現像液をウエハ面に滴下する
ときに、最初にウエハを１２０ｒｐｍの低速で回転さ
せ、ノズルがウエハ外から中央方向へ移動しながらウエ
ハ外周部に現像液を滴下すると同時に、スピンモータの
回転数を急速に１０００ｒｐｍに上げ、これで、ウエハ
外周部に滴下された現像液のマイクロバブルを振り切っ
ている。次いで、ノズルがウエハ中央部に到達する時点
では、スピンモータの回転数を３０００ｒｐｍまで上
げ、これで、中央部に滴下された現像液のマイクロバブ
ルを振り切っている。その結果、ウエハ上の回路パター
ンの欠陥数を低減でき、良品の半導体チップを得ること
ができる。
ときに、最初にウエハを１２０ｒｐｍの低速で回転さ
せ、ノズルがウエハ外から中央方向へ移動しながらウエ
ハ外周部に現像液を滴下すると同時に、スピンモータの
回転数を急速に１０００ｒｐｍに上げ、これで、ウエハ
外周部に滴下された現像液のマイクロバブルを振り切っ
ている。次いで、ノズルがウエハ中央部に到達する時点
では、スピンモータの回転数を３０００ｒｐｍまで上
げ、これで、中央部に滴下された現像液のマイクロバブ
ルを振り切っている。その結果、ウエハ上の回路パター
ンの欠陥数を低減でき、良品の半導体チップを得ること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す現像シーケンスのタ
イムチャートである。
イムチャートである。
【図２】本発明の実施の形態における現像液の滴下方法
を説明する斜視図である。
を説明する斜視図である。
【図３】従来と本発明との、ウエハ中央部における現像
欠陥数を比較した図である。
欠陥数を比較した図である。
【図４】従来と本発明との、半導体チップの良品収率を
比較した図である。
比較した図である。
【図５】従来の現像方法を説明する装置の構成図であ
る。
る。
１ ノズル ２ 現像液 ３ ウエハ ４、４ａ スピンチャック
Claims (5)
- 【請求項１】 マスクパターンを露光したレジストが形
成されているウエハを回転させ、移動するノズルから現
像液をウエハ面に滴下するウエハのレジスト現像方法に
おいて、ウエハ面に現像液を滴下するときに、ウエハの
回転数を低速回転から高速回転へと段階的に引き上げて
行くことを特徴とするウエハのレジスト現像方法。 - 【請求項２】 前記ノズルをウエハ外周部から中央部に
向けて移動させることを特徴とする請求項１記載のウエ
ハのレジスト現像方法。 - 【請求項３】 低速回転しているウエハの外周部に現像
液の滴下が開始されると同時に高速回転を開始すること
を特徴とする請求項１記載のウエハのレジスト現像方
法。 - 【請求項４】 前記高速回転は１０００ｒｐｍから３０
００ｒｐｍであることを特徴とする請求項３記載のウエ
ハのレジスト現像方法。 - 【請求項５】 前記ノズルがウエハ中央部に到達する時
点までに、回転数を３０００ｒｐｍに上昇させることを
特徴とする請求項３記載のウエハのレジスト現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14923997A JPH10339956A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | ウエハのレジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14923997A JPH10339956A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | ウエハのレジスト現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339956A true JPH10339956A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15470932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14923997A Pending JPH10339956A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | ウエハのレジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10339956A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485541B1 (ko) * | 2002-08-12 | 2005-04-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 현상장비의 현상액 분사장치 |
| JP2008016708A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 処理液塗布装置 |
| JP2009231617A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| JP2009231618A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| JP2009231619A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016111345A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
| DE102014210882B4 (de) * | 2013-06-13 | 2019-11-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14923997A patent/JPH10339956A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485541B1 (ko) * | 2002-08-12 | 2005-04-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 현상장비의 현상액 분사장치 |
| JP2008016708A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 処理液塗布装置 |
| JP2009231617A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| JP2009231618A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| JP2009231619A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| DE102014210882B4 (de) * | 2013-06-13 | 2019-11-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016111345A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991221 |