JP4342957B2 - 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施の形態による現像処理装置の概略構成を示す図である。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施形態の現像処理装置は第1の実施の形態と同一の装置を用いており、ここでは装置構成の説明は割愛する。
2 半導体基板
3 フォトレジスト膜
4 回転軸
5 スピンチャック
6 現像液
7 現像液供給ノズル
8 リンス液供給ノズル
9 現像カップ
Claims (3)
- 現像処理されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させながら、該半導体基板の洗浄および乾燥を行う、半導体製造プロセスにおける現像処理方法において、
前記半導体基板に、ノズルからリンス液として純水を滴下しながら、前記半導体基板を回転させて前記半導体基板上にある現像液を洗浄する洗浄工程と、
前記半導体基板の回転数を減少させて、該回転数が20rpmまで減少した後に、前記純水の滴下を中止することで前記半導体基板上に前記純水のパドルを形成する工程と、
前記純水のパドルが形成された前記半導体基板の回転数を増加させることで前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程と、を含み、
前記純水のパドルを形成する工程で、前記純水のパドルが形成されている間に、前記ノズルを前記半導体基板の上方から退避させることを特徴とする半導体製造プロセスにおける現像処理方法。 - 現像処理されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させながら、該半導体基板の洗浄および乾燥を行う、半導体製造プロセスにおける現像処理方法において、
前記半導体基板に、ノズルからリンス液として純水を滴下しながら、前記半導体基板を第1の回転数で回転させ、さらに該第1の回転数よりも多い第2の回転数で前記半導体基板を回転させる洗浄工程と、
前記半導体基板の回転数を前記第1の回転数よりも少ない第3の回転数まで減少させ、前記純水の滴下を中止することで前記半導体基板上に前記純水のパドルを形成する工程と、
前記第3の回転数で前記半導体基板を回転させている状態から、前記第2の回転数よりも多い第4の回転数で前記半導体基板を回転させることで前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程と、を含み、
前記第3の回転数は20rpmであり、
前記純水のパドルを形成する工程で、前記第3の回転数で前記半導体基板を回転させている間に、前記ノズルを前記半導体基板の上方から退避させることを特徴とする、半導体製造プロセスにおける現像処理方法。 - 請求項1または2の現像処理方法を実施する現像処理装置であって、
現像処理されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を保持する保持手段と、前記半導体基板の前記フォトレジスト膜を上方に向けた状態で前記保持手段を回転する回転手段とを容器内に備え、前記純水の滴下を行うノズルが前記半導体基板の上方と前記容器の外との間を移動自在である現像処理装置。
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