JPH0855781A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH0855781A JPH0855781A JP21207494A JP21207494A JPH0855781A JP H0855781 A JPH0855781 A JP H0855781A JP 21207494 A JP21207494 A JP 21207494A JP 21207494 A JP21207494 A JP 21207494A JP H0855781 A JPH0855781 A JP H0855781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- revolutions
- spin chuck
- developing
- rinse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストパターン形成後の半導体基板にてパ
ーティクルの付着を有効に防止し得る現像方法を提供す
る。 【構成】 現像装置１０のスピンチャック１４に搭載し
た被処理基板１１の表面に形成されたレジスト膜１２に
現像液１５を滴下し、表面張力を利用して現像液１５を
レジスト膜１２の表面に保持してそのレジスト膜１２を
現像する第１の工程と、第１の工程の後、リンス液をレ
ジスト膜１２に滴下しながら、スピンチャック１４を第
１の回転数で回転させる第２の工程と、第２の工程の
後、リンス液の滴下を中止した状態にて、スピンチャッ
ク１４を第２の回転数で回転させて被処理基板１１上の
パーティクルを飛散させる第３の工程と、第３の工程の
後、第１及び第２の回転数よりも大きい第３の回転数
で、スピンチャック１４を回転させて被処理基板１１を
乾燥させる第４の工程と、を具備する。
ーティクルの付着を有効に防止し得る現像方法を提供す
る。 【構成】 現像装置１０のスピンチャック１４に搭載し
た被処理基板１１の表面に形成されたレジスト膜１２に
現像液１５を滴下し、表面張力を利用して現像液１５を
レジスト膜１２の表面に保持してそのレジスト膜１２を
現像する第１の工程と、第１の工程の後、リンス液をレ
ジスト膜１２に滴下しながら、スピンチャック１４を第
１の回転数で回転させる第２の工程と、第２の工程の
後、リンス液の滴下を中止した状態にて、スピンチャッ
ク１４を第２の回転数で回転させて被処理基板１１上の
パーティクルを飛散させる第３の工程と、第３の工程の
後、第１及び第２の回転数よりも大きい第３の回転数
で、スピンチャック１４を回転させて被処理基板１１を
乾燥させる第４の工程と、を具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
におけるリソグラフィーに関し、特に半導体基板に塗布
及び露光されたフォトレジスト膜の現像方法に関する。
におけるリソグラフィーに関し、特に半導体基板に塗布
及び露光されたフォトレジスト膜の現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の現像方法を図４に基づき説明す
る。この図４は、従来の現像方法により被処理基板を現
像するための工程を示している。なおこの例は、パドル
方式にてレジスト膜を現像する方法である。
る。この図４は、従来の現像方法により被処理基板を現
像するための工程を示している。なおこの例は、パドル
方式にてレジスト膜を現像する方法である。
【０００３】図４（Ａ）において、レジスト膜２の塗
布，露光が終了した半導体基板１は、回転可能な真空チ
ャック３上に固定され、先ず、半導体基板１の中心上に
誘導された現像液ノズル４から現像液５を滴下する。次
に、真空チャック３を低速で短時間回転させることによ
り、現像液５を半導体基板１の全面上に行き渡らせ、且
つ表面張力によって盛る。
布，露光が終了した半導体基板１は、回転可能な真空チ
ャック３上に固定され、先ず、半導体基板１の中心上に
誘導された現像液ノズル４から現像液５を滴下する。次
に、真空チャック３を低速で短時間回転させることによ
り、現像液５を半導体基板１の全面上に行き渡らせ、且
つ表面張力によって盛る。
【０００４】次いで、図４（Ｂ）において、真空チャッ
ク３の回転を停止し、半導体基板１上に盛られている現
像液５によって所定時間だけレジスト膜２の現像を行
う。なお、図において、６はレジストが除去された開孔
である。
ク３の回転を停止し、半導体基板１上に盛られている現
像液５によって所定時間だけレジスト膜２の現像を行
う。なお、図において、６はレジストが除去された開孔
である。
【０００５】次に、図４（Ｃ）において、真空チャック
３を中速で回転させることにより、現像液５を振り跳ば
した後、半導体基板１の中心上に誘導した水洗ノズル７
から純水８を注下し、現像液５を洗い落とす。そして、
図４（Ｃ）において、所定時間水洗を行った後、純水８
の注下を停止し、真空チャック３を高速で回転させるこ
とにより、半導体基板１のスピン乾燥が行われるという
ものである。
３を中速で回転させることにより、現像液５を振り跳ば
した後、半導体基板１の中心上に誘導した水洗ノズル７
から純水８を注下し、現像液５を洗い落とす。そして、
図４（Ｃ）において、所定時間水洗を行った後、純水８
の注下を停止し、真空チャック３を高速で回転させるこ
とにより、半導体基板１のスピン乾燥が行われるという
ものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
現像方法では、レジストが溶解した現像液５をリンス液
（純水８）によって十分に置換することができないた
め、そのリンス液中に残存したレジストを半導体基板１
の周囲に押しやることができず、半導体基板１に再付着
してしまう。そして、その残存レジストが、乾燥後の半
導体基板１上にパーティクルとして付着するという問題
があった。そして、このようにパーティクルが付着する
と、その後の工程おいて半導体装置の品質不良をもたら
す原因を生じさせる。
現像方法では、レジストが溶解した現像液５をリンス液
（純水８）によって十分に置換することができないた
め、そのリンス液中に残存したレジストを半導体基板１
の周囲に押しやることができず、半導体基板１に再付着
してしまう。そして、その残存レジストが、乾燥後の半
導体基板１上にパーティクルとして付着するという問題
があった。そして、このようにパーティクルが付着する
と、その後の工程おいて半導体装置の品質不良をもたら
す原因を生じさせる。
【０００７】そこで、本発明は、レジストパターン形成
後の半導体基板にてパーティクルの付着を有効に防止し
得る現像方法を提供することを目的とする。
後の半導体基板にてパーティクルの付着を有効に防止し
得る現像方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の現像方法は、現
像装置のスピンチャックに搭載した被処理基板の表面に
形成されたレジスト膜に現像液を滴下し、表面張力を利
用して前記現像液を前記レジスト膜の表面に保持してそ
のレジスト膜を現像する第１の工程と、第１の工程の
後、リンス液を前記レジスト膜に滴下しながら、前記ス
ピンチャックを第１の回転数で回転させる第２の工程
と、第２の工程の後、前記リンス液の滴下を中止した状
態にて、前記スピンチャックを第２の回転数で回転させ
て前記被処理基板上のパーティクルを飛散させる第３の
工程と、第３の工程の後、前記第１及び第２の回転数よ
りも大きい第３の回転数で、前記スピンチャックを回転
させて前記被処理基板を乾燥させる第４の工程と、を具
備するものである。
像装置のスピンチャックに搭載した被処理基板の表面に
形成されたレジスト膜に現像液を滴下し、表面張力を利
用して前記現像液を前記レジスト膜の表面に保持してそ
のレジスト膜を現像する第１の工程と、第１の工程の
後、リンス液を前記レジスト膜に滴下しながら、前記ス
ピンチャックを第１の回転数で回転させる第２の工程
と、第２の工程の後、前記リンス液の滴下を中止した状
態にて、前記スピンチャックを第２の回転数で回転させ
て前記被処理基板上のパーティクルを飛散させる第３の
工程と、第３の工程の後、前記第１及び第２の回転数よ
りも大きい第３の回転数で、前記スピンチャックを回転
させて前記被処理基板を乾燥させる第４の工程と、を具
備するものである。
【０００９】
【作用】本発明方法によれば、リンス後の乾燥時におい
て被処理基板である半導体基板の回転数を低速度から連
続的に、或いは２段階以上に変化させて高くするため、
現像液中に溶解した半導体基板上のレジストがその周囲
に押しやられる。これによりレジストが半導体基板に再
付着するのを防ぎ、現像後のパーティクル付着を抑制す
ることができる。
て被処理基板である半導体基板の回転数を低速度から連
続的に、或いは２段階以上に変化させて高くするため、
現像液中に溶解した半導体基板上のレジストがその周囲
に押しやられる。これによりレジストが半導体基板に再
付着するのを防ぎ、現像後のパーティクル付着を抑制す
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１〜図３に基づき、本発明の現像方
法の好適な実施例を説明する。先ず、図１は、本発明方
法に使用する現像装置１０の概略構成を示している。図
において、１１は処理されるべき半導体基板、１２は半
導体基板１１上のレジスト膜、１３は現像装置１０内の
所定位置に配置された回転軸、１４はこの回転軸１３に
接続され、半導体基板１１を保持するためのスピンチャ
ック、１５は半導体基板１１上に盛られた現像液、１６
は現像液供給ノズル、そして１７はリンス液供給ノズル
である。
法の好適な実施例を説明する。先ず、図１は、本発明方
法に使用する現像装置１０の概略構成を示している。図
において、１１は処理されるべき半導体基板、１２は半
導体基板１１上のレジスト膜、１３は現像装置１０内の
所定位置に配置された回転軸、１４はこの回転軸１３に
接続され、半導体基板１１を保持するためのスピンチャ
ック、１５は半導体基板１１上に盛られた現像液、１６
は現像液供給ノズル、そして１７はリンス液供給ノズル
である。
【００１１】現像装置１０において、レジスト膜１２が
塗布され、選択的に露光された半導体基板１１は、スピ
ンチャック１４によって吸着・保持されている。この状
態でスピンチャック１４の上方に配置されている現像液
供給ノズル１６から、半導体基板１１上へ適量の現像液
１５が滴下される。そして現像液１５は、表面張力によ
って図示のように半導体基板１１上に液盛され、その後
この状態に一定時間だけ保持されることにより、レジス
ト膜１２の現像が行われる。
塗布され、選択的に露光された半導体基板１１は、スピ
ンチャック１４によって吸着・保持されている。この状
態でスピンチャック１４の上方に配置されている現像液
供給ノズル１６から、半導体基板１１上へ適量の現像液
１５が滴下される。そして現像液１５は、表面張力によ
って図示のように半導体基板１１上に液盛され、その後
この状態に一定時間だけ保持されることにより、レジス
ト膜１２の現像が行われる。
【００１２】この現像の後、スピンチャック１４の上方
に配置されているリンス液供給ノズル１７からリンス液
としての純水を滴下しながら、スピンチャック１４を回
転させることにより、半導体基板１１の洗浄が行われ
る。
に配置されているリンス液供給ノズル１７からリンス液
としての純水を滴下しながら、スピンチャック１４を回
転させることにより、半導体基板１１の洗浄が行われ
る。
【００１３】ここで、図２は、スピンチャック１４、つ
まり半導体基板１１を回転させる際の回転軸１３の回転
数の変化の例を示している。リンス液供給時において、
先ず最初の数秒間では図２の実線により示されるよう
に、１０００〜２０００ｒｐｍ程度の高速回転（第１の
回転数）が行われる。このリンス液供給時に回転軸１３
をそのような高速で長時間回転させると、周囲からの跳
ね返りにより半導体基板１１にパーティクルが付着する
ため、数秒間だけ高速回転を行う。
まり半導体基板１１を回転させる際の回転軸１３の回転
数の変化の例を示している。リンス液供給時において、
先ず最初の数秒間では図２の実線により示されるよう
に、１０００〜２０００ｒｐｍ程度の高速回転（第１の
回転数）が行われる。このリンス液供給時に回転軸１３
をそのような高速で長時間回転させると、周囲からの跳
ね返りにより半導体基板１１にパーティクルが付着する
ため、数秒間だけ高速回転を行う。
【００１４】次いで、回転軸１３によるスピンチャック
１４の回転数は、３００ｒｐｍ程度まで落とされ、引き
続きリンス液による洗浄が行われる。なお、図２におい
てリンス液供給ノズル１７からのリンス液の供給の有無
に対応して、実線及び点線により示されている。所定時
間経過後、リンス液供給ノズル１７からのリンス液の滴
下を中止し、この中止した状態で図２の点線により示さ
れるようにスピンチャック１４の回転数は、３００ｒｐ
ｍから５００ｒｐｍ程度（第２の回転数）に上げられ
る。この第２の回転数にて半導体基板１１に付着してい
るパーティクルを飛散させる。この後、スピンチャック
１４の回転数は、第２の回転数から更に４０００ｒｐｍ
程度（第３の回転数）に上げられ、これにより半導体基
板１１を乾燥させる。この場合、第３の回転数は、第１
及び第２の回転数よりも大きく設定される。
１４の回転数は、３００ｒｐｍ程度まで落とされ、引き
続きリンス液による洗浄が行われる。なお、図２におい
てリンス液供給ノズル１７からのリンス液の供給の有無
に対応して、実線及び点線により示されている。所定時
間経過後、リンス液供給ノズル１７からのリンス液の滴
下を中止し、この中止した状態で図２の点線により示さ
れるようにスピンチャック１４の回転数は、３００ｒｐ
ｍから５００ｒｐｍ程度（第２の回転数）に上げられ
る。この第２の回転数にて半導体基板１１に付着してい
るパーティクルを飛散させる。この後、スピンチャック
１４の回転数は、第２の回転数から更に４０００ｒｐｍ
程度（第３の回転数）に上げられ、これにより半導体基
板１１を乾燥させる。この場合、第３の回転数は、第１
及び第２の回転数よりも大きく設定される。
【００１５】ここで、図３は、本発明方法に対する比較
例におけるスピンチャック１４の回転数の変化の例を示
している。なお、この比較例においても本発明方法に係
る現像装置１０により行うものとする。
例におけるスピンチャック１４の回転数の変化の例を示
している。なお、この比較例においても本発明方法に係
る現像装置１０により行うものとする。
【００１６】その表面に現像されたレジスト膜を有する
半導体基板１１を保持するスピンチャック１４は、最初
の数秒間では図３において実線により示されるように、
高速回転（１０００〜２０００ｒｐｍ程度）されなが
ら、純水によって洗浄される。引き続きスピンチャック
１４を３００ｒｐｍの回転数にて４６秒間回転させて、
半導体基板１１を純水によって洗浄する。この後、スピ
ンチャック１４を４０００ｒｐｍにて高速回転すること
により、半導体基板１１を乾燥させる。
半導体基板１１を保持するスピンチャック１４は、最初
の数秒間では図３において実線により示されるように、
高速回転（１０００〜２０００ｒｐｍ程度）されなが
ら、純水によって洗浄される。引き続きスピンチャック
１４を３００ｒｐｍの回転数にて４６秒間回転させて、
半導体基板１１を純水によって洗浄する。この後、スピ
ンチャック１４を４０００ｒｐｍにて高速回転すること
により、半導体基板１１を乾燥させる。
【００１７】この比較例においては、リンス洗浄時間は
本発明方法の場合よりもかなり長く設定されており、こ
のように長時間かけてリンス洗浄を行うことにより、半
導体基板１１表面のパーティクルを本発明と同程度に飛
散させることができる。つまり、この比較例では純水に
よって半導体基板１１を洗浄する際に、現像液１５中に
残存している（未溶解）レジストはそのリンス液と一緒
にウェハ周辺から追い出される。
本発明方法の場合よりもかなり長く設定されており、こ
のように長時間かけてリンス洗浄を行うことにより、半
導体基板１１表面のパーティクルを本発明と同程度に飛
散させることができる。つまり、この比較例では純水に
よって半導体基板１１を洗浄する際に、現像液１５中に
残存している（未溶解）レジストはそのリンス液と一緒
にウェハ周辺から追い出される。
【００１８】さて、本発明方法において、図２に示した
ようにリンス洗浄後、リンス液なしの状態でスピンチャ
ック１４を３００〜５００ｒｐｍ程度の回転数で回転さ
せることにより、半導体基板１１表面のパーティクルを
飛散させることができる（なお、このように半導体基板
１１を一定の回転数にて回転させると、その表面のパー
ティクルを飛散させ易くなる）。また、パーティクル飛
散に要する時間については、本発明方法において６秒間
（図２参照）であるに対して、比較例においては、時間
１８秒乃至４９秒の間の３１秒間と極めて長い。つま
り、本発明方法によれば、パーティクル飛散時間を実質
的に１／５に短縮することができる。
ようにリンス洗浄後、リンス液なしの状態でスピンチャ
ック１４を３００〜５００ｒｐｍ程度の回転数で回転さ
せることにより、半導体基板１１表面のパーティクルを
飛散させることができる（なお、このように半導体基板
１１を一定の回転数にて回転させると、その表面のパー
ティクルを飛散させ易くなる）。また、パーティクル飛
散に要する時間については、本発明方法において６秒間
（図２参照）であるに対して、比較例においては、時間
１８秒乃至４９秒の間の３１秒間と極めて長い。つま
り、本発明方法によれば、パーティクル飛散時間を実質
的に１／５に短縮することができる。
【００１９】上記実施例において、パーティクルを飛散
させ易いスピンチャック１４の回転数（好適には、５０
０ｒｐｍ）以外の回転数であっても、実質的にパーティ
クルを飛散させることができれば、その回転数を採用し
てもよい。また、初期の回転数として３００ｒｐｍに限
ることはなく、スピンチャック１４に真空吸着させた露
光済みの半導体基板１１上に表面張力によって液盛した
現像液をリンス液によりリンスした後、該半導体基板１
１を支持しているスピンチャック１４を回転させながら
リンス液を乾燥させる際に、スピンチャック１４の回転
数を、半導体基板１１表面のパーティクルを飛散させ得
る回転数（０よりも速く、１０００ｒｐｍ以下）から半
導体基板１１を乾燥させ得る回転数（３０００ｒｐｍ以
上、３０００ｒｐｍ以下）まで２段階以上に分けてステ
ップ状に上昇させ、或いは低速回転から高速回転まで加
速度１０００ｒｐｍ／ｓｅｃ以下で上昇させるようにし
てもよい。
させ易いスピンチャック１４の回転数（好適には、５０
０ｒｐｍ）以外の回転数であっても、実質的にパーティ
クルを飛散させることができれば、その回転数を採用し
てもよい。また、初期の回転数として３００ｒｐｍに限
ることはなく、スピンチャック１４に真空吸着させた露
光済みの半導体基板１１上に表面張力によって液盛した
現像液をリンス液によりリンスした後、該半導体基板１
１を支持しているスピンチャック１４を回転させながら
リンス液を乾燥させる際に、スピンチャック１４の回転
数を、半導体基板１１表面のパーティクルを飛散させ得
る回転数（０よりも速く、１０００ｒｐｍ以下）から半
導体基板１１を乾燥させ得る回転数（３０００ｒｐｍ以
上、３０００ｒｐｍ以下）まで２段階以上に分けてステ
ップ状に上昇させ、或いは低速回転から高速回転まで加
速度１０００ｒｐｍ／ｓｅｃ以下で上昇させるようにし
てもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ソグラフィー工程において現像液中に溶解したレジスト
が基板上に再付着することがなく、レジストパターン形
成後の半導体基板上のパーティクルを減少させることが
でき、従って半導体基板にてパーティクルの付着を有効
に防止することができる等の利点を有している。
ソグラフィー工程において現像液中に溶解したレジスト
が基板上に再付着することがなく、レジストパターン形
成後の半導体基板上のパーティクルを減少させることが
でき、従って半導体基板にてパーティクルの付着を有効
に防止することができる等の利点を有している。
【図１】本発明方法に使用する現像装置の概略構成を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に係るスピンチャックを回転させる際の
回転軸の回転数の変化の例を示す図である。
回転軸の回転数の変化の例を示す図である。
【図３】本発明に対する比較例における回転軸の回転数
の変化の例を示す図である。
の変化の例を示す図である。
【図４】従来の現像方法に使用する現像装置の概略構成
を示す図である。
を示す図である。
【符号の説明】 １０ 現像装置 １１ 半導体基板 １２ レジスト膜 １３ 回転軸 １４ スピンチャック １５ 現像液 １６ 現像液供給ノズル １７ リンス液供給ノズル
Claims (1)
- 【請求項１】 現像装置のスピンチャックに搭載した被
処理基板の表面に形成されたレジスト膜に現像液を滴下
し、表面張力を利用して前記現像液を前記レジスト膜の
表面に保持してそのレジスト膜を現像する第１の工程
と、 第１の工程の後、リンス液を前記レジスト膜に滴下しな
がら、前記スピンチャックを第１の回転数で回転させる
第２の工程と、 第２の工程の後、前記リンス液の滴下を中止した状態に
て、前記スピンチャックを第２の回転数で回転させて前
記被処理基板上のパーティクルを飛散させる第３の工程
と、 第３の工程の後、前記第１及び第２の回転数よりも大き
い第３の回転数で、前記スピンチャックを回転させて前
記被処理基板を乾燥させる第４の工程と、を具備するこ
とを特徴とする現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21207494A JP3602164B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21207494A JP3602164B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855781A true JPH0855781A (ja) | 1996-02-27 |
| JP3602164B2 JP3602164B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=16616439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21207494A Expired - Lifetime JP3602164B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3602164B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| KR100539188B1 (ko) * | 1998-11-18 | 2005-12-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 현상처리장치 및 현상처리방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107450285A (zh) * | 2017-09-22 | 2017-12-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显影设备 |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP21207494A patent/JP3602164B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| KR100539188B1 (ko) * | 1998-11-18 | 2005-12-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 현상처리장치 및 현상처리방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3602164B2 (ja) | 2004-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0794463B1 (en) | Resist develop process having a post develop dispense step | |
| JP2007019161A (ja) | パターン形成方法及び被膜形成装置 | |
| JPH0945750A (ja) | 板状物保持部材およびそれを用いた回転処理装置 | |
| JP3899854B2 (ja) | 現像方法 | |
| JPH0855781A (ja) | 現像方法 | |
| JPH1020508A (ja) | 基板の現像処理方法および装置 | |
| JPH10339956A (ja) | ウエハのレジスト現像方法 | |
| JP2002184679A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1092734A (ja) | レジスト材料の塗布方法 | |
| JP3169666B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JP4342957B2 (ja) | 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 | |
| JP2891951B2 (ja) | フォトレジスト現像装置 | |
| JP2002075834A (ja) | 半導体製造工程における現像方法 | |
| JP3719843B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH03215867A (ja) | ポジレジストの現像処理方法 | |
| JP2000077293A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JP2908224B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JP2001118778A (ja) | 薬液処理方法及び装置 | |
| JPS5888749A (ja) | 現像装置 | |
| JP3360052B2 (ja) | 現像装置 | |
| JPH10199791A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JP2002367889A (ja) | 現像装置 | |
| KR20000042115A (ko) | 포토마스킹의 현상 방법 및 그 장치 | |
| JPH088210B2 (ja) | 現像方法 | |
| JPH11238676A (ja) | レジストの現像方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040914 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040922 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071001 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |