JP2005101497A - 現像方法 - Google Patents

現像方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005101497A
JP2005101497A JP2004032897A JP2004032897A JP2005101497A JP 2005101497 A JP2005101497 A JP 2005101497A JP 2004032897 A JP2004032897 A JP 2004032897A JP 2004032897 A JP2004032897 A JP 2004032897A JP 2005101497 A JP2005101497 A JP 2005101497A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
nozzle
chuck
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004032897A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4157481B2 (ja
Inventor
Chen Tang Lin
林正堂
Chung Chih Yeh
葉宗智
Ko Wei Peng
彭克偉
Ming Feng Wu
呉明鋒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mosel Vitelic Inc
Original Assignee
Mosel Vitelic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mosel Vitelic Inc filed Critical Mosel Vitelic Inc
Publication of JP2005101497A publication Critical patent/JP2005101497A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4157481B2 publication Critical patent/JP4157481B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03DAPPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03D5/00Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected

Abstract

【課題】従来技術に見られる諸欠点を回避しながら、現像溶液のウエファ上での残留を効果的に防止する。
【解決手段】現像プロセスのために提供された反応空間中に露出フォトレジストを具えたウエファを配置し、ウエファの表面上に現像溶液をコーチングし、ウエファを回転し、ウエファの上下面を洗浄し、特定時間に亙りウエファの上面の洗浄を止め、下面は洗浄を続ける。また露出フォトレジストを具えたウエファをコーチング装置のチャック上に配置し、ウエファの表面上に現像溶液をコーチングし、ウエファを回転してコーチング装置を抜気してウエファと溝の外壁との間に水壁を形成し、ウエファの上下面をノズルにより洗浄し、特定時間に亙ってウエファの上面の洗浄を止めるとともに下面の洗浄は続け、これによりウエファの下面上に残っている汚れを除く。
【選択図】図2

Description

この発明は現像方法に関するものであり、特にウエファの下面上における現像溶液の残留を防止する方法に関するものである。
図1に示すのは従来の現像コーチング装置の一例である。該装置は回転チャック11とカップ12と外壁13と現像溶液ノズル14と洗浄溶液ノズル15、17を有している。チャック11は現像コーチング装置の反応空間内に配置されており、かつウエファ2をチャック11上に保持する図示しない真空ポンプを具えている。
加えてチャック11は図示しないモーターの回転軸に連結されており、昇降機構により上昇可能に支持されている。該モーターと昇降機構と真空ポンプとは全てチャック11を動作させ制御する外部制御器に連結されている。
外壁13がチャック11を囲繞して反応空間を形成している。抜気通路16が外壁13の底部に配置されている。カップ12は外壁13により形成される反応空間内に配置されており、チャック11は反応空間の中央に配置されている。さらにカップ12は第1の内壁121と第2の内壁122を具えている。
この結果、第1と第2の内壁121、122の間に溝123が形成される。現像溶液ノズル14と洗浄溶液ノズル17とはともにチャック11の上側に配置されて、現像プロセス中にウエファ2に必要な現像溶液と洗浄溶液とを提供する。第2の洗浄溶液ノズル15はカップ12上で第2の内壁122近くに配置され、ウエファ2の下面を洗浄すべく洗浄溶液を提供する。
一実施例においては、洗浄溶液、例えば純水がノズルによりスプレーされるが、ウエファ2の下面上に残留する現像溶液は完全には除くことはできない。この主な理由は、両内壁121、122および溝123がウエファ2の下面とカップ12との間の隙間を通って現像溶液の一部が流れることを完全に防止できないからであり、これにより一部の現像溶液がウエファ2の下面上にまだ残留する。
従来方法では第2の洗浄溶液ノズル15を採用して、ウエファ2の下面を洗浄しているが、第2の洗浄溶液ノズル15は流れている現像溶液に達することができず、現像溶液が第2の洗浄溶液ノズル15を通ってチャック11内に流れ込む。さらに第2の洗浄溶液ノズル15のみでは汚れが残ることを効果的には防止できない。
現像溶液がウエファの下面上に残留する問題を低減すべく、いくつかの従来技術が提供されているが、その効率は限られたものである。以下にその例を挙げる。
(1)チェックと洗浄を徐々に着実に行う。現像プロセスが完了した後で各ウエファを取り出してチェックする。ウエファ上に汚れが残っていたらウエファの下面を再度洗浄する。にも拘わらず作業員の不注意で適正でない表面を洗浄することが非常に起き易く、上面の回路が破壊される。加えてウエファを視認するだけではウエファ下面上の汚れは見逃され、現像プロセスの後続ステップにおいて影響が出てくることになる。
(2)現像溶液の量を低減する方法であり、これによりウエファの下面上の残留現像溶液量を低減するものである。しかしこの方法では、現像溶液が特定の範囲まで低減されるので、ウエファの品質に影響を及ぼす。その結果、現像溶液は現像プロセスにおける適正な量を制御することが困難となる。
(3)コーチング装置を改良する方法であるが、これでは装置の構造を重要視することになる。例えば第1の内壁121とウエファ2の下面との間のカップ12の隙間をできるだけ小さくする。しかしこれによると現像溶液が逆流してウエファ2の下面を汚染する。その他にも現像溶液の量があまりに多いと、第1の内壁121とウエファ2間の隙間を現像溶液が流れることを防止できない。
両内壁121、122間の溝123が現像溶液の一部を阻止できるものの、過剰な現像溶液が第2の洗浄溶液ノズル15を通ってチャック11に流れ込むことになる。現像溶液がチャック11に流れ込むと、ノズル15がウエファの下面を完全に洗浄できず、現像溶液の一部が残留することになる。
(4)プロセスを改良する方法によると、適正なパラメータは得られるものの、誤ったパラメータが作業員により使用されると現像溶液がウエファの下面に残留するのを防止できず、しかも同じパラメータが異なるコーチング装置に使われることになる。
この発明の目的は、従来技術に見られる諸欠点を回避しながら、現像溶液のウエファ上での残留を効果的に防止することにある。
このためこの発明の一方法においては、現像プロセスのために提供された反応空間中に露出フォトレジストを具えたウエファを配置し、ウエファの表面上に現像溶液をコーチングし、ウエファを回転し、ウエファの上下面を洗浄し、特定時間に亙りウエファの上面の洗浄を止め、下面は洗浄を続けることを要旨とする。
このためチャックとノズルと溝とを具えたコーチング装置に応用されるこの発明の他の方法においては、露出フォトレジストを具えたウエファをコーチング装置のチャック上に配置し、ウエファの表面上に現像溶液をコーチングし、ウエファを回転してコーチング装置を抜気してウエファと溝の外壁との間に水壁を形成し、ウエファの上下面をノズルにより洗浄し、特定時間に亙ってウエファの上面の洗浄を止めるとともに下面の洗浄は続け、これによりウエファの下面上に残っている汚れを除くことを要旨とする。
この発明の一実施例を示すフローチャートである図2において、現像プロセスを実施する前に、フォトレジストをコーチングされたウエファが用意され、パターンが露出によりフォトレジストに移される。次いで露出したフォトレジストを有したウエファ2が運搬アームにより露出装置から図1のコーチング装置に移される。その後、ウエファ2は回転チャック11上に配置されて、真空ポンプによりチャック11上に保持固定される(ステップ21)。
ついで現像溶液が現像溶液ノズル14によりウエファ2の表面施与される(ステップ22)。この間ウエファ2は低速で回転されている(ステップ23)。しばらく静止した後に、ウエファ2上に現像プロセスが実施される。ついでウエファ2は高速回転され(ステップ24)、この間ウエファの上下面はそれぞれ第1と第2の洗浄溶液ノズル17、15により洗浄される(ステップ25)。これによりウエファ2の上面上の現像溶液は除かれて、現像溶液がウエファ2の下面上に残留することが防止される。
ついで第1の洗浄溶液ノズル17がウエファ2の上面を洗浄することを停止して、第2の洗浄溶液ノズル15は特定の時間に亙ってウエファ2の下面を洗浄することを続ける(ステップ26)。この結果ノズル15もまた停止し、現像プロセスが完結する。
上記したような実施例において、ステップ23におけるウエファの回転速度は好ましくは30〜90rpmであり、ステップ24における回転速度は好ましくは1000〜4000rpmである。さらにウエファの回転時間も増加される。
加えてノズル15が施与する洗浄溶液のウエファの下面に対する入射角は実質的に90度未満である。ウエファの下面を洗浄する2個のステップにおいて、洗浄する特定時間は少なくとも5秒に保たれる。
図3にこの発明の他の実施例を示す。同様に現像プロセスを実施する前に、ウエファがフォトレジストによりコーチングされ、パターンが露出によりフォトレジストに移される。ついで、露出フォトレジストを有したウエファが露出装置からコーチング装置に図1に示すように運搬アームにより移される。
その後ウエファ2が回転チャック11上に配置され、真空ポンプにより保持固定される(ステップ31)。洗浄溶液ノズル14により現像溶液が施与されてウエファ2をコーチングする(ステップ32)。この間ウエファは低速で回転され、反応空間が真空ポンプにより抜気される(ステップ33)。
しばらく停止した後、現像プロセスがウエファ2上に実施される。ついでウエファ2が高速で回転され(ステップ34)、この間ウエファの上下面がそれぞれ第1と第2の洗浄溶液ノズル17、15により洗浄される(ステップ35)。
ついでウエファ2の上面上の現像溶液が除かれ、現像溶液が下面上に残留するのが防止される。ついでノズル17が上面を洗浄するのを停止し、ノズル15は下面を洗浄することを特定時間続行する(ステップ36)。この結果、第2の洗浄溶液ノズルも停止し、現像プロセスが完結する(ステップ37)。
以上の実施例において、洗浄溶液ノズルによりスプレーされる洗浄溶液は実質的に純水であってよい。加えて抜気するステップではコーチング装置の反応空間内で特定の方向に気流を流せばよい。さらに図4中4方向の矢印で示すように、ウエファ2の下面とカップ12との間に外向きの流れ域が形成される。この外向きの流れ域によりウエファ2の下面とカップ12との間の領域に現像溶液が流れ込むのが防止される。
さらに現像溶液が施与されるときに、ウエファ2が低速で回転されていると、第1の壁121とウエファ2の下面との間に水壁が形成される。現像溶液が隙間を流れてウエファ2の下面上に残留するのがさらに防止される。他方ウエファを洗浄する2ステップにより、ウエファの下面に汚れが残って後続のプロセスに影響するのを防止する前に、現像溶液はよりきれいに除かれる。
この発明は以上の記載に加えて種々の変更を加えることが可能である。
この発明はいかなる種類の現像コーチング装置にも応用され得るものである。
従来の現像コーチング装置を示す正面図である この発明の第1の実施例を示すフローチャートである。 この発明の他の実施例を示すフローチャートである。 コーチング装置が抜気されるときの空気の方向を示す正面図である。
符号の説明
11:チャック
12:カップ
14:現像溶液ノズル
15:洗浄溶液ノズル
16:抜気通路
17:洗浄溶液ノズル

Claims (10)

  1. 現像プロセスのために提供された反応空間中に露出フォトレジストを具えたウエファを配置し、ウエファの表面上に現像溶液をコーチングし、ウエファを回転し、ウエファの上下面を洗浄し、特定時間に亙りウエファの上面の洗浄を止め、下面は洗浄を続けることを特徴とする現像方法。
  2. ウエファを回転するに際して、ウエファの回転速度を増加させることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. ウエファの回転と同時に反応空間を抜気することを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. ウエファの下面洗浄をウエファ下側に配置されたノズルにより行うことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. ウエファの下面に対するノズルの入射角が実質的に90度未満であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. ウエファの上面の洗浄を止め、下面は洗浄を続ける特定時間が少なくとも5秒であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. チャックとノズルと溝とを具えたコーチング装置に応用される現像方法であって、露出フォトレジストを具えたウエファをコーチング装置のチャック上に配置し、ウエファの表面上に現像溶液をコーチングし、ウエファを回転してコーチング装置を抜気してウエファと溝の外壁との間に水壁を形成し、ウエファの上下面をノズルにより洗浄し、特定時間に亙ってウエファの上面の洗浄を止めるとともに下面の洗浄は続け、これによりウエファの下面上に残っている汚れを除くことを特徴とする現像方法。
  8. ウエファを回転するに際して、ウエファの回転速度を増加させることを特徴とする請求項7に記載の方法。
  9. ウエファの下面に対するノズルの入射角が実質的に90度未満であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
  10. ウエファの下面洗浄を続ける特定時間が少なくとも5秒であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
JP2004032897A 2003-09-23 2004-02-10 現像方法 Expired - Fee Related JP4157481B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW092126264A TWI230974B (en) 2003-09-23 2003-09-23 Method for developing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005101497A true JP2005101497A (ja) 2005-04-14
JP4157481B2 JP4157481B2 (ja) 2008-10-01

Family

ID=34311589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004032897A Expired - Fee Related JP4157481B2 (ja) 2003-09-23 2004-02-10 現像方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6916126B2 (ja)
JP (1) JP4157481B2 (ja)
TW (1) TWI230974B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE20318462U1 (de) * 2003-11-26 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Anordnung elektronischer Halbleiterbauelemente auf einem Trägersystem zur Behandlung der Halbleiterbauelemente mit einem flüssigen Medium
JP6545464B2 (ja) * 2015-01-07 2019-07-17 株式会社Screenホールディングス 現像方法
TWI581066B (zh) * 2015-02-27 2017-05-01 精材科技股份有限公司 光阻噴塗機及其環狀結構
CN104932209A (zh) * 2015-06-26 2015-09-23 湘能华磊光电股份有限公司 一种改进的图形化衬底显影方法
CN105717754A (zh) * 2016-04-07 2016-06-29 上海华力微电子有限公司 一种显影装置及使用该显影装置降低水渍缺陷的方法
CN107479341A (zh) * 2017-09-13 2017-12-15 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法
JP2019169624A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 株式会社Screenホールディングス 現像方法
CN109256346A (zh) * 2018-08-29 2019-01-22 上海华力微电子有限公司 一种提高电化学镀铜洗边宽度均匀性的洗边装置及方法
CN112742664A (zh) * 2019-10-30 2021-05-04 聚昌科技股份有限公司 快速涂布的涂布机结构及其涂布剂的温控及阵列涂布模块

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10232498A (ja) * 1997-02-19 1998-09-02 Nec Kyushu Ltd 現像装置
KR100467914B1 (ko) * 1998-07-31 2005-01-24 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
US6759179B1 (en) * 2001-04-20 2004-07-06 Advanced Micro Devices, Inc. Methods and systems for controlling resist residue defects at gate layer in a semiconductor device manufacturing process

Also Published As

Publication number Publication date
US6916126B2 (en) 2005-07-12
TW200512798A (en) 2005-04-01
JP4157481B2 (ja) 2008-10-01
TWI230974B (en) 2005-04-11
US20050063699A1 (en) 2005-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101453576B1 (ko) 도포 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 도포 처리 장치
JP5312879B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007523463A (ja) 基板処理装置及び方法
JP2009071235A (ja) 基板処理装置
US20070116459A1 (en) Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium
JP4926678B2 (ja) 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
JP2007019161A (ja) パターン形成方法及び被膜形成装置
JP2007227467A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5184476B2 (ja) 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
JP4157481B2 (ja) 現像方法
JP2010118519A (ja) ウエハの洗浄方法及び記憶媒体
JP2009110985A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2005327807A (ja) 枚葉式洗浄装置及びその洗浄方法
JP3362781B2 (ja) 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体
JP2006332185A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP4255702B2 (ja) 基板処理装置及び方法
JP7148393B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009295910A (ja) 基板処理方法
JP6983571B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2000311846A (ja) レジスト現像方法およびレジスト現像装置
JP2008177584A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP3719843B2 (ja) 基板処理方法
TWI588624B (zh) 負顯影處理方法及負顯影處理裝置
JP2006202983A (ja) 基板処理装置および処理室内洗浄方法
TWI578115B (zh) 負型顯影處理方法及負型顯影處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070327

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080208

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080528

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080708

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080711

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees