TWI588624B - 負顯影處理方法及負顯影處理裝置 - Google Patents

Description

負顯影處理方法及負顯影處理裝置

本發明係關於一種使用含有有機溶劑之顯影液使半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、光碟用基板等(以下，簡稱為基板)顯影之負顯影處理方法及負顯影處理裝置。

於半導體裝置之製造製程等中，係利用微影技術於基板正面之光阻膜形成電路圖案。電路圖案之形成係藉由如下等一系列步驟而進行，即，對基板之正面塗佈光阻，利用曝光機對基板正面之光阻膜蝕刻電路圖案，對曝光後之光阻膜供給顯影液而進行顯影處理。其中，於顯影處理中，利用浸置式顯影(puddle development)之顯影處理方法越來越被廣泛地使用。所謂浸置式顯影，係將基板保持於水平姿勢而使其繞鉛垂軸旋轉，自直形噴嘴(straight nozzle)之前端噴出口向基板之中心部供給顯影液，於在基板正面之光阻膜之整個面膜狀地鋪滿顯影液之狀態下進行之顯影處理之方法。形成於光阻膜之電路圖案之線寬藉由進行顯影處理之時間而控制。於以特定時間於光阻膜鋪滿顯影液而形成預定之電路圖案之後，向基板上供給洗淨液而進行洗淨處理。於洗淨處理結束之後，使基板旋轉，藉由旋轉乾燥之效果而進行基板之乾燥處理(例如，揭示於日本專利特開2008-91751號公報第3頁)。

以往係採用使用TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide，四甲基氫氧化銨)溶液等鹼性顯影液之正顯影處理方法(亦稱為正顯影)。然而，近年來，開始採用使用包含乙酸丁酯等有機溶劑之顯影液之負顯影處理方法(亦稱為負顯影)來代替正顯影處理方法。於正顯影處理方法中係將純水用作洗淨液，與此相對，於負顯影處理方法中係使用包含MIBC(Methyl Iso Butyl Carbinol，甲基異丁基甲醇)等有機溶劑之洗淨液(例如，揭示於日本專利特開2011-28281號公報第79頁)。

然而，於具有先前之構成之負顯影處理方法中存在如下問題。

即，有機溶劑與純水相比昂貴，故而於負顯影處理方法中，存在洗淨液之使用量會較大地影響成本之問題。

但是，若欲削減洗淨液之使用量，則會有顯影處理之品質降低之顧慮。第一，光阻膜之成分等溶出至顯影液中而生成之溶解產物即便於洗淨後亦容易殘留於基板上，故而有顯影缺陷發生之顧慮。第二，顯影液即便於洗淨後亦容易殘留於基板上，難以於準確之時點使顯影處理停止，因而有難以較佳地管理電路圖案之線寬之顧慮。

本發明係鑒於此種情況而成者，其目的在於提供一種削減洗淨液之使用量並且可維持顯影處理之品質之負顯影處理方法及負顯影處理裝置。

為了達成此種目的，本發明採取如下構成。

即，本發明係一種負顯影處理方法，上述方法包括以下要素：顯影步驟，其係向形成於基板之正面之光阻膜上供給包含有機溶劑之顯影液，使供給之顯影液鋪滿於光阻膜上而進行顯影處理；正面乾燥步驟，其係於上述顯影步驟之後，使基板以第1速度旋轉，而使基板之正面乾燥；背面洗淨步驟，其係於上述正面乾燥步驟之後，僅對基板之背 面供給洗淨液，使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面；以及背面乾燥步驟，其係於上述背面洗淨步驟之後，使基板旋轉而使基板之背面乾燥。

根據本發明之負顯影處理方法，於正面乾燥步驟中，使基板以相對高速之第1速度旋轉。藉由高速旋轉而使相對較大之離心力作用於光阻膜上之顯影液，因而可不對基板供給洗淨液，而將顯影液自基板之正面上適當地去除。因此，可於適當之時點使顯影處理停止。又，因顯影液含有有機溶劑，故可藉由離心力將溶解於顯影液中之溶解產物與顯影液一併自基板之正面上去除。進而，使基板之正面乾燥。因可防止溶解產物殘留於乾燥後之基板之正面上，故可抑制起因於溶解產物之顯影缺陷之產生。

於背面洗淨步驟中，因使基板以相對低速之第2速度旋轉，故可抑制供給至基板之背面之洗淨液飛濺至周圍，從而使洗淨液僅較佳地於基板之背面擴散。其結果，於背面洗淨步驟中，可保持乾燥後之基板之正面清潔，並且較佳地洗淨基板之背面。

如上所述，藉由僅對基板之背面使用洗淨液，可抑制洗淨液之使用量。而且，於正面乾燥步驟中，將基板之旋轉速度設為相對較高，並且於背面洗淨步驟中，將基板之旋轉速度設為相對較低，藉此，可較佳地維持負顯影處理之品質。

進而，根據本發明之負顯影處理方法，於進行顯影處理之後，不對基板供給洗淨液而進行正面乾燥處理。於該正面乾燥處理中，一舉進行顯影液及溶解產物之去除以及基板正面之乾燥。其結果，可一舉進行削減洗淨液之消耗量、管理高精度之顯影處理進行、及防止乾燥後之基板上之溶解產物之殘留。即，可削減洗淨液之使用量，並且維持顯影處理之品質。

又，本發明係一種負顯影處理方法，上述方法包括以下要素：顯影步驟，其係向形成於基板之正面之光阻膜上供給包含有機溶劑之顯影液，使供給之顯影液鋪滿於光阻膜上而進行顯影處理；以及

正面乾燥步驟，其係於上述顯影步驟之後，使基板以第1速度旋轉，利用離心力甩落並去除光阻膜上之顯影液，使顯影處理停止並且使基板之正面乾燥。

根據本發明之負顯影處理方法，於正面乾燥步驟中，使基板以相對高速之第1速度旋轉。藉由高速旋轉而使相對較大之離心力作用於光阻膜上之顯影液，因而可不對基板供給洗淨液，而將顯影液自基板之正面上適當地去除。因此，可於適當之時點使顯影處理停止。又，因顯影液含有有機溶劑，故可藉由離心力將溶解產物與顯影液一併自基板之正面上去除。進而，使基板之正面乾燥。即，亦可抑制溶解產物殘留於基板之正面上。如上所述，可抑制洗淨液之使用量，並且維持顯影處理之品質。

於上述發明中，上述第1速度較佳為1500rpm以上且2500rpm以下。於此情形時，可產生足夠大之離心力而將顯影液自基板之正面上迅速地去除。因此，於正面乾燥步驟開始後，可迅速地停止顯影處理之進行。即，能夠以高精度管理電路圖案之線寬之尺寸。

又，於上述發明中，較佳為進而包含背面洗淨步驟，該背面洗淨步驟係於上述正面乾燥步驟之後，僅對基板之背面供給洗淨液，使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面。於此情形時，因僅對基板之背面供給洗淨液，故可大幅度地削減洗淨液之使用量。又，因基板之旋轉速度較低，故可抑制於背面洗淨步驟開始後洗淨液之飛沫或微粒懸浮於基板之周圍。因此，可避免洗淨液之飛沫等附著至基板之正面，從而防止顯影處理之品質降低。

又，於上述發明中，較佳為進而包含背面乾燥步驟，該背面乾燥步驟係於上述背面洗淨步驟之後，使基板以高於上述第2速度之第3速度旋轉，而使基板之背面乾燥。於此情形時，因可使基板之背面迅速地乾燥，故可縮短負顯影處理之一系列步驟所需之時間。

又，本發明係一種負顯影處理裝置，上述裝置包括以下要素：基板保持部，其水平地保持基板；基板旋轉部，其使藉由上述基板保持部而保持之基板旋轉；顯影液供給部，其對藉由上述基板保持部而保持之基板之正面供給包含有機溶劑之顯影液；洗淨液供給部，其僅對基板之背面供給洗淨液；及控制部，其以進行如下處理之方式分別控制上述基板旋轉部、上述顯影液供給部及上述洗淨液供給部，上述處理係：顯影處理，其係於自上述顯影液供給部供給顯影液從而在形成於基板之正面之光阻膜上鋪滿顯影液之狀態下而進行；正面乾燥處理，其係使基板以第1速度旋轉而使基板之正面乾燥；背面洗淨處理，其係自上述洗淨液供給部供給洗淨液，使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面；及背面乾燥處理，其係使基板旋轉而使基板之背面乾燥。

根據本發明之負顯影處理裝置，於正面乾燥處理中，基板旋轉部使基板以相對高速之第1速度旋轉。藉由高速旋轉而使相對較大之離心力作用於光阻膜上之顯影液，因而可不對基板之正面供給洗淨液，而將顯影液自基板上適當地去除。因此，可於適當之時點使顯影處理停止。又，因顯影液含有有機溶劑，故可藉由離心力將溶解產物與顯影液一併自基板之正面上去除。進而，使基板之正面乾燥。即，因可防止溶解產物殘留於乾燥後之基板之正面上，故可抑制起因於溶解產物之顯影缺陷之產生。

於背面洗淨處理中，因基板旋轉部使基板以相對低速之第2速度 旋轉，故可抑制供給至基板之背面之洗淨液飛濺至周圍，從而使洗淨液較佳地僅於基板之背面擴散。其結果，於背面洗淨處理中，可保持乾燥後之基板之正面清潔，並且較佳地洗淨基板之背面。

如上所述，藉由僅對基板之背面使用洗淨液，可抑制洗淨液之使用量。進而，於正面乾燥處理中，將基板之旋轉速度設為相對較高，並且於背面洗淨處理中，將基板之旋轉速度設為相對較低，藉此，可較佳地維持負顯影處理之品質。

進而，根據本發明之負顯影處理裝置，於進行顯影處理之後，不對基板供給洗淨液，而進行正面乾燥處理。於該正面乾燥處理中，一舉進行顯影液及溶解產物之去除以及基板正面之乾燥。其結果，可一舉進行削減洗淨液之消耗量、管理高精度之顯影處理進行、及防止乾燥後之基板上之溶解產物之殘留。即，可削減洗淨液之使用量，並且維持顯影處理之品質。

又，本發明係一種負顯影處理裝置，上述裝置包括以下要素：基板保持部，其水平地保持基板；基板旋轉部，其使藉由上述基板保持部而保持之基板旋轉；顯影液供給部，其對藉由上述基板保持部而保持之基板之正面供給包含有機溶劑之顯影液；及控制部，其係以進行正面乾燥處理之方式分別控制上述基板旋轉部及上述顯影液供給部，上述正面乾燥處理係自上述顯影液供給部供給顯影液，在形成於基板之正面之光阻膜上鋪滿顯影液而進行顯影處理之後，使基板以第1速度旋轉，利用離心力甩落並去除光阻膜上之顯影液，使顯影停止並且使基板之正面乾燥。

根據本發明之負顯影處理裝置，於正面乾燥處理中，基板旋轉部使基板以相對高速之第1速度旋轉。其結果，因使相對較大之離心力作用於光阻膜上之顯影液，故可不對基板之正面供給洗淨液，而將 顯影液自基板之正面上適當地去除。因此，可於適當之時點使顯影處理停止。又，因顯影液含有有機溶劑，故可藉由離心力將溶解產物與顯影液一併自基板之正面上去除。進而，使基板之正面乾燥。即，亦可抑制溶解產物殘留於基板之正面上。如上所述，可抑制洗淨液之使用量，並且維持顯影處理之品質。

又，於上述發明中，上述第1速度較佳為1500rpm以上且2500rpm以下。於此情形時，可產生足夠大之離心力，從而將顯影液自基板之正面上迅速地去除。因此，可於正面乾燥處理開始後迅速地停止顯影處理之進行。即，能夠以高精度管理電路圖案之線寬之尺寸。

又，於上述發明中，較佳為進而包含僅對基板之背面供給洗淨液之洗淨液供給部，且上述控制部係以進行背面洗淨處理之方式分別控制上述基板旋轉部及上述洗淨液供給部，上述背面洗淨處理係於正面乾燥處理之後，自上述洗淨液供給部供給洗淨液，並且使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面。於此情形時，因僅對基板之背面使用洗淨液，故可大幅度地削減洗淨液之使用量。又，因基板之旋轉速度較低，故可抑制於背面洗淨步驟開始後洗淨液之飛沫或微粒懸浮於基板之周圍。因此，可避免洗淨液之飛沫等附著於基板之正面，從而防止顯影處理之品質降低。

又，於上述發明中，上述控制部較佳為以進行背面乾燥處理之方式控制上述基板旋轉部，上述背面乾燥處理係於背面洗淨處理之後，使基板以高於上述第2速度之第3速度旋轉，而使基板之背面乾燥。於此情形時，因可使基板之背面迅速地乾燥，故而可縮短負顯影處理之一系列處理所需之時間。

1‧‧‧旋轉夾頭

3‧‧‧旋轉軸

5‧‧‧旋轉馬達

7‧‧‧防飛濺護罩

9‧‧‧排液管

11‧‧‧顯影液供給噴嘴

13‧‧‧洗淨液供給噴嘴

15‧‧‧顯影液供給管

16‧‧‧顯影液供給源

17‧‧‧脫氣模組

19‧‧‧過濾器

21‧‧‧開閉控制閥

23‧‧‧洗淨液供給管

24‧‧‧洗淨液供給源

25‧‧‧脫氣模組

27‧‧‧過濾器

29‧‧‧開閉控制閥

31‧‧‧控制裝置

t0~t5‧‧‧時刻

W‧‧‧基板

為了對發明進行說明，圖示有目前認為較佳之若干之形態，但應理解發明並不限定於圖示所示般之構成及方案。

圖1係表示實施例之負顯影處理裝置之概略構成之縱剖面圖。

圖2係實施例之動作之流程圖。

圖3係表示於實施例中，動作時間與基板之旋轉速度之關係之曲線圖。

圖4係比較例之動作之流程圖。

圖5係表示於比較例中，動作時間與基板之旋轉速度之關係之曲線圖。

圖6係表示基板之旋轉速度與使基板之正面乾燥所需之時間之關係之曲線圖。

以下，基於圖式，對本發明之較佳實施例進行詳細說明。

圖1係表示實施例之負顯影處理裝置之概略構成之縱剖面圖。

實施例之負顯影處理裝置包含升降移動之旋轉夾頭1。旋轉夾頭1以水平姿勢支持基板W。於旋轉夾頭1之下部連結有旋轉軸3。於旋轉軸3之下部設置有旋轉馬達5，旋轉馬達5使旋轉夾頭1及旋轉軸3繞鉛垂軸旋轉。於旋轉夾頭1之周圍設置有防飛濺護罩7。再者，亦能夠以使旋轉夾頭1固定，使防飛濺護罩7升降之方式而構成。旋轉夾頭1相當於本發明中之基板保持部，旋轉馬達5相當於本發明中之基板旋轉部。

於防飛濺護罩7之底部連通連接有排液管9。於防飛濺護罩7之附近配設有用以對基板W之正面供給顯影液之顯影液供給噴嘴11。顯影液供給噴嘴11係例如於前端形成有噴出口之直形噴嘴。進而，顯影液供給噴嘴11跨及位於旋轉夾頭1之上方之供給位置(圖中之實線)與位於偏離防飛濺護罩7之上方之位置之待機位置(圖中之二點鏈線)之間而移動。當顯影液供給噴嘴11移動至供給位置時，顯影液供給噴嘴11之噴出口位於基板W之中心部正上方。再者，顯影液供給噴嘴11之待 機位置並不限於偏離防飛濺護罩7之上方之位置，亦可適當變更防飛濺護罩7之上方等。顯影液供給噴嘴11相當於本發明中之顯影液供給部。

在位於防飛濺護罩7之內側且旋轉夾頭1之下部周圍之位置配設有用以對基板W之背面供給洗淨液之洗淨液供給噴嘴13。洗淨液供給噴嘴13係例如於前端形成有噴出口之直形噴嘴。洗淨液供給噴嘴13相當於本發明中之洗淨液供給部。

顯影液供給噴嘴11經由顯影液供給管15而流路連接於顯影液供給源16，於顯影液供給管15介插有脫氣模組17、過濾器19、及開閉控制閥21。於顯影液供給源16儲存有包含有機溶劑之顯影液，藉由利用惰性氣體之壓送將顯影液向顯影液供給噴嘴11送出。所謂包含於顯影液之有機溶劑，例如為乙酸丁酯。脫氣模組17使送出之顯影液脫氣。經由顯影液供給噴嘴11之顯影液之供給及其停止係藉由開閉控制閥21之開閉而切換。

洗淨液供給噴嘴13經由洗淨液供給管23而流路連接於洗淨液供給源24，於洗淨液供給管23介插有脫氣模組25、過濾器27、及開閉控制閥29。於洗淨液供給源24儲存有包含有機溶劑之洗淨液，藉由利用惰性氣體之壓送而將洗淨液向洗淨液供給噴嘴13送出。所謂包含於洗淨液之有機溶劑，例如為MIBC(methyl-isobutyl-carbinol，甲基異丁基甲醇)。脫氣模組25使送出之洗淨液脫氣。經由洗淨液供給噴嘴13之洗淨液之供給及其停止係藉由開閉控制閥29之開閉而切換。

上述旋轉夾頭1之升降、旋轉馬達5之旋轉、顯影液供給噴嘴11之移動、顯影液供給源16中之顯影液之送出、脫氣模組17、25之驅動、開閉控制閥21、29之開閉、以及洗淨液供給源24中之洗淨液之送出係藉由控制裝置31統括地控制。控制裝置31相當於本發明中之控制部。

使用圖2及圖3，對以上述方式構成之負顯影處理裝置之動作進 行說明。圖2係實施例之動作之流程圖，圖3係表示於實施例中，動作時間與基板之旋轉速度之關係之曲線圖。再者，於以下說明中，係設為塗佈有光阻膜且經曝光後之基板W既已保持於旋轉夾頭1，顯影液供給噴嘴11正移動至供給位置。

步驟S1(顯影步驟)

於圖3所示之時刻t0，控制裝置31控制旋轉馬達5、顯影液供給源16、脫氣模組17、及開閉控制閥21，使水平姿勢之基板W以特定之速度旋轉，同時開始自顯影液供給噴嘴11向基板W之正面中心部供給包含有機溶劑之顯影液。特定之速度例如為1500rpm。控制裝置31於自時刻t0起至時刻t1為止之期間，進行基板W之旋轉及顯影液之供給。向基板W供給之顯影液以覆蓋形成於基板W之正面之光阻膜之方式擴散至基板W之正面整體。自時刻t0起至時刻t1為止之期間例如為5秒。

於時刻t1，控制裝置31使對基板W上之顯影液之供給及基板W之旋轉停止，並使顯影液噴出噴嘴11朝待機位置移動。此時，顯影液成為鋪滿於光阻膜上之狀態。於自時刻t1起至時刻t2為止之期間，維持該狀態而進行顯影處理。自時刻t1起至時刻t2為止之期間例如為15秒。光阻膜之非曝光部分藉由顯影處理溶解於顯影液而成為溶解產物。繼而，顯影處理於時刻t2結束。再者，自時刻t0起至時刻t2為止之期間相當於本發明中之顯影步驟。

步驟S2(正面乾燥步驟)

正面乾燥步驟係與顯影步驟之結束同時開始。即，於時刻t2，控制裝置31使基板W以第1速度開始旋轉。再者，於正面乾燥步驟中並不對基板W供給洗淨液。第1速度例如為2000rpm。由於第1速度相對較高，故而會產生相對較大之離心力。因此，基板W上之顯影液藉由離心力而朝基板W外飛濺，從而迅速地自基板W之正面上去除。此時，溶解產物亦與顯影液一併自基板W之正面上去除。而且，將顯影 液及溶解產物去除之後，基板W之正面迅速地乾燥。

控制裝置31於自時刻t2起至時刻t3為止之期間使基板W繼續以第1速度旋轉，而進行正面乾燥處理。自時刻t2起至時刻t3為止之期間例如為10秒。繼而，正面乾燥處理於時刻t3結束。再者，自時刻t2起至時刻t3為止之期間相當於本發明中之正面乾燥步驟。

步驟S3(背面洗淨步驟)

背面洗淨步驟係與正面乾燥步驟之結束同時開始。即，於時刻t3，控制裝置31將基板W之旋轉速度自第1速度切換至第2速度。第2速度低於第1速度，例如為500rpm。於切換基板W之旋轉速度後，控制裝置31立即開始自洗淨液供給噴嘴13向基板W之背面供給洗淨液。由於第2速度相對較低，故而供給至基板W之背面之洗淨液僅較佳地於基板之背面擴散，而不會飛濺至周圍。因此，可保持基板W之正面上之環境清潔，並且藉由洗淨液去除附著於基板W之背面之灰塵等雜質。

控制裝置31於自時刻t3起至時刻t4為止之期間，繼續供給洗淨液，而進行上述背面洗淨處理。自時刻t3起至時刻t4為止之期間例如為5秒。繼而，控制裝置31於時刻t4使洗淨液之供給停止，從而結束背面洗淨處理。再者，自時刻t3起至時刻t4為止之期間相當於本發明中之背面洗淨步驟。

步驟S4(背面乾燥步驟)

背面乾燥步驟係與背面洗淨步驟之結束同時開始。即，控制裝置31將基板W之旋轉速度自第2速度切換至第3速度而開始背面乾燥處理。第3速度高於第2速度，例如為2000rpm。基板W之背面藉由旋轉乾燥之效果而迅速地乾燥。控制裝置31於自時刻t4起至時刻t5為止之期間使基板W以第3速度旋轉。自時刻t4起至時刻t5為止之期間例如為10秒。繼而，控制裝置31於時刻t5使基板W之旋轉停止，從而結束背 面乾燥處理。自時刻t4起至時刻t5為止之期間相當於本發明中之背面乾燥步驟。

如此，根據本實施例之負顯影處理裝置，因省略了以洗淨液洗淨基板W之正面之處理，故可有效地削減洗淨液之使用量。又，因於正面乾燥處理中係使基板W以第1速度旋轉，故可迅速地去除基板W上之顯影液從而迅速地使顯影處理之進行停止。因此，藉由調節開始正面乾燥處理之時點，可精度良好地管理顯影時間。即，能夠以高精度控制電路圖案之線寬。

進而，藉由正面乾燥處理一舉進行顯影液之去除(顯影之停止)、溶解產物之去除(顯影缺陷之抑止)、及基板W之正面之乾燥。因此，可縮短一系列處理所需之時間。

又，於背面洗淨處理中，因使用洗淨液洗淨基板W之背面，故可較佳地洗淨基板W之背面。因洗淨液僅供給至基板W之背面，故可有效地削減洗淨液之使用量。又，因洗淨液包含有機溶劑，故可較佳地洗淨經負顯影處理後之基板W。

進而，於背面洗淨處理中，因使基板W以第2速度旋轉，故不易生成洗淨液之飛沫或霧氣，即便生成飛沫或霧氣亦不易飛揚至周圍。因此，可保持基板W之正面上之環境清潔。因此，可避免飛沫、霧氣、及塵埃等重新附著於乾燥後之基板W之正面，故而可防止基板W之處理品質下降。

又，於背面乾燥處理中，因使基板W以第3速度旋轉，故可使基板W之背面迅速地乾燥。因此，可進一步縮短負顯影處理之一系列處理所需之時間。

此處，針對負顯影處理方法，對本實施例與比較例進行比較。圖4係比較例之顯影處理中之流程圖，圖5係表示於比較例中，動作時間與基板之旋轉速度之關係之曲線圖。

如圖4所示，比較例之負顯影處理依序執行顯影步驟、洗淨步驟、及乾燥步驟之3個步驟。於洗淨步驟中，分別洗淨基板W之正面及背面，於乾燥步驟中一舉使基板W之正面及背面乾燥。

如此，於比較例中，因於洗淨步驟中對基板W之正面及背面供給洗淨液，故需要大量之洗淨液。與此相對，於本實施例中，因僅對基板W之背面供給洗淨液，故與比較例相比，可大幅度地減少洗淨液之使用量。

其次，對正面乾燥處理中之第1速度進行進一步詳細說明。圖6係表示基板之旋轉速度與使基板之正面乾燥所需之時間之關係之曲線圖。

如圖6所示，乾燥時間隨著旋轉速度之增加而變短。尤其是，若旋轉速度為1500rpm以下之範圍，則隨著旋轉速度增加，乾燥時間急遽地縮短。另一方面，若旋轉速度為1500rpm以上之範圍，則即便旋轉速度增加，乾燥時間僅會非常緩慢地縮短，乾燥時間不斷接近最小值。因此，只要旋轉速度為1500rpm以上且2500rpm以下，便可足以使乾燥時間縮短至4秒至5秒左右。即，第1速度更佳為1500rpm以上且2500rpm以下。又，認為於此情形時，顯影液之去除亦會極迅速地結束。因此，藉由將第1速度設為上述範圍內，可更高精度地管理電路圖案之線寬。

本發明並不限於上述實施形態，能夠以如下方式變化實施。

(1)於上述實施例中，顯影液供給噴嘴11及洗淨液供給噴嘴13為直形噴嘴，但並不限於此。即，亦可使用於下端面具有狹縫狀噴出口之狹縫噴嘴。

(2)於上述實施例中，於步驟S1中，係一面使基板旋轉一面將顯影液供給至基板，但並不限於此。例如，可於在時刻t0供給顯影液之前使基板旋轉，亦可於在時刻t0供給顯影液之後使基板旋轉。又，亦 可不於自時刻t0起至時刻t1為止之期間使基板旋轉。

(3)於上述實施例中，於步驟S1中，係於供給顯影液之後，於自時刻t1起至時刻t2為止之期間，使基板W之旋轉停止而進行顯影處理，但並不限於此。亦可於供給顯影液之後，於自時刻t1起至時刻t2為止之期間使基板W以適當之速度旋轉。

(4)於上述實施例中，係個別地設置用以對洗淨液供給噴嘴13供給洗淨液之洗淨液供給源24，但並不限於此。由於用於負顯影之顯影液含有有機溶劑，故有時可用作基板W之背面洗淨之洗淨液。於此情形時，亦可設為使顯影液亦兼用作洗淨液之構成。

作為具體構成，使洗淨液供給管23流路連接於顯影液供給源16，控制開閉控制閥21、29之開閉，切換儲存於顯影液供給源16之顯影液之送出對象。即，於顯影液供給步驟中，將儲存於顯影液供給源16之顯影液向顯影液供給噴嘴11送出，將送出之顯影液用於顯影處理。繼而，於背面洗淨步驟中，將儲存於顯影液供給源16之顯影液向洗淨液供給噴嘴13送出，將送出之顯影液用於背面洗淨處理。藉由採取上述構成，因無需個別地設置洗淨液供給源24，故而可簡化負顯影裝置。

本發明可不脫離其思想或本質而以其他具體形式實施，因此，作為表示發明之範圍者，應參照附加之申請專利範圍而非以上之說明。

t0~t5‧‧‧時刻

Claims (12)

1. 一種負顯影處理方法，上述方法包括以下要素：顯影步驟，其係向形成於基板之正面之光阻膜上供給包含有機溶劑之顯影液，使供給之顯影液鋪滿於光阻膜上而進行顯影處理；正面乾燥步驟，其係於上述顯影步驟之後，未供給洗淨液而使基板以第1速度旋轉，將光阻膜之成分等溶出於顯影液中所產生之溶解生成物與顯影液自基板之正面上除去，進一步使基板之正面乾燥；背面洗淨步驟，其係於上述正面乾燥步驟之後，僅對基板之背面供給洗淨液，使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面；以及背面乾燥步驟，其係於上述背面洗淨步驟之後，使基板旋轉而使基板之背面乾燥。
2. 如請求項1之負顯影處理方法，其中上述第1速度為1500rpm以上且2500rpm以下。
3. 如請求項1之負顯影處理方法，其中於上述背面乾燥步驟中，使基板以高於上述第2速度之第3速度旋轉，而使基板之背面乾燥。
4. 一種負顯影處理方法，上述方法包括以下要素：顯影步驟，其係向形成於基板之正面之光阻膜上供給包含有機溶劑之顯影液，使供給之顯影液鋪滿於光阻膜上而進行顯影處理；以及正面乾燥步驟，其係於上述顯影步驟之後，未供給洗淨液而使基板以第1速度旋轉，自基板之正面上利用離心力甩落並去除 光阻膜上之顯影液與光阻膜之成分等溶出於顯影液中所產生之溶解生成物，使顯影處理停止並且使基板之正面乾燥。
5. 如請求項4之負顯影處理方法，其中上述第1速度為1500rpm以上且2500rpm以下。
6. 如請求項4之負顯影處理方法，其進而包含背面洗淨步驟，該背面洗淨步驟係於上述正面乾燥步驟之後，僅對基板之背面供給洗淨液，使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面。
7. 一種負顯影處理裝置，上述裝置包括以下要素：基板保持部，其水平地保持基板；基板旋轉部，其使藉由上述基板保持部而保持之基板旋轉；顯影液供給部，其對藉由上述基板保持部而保持之基板之正面供給包含有機溶劑之顯影液；洗淨液供給部，其僅對基板之背面供給洗淨液；及控制部，其以進行如下處理之方式分別控制上述基板旋轉部、上述顯影液供給部及上述洗淨液供給部，上述處理係：顯影處理，其係於自上述顯影液供給部供給顯影液而在形成於基板之正面之光阻膜上鋪滿顯影液之狀態下而進行；正面乾燥處理，其係未供給洗淨液而使基板以第1速度旋轉而將光阻膜之成分等溶出於顯影液中所產生之溶解生成物與顯影液自基板之正面上除去，進一步使基板之正面乾燥；背面洗淨處理，其係自上述洗淨液供給部供給洗淨液，使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面；及背面乾燥處理，其係使基板旋轉而使基板之背面乾燥。
8. 如請求項7之負顯影處理裝置，其中上述第1速度為1500rpm以上且2500rpm以下。
9. 如請求項7之負顯影處理裝置，其中上述控制部於背面乾燥處理中，係以使基板以高於上述第2速度之第3速度旋轉而使基板之背面乾燥之方式控制上述基板旋轉部。
10. 一種負顯影處理裝置，上述裝置包括以下要素：基板保持部，其水平地保持基板；基板旋轉部，其使藉由上述基板保持部而保持之基板旋轉；顯影液供給部，其對藉由上述基板保持部而保持之基板之正面供給包含有機溶劑之顯影液；及控制部，其係以進行正面乾燥處理之方式分別控制上述基板旋轉部及上述顯影液供給部，上述正面乾燥處理係自上述顯影液供給部供給顯影液，在形成於基板之正面之光阻膜上鋪滿顯影液而進行顯影處理之後，未供給洗淨液而使基板以第1速度旋轉，自基板之正面上利用離心力甩落並去除光阻膜上之顯影液與光阻膜之成分等溶出於顯影液中所產生之溶解生成物，使顯影停止並且使基板之正面乾燥。
11. 如請求項10之負顯影處理裝置，其中上述第1速度為1500rpm以上且2500rpm以下。
12. 如請求項10之負顯影處理裝置，其進而包含僅對基板之背面供給洗淨液之洗淨液供給部，且上述控制部係以進行背面洗淨處理之方式分別控制上述基板旋轉部及上述洗淨液供給部，上述背面洗淨處理係於正面乾燥處理之後，自上述洗淨液供給部供給洗淨液，並且使基板以低於上述第1速度之第2速度旋轉而洗淨基板之背面。