JP6482919B2 - ネガティブ現像処理方法およびネガティブ現像処理装置 - Google Patents
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Description
ホールパターンに比べてラインアンドスペースパターンでは非露光部分が広いので、ラインアンドスペースパターンを形成するときには、より多くの溶解生成物が生成される。現像工程において現像液中に多くの溶解生成物が含まれると、表面乾燥工程を行っても溶解生成物がレジスト膜に再付着し、例えばブリッジ欠陥などの現像欠陥が生じる場合がある。なお、本明細書では、「溶解生成物」を、レジスト膜が現像液に溶解したもののほか、現像欠陥をもたらす残渣や異物を総称する用語として用いる。
すなわち、本発明は、基板の表面に形成されたレジスト膜に有機溶剤を含む現像液を供給し、現像液が前記レジスト膜上に盛られた状態を維持する液盛工程と、液盛工程の後に、前記レジスト膜に有機溶剤を含む現像液をさらに供給して、前記液盛工程でレジスト膜上に盛られた現像液中に溶解した溶解生成物の濃度を希釈する希釈工程と、前記希釈工程の後に、基板を回転して、基板の表面を乾燥させる表面乾燥工程と、を備えているネガティブ現像処理方法である。
図1は、実施例に係るネガティブ現像処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
時刻t0において、制御装置31は、回転モータ5、現像液供給源16、脱気モジュール17および開閉制御弁21を制御して、基板Wを回転させるとともに、現像液供給ノズル11から基板Wの表面の中心部へ有機溶剤を含む現像液の供給を開始させる。そして、制御装置31は基板Wの回転および現像液の供給を、時刻t0から時刻t1までの期間にわたって継続させる。基板Wに供給された現像液は、基板Wの表面に形成されたレジスト膜を覆うように基板Wの表面全体に拡がる。言い換えれば、レジスト膜上に現像液の液層が形成される。
希釈工程は、液盛工程の終了と同時に開始する。すなわち、時刻t2において、制御装置31は、現像液供給ノズル11から基板Wの表面の中心部へ有機溶剤を含む現像液を再び供給させ始めるとともに、基板Wを再び回転させ始める。現像液がレジスト膜に着液するとき、レジスト膜上には液盛工程で盛られた現像液が残っている。希釈工程で滴下された現像液は、液盛工程でレジスト膜上に盛られた現像液中の溶解生成物の現像液に対する濃度(溶解生成物濃度)を希釈する。これにより、現像液に含まれる溶解生成物の濃度が薄くなる。この際、基板Wが回転しているので、現像液中の溶解生成物濃度が希釈される範囲が、基板Wの中央部から周縁部に速やかに広がる。時刻t3になると、希釈工程は終了する。
表面乾燥工程は希釈工程の終了と同時に開始する。すなわち、時刻t3において、制御装置31は、基板Wの回転速度を調整する。なお、表面乾燥工程では基板W(レジスト膜)に洗浄液を供給しない。基板Wの回転速度は比較的高いので、比較的大きな遠心力がレジスト膜上の現像液(液盛工程でレジスト膜上に盛られた現像液および希釈工程で追加された現像液を含む)に作用する。レジスト膜上の現像液は遠心力によって振り切られ、基板Wの外へ飛散し、レジスト膜上から速やかに除去される。これにより、現像液によるレジスト膜の現像が停止する。ここで、現像液は有機溶剤を含有しており、かつ、希釈工程で既に現像液中の溶解生成物濃度も希釈されているので、現像液がレジスト膜上から除去されるときに溶解生成物も現像液とともに基板W上から円滑に除去される。そして、基板Wの表面は速やかに乾燥される。時刻t4になると、表面乾燥工程は終了する。
裏面洗浄工程は表面乾燥工程の終了と同時に開始する。すなわち、時刻t4において、制御装置31は基板Wの回転速度を低下させる。基板Wの回転速度を低下させた直後、制御装置31は洗浄液供給ノズル13から基板Wの裏面へ洗浄液を供給させ始める。基板Wの回転速度は比較的に低いので、基板Wの裏面に供給された洗浄液は周囲に飛散することなく基板Wの裏面のみに好適に拡がる。そのため、基板Wの表面上の雰囲気を清浄に保ちつつ、基板Wの裏面に付着していた塵などの不純物を洗浄液によって除去できる。時刻t5になると、制御装置31は洗浄液の供給を停止させ、裏面洗浄処理が終了する。
裏面乾燥工程は、裏面洗浄工程の終了と同時に開始する。すなわち、時刻t5において、制御装置31は、基板Wの回転速度を上げる。基板Wの回転速度が比較的高いので、基板Wの裏面はスピンドライの効果によって速やかに乾燥される。時刻t6になると、制御装置31は基板Wの回転を停止させ、裏面乾燥処理が終了する。
3 …回転軸
5 …回転モータ(回転駆動部)
7 …飛散防止カップ
9 …排液管
11 …現像液供給ノズル(現像液供給部、ノズル)
13 …洗浄液供給ノズル(洗浄液供給部)
15、23…供給管
17、25…脱気モジュール
19、27…フィルタ
21、29…開閉制御弁
31 …制御装置(制御部)
W …基板
Claims (10)
- 基板の表面に形成されたレジスト膜に有機溶剤を含む現像液を供給し、現像液が前記レジスト膜上に盛られた状態を維持する液盛工程と、
液盛工程の後に、前記レジスト膜に有機溶剤を含む現像液をさらに供給して、前記液盛工程でレジスト膜上に盛られた現像液中に溶解した溶解生成物の濃度を希釈する希釈工程と、
前記希釈工程の後に、基板を回転して、基板の表面を乾燥させる表面乾燥工程と、
を備えているネガティブ現像処理方法。 - 請求項1に記載のネガティブ現像処理方法において、
前記希釈工程では、基板を回転するネガティブ現像処理方法。 - 請求項1または2に記載のネガティブ現像処理方法において、
前記希釈工程では、現像液の供給の開始と同時に基板を回転し始めるネガティブ現像処理方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載のネガティブ現像処理方法において、
前記希釈工程では、有機溶剤を含む現像液を連続的に供給するネガティブ現像処理方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載のネガティブ現像処理方法において、
前記希釈工程では、有機溶剤を含む現像液を間欠的に供給するネガティブ現像処理方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載のネガティブ現像処理方法において、
前記希釈工程では、有機溶剤を含む現像液を基板の中心部に供給するネガティブ現像処理方法。 - 請求項1から6のいずかに記載のネガティブ現像処理方法において、
前記希釈工程で有機溶剤を含む現像液を供給するノズルは、前記液盛工程で有機溶剤を含む現像液を供給したノズルと同じであるネガティブ現像処理方法。 - 請求項1から7のいずれかに記載のネガティブ現像処理方法において、
前記表面乾燥工程では、洗浄液を供給せずに基板を回転させて、前記レジスト膜上の現像液を遠心力で振り切って除去するネガティブ現像処理方法。 - 請求項1から8のいずれかに記載のネガティブ現像処理方法において、
前記表面乾燥工程の後に、基板の裏面のみに洗浄液を供給し、かつ、基板を回転して、基板の裏面を洗浄する裏面洗浄工程と、
前記裏面洗浄工程の後に、基板を回転して、基板の裏面を乾燥させる裏面乾燥工程と、
を備えるネガティブ現像処理方法。 - 基板を略水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を略鉛直軸回りに回転する回転駆動部と、
前記基板保持部によって保持された基板の表面に有機溶剤を含む現像液を供給する現像液供給部と、
前記回転駆動部と前記現像液供給部とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記現像液供給部から基板の表面に形成されたレジスト膜に現像液を供給させて、レジスト膜上に現像液の液層を形成し、
現像液の液層が前記レジスト膜上に形成された状態を所定時間にわたって維持した後、前記現像液供給部から前記レジスト膜に現像液を再び供給させて、レジスト膜上の現像液の液層中に溶け出した溶解生成物の濃度を希釈し、
前記回転駆動部によって基板を回転させて、レジスト膜上の現像液を遠心力で振り切って除去し、基板の表面を乾燥させるネガティブ現像処理装置。
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