JPH0645243A - Ic製造における現像方法 - Google Patents
Ic製造における現像方法Info
- Publication number
- JPH0645243A JPH0645243A JP3214514A JP21451491A JPH0645243A JP H0645243 A JPH0645243 A JP H0645243A JP 3214514 A JP3214514 A JP 3214514A JP 21451491 A JP21451491 A JP 21451491A JP H0645243 A JPH0645243 A JP H0645243A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- development
- developing
- developing solution
- manufacturing
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハ面内で現像処理を均一に行うことができ
る、IC製造における現像方法を提供する。 【構成】ウエハ11を低回転で回転させながら、或いは
静止させたまま、このウエハ11上に現像液16を盛
り、その現像進行時間中に、この現像液16を盛ったウ
エハ11上に更に少なくとも1回以上現像液16を盛っ
て現像し、現像終了後、このウエハ11を高回転で回転
させながら、これにリンス液18を注ぐようにしたもの
である。
る、IC製造における現像方法を提供する。 【構成】ウエハ11を低回転で回転させながら、或いは
静止させたまま、このウエハ11上に現像液16を盛
り、その現像進行時間中に、この現像液16を盛ったウ
エハ11上に更に少なくとも1回以上現像液16を盛っ
て現像し、現像終了後、このウエハ11を高回転で回転
させながら、これにリンス液18を注ぐようにしたもの
である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC製造における現像方
法に係り、特にフォトリソグラフィによるIC製造工程
のパドル方式現像を改良したIC製造における現像方法
に関するものである。
法に係り、特にフォトリソグラフィによるIC製造工程
のパドル方式現像を改良したIC製造における現像方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のフォトリソグラフィによ
るIC製造工程におけるパドル方式現像は、図8に示さ
れているように成されている。
るIC製造工程におけるパドル方式現像は、図8に示さ
れているように成されている。
【0003】先ず、図中(a)に示されているように、
スピナー(図示せず)でSi等のウエハ1を低回転で回
転させながら、或いはウエハ1を静止させたまま、その
上方から現像液吐出ノズル2より現像液3を吐出させて
該ウエハ1上に盛る。
スピナー(図示せず)でSi等のウエハ1を低回転で回
転させながら、或いはウエハ1を静止させたまま、その
上方から現像液吐出ノズル2より現像液3を吐出させて
該ウエハ1上に盛る。
【0004】次に、図中(b)に示されているように、
現像液3を盛ったウエハ1を静止させたまま現像進行時
間中放置する。
現像液3を盛ったウエハ1を静止させたまま現像進行時
間中放置する。
【0005】そして、図中(c)に示されているよう
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ1を高回転で回
転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル4より
リンス液5を吐出している。
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ1を高回転で回
転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル4より
リンス液5を吐出している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
なIC製造における現像方法にあっては、図8(b)に
示したように、ウエハ1の中央部分に比べ周辺部分に盛
られた現像液3の量が少ないので、該周辺部分の現像液
3は時間経過につれて現像に関与した後の劣化した現像
液3ばかりになり、濃度変化を起こす。
なIC製造における現像方法にあっては、図8(b)に
示したように、ウエハ1の中央部分に比べ周辺部分に盛
られた現像液3の量が少ないので、該周辺部分の現像液
3は時間経過につれて現像に関与した後の劣化した現像
液3ばかりになり、濃度変化を起こす。
【0007】従って、周辺部分の現像進行度は、中央部
分に比べて時間に比例して遅くなり、ウエハ面内で現像
進行度に差が現れ、現像処理が不均一になるという問題
があった。
分に比べて時間に比例して遅くなり、ウエハ面内で現像
進行度に差が現れ、現像処理が不均一になるという問題
があった。
【0008】本発明の目的は、上記課題に鑑み、ウエハ
面内で現像処理を均一に行うことができる、IC製造に
おける現像方法を提供するにある。
面内で現像処理を均一に行うことができる、IC製造に
おける現像方法を提供するにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
るIC製造における現像方法によれば、ウエハを低回転
で回転させながら、或いは静止させたまま、このウエハ
上に現像液を盛り、その現像進行時間中に、この現像液
を盛ったウエハ上に更に少なくとも1回以上現像液を盛
って現像し、現像終了後、このウエハを高回転で回転さ
せながら、これにリンス液を注ぐようにしたことによ
り、達成される。
るIC製造における現像方法によれば、ウエハを低回転
で回転させながら、或いは静止させたまま、このウエハ
上に現像液を盛り、その現像進行時間中に、この現像液
を盛ったウエハ上に更に少なくとも1回以上現像液を盛
って現像し、現像終了後、このウエハを高回転で回転さ
せながら、これにリンス液を注ぐようにしたことによ
り、達成される。
【0010】
【作用】上記構成によれば、現像液を盛ったウエハの現
像進行時間中に、該現像液を盛ったウエハ上に更に少な
くとも1回以上現像液を盛って現像を行っている。
像進行時間中に、該現像液を盛ったウエハ上に更に少な
くとも1回以上現像液を盛って現像を行っている。
【0011】これは、1回のみの液盛り現像では、現像
進行によりウエハの中央部分と周辺部分とで現像液の濃
度変化が生じ、ウエハ面内で現像進行度に差が現れ、均
一に現像され難くなるからである。
進行によりウエハの中央部分と周辺部分とで現像液の濃
度変化が生じ、ウエハ面内で現像進行度に差が現れ、均
一に現像され難くなるからである。
【0012】しかし、上記現像液を盛ったウエハ上に更
に少なくとも1回以上現像液を盛るようにしたので、ウ
エハ上の現像に関与した後の劣化した現像液を除去し、
新しい現像液を供給してやることにより、ウエハ面内で
現像処理を均一に行うことができるものである。
に少なくとも1回以上現像液を盛るようにしたので、ウ
エハ上の現像に関与した後の劣化した現像液を除去し、
新しい現像液を供給してやることにより、ウエハ面内で
現像処理を均一に行うことができるものである。
【0013】
【実施例】以下、本発明に係るIC製造における現像方
法の好適一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明す
る。尚、本実施例の現像方法は、IC製造工程における
現像処理工程において成されるものであり、工程順序に
従って説明する。
法の好適一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明す
る。尚、本実施例の現像方法は、IC製造工程における
現像処理工程において成されるものであり、工程順序に
従って説明する。
【0014】先ず、図2に示されているように、 Si
等のウエハ11上にSiO2 等の酸化膜12を均一に形
成する。
等のウエハ11上にSiO2 等の酸化膜12を均一に形
成する。
【0015】次に、図3に示されているように、ウエハ
11の酸化膜12上にフォトレジスト膜13を所定の厚
さ塗布する。
11の酸化膜12上にフォトレジスト膜13を所定の厚
さ塗布する。
【0016】そして、図4に示されているように、上記
ウエハ11上に酸化膜12のパターンを形成する部分に
相当する部分のフォトレジスト膜13のマスキングを行
い、該マスク14の上方から光Lを照射する。すると、
上記マスク14の開口部14aに位置するフォトレジス
ト膜13が露光される。
ウエハ11上に酸化膜12のパターンを形成する部分に
相当する部分のフォトレジスト膜13のマスキングを行
い、該マスク14の上方から光Lを照射する。すると、
上記マスク14の開口部14aに位置するフォトレジス
ト膜13が露光される。
【0017】その後、図1に示されているように、現像
処理工程に移行し、本実施例の現像方法を行う。
処理工程に移行し、本実施例の現像方法を行う。
【0018】本実施例の現像方法は、先ず、図中(a)
に示されているように、スピナー(図示せず)で上記ウ
エハ11を低回転で回転させながら、或いはウエハ11
を静止させたまま、その上方から現像液吐出ノズル15
より現像液16を吐出させて該ウエハ11上に盛る。
に示されているように、スピナー(図示せず)で上記ウ
エハ11を低回転で回転させながら、或いはウエハ11
を静止させたまま、その上方から現像液吐出ノズル15
より現像液16を吐出させて該ウエハ11上に盛る。
【0019】次に、図中(b)に示されているように、
この現像液16を盛ったウエハ11を静止させたまま、
所定時間だけ一部現像を行う。
この現像液16を盛ったウエハ11を静止させたまま、
所定時間だけ一部現像を行う。
【0020】そして、図中(c)に示されているよう
に、スピナーで上記現像液16を盛ったウエハ11を低
回転で回転させながら、或いはウエハ11を静止させた
まま、その上方から上記現像液吐出ノズル15より、更
に現像液16を吐出させて該ウエハ11上に盛る。この
場合、上記ウエハ11上の現像に関与した後の劣化した
現像液16を除去した後、新しい現像液16を供給する
と効果的である。
に、スピナーで上記現像液16を盛ったウエハ11を低
回転で回転させながら、或いはウエハ11を静止させた
まま、その上方から上記現像液吐出ノズル15より、更
に現像液16を吐出させて該ウエハ11上に盛る。この
場合、上記ウエハ11上の現像に関与した後の劣化した
現像液16を除去した後、新しい現像液16を供給する
と効果的である。
【0021】その後、図中(d)に示されているよう
に、再度現像液16を盛ったウエハ11を静止させたま
ま現像を行う。以上の図1(c),(d)に示した処理
を1回若しくは複数回繰り返して現像を完了させる。
に、再度現像液16を盛ったウエハ11を静止させたま
ま現像を行う。以上の図1(c),(d)に示した処理
を1回若しくは複数回繰り返して現像を完了させる。
【0022】さらに、図中(e)に示されているよう
に、この現像終了後、スピナーで上記ウエハ11を高回
転で回転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル
17よりリンス液18を吐出する。
に、この現像終了後、スピナーで上記ウエハ11を高回
転で回転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル
17よりリンス液18を吐出する。
【0023】以上のような現像処理工程の終了後、図5
に示されているように、現像されたフォトレジスト膜1
3が上記酸化膜12上に残存することになる。
に示されているように、現像されたフォトレジスト膜1
3が上記酸化膜12上に残存することになる。
【0024】このように、ウエハの酸化膜12上に現像
されたフォトレジスト膜13を残存させた後に、図6に
示されているように、上記酸化膜12のエッチング処理
19を行う。このエッチング処理19により上記フォト
レジスト膜13の被覆されていない酸化膜12がウエハ
11上から除去され、該フォトレジスト膜13下の酸化
膜12のみがウエハ11上に残存する。
されたフォトレジスト膜13を残存させた後に、図6に
示されているように、上記酸化膜12のエッチング処理
19を行う。このエッチング処理19により上記フォト
レジスト膜13の被覆されていない酸化膜12がウエハ
11上から除去され、該フォトレジスト膜13下の酸化
膜12のみがウエハ11上に残存する。
【0025】最後に、上記フォトレジスト膜13を除去
すると、図7に示されているように、ウエハ11上に残
存した酸化膜12がパターンとして形成されることにな
る。
すると、図7に示されているように、ウエハ11上に残
存した酸化膜12がパターンとして形成されることにな
る。
【0026】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述したように、IC製造工程における現像処理工程に
おいて、本実施例の現像方法は、現像液16を盛ったウ
エハ11の現像進行時間中に、該現像液16を盛ったウ
エハ11上に更に1回若しくは複数回現像液16を盛っ
て現像を行っている。
上述したように、IC製造工程における現像処理工程に
おいて、本実施例の現像方法は、現像液16を盛ったウ
エハ11の現像進行時間中に、該現像液16を盛ったウ
エハ11上に更に1回若しくは複数回現像液16を盛っ
て現像を行っている。
【0027】何故なら、1回のみの液盛り現像では、現
像進行により上記ウエハ11の中央部分と周辺部分とで
現像液16の濃度変化が生じ、該ウエハ面内で現像進行
度に差が現れ、均一に現像され難くなるからである。
像進行により上記ウエハ11の中央部分と周辺部分とで
現像液16の濃度変化が生じ、該ウエハ面内で現像進行
度に差が現れ、均一に現像され難くなるからである。
【0028】そこで、本実施例の現像方法は、上記現像
液16を盛ったウエハ11上に更に1回若しくは複数回
現像液16を盛ることにより、ウエハ11上の現像に関
与した後の劣化した現像液16を除去し、新しい現像液
16を供給してやることになり、該ウエハ面内で現像処
理を均一に行うことができるものである。
液16を盛ったウエハ11上に更に1回若しくは複数回
現像液16を盛ることにより、ウエハ11上の現像に関
与した後の劣化した現像液16を除去し、新しい現像液
16を供給してやることになり、該ウエハ面内で現像処
理を均一に行うことができるものである。
【0029】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係るIC製造
における現像方法によれば、ウエハ面内で現像処理を均
一に行うことができる、という優れた効果を発揮する。
における現像方法によれば、ウエハ面内で現像処理を均
一に行うことができる、という優れた効果を発揮する。
【図1】本発明に係るIC製造における現像方法を示す
概略図である。
概略図である。
【図2】IC製造工程において、ウエハ上に酸化膜を形
成した状態を示す概略図である。
成した状態を示す概略図である。
【図3】IC製造工程において、ウエハの酸化膜上にフ
ォトレジスト膜を塗布した状態を示す概略図である。
ォトレジスト膜を塗布した状態を示す概略図である。
【図4】IC製造工程において、 マスキング及びフォ
トレジスト膜の露光状態を示す概略図である。
トレジスト膜の露光状態を示す概略図である。
【図5】IC製造工程において、酸化膜上に現像したフ
ォトレジスト膜を残存させた状態を示す概略図である。
ォトレジスト膜を残存させた状態を示す概略図である。
【図6】IC製造工程において、酸化膜にエッチング処
理を施した状態を示す概略図である。
理を施した状態を示す概略図である。
【図7】IC製造工程において、現像したフォトレジス
ト膜を除去して酸化膜パターンを形成した状態を示す概
略図である。
ト膜を除去して酸化膜パターンを形成した状態を示す概
略図である。
【図8】従来のIC製造における現像方法を示す概略図
である。
である。
11 ウエハ 12 酸化膜 13 フォトレジスト膜 14 マスク 14a 開口部 15 現像液吐出ノズル 16 現像液 17 リンス液吐出ノズル 18 リンス液 19 エッチング処理 L 光
Claims (1)
- 【請求項1】 ウエハを低回転で回転させながら、或い
は静止させたまま、該ウエハ上に現像液を盛り、その現
像進行時間中に、該現像液を盛ったウエハ上に更に少な
くとも1回以上現像液を盛って現像し、現像終了後、該
ウエハを高回転で回転させながら、これにリンス液を注
ぐようにしたことを特徴とする、IC製造における現像
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3214514A JPH0645243A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | Ic製造における現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3214514A JPH0645243A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | Ic製造における現像方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645243A true JPH0645243A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16656988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3214514A Pending JPH0645243A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | Ic製造における現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0645243A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016181538A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | ネガティブ現像処理方法およびネガティブ現像処理装置 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3214514A patent/JPH0645243A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016181538A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | ネガティブ現像処理方法およびネガティブ現像処理装置 |
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