JPH0645243A - Ｉｃ製造における現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウエハ面内で現像処理を均一に行うことができ
る、ＩＣ製造における現像方法を提供する。 【構成】ウエハ１１を低回転で回転させながら、或いは
静止させたまま、このウエハ１１上に現像液１６を盛
り、その現像進行時間中に、この現像液１６を盛ったウ
エハ１１上に更に少なくとも１回以上現像液１６を盛っ
て現像し、現像終了後、このウエハ１１を高回転で回転
させながら、これにリンス液１８を注ぐようにしたもの
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＩＣ製造における現像方
法に係り、特にフォトリソグラフィによるＩＣ製造工程
のパドル方式現像を改良したＩＣ製造における現像方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のフォトリソグラフィによ
るＩＣ製造工程におけるパドル方式現像は、図８に示さ
れているように成されている。

【０００３】先ず、図中（ａ）に示されているように、
スピナー（図示せず）でＳｉ等のウエハ１を低回転で回
転させながら、或いはウエハ１を静止させたまま、その
上方から現像液吐出ノズル２より現像液３を吐出させて
該ウエハ１上に盛る。

【０００４】次に、図中（ｂ）に示されているように、
現像液３を盛ったウエハ１を静止させたまま現像進行時
間中放置する。

【０００５】そして、図中（ｃ）に示されているよう
に、現像終了後、スピナーで上記ウエハ１を高回転で回
転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル４より
リンス液５を吐出している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
なＩＣ製造における現像方法にあっては、図８（ｂ）に
示したように、ウエハ１の中央部分に比べ周辺部分に盛
られた現像液３の量が少ないので、該周辺部分の現像液
３は時間経過につれて現像に関与した後の劣化した現像
液３ばかりになり、濃度変化を起こす。

【０００７】従って、周辺部分の現像進行度は、中央部
分に比べて時間に比例して遅くなり、ウエハ面内で現像
進行度に差が現れ、現像処理が不均一になるという問題
があった。

【０００８】本発明の目的は、上記課題に鑑み、ウエハ
面内で現像処理を均一に行うことができる、ＩＣ製造に
おける現像方法を提供するにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
るＩＣ製造における現像方法によれば、ウエハを低回転
で回転させながら、或いは静止させたまま、このウエハ
上に現像液を盛り、その現像進行時間中に、この現像液
を盛ったウエハ上に更に少なくとも１回以上現像液を盛
って現像し、現像終了後、このウエハを高回転で回転さ
せながら、これにリンス液を注ぐようにしたことによ
り、達成される。

【００１０】

【作用】上記構成によれば、現像液を盛ったウエハの現
像進行時間中に、該現像液を盛ったウエハ上に更に少な
くとも１回以上現像液を盛って現像を行っている。

【００１１】これは、１回のみの液盛り現像では、現像
進行によりウエハの中央部分と周辺部分とで現像液の濃
度変化が生じ、ウエハ面内で現像進行度に差が現れ、均
一に現像され難くなるからである。

【００１２】しかし、上記現像液を盛ったウエハ上に更
に少なくとも１回以上現像液を盛るようにしたので、ウ
エハ上の現像に関与した後の劣化した現像液を除去し、
新しい現像液を供給してやることにより、ウエハ面内で
現像処理を均一に行うことができるものである。

【００１３】

【実施例】以下、本発明に係るＩＣ製造における現像方
法の好適一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明す
る。尚、本実施例の現像方法は、ＩＣ製造工程における
現像処理工程において成されるものであり、工程順序に
従って説明する。

【００１４】先ず、図２に示されているように、 Ｓｉ
等のウエハ１１上にＳｉＯ₂ 等の酸化膜１２を均一に形
成する。

【００１５】次に、図３に示されているように、ウエハ
１１の酸化膜１２上にフォトレジスト膜１３を所定の厚
さ塗布する。

【００１６】そして、図４に示されているように、上記
ウエハ１１上に酸化膜１２のパターンを形成する部分に
相当する部分のフォトレジスト膜１３のマスキングを行
い、該マスク１４の上方から光Ｌを照射する。すると、
上記マスク１４の開口部１４ａに位置するフォトレジス
ト膜１３が露光される。

【００１７】その後、図１に示されているように、現像
処理工程に移行し、本実施例の現像方法を行う。

【００１８】本実施例の現像方法は、先ず、図中（ａ）
に示されているように、スピナー（図示せず）で上記ウ
エハ１１を低回転で回転させながら、或いはウエハ１１
を静止させたまま、その上方から現像液吐出ノズル１５
より現像液１６を吐出させて該ウエハ１１上に盛る。

【００１９】次に、図中（ｂ）に示されているように、
この現像液１６を盛ったウエハ１１を静止させたまま、
所定時間だけ一部現像を行う。

【００２０】そして、図中（ｃ）に示されているよう
に、スピナーで上記現像液１６を盛ったウエハ１１を低
回転で回転させながら、或いはウエハ１１を静止させた
まま、その上方から上記現像液吐出ノズル１５より、更
に現像液１６を吐出させて該ウエハ１１上に盛る。この
場合、上記ウエハ１１上の現像に関与した後の劣化した
現像液１６を除去した後、新しい現像液１６を供給する
と効果的である。

【００２１】その後、図中（ｄ）に示されているよう
に、再度現像液１６を盛ったウエハ１１を静止させたま
ま現像を行う。以上の図１（ｃ），（ｄ）に示した処理
を１回若しくは複数回繰り返して現像を完了させる。

【００２２】さらに、図中（ｅ）に示されているよう
に、この現像終了後、スピナーで上記ウエハ１１を高回
転で回転させながら、その上方からリンス液吐出ノズル
１７よりリンス液１８を吐出する。

【００２３】以上のような現像処理工程の終了後、図５
に示されているように、現像されたフォトレジスト膜１
３が上記酸化膜１２上に残存することになる。

【００２４】このように、ウエハの酸化膜１２上に現像
されたフォトレジスト膜１３を残存させた後に、図６に
示されているように、上記酸化膜１２のエッチング処理
１９を行う。このエッチング処理１９により上記フォト
レジスト膜１３の被覆されていない酸化膜１２がウエハ
１１上から除去され、該フォトレジスト膜１３下の酸化
膜１２のみがウエハ１１上に残存する。

【００２５】最後に、上記フォトレジスト膜１３を除去
すると、図７に示されているように、ウエハ１１上に残
存した酸化膜１２がパターンとして形成されることにな
る。

【００２６】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述したように、ＩＣ製造工程における現像処理工程に
おいて、本実施例の現像方法は、現像液１６を盛ったウ
エハ１１の現像進行時間中に、該現像液１６を盛ったウ
エハ１１上に更に１回若しくは複数回現像液１６を盛っ
て現像を行っている。

【００２７】何故なら、１回のみの液盛り現像では、現
像進行により上記ウエハ１１の中央部分と周辺部分とで
現像液１６の濃度変化が生じ、該ウエハ面内で現像進行
度に差が現れ、均一に現像され難くなるからである。

【００２８】そこで、本実施例の現像方法は、上記現像
液１６を盛ったウエハ１１上に更に１回若しくは複数回
現像液１６を盛ることにより、ウエハ１１上の現像に関
与した後の劣化した現像液１６を除去し、新しい現像液
１６を供給してやることになり、該ウエハ面内で現像処
理を均一に行うことができるものである。

【００２９】

【発明の効果】以上述べたように本発明に係るＩＣ製造
における現像方法によれば、ウエハ面内で現像処理を均
一に行うことができる、という優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＩＣ製造における現像方法を示す
概略図である。

【図２】ＩＣ製造工程において、ウエハ上に酸化膜を形
成した状態を示す概略図である。

【図３】ＩＣ製造工程において、ウエハの酸化膜上にフ
ォトレジスト膜を塗布した状態を示す概略図である。

【図４】ＩＣ製造工程において、 マスキング及びフォ
トレジスト膜の露光状態を示す概略図である。

【図５】ＩＣ製造工程において、酸化膜上に現像したフ
ォトレジスト膜を残存させた状態を示す概略図である。

【図６】ＩＣ製造工程において、酸化膜にエッチング処
理を施した状態を示す概略図である。

【図７】ＩＣ製造工程において、現像したフォトレジス
ト膜を除去して酸化膜パターンを形成した状態を示す概
略図である。

【図８】従来のＩＣ製造における現像方法を示す概略図
である。

【符号の説明】

１１ ウエハ １２ 酸化膜 １３ フォトレジスト膜 １４ マスク １４ａ 開口部 １５ 現像液吐出ノズル １６ 現像液 １７ リンス液吐出ノズル １８ リンス液 １９ エッチング処理 Ｌ 光

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハを低回転で回転させながら、或い
   は静止させたまま、該ウエハ上に現像液を盛り、その現
   像進行時間中に、該現像液を盛ったウエハ上に更に少な
   くとも１回以上現像液を盛って現像し、現像終了後、該
   ウエハを高回転で回転させながら、これにリンス液を注
   ぐようにしたことを特徴とする、ＩＣ製造における現像
   方法。