JP3040749B2 - 残留物の除去方法 - Google Patents
残留物の除去方法Info
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- JP3040749B2 JP3040749B2 JP16954498A JP16954498A JP3040749B2 JP 3040749 B2 JP3040749 B2 JP 3040749B2 JP 16954498 A JP16954498 A JP 16954498A JP 16954498 A JP16954498 A JP 16954498A JP 3040749 B2 JP3040749 B2 JP 3040749B2
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- Japan
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- developer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、残留物の除去方
法、特に金属層のエッチングプロセスを実施した後、金
属層上に残留するフォトレジスト残留物を除去する方法
に関するものである。
法、特に金属層のエッチングプロセスを実施した後、金
属層上に残留するフォトレジスト残留物を除去する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属層を形成する従来の方法において、
フォトレジスト層はフォトリソグラフィおよびエッチン
グにより形成されパターン化される。フォトレジスト残
留物はエッチングプロセス中に露出した金属層上に生じ
る。この残留物はポリマーの一種であり、金属層の導電
性やワイヤーボンディングに影響を及ぼす。したがっ
て、この種の残留物は除去されなければならない。
フォトレジスト層はフォトリソグラフィおよびエッチン
グにより形成されパターン化される。フォトレジスト残
留物はエッチングプロセス中に露出した金属層上に生じ
る。この残留物はポリマーの一種であり、金属層の導電
性やワイヤーボンディングに影響を及ぼす。したがっ
て、この種の残留物は除去されなければならない。
【０００３】図１に、パッド層、例えばアルミニウム層
をエッチングした後、フォトレジスト残留物を除去する
ための従来の方法を示す。前途したように、パッド層は
フォトレジスト層を使用してフォトリソグラフィおよび
エッチングにより形成される。その後、洗浄プロセスが
フォトレジストポリマー残留物を除去するために実施さ
れる。
をエッチングした後、フォトレジスト残留物を除去する
ための従来の方法を示す。前途したように、パッド層は
フォトレジスト層を使用してフォトリソグラフィおよび
エッチングにより形成される。その後、洗浄プロセスが
フォトレジストポリマー残留物を除去するために実施さ
れる。
【０００４】溶媒タンク浸漬法を用いた残留物の従来の
洗浄プロセスを図１に示す。参照番号はプロセスの各ス
テップを表している。ステップ１０において、ウエハが
供給される。ステップ１１において、フォトレジスト層
が除去される。ステップ１２において、ウエハの表面上
の有機溶媒が洗い流される。ステップ１３において、多
量の脱イオン水がクイックダウン洗浄（Ｑｕｉｃｋ−ｄ
ｏｗｎ Ｒｉｎｓｉｎｇ）のために使用される。ステッ
プ１４において、さらなる洗浄が実施され、ステップ１
５において水がウエハから気化される。
洗浄プロセスを図１に示す。参照番号はプロセスの各ス
テップを表している。ステップ１０において、ウエハが
供給される。ステップ１１において、フォトレジスト層
が除去される。ステップ１２において、ウエハの表面上
の有機溶媒が洗い流される。ステップ１３において、多
量の脱イオン水がクイックダウン洗浄（Ｑｕｉｃｋ−ｄ
ｏｗｎ Ｒｉｎｓｉｎｇ）のために使用される。ステッ
プ１４において、さらなる洗浄が実施され、ステップ１
５において水がウエハから気化される。
【０００５】ステップ１１において、ウエハはフォトレ
ジストを除去するためにポリマー除去用タンクに配置さ
れる。ステップ１２において、有機溶媒が洗い流され
る。ポリマー除去用タンクは有機溶媒を含む。有機溶媒
は水で洗い流せないので、ウエハがポリマー除去用タン
クから取り出される。取り出されたウエハは中断用（Ｐ
ＳＲ）タンク内に配置される。中断用タンク内にある溶
媒はウエハの表面上にある有機溶媒を洗い流すことがで
きる。このステップによりその後に実施される水洗浄が
効果的となる。
ジストを除去するためにポリマー除去用タンクに配置さ
れる。ステップ１２において、有機溶媒が洗い流され
る。ポリマー除去用タンクは有機溶媒を含む。有機溶媒
は水で洗い流せないので、ウエハがポリマー除去用タン
クから取り出される。取り出されたウエハは中断用（Ｐ
ＳＲ）タンク内に配置される。中断用タンク内にある溶
媒はウエハの表面上にある有機溶媒を洗い流すことがで
きる。このステップによりその後に実施される水洗浄が
効果的となる。
【０００６】ステップ１３において、多量の脱イオン水
を使用したクイックダウン洗浄がクイックダウン洗浄機
（ＱＤＲ）内にウエハを配置することにより実施され
る。ウエハがすっかり洗浄されたかどうかは洗浄後にそ
の抵抗を測定することにより知ることができる。水はイ
ソプロパノールを導入することにより気化される。
を使用したクイックダウン洗浄がクイックダウン洗浄機
（ＱＤＲ）内にウエハを配置することにより実施され
る。ウエハがすっかり洗浄されたかどうかは洗浄後にそ
の抵抗を測定することにより知ることができる。水はイ
ソプロパノールを導入することにより気化される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ウエハを洗浄するため
に多くのステップが必要であるので処理量が低い。各ロ
ットで消費される時間はおよそ５０分と長い。さらに、
ポリマー除去用タンク、ＰＳＲタンクおよびＧＤＲタン
ク内の溶液は劣化しやすいので頻繁に交換されなければ
ならない。これらは製造コストの上昇をもたらす。洗浄
プロセスを終了した後、オージェ分光分析(ＡＥＳ)がウ
エハに実施される。その分析結果の一例を図２に示す。
図中、番号２０によって示されるピークはウエハ上にイ
オウ（Ｓ）が残留していることを示している。イオウの
残留物は、その後のワイヤボンディングプロセスに影響
を及ぼす。
に多くのステップが必要であるので処理量が低い。各ロ
ットで消費される時間はおよそ５０分と長い。さらに、
ポリマー除去用タンク、ＰＳＲタンクおよびＧＤＲタン
ク内の溶液は劣化しやすいので頻繁に交換されなければ
ならない。これらは製造コストの上昇をもたらす。洗浄
プロセスを終了した後、オージェ分光分析(ＡＥＳ)がウ
エハに実施される。その分析結果の一例を図２に示す。
図中、番号２０によって示されるピークはウエハ上にイ
オウ（Ｓ）が残留していることを示している。イオウの
残留物は、その後のワイヤボンディングプロセスに影響
を及ぼす。
【０００８】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、ウエハ上におけるイオウ残留物の生成を防げてフ
ォトレジスト残留物を容易に除去できるフォトレジスト
残留物の除去方法を提供することである。これらの目的
および効果を達成するための本発明の残留物の除去方法
は以下のステップを含む。すなわち、表面に金属層を有
し、この金属層上に残留物が付着しているウエハを供給
する工程と、あるスピン速度でウエハを回転させなが
ら、ウエハ上に水を供給することによりウエハ上に水被
膜を形成する工程と、水被膜に現像液を導入する工程
と、水被膜と現像液とを均一に混合して金属層上の残留
物を除去する工程とを含むものであって、水被膜中にお
ける現像液の濃度はウエハのスピン速度を調節すること
により制御される。
的は、ウエハ上におけるイオウ残留物の生成を防げてフ
ォトレジスト残留物を容易に除去できるフォトレジスト
残留物の除去方法を提供することである。これらの目的
および効果を達成するための本発明の残留物の除去方法
は以下のステップを含む。すなわち、表面に金属層を有
し、この金属層上に残留物が付着しているウエハを供給
する工程と、あるスピン速度でウエハを回転させなが
ら、ウエハ上に水を供給することによりウエハ上に水被
膜を形成する工程と、水被膜に現像液を導入する工程
と、水被膜と現像液とを均一に混合して金属層上の残留
物を除去する工程とを含むものであって、水被膜中にお
ける現像液の濃度はウエハのスピン速度を調節すること
により制御される。
【０００９】上記総括的な記載および以下に述べる詳細
な記載はともに本発明の具体的な説明として理解される
べきであり，本発明を限定するものではない。
な記載はともに本発明の具体的な説明として理解される
べきであり，本発明を限定するものではない。
【００１０】
【発明の実施の形態】露光後、フォトレジスト層が現像
により除去されることは知られている。本発明において
は、エッチングにより金属層を除去した後、金属層上の
フォトレジスト残留物は現像液によって除去される。金
属層はアルカリ材料により容易に侵食される。現像液と
して濃度が２.３８％（ｖ/ｖ）のアルカリ性の水酸化テ
トラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の使用により、窪
みが金属層の表面上に生じる。好ましい方法において
は、現像液の濃度が制御され、フォトレジスト残留物除
去時間が適切に選択される。この時、フォトレジスト残
留物は金属層の表面にくぼみを形成することなく効果的
に除去される。
により除去されることは知られている。本発明において
は、エッチングにより金属層を除去した後、金属層上の
フォトレジスト残留物は現像液によって除去される。金
属層はアルカリ材料により容易に侵食される。現像液と
して濃度が２.３８％（ｖ/ｖ）のアルカリ性の水酸化テ
トラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の使用により、窪
みが金属層の表面上に生じる。好ましい方法において
は、現像液の濃度が制御され、フォトレジスト残留物除
去時間が適切に選択される。この時、フォトレジスト残
留物は金属層の表面にくぼみを形成することなく効果的
に除去される。
【００１１】ＴＭＡＨを希釈し金属層上のフォトレジス
ト残留物を除去する方法を図３に示す。図において、洗
浄プロセスの各ステップが参照番号により表示されてい
る。ステップ３０においてウエハが供給される。ステッ
プ３１において、ウエハ上のフォトレジスト層が取り除
かれる。ステップ３２において、ウエハは脱イオン水に
よって洗浄される。ステップ３３において、脱イオン水
被膜がウエハの表面に形成される。ステップ３４におい
て、現像液が導入される。ステップ３５において、金属
層上の残留物は取り除かれる。ステップ３６において、
次の洗浄プロセスが実施される。
ト残留物を除去する方法を図３に示す。図において、洗
浄プロセスの各ステップが参照番号により表示されてい
る。ステップ３０においてウエハが供給される。ステッ
プ３１において、ウエハ上のフォトレジスト層が取り除
かれる。ステップ３２において、ウエハは脱イオン水に
よって洗浄される。ステップ３３において、脱イオン水
被膜がウエハの表面に形成される。ステップ３４におい
て、現像液が導入される。ステップ３５において、金属
層上の残留物は取り除かれる。ステップ３６において、
次の洗浄プロセスが実施される。
【００１２】さて、ステップ３１においてウエハ上のフ
ォトレジスト層を取り除いた後、脱イオン水洗浄プロセ
スがステップ３２において実施される。ウエハが高スピ
ン速度で回される。高スピン速度において、脱イオン水
被膜がウエハ上に形成される（ステップ３３）。脱イオ
ン水被膜の厚さは次のステップにおいて導入される現像
液の濃度に影響を及ぼす。スピン速度を下げることによ
り、脱イオン水被膜は水の表面張力のためウエハ上にお
いて均一な分布となる。
ォトレジスト層を取り除いた後、脱イオン水洗浄プロセ
スがステップ３２において実施される。ウエハが高スピ
ン速度で回される。高スピン速度において、脱イオン水
被膜がウエハ上に形成される（ステップ３３）。脱イオ
ン水被膜の厚さは次のステップにおいて導入される現像
液の濃度に影響を及ぼす。スピン速度を下げることによ
り、脱イオン水被膜は水の表面張力のためウエハ上にお
いて均一な分布となる。
【００１３】ステップ３４において現像液が脱イオン水
被膜中に導入される。脱イオン水被膜は現像液を希釈し
て現像液の濃度を下げるために使用される。これによ
り、アルカリ度が弱められウエハの表面に窪みを形成す
る可能性が抑制される。
被膜中に導入される。脱イオン水被膜は現像液を希釈し
て現像液の濃度を下げるために使用される。これによ
り、アルカリ度が弱められウエハの表面に窪みを形成す
る可能性が抑制される。
【００１４】スピン速度は現像液と脱イオン水被膜を均
一に混合するために高められる。ステップ３５におい
て、スピン速度は再び下げられ金属層上の残留物が除去
される。ステップ３６において、ウエハ上の溶液が水洗
浄によって洗い流される。上記方法によりウエハを洗浄
する場合、各ロットにおいて必要とされる時間はわずか
３０分であり、プロセスの処理量が改善される。一方、
現像液を長持ちさせるのにも便利であり、それにより洗
浄に係る費用を節約できる。
一に混合するために高められる。ステップ３５におい
て、スピン速度は再び下げられ金属層上の残留物が除去
される。ステップ３６において、ウエハ上の溶液が水洗
浄によって洗い流される。上記方法によりウエハを洗浄
する場合、各ロットにおいて必要とされる時間はわずか
３０分であり、プロセスの処理量が改善される。一方、
現像液を長持ちさせるのにも便利であり、それにより洗
浄に係る費用を節約できる。
【００１５】パッド上のフォトレジスト残留物を除去す
るために上記方法を使用し、得られたパッドに対して原
子発光分光分析を実施した場合の結果が図４に示されて
いる。図中、参照番号４０はイオウのピークの位置を示
している。従来の洗浄方法において見られたようなプロ
ファイル中のイオウの痕跡は本発明の方法が採用された
場合には見られないのがわかる。結果的に、その後のワ
イヤボンディングがイオウ残留物により影響されること
はない。
るために上記方法を使用し、得られたパッドに対して原
子発光分光分析を実施した場合の結果が図４に示されて
いる。図中、参照番号４０はイオウのピークの位置を示
している。従来の洗浄方法において見られたようなプロ
ファイル中のイオウの痕跡は本発明の方法が採用された
場合には見られないのがわかる。結果的に、その後のワ
イヤボンディングがイオウ残留物により影響されること
はない。
【００１６】
【発明の効果】本発明の特徴は、以下のようにまとめら
れる： （１）現像液を使用してフォトレジスト残留物を除去す
ることができ、現像液の保存が容易であるのでプロセス
にかかる費用を削減できる。 （２）希釈された現像液の濃度は、脱イオン水被膜の厚
さと現像液の量によって制御できる。 （３）脱イオン水被膜の厚さはウエハのスピン速度によ
って制御できる。 （４）金属層上におけるイオウ残留物の生成を防げるの
で、後のワイヤボンディング工程へのイオウ残留物の影
響がない。
れる： （１）現像液を使用してフォトレジスト残留物を除去す
ることができ、現像液の保存が容易であるのでプロセス
にかかる費用を削減できる。 （２）希釈された現像液の濃度は、脱イオン水被膜の厚
さと現像液の量によって制御できる。 （３）脱イオン水被膜の厚さはウエハのスピン速度によ
って制御できる。 （４）金属層上におけるイオウ残留物の生成を防げるの
で、後のワイヤボンディング工程へのイオウ残留物の影
響がない。
【００１７】本発明のさらなる実施例および変更例は、
明細書内に開示された内容から本技術分野に従事する者
にとって明らかであるだろう。明細書内の記載、特にこ
こに紹介した実施例は本発明を例示的に示すものと解釈
されるべきであり、本発明の範囲は請求項よって解釈さ
れるべきである。
明細書内に開示された内容から本技術分野に従事する者
にとって明らかであるだろう。明細書内の記載、特にこ
こに紹介した実施例は本発明を例示的に示すものと解釈
されるべきであり、本発明の範囲は請求項よって解釈さ
れるべきである。
【図１】溶媒タンク浸漬法を使用してフォトレジスト残
留物を除去する従来方法のフローチャートである。
留物を除去する従来方法のフローチャートである。
【図２】図１に示す従来の洗浄方法を実施した後に測定
されたウエハ表面のオージェ分光分析のプロファイルで
ある。
されたウエハ表面のオージェ分光分析のプロファイルで
ある。
【図３】現像液を導入することによりフォトレジスト残
留物を除去する本発明の実施例の方法のフローチャート
である。
留物を除去する本発明の実施例の方法のフローチャート
である。
【図４】図３に示す本発明の洗浄方法を実施した後に測
定されたウエハ表面のオージェ分光分析のプロファイル
である。
定されたウエハ表面のオージェ分光分析のプロファイル
である。
１０ ステップ１０ １１ ステップ１１ １２ ステップ１２ １３ ステップ１３ １４ ステップ１４ １５ ステップ１５ ２０ ウエハ上に残留するイオウを示すピーク ３０ ステップ３０ ３１ ステップ３１ ３２ ステップ３２ ３３ ステップ３３ ３４ ステップ３４ ３５ ステップ３５ ３６ ステップ３６ ４０ イオウのピークの位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】表面に金属層を有し、該金属層上に残留物
が付着しているウエハを供給する工程と、あるスピン速
度で前記ウエハを回転させながら、ウエハ上に水を供給
することによりウエハ上に水被膜を形成する工程と、前
記水被膜に現像液を導入する工程と、前記水被膜と前記
現像液とを均一に混合して前記金属層上の残留物を除去
する工程とを含み、前記水被膜中における前記現像液の
濃度は前記ウエハのスピン速度を調節することにより制
御されることを特徴とする残留物の除去方法。 - 【請求項２】 前記現像液の使用により残留物を除去し
た後、ウエハを水で洗浄することを特徴とする請求項１
の除去方法。 - 【請求項３】 前記残留物は、フォトレジスト残留物で
あることを特徴とする請求項１の除去方法。 - 【請求項４】 前記現像液は、水酸化テトラメチルアン
モニウムを含むことを特徴とする請求項１の除去方法。 - 【請求項５】 前記現像液の濃度は、およそ２.３８％
（ｖ/ｖ）であることを特徴とする請求項１の除去方
法。 - 【請求項６】 前記水被膜は、脱イオン水の被膜である
ことを特徴とする請求項１の除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87106331A TW402738B (en) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | Method of residues removing |
| TW87106331 | 1998-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11305454A JPH11305454A (ja) | 1999-11-05 |
| JP3040749B2 true JP3040749B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=21629968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16954498A Expired - Fee Related JP3040749B2 (ja) | 1998-04-24 | 1998-06-17 | 残留物の除去方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040749B2 (ja) |
| TW (1) | TW402738B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101689822B1 (ko) * | 2015-02-10 | 2016-12-26 | 한경수 | 테이프 커팅 장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009069505A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Tosoh Corp | レジスト除去用洗浄液及び洗浄方法 |
| CN102373480A (zh) * | 2010-08-19 | 2012-03-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 清洗晶片的方法 |
| CN102800575B (zh) * | 2011-05-26 | 2015-01-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铝衬垫的晶体缺陷去除方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281332A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | エツチング方法 |
| JPH06151390A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sony Corp | ドライエッチングの後処理方法 |
| JPH09319098A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Rohm Co Ltd | レジスト膜用剥離液 |
-
1998
- 1998-04-24 TW TW87106331A patent/TW402738B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 JP JP16954498A patent/JP3040749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101689822B1 (ko) * | 2015-02-10 | 2016-12-26 | 한경수 | 테이프 커팅 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11305454A (ja) | 1999-11-05 |
| TW402738B (en) | 2000-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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