JPS62281332A - エツチング方法 - Google Patents
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- JPS62281332A JPS62281332A JP12412486A JP12412486A JPS62281332A JP S62281332 A JPS62281332 A JP S62281332A JP 12412486 A JP12412486 A JP 12412486A JP 12412486 A JP12412486 A JP 12412486A JP S62281332 A JPS62281332 A JP S62281332A
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Landscapes
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔概要〕
アルミニウム(AI)合金層、例えばアルミニウム銅(
AI−Cu)合金層のバターニングに際し、通常AI単
体のときと同様に塩素(CI)系ガスを用いたドライエ
ツチングを行うが、このときCuxCIyの形で塩素骨
が残りその除去が困難であり、Al−Cu合金層のコロ
−ジョン(腐食)が発生する。その抑止のために、Al
−Cu層をパターニングした後、コリン、もしくはその
誘導体中に浸漬する方法を提起する。
AI−Cu)合金層のバターニングに際し、通常AI単
体のときと同様に塩素(CI)系ガスを用いたドライエ
ツチングを行うが、このときCuxCIyの形で塩素骨
が残りその除去が困難であり、Al−Cu合金層のコロ
−ジョン(腐食)が発生する。その抑止のために、Al
−Cu層をパターニングした後、コリン、もしくはその
誘導体中に浸漬する方法を提起する。
本発明はコロ−ジョンの発生を抑制した、A1合金層、
例えばAl−Cu合金層のエツチング方法に関する。
例えばAl−Cu合金層のエツチング方法に関する。
一般に半導体デバイスの配線層にはA1層、または珪素
(Si)を数%混入したAl−5A合金層が用いられて
いるが、エレクトロマイグレーションにより配線層が消
滅することがある。
(Si)を数%混入したAl−5A合金層が用いられて
いるが、エレクトロマイグレーションにより配線層が消
滅することがある。
これを抑止するため、バイポーラデバイス、とくに高速
ロジック用大電流デバイスの配線層に、Cuを2〜4%
混入したAl−Cu合金層が用いられるようになった。
ロジック用大電流デバイスの配線層に、Cuを2〜4%
混入したAl−Cu合金層が用いられるようになった。
Ct系ガスを用いたAI、またはその合金のドライエツ
チングにおいて、残留塩素分によるAI、またはその合
金のコロ−ジョンが問題となっている。
チングにおいて、残留塩素分によるAI、またはその合
金のコロ−ジョンが問題となっている。
つぎに、参考のためにコロ−ジョンの発生機構を考える
。
。
いま、エツチングガスのプラズマにより生成した塩素ラ
ジカルを01″″で表すと、次式のように、AIはCげ
と反応してAICh 、あるいはA1□C1aとなって
昇華することによりエツチングは進む。
ジカルを01″″で表すと、次式のように、AIはCげ
と反応してAICh 、あるいはA1□C1aとなって
昇華することによりエツチングは進む。
八1+C1° → AlCl、↑、 Al□C16↑
。
。
このとき生じたAlC1,1等がエツチングされた41
層の側壁やレジスト表面に付着したまま大気中に取り出
されると、大気中の水分と反応しての次式ように塩酸(
l(C1)等を生じる。
層の側壁やレジスト表面に付着したまま大気中に取り出
されると、大気中の水分と反応しての次式ように塩酸(
l(C1)等を生じる。
AICh +HzO→1(C1,Al(0)1)!。
そうすると、次式のようにHCl はAIと反応して、
またAIChを生ずる。
またAIChを生ずる。
Al+HCl−4AICI、+ H2↑。
このようにして反応は循環的に繰り返して行われ、コロ
−ジョンは際限なく進行してゆく。
−ジョンは際限なく進行してゆく。
そのため、通常のAl、 Al−5i合金、アルミニウ
ムチタン(AI−Ti)合金では、これらのドライエツ
チング後、つぎのような対策を行っている。
ムチタン(AI−Ti)合金では、これらのドライエツ
チング後、つぎのような対策を行っている。
■ エツチング後、真空を破らないでレジストを剥離す
る。
る。
と(に、酸素(0□)と四弗化炭素(CFa)を用いた
μ波ダウンフローアフシングが有効である。
μ波ダウンフローアフシングが有効である。
これは、プラズマ発生室でμ波によりQ、+ CF4の
プラズマをつくり、活性種を試料室に導入してアッシン
グを行うもので、試料室には通常のりアクティブイオン
エツチング(RIE)のようにイオンや電子を含まない
。従って被・エツチング物のこれらの衝撃による損傷が
なく、純粋に活性種によるアフシチングのみが行われる
。
プラズマをつくり、活性種を試料室に導入してアッシン
グを行うもので、試料室には通常のりアクティブイオン
エツチング(RIE)のようにイオンや電子を含まない
。従って被・エツチング物のこれらの衝撃による損傷が
なく、純粋に活性種によるアフシチングのみが行われる
。
■ 熱窒素()lot Nz)でブローした後、水洗す
る。
る。
■ 水洗後、0□中で350℃でベーキングする。
■ CF4 、SF4 、C)IF3等の弗素系ガスで
プラズマ処理をする。
プラズマ処理をする。
この場合は、弗素プラズマにより生じた弗素ラジカル(
F“)が01と置換し、A1表面に安定なAIFが生成
する。
F“)が01と置換し、A1表面に安定なAIFが生成
する。
AIFはAlF3の完全な形になるまで反応が進まない
途中の組成でも、水分と反応しない。
途中の組成でも、水分と反応しない。
■ H2でプラズマ処理をする。
以上のような処理により、安定してコロ−ジョンを防ぐ
ことができる。
ことができる。
しかしながら、Al−Cu合金、Al−Cu−5i合金
等のエツチングではCuxC1yO形で塩素骨が残り、
その除去が困難で、上記の処理を行ってもコロ−ジョン
が発生することがあった。
等のエツチングではCuxC1yO形で塩素骨が残り、
その除去が困難で、上記の処理を行ってもコロ−ジョン
が発生することがあった。
そのために、パターニング後、硝酸(HNOり中に基板
を浸漬して残留塩素分を除去していた。
を浸漬して残留塩素分を除去していた。
エレクトロマイグレーション防止のためにCu等の重金
属を少量混合したA1合金のパターニングでは残留塩素
分の除去が困難で、コロ−ジョンが発生することがあっ
た。
属を少量混合したA1合金のパターニングでは残留塩素
分の除去が困難で、コロ−ジョンが発生することがあっ
た。
また、そのためパターニングの終わった基板を)INO
,中に浸漬する方法があるが、HN(hは強酸であるた
めプロセスの自動化が困難である等の問題があった。
,中に浸漬する方法があるが、HN(hは強酸であるた
めプロセスの自動化が困難である等の問題があった。
C問題点を解決するための手段〕
第1図(1)〜(3)は本発明を工程順に説明する基板
断面図である。
断面図である。
上記問題点の解決は、基板1上にアルミニウム合金層2
を被着し、その上にレジストパターン3を形成し、該レ
ジストパターン3をマスクにして該アルミニウム合金層
2をエツチングして該アルミニウム合金層のパターン2
Aを形成し、該レジストパターン3を除去後、該基板(
1)をコリン、もしくはその誘導体中に浸漬する本発明
によるエツチング方法により達成される。
を被着し、その上にレジストパターン3を形成し、該レ
ジストパターン3をマスクにして該アルミニウム合金層
2をエツチングして該アルミニウム合金層のパターン2
Aを形成し、該レジストパターン3を除去後、該基板(
1)をコリン、もしくはその誘導体中に浸漬する本発明
によるエツチング方法により達成される。
〔作用1
本発明者は、前記のコロ−ジョン防止のため種々な方法
を実験したが、本発明の方法がとくに顕著な効果がある
ことを見出した。
を実験したが、本発明の方法がとくに顕著な効果がある
ことを見出した。
すなわち、重金属を少量混合したA1合金層、例えばA
l−Cu合金層をパターニングした後、基板をコリン、
もしくはその誘導体中に浸漬すると、残留塩素分が極め
て少なくなることを螢光X線測定を用いて確かめ、かつ
コロ−ジョンが発生しないことを実験的に確かめた。
l−Cu合金層をパターニングした後、基板をコリン、
もしくはその誘導体中に浸漬すると、残留塩素分が極め
て少なくなることを螢光X線測定を用いて確かめ、かつ
コロ−ジョンが発生しないことを実験的に確かめた。
コリンの構造式を第2図に示す。(:u、C1yはCu
”CI−の形で結合しており、C1−はコリンのOH−
より電気的陰性度が強いためOH−に置換されることに
より、Cu、(C1yがコリン、もしくはその誘導体中
によく溶解されると考えられる。
”CI−の形で結合しており、C1−はコリンのOH−
より電気的陰性度が強いためOH−に置換されることに
より、Cu、(C1yがコリン、もしくはその誘導体中
によく溶解されると考えられる。
本発明の実施例を第1図を用いて説明する。
第1図(1)において、基板1として表面に燐珪酸ガラ
ス(PSG)層等の絶縁層を被着した珪素(St)基板
を用い、この上にAI合金層2として厚さ8000人の
AI−Cu(4%)層をスバ・7タ法で被着し、この土
に通常のりソグラフィを用いてレジストパターン3を形
成する。
ス(PSG)層等の絶縁層を被着した珪素(St)基板
を用い、この上にAI合金層2として厚さ8000人の
AI−Cu(4%)層をスバ・7タ法で被着し、この土
に通常のりソグラフィを用いてレジストパターン3を形
成する。
第1図(2)において、RIE法によりレジストパター
ン3をマスクにしてAI合金層2をパターニングしてA
1合金層のパターン2Aを形成する。
ン3をマスクにしてAI合金層2をパターニングしてA
1合金層のパターン2Aを形成する。
RIEは、エツチングガスとしてCh (24SCCM
)、S iC1* (405CCM)を用い、これを0
.02Torrに減圧して周波数13.56MHzの電
力を250W 5分間印加して行った@ 第1図(3)において、基板1を真空を破らないで搬送
してμ波ダウンフローアフシャ中に置きアッシングした
。
)、S iC1* (405CCM)を用い、これを0
.02Torrに減圧して周波数13.56MHzの電
力を250W 5分間印加して行った@ 第1図(3)において、基板1を真空を破らないで搬送
してμ波ダウンフローアフシャ中に置きアッシングした
。
アッシングは、基板温度は室温で、反応ガスとしてCP
i(100SCCM)、02 (1500SCCM)を
用い、これをI Torrに減圧して周波数2.45G
)Izのμ波型力をI KW 2分間印加して行った。
i(100SCCM)、02 (1500SCCM)を
用い、これをI Torrに減圧して周波数2.45G
)Izのμ波型力をI KW 2分間印加して行った。
つぎに、基板を大気中に取り出し、そのままのものと、
HNOffに5秒浸漬したものと、コリンの5%の水溶
液(商品名TMK、関東化学類)に30秒浸漬したもの
について、つぎのテストを行った。
HNOffに5秒浸漬したものと、コリンの5%の水溶
液(商品名TMK、関東化学類)に30秒浸漬したもの
について、つぎのテストを行った。
この後、基板を大気中で7日間放置してコロ−ジョンの
発生を観察し、また、螢光X線分析で残留塩素量を測定
した。
発生を観察し、また、螢光X線分析で残留塩素量を測定
した。
これらの結果をつぎに示す。
(a) 処理方法
(bl コロ−ジョン発生の有無
(C1残留塩素量(cps、 count per s
ec、)とすると、 (al 処理なし HNO,浸漬 コリン浸漬(b
) あり なし なしくcl 1
41.1 11.8 1.7上記の結果より、H
NO,浸漬処理より残留塩素量が減少し、勿論コロ−ジ
ョンの発生は認められなくなる。
ec、)とすると、 (al 処理なし HNO,浸漬 コリン浸漬(b
) あり なし なしくcl 1
41.1 11.8 1.7上記の結果より、H
NO,浸漬処理より残留塩素量が減少し、勿論コロ−ジ
ョンの発生は認められなくなる。
実施例ではコリンを用いたがこれの代わりに、コリンの
誘導体、例えば第3図にその構造式を示すTMAHO(
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を用い
てもコリンと全く同等の効果が得られる。
誘導体、例えば第3図にその構造式を示すTMAHO(
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を用い
てもコリンと全く同等の効果が得られる。
TMA)10の2.5%水溶液として、関東化学のTM
A、 東京応化工業のNMD、 長潮産業の932ディベロツバ−、 シブレイ・ファーイーストの マイクロホシソ)MF314 ティベロツバ−1MF3
12ディベロツバー 等がある(以上いずれも商品名)。
A、 東京応化工業のNMD、 長潮産業の932ディベロツバ−、 シブレイ・ファーイーストの マイクロホシソ)MF314 ティベロツバ−1MF3
12ディベロツバー 等がある(以上いずれも商品名)。
C発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、エレクトロ
マイグレーション防止のための配線層であるAL−Cu
層等のA1合金層のパターニングにおいて、残留塩素分
を除去し、配線層にコロ−ジョンが発生することを抑止
する。
マイグレーション防止のための配線層であるAL−Cu
層等のA1合金層のパターニングにおいて、残留塩素分
を除去し、配線層にコロ−ジョンが発生することを抑止
する。
また、本発明の処理を採用することによりプロセスの自
動化が容易となる。
動化が容易となる。
第1図(11〜(3)は本発明を工程順に説明する基板
断面図、 第2図はコリンの構造式を示す図、 第3図はTMAHOの構造式を示す図である。 図において、 1は基板、 2はA1合金層でAl−Cu層、 2AはAt合金層のパターン、 3レジストパターン 第 1 図 C2H,○ CH。 TMAHOの構造式を示” r図
断面図、 第2図はコリンの構造式を示す図、 第3図はTMAHOの構造式を示す図である。 図において、 1は基板、 2はA1合金層でAl−Cu層、 2AはAt合金層のパターン、 3レジストパターン 第 1 図 C2H,○ CH。 TMAHOの構造式を示” r図
Claims (1)
- 基板(1)上にアルミニウム合金層(2)を被着し、そ
の上にレジストパターン(3)を形成し、該レジストパ
ターン(3)をマスクにして該アルミニウム合金層(2
)をエッチングして該アルミニウム合金層のパターン(
2A)を形成し、該レジストパターン(3)を除去後、
該基板(1)をコリン、もしくはその誘導体中に浸漬す
ることを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12412486A JPS62281332A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12412486A JPS62281332A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | エツチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62281332A true JPS62281332A (ja) | 1987-12-07 |
JPH0513534B2 JPH0513534B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=14877518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12412486A Granted JPS62281332A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | エツチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62281332A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0463423B1 (en) * | 1990-06-14 | 1995-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Surface treating agent for aluminum line pattern substrate |
JP2510053B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1996-06-26 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
JPH11305454A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | United Microelectronics Corp | 残留物の除去方法 |
US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
US6506684B1 (en) * | 2000-05-24 | 2003-01-14 | Lsi Logic Corporation | Anti-corrosion system |
EP1579033A1 (en) * | 2002-11-12 | 2005-09-28 | Kurita Water Industries Ltd. | Metal corrosion inhibitor and hydrogen chloride formation inhibitor in a crude oil atmospheric distillation unit |
US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP12412486A patent/JPS62281332A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0463423B1 (en) * | 1990-06-14 | 1995-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Surface treating agent for aluminum line pattern substrate |
JP2510053B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1996-06-26 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
JPH11305454A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | United Microelectronics Corp | 残留物の除去方法 |
US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
US6506684B1 (en) * | 2000-05-24 | 2003-01-14 | Lsi Logic Corporation | Anti-corrosion system |
EP1579033A1 (en) * | 2002-11-12 | 2005-09-28 | Kurita Water Industries Ltd. | Metal corrosion inhibitor and hydrogen chloride formation inhibitor in a crude oil atmospheric distillation unit |
EP1579033A4 (en) * | 2002-11-12 | 2007-11-21 | Kurita Water Ind Ltd | METAL CORROSION INHIBITOR AND HYDROGEN CHLORIDE FORMATION INHIBITOR IN A RAW OIL ATMOSPHERIC DISTILLATION UNIT |
US8177962B2 (en) | 2002-11-12 | 2012-05-15 | Kurita Water Industries, Ltd. | Metal corrosion inhibitor and hydrogen chloride formation inhibitor in a crude oil atmospheric distillation unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH0513534B2 (ja) | 1993-02-22 |
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