JPH09213612A - 半導体装置の製造方法およびリンス液 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびリンス液Info
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- JPH09213612A JPH09213612A JP1896496A JP1896496A JPH09213612A JP H09213612 A JPH09213612 A JP H09213612A JP 1896496 A JP1896496 A JP 1896496A JP 1896496 A JP1896496 A JP 1896496A JP H09213612 A JPH09213612 A JP H09213612A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウエハー上に形成したアルミニウム系導
電膜上に塗布されたフォトレジスト膜、または該導電膜
上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはエッチング後にアッシ
ングを行い残存するフォトレジスト残査物を、塩基性剥
離剤で剥離する半導体装置の製造方法において、金属導
電膜を全く腐食することなく、且つ安全な方法で高精度
の回路配線を製造できる方法を提供する。 【解決手段】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上
のフォトレジストを剥離する際、塩基性剥離液でフォト
レジストを剥離後、過酸化物を含有する水からなるリン
ス液で洗浄する半導体装置の製造方法および該リンス
液。
電膜上に塗布されたフォトレジスト膜、または該導電膜
上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはエッチング後にアッシ
ングを行い残存するフォトレジスト残査物を、塩基性剥
離剤で剥離する半導体装置の製造方法において、金属導
電膜を全く腐食することなく、且つ安全な方法で高精度
の回路配線を製造できる方法を提供する。 【解決手段】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上
のフォトレジストを剥離する際、塩基性剥離液でフォト
レジストを剥離後、過酸化物を含有する水からなるリン
ス液で洗浄する半導体装置の製造方法および該リンス
液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハー上
に金属導電膜を形成する半導体集積回路の製造工程にお
いて、フォトレジストを塩基性剥離液を用いて剥離した
後の洗浄方法および該リンス液に関するものである。
に金属導電膜を形成する半導体集積回路の製造工程にお
いて、フォトレジストを塩基性剥離液を用いて剥離した
後の洗浄方法および該リンス液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、半導体ウエハーにス
パッタリング、ＣＶＤ等の方法により配線材料である導
電膜を形成した後、導電膜上にフォトレジストを塗布
し、露光、現像によるフォトリソプロセスによりパター
ンを形成し、次いで該フォトレジストパターンをマスク
とし、反応性ガスを使用して非マスク領域の導電膜のド
ライエッチングを行い、微細配線を形成した後、上記の
フォトレジスト膜を導電膜上から剥離する方法、あるい
は同様にして微細配線を形成した後、アッシングを行
い、残存するレジスト残渣物を導電膜上から剥離する方
法がとられている。
パッタリング、ＣＶＤ等の方法により配線材料である導
電膜を形成した後、導電膜上にフォトレジストを塗布
し、露光、現像によるフォトリソプロセスによりパター
ンを形成し、次いで該フォトレジストパターンをマスク
とし、反応性ガスを使用して非マスク領域の導電膜のド
ライエッチングを行い、微細配線を形成した後、上記の
フォトレジスト膜を導電膜上から剥離する方法、あるい
は同様にして微細配線を形成した後、アッシングを行
い、残存するレジスト残渣物を導電膜上から剥離する方
法がとられている。
【０００３】従来、これらの方法のフォトレジスト剥離
剤としては、酸性剥離剤と塩基性剥離剤とが一般的に使
用されてきた。酸性剥離剤は剥離力が弱く、また微細配
線加工に使用される金属導電膜に対する腐食作用が強い
ので、近年の寸法精度が厳しい微細配線加工にはあまり
使用されない。一方、塩基性剥離剤はレジスト剥離性が
高いため、近年、微細配線加工に多用されるようになっ
ており、次のような塩基性剥離剤が挙げられる。 第四級アンモニウム水酸化物を主剤とした水溶液系剥
離剤（特開昭６４−２３２５号、特開平４−４８６３３
号等） アルカノールアミンを主剤とした剥離剤（特開昭６４
−８８５４８号、特開平６−２２２５７３号等） アルカノールアミンを主剤とし還元剤を助剤とする剥
離剤（特開平４−２８９８６６号、特開平６−２６６１
１９号等）
剤としては、酸性剥離剤と塩基性剥離剤とが一般的に使
用されてきた。酸性剥離剤は剥離力が弱く、また微細配
線加工に使用される金属導電膜に対する腐食作用が強い
ので、近年の寸法精度が厳しい微細配線加工にはあまり
使用されない。一方、塩基性剥離剤はレジスト剥離性が
高いため、近年、微細配線加工に多用されるようになっ
ており、次のような塩基性剥離剤が挙げられる。 第四級アンモニウム水酸化物を主剤とした水溶液系剥
離剤（特開昭６４−２３２５号、特開平４−４８６３３
号等） アルカノールアミンを主剤とした剥離剤（特開昭６４
−８８５４８号、特開平６−２２２５７３号等） アルカノールアミンを主剤とし還元剤を助剤とする剥
離剤（特開平４−２８９８６６号、特開平６−２６６１
１９号等）
【０００４】の第四級アンモニウム水酸化物を主剤と
した水溶液系剥離剤は配線材料であるアルミニウムおよ
びアルミニウム合金、チタン、タングステン等の金属導
電膜に対する腐食が大きく、また純水や超純水をリンス
液とした場合、さらに腐食作用を促進し、さらに金属表
面にピット状あるいはクレーター状の腐食現象が多数発
生するという問題が発生する。また第四級アンモニウム
水酸化物を主剤として、糖類あるいは糖アルコール類を
添加したもの（特開平４−４８６３３号）では、金属導
電膜の腐食を抑制しているが、純水あるいは超純水をリ
ンス液とした場合、ピット状あるいはクレーター状の腐
食現象の発生は回避することはできない。
した水溶液系剥離剤は配線材料であるアルミニウムおよ
びアルミニウム合金、チタン、タングステン等の金属導
電膜に対する腐食が大きく、また純水や超純水をリンス
液とした場合、さらに腐食作用を促進し、さらに金属表
面にピット状あるいはクレーター状の腐食現象が多数発
生するという問題が発生する。また第四級アンモニウム
水酸化物を主剤として、糖類あるいは糖アルコール類を
添加したもの（特開平４−４８６３３号）では、金属導
電膜の腐食を抑制しているが、純水あるいは超純水をリ
ンス液とした場合、ピット状あるいはクレーター状の腐
食現象の発生は回避することはできない。
【０００５】のアルカノールアミンを主剤とした剥離
剤の場合には、リンス液としてメタノール、プロパノー
ル等のアルコールを使用し、さらに純水あるいは超純水
のリンスを行うのが一般的であり、アルコールを使用し
た洗浄を充分に行わないで、次の純水あるいは超純水の
洗浄に移行した場合、金属導電膜の腐食が発生し、ピッ
ト状あるいはクレーター状の腐食現象が発生する。また
アルコールをリンス液として使用せず、アルカノールア
ミンを主剤とする剥離剤を使用した後に、直接純水ある
いは超純水をリンス液とした場合、金属導電膜の腐食現
象が著しく進行し、ピット状あるいはクレーター状の腐
食現象も多数発生するのを回避することはできない。
剤の場合には、リンス液としてメタノール、プロパノー
ル等のアルコールを使用し、さらに純水あるいは超純水
のリンスを行うのが一般的であり、アルコールを使用し
た洗浄を充分に行わないで、次の純水あるいは超純水の
洗浄に移行した場合、金属導電膜の腐食が発生し、ピッ
ト状あるいはクレーター状の腐食現象が発生する。また
アルコールをリンス液として使用せず、アルカノールア
ミンを主剤とする剥離剤を使用した後に、直接純水ある
いは超純水をリンス液とした場合、金属導電膜の腐食現
象が著しく進行し、ピット状あるいはクレーター状の腐
食現象も多数発生するのを回避することはできない。
【０００６】では、アルカノールアミンを主剤とし、
ヒドロキシルアミンの様な還元物質を助剤としている
が、この場合も、アルコール等の有機溶媒をリンス液と
して洗浄し、さらにその後、純水あるいは超純水をリン
ス液として洗浄を行う方法が一般的である。またアルコ
ール等有機溶媒を使用せず、直接、純水あるいは超純水
をリンス液として洗浄する場合もあるが、いずれの場合
においても、と同様の腐食現象が発生する。
ヒドロキシルアミンの様な還元物質を助剤としている
が、この場合も、アルコール等の有機溶媒をリンス液と
して洗浄し、さらにその後、純水あるいは超純水をリン
ス液として洗浄を行う方法が一般的である。またアルコ
ール等有機溶媒を使用せず、直接、純水あるいは超純水
をリンス液として洗浄する場合もあるが、いずれの場合
においても、と同様の腐食現象が発生する。
【０００７】なお特開平６−１８４５９５号には、塩基
性剥離剤を使用した後、アルコールの代わりに、ヒドロ
キシカルボン酸エステル系溶剤、アルコキシカルボン酸
系溶剤、アミド系溶剤、ラクトン系溶剤、硫黄化合物系
溶剤等をリンス液として洗浄を行い、さらに純水あるい
は超純水をリンス液として洗浄を行うことも開示されて
いるが、この場合も上記の、と同様の問題が発生
し、アルミニウム等の腐食現象については、何等、改善
されていない。
性剥離剤を使用した後、アルコールの代わりに、ヒドロ
キシカルボン酸エステル系溶剤、アルコキシカルボン酸
系溶剤、アミド系溶剤、ラクトン系溶剤、硫黄化合物系
溶剤等をリンス液として洗浄を行い、さらに純水あるい
は超純水をリンス液として洗浄を行うことも開示されて
いるが、この場合も上記の、と同様の問題が発生
し、アルミニウム等の腐食現象については、何等、改善
されていない。
【０００８】また近年の配線工程の寸法精度が厳しい超
微細加工技術においては、塩基性剥離剤を使用する場
合、引火性のあるアルコール等の危険物をリンス液とし
て大量に使用しなければならず、更に純水やは超純水を
使用した場合に発生するクレーターあるいはピット状の
腐食に対しては何等解決策が見い出されず、安全で且つ
金属導電膜に対する腐食現象の見られない洗浄方法の開
発が望まれている。
微細加工技術においては、塩基性剥離剤を使用する場
合、引火性のあるアルコール等の危険物をリンス液とし
て大量に使用しなければならず、更に純水やは超純水を
使用した場合に発生するクレーターあるいはピット状の
腐食に対しては何等解決策が見い出されず、安全で且つ
金属導電膜に対する腐食現象の見られない洗浄方法の開
発が望まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウエハー上に形成した金属導電膜上に塗布されたフォ
トレジスト膜、または金属導電膜上に塗布されたフォト
レジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト
層、あるいはエッチング後にアッシングを行い残存する
フォトレジスト残査物等を、塩基性剥離剤で剥離する半
導体装置の製造方法において、金属導電膜を全く腐食す
ることなく、且つ安全な方法で高精度の回路配線を製造
できる方法を提供することにある。
体ウエハー上に形成した金属導電膜上に塗布されたフォ
トレジスト膜、または金属導電膜上に塗布されたフォト
レジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト
層、あるいはエッチング後にアッシングを行い残存する
フォトレジスト残査物等を、塩基性剥離剤で剥離する半
導体装置の製造方法において、金属導電膜を全く腐食す
ることなく、且つ安全な方法で高精度の回路配線を製造
できる方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、半導体装
置の製造方法における上記の如き課題を解決すべく鋭意
検討を行った結果、金属導電膜上のフォトレジスト膜、
ドライエッチング後のフォトレジスト層、あるいはドラ
イエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジ
スト残渣物を、塩基性剥離剤で剥離後、過酸化物を含有
する純水あるいは超純水であるリンス液で洗浄すること
により、金属導電膜が全く腐食されないこと、またアル
コール等の危険性の高い有機溶剤を使用しないので安全
な方法で高精度の回路配線を製造できることを見い出
し、本発明に到達した。
置の製造方法における上記の如き課題を解決すべく鋭意
検討を行った結果、金属導電膜上のフォトレジスト膜、
ドライエッチング後のフォトレジスト層、あるいはドラ
イエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジ
スト残渣物を、塩基性剥離剤で剥離後、過酸化物を含有
する純水あるいは超純水であるリンス液で洗浄すること
により、金属導電膜が全く腐食されないこと、またアル
コール等の危険性の高い有機溶剤を使用しないので安全
な方法で高精度の回路配線を製造できることを見い出
し、本発明に到達した。
【００１１】即ち本発明は、半導体ウエハー上に形成し
た金属導電膜上のフォトレジストを剥離する際、塩基性
剥離液でフォトレジストを剥離後、過酸化物を含有する
水で洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法お
よび、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、過酸化ジアルキ
ル類、ヒドロペルオキシド類および過酸から選ばれた１
種以上の過酸化物を０．１〜３０％含有する水であるこ
とを特徴とする半導体装置洗浄用リンス液である。
た金属導電膜上のフォトレジストを剥離する際、塩基性
剥離液でフォトレジストを剥離後、過酸化物を含有する
水で洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法お
よび、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、過酸化ジアルキ
ル類、ヒドロペルオキシド類および過酸から選ばれた１
種以上の過酸化物を０．１〜３０％含有する水であるこ
とを特徴とする半導体装置洗浄用リンス液である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明において好適に用いられる
半導体ウエハー上に形成する金属導電膜は、チタン、タ
ングステン、アルミニウムおよびアルミニウム合金であ
る。塩基性剥離液で剥離されるフオトレジストとして
は、これらの導電膜上のフォトレジスト膜、ドライエッ
チング後のフォトレジスト層、あるいはドライエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物
などがある。なお該フォトレジスト残渣物は側壁保護膜
ないし保護堆積膜とも呼ばれている。
半導体ウエハー上に形成する金属導電膜は、チタン、タ
ングステン、アルミニウムおよびアルミニウム合金であ
る。塩基性剥離液で剥離されるフオトレジストとして
は、これらの導電膜上のフォトレジスト膜、ドライエッ
チング後のフォトレジスト層、あるいはドライエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物
などがある。なお該フォトレジスト残渣物は側壁保護膜
ないし保護堆積膜とも呼ばれている。
【００１３】本発明で使用される剥離液は塩基性剥離剤
であり、従来技術で記載した第四級アンモニウム水酸
化物を主剤とした水溶液系剥離剤、アルカノールアミ
ンを主剤とした剥離剤、アルカノールアミンを主剤と
し還元剤を助剤とする剥離剤などが挙げられるが、これ
らの剥離液に限定されるものではなく、水溶液、非水溶
液を問わず、塩基性剥離剤であれば全て適用される。
であり、従来技術で記載した第四級アンモニウム水酸
化物を主剤とした水溶液系剥離剤、アルカノールアミ
ンを主剤とした剥離剤、アルカノールアミンを主剤と
し還元剤を助剤とする剥離剤などが挙げられるが、これ
らの剥離液に限定されるものではなく、水溶液、非水溶
液を問わず、塩基性剥離剤であれば全て適用される。
【００１４】本発明では塩基性剥離液でフォトレジスト
を剥離後のリンス液として過酸化物を含有する水を用い
るが、この過酸化物を溶解する水としては、純水または
超純水が用いられる。用いられる過酸化物としては、
過酸化水素、過酸化ベンゾイル、過酸化−ジ−ｔ−ブ
チル等の過酸化ジアルキル類、クミルヒドロペルオキ
シド等のヒドロペルオキシド類、過酢酸、過安息香
酸、過トルイル酸等の過酸等が挙げられ、これらの中で
は過酸化水素が最も好適である。これらの過酸化物の濃
度は、リンス液中で０．１〜３０％の範囲で使用され、
好ましくは０．５〜２０％である。リンス液中の過酸化
物濃度が０．１重量％より低いとアルミニウム等の導電
膜に対する防蝕効果が認められず、３０重量％より高く
しても防蝕効果は向上せず、経済的にも得策ではない。
を剥離後のリンス液として過酸化物を含有する水を用い
るが、この過酸化物を溶解する水としては、純水または
超純水が用いられる。用いられる過酸化物としては、
過酸化水素、過酸化ベンゾイル、過酸化−ジ−ｔ−ブ
チル等の過酸化ジアルキル類、クミルヒドロペルオキ
シド等のヒドロペルオキシド類、過酢酸、過安息香
酸、過トルイル酸等の過酸等が挙げられ、これらの中で
は過酸化水素が最も好適である。これらの過酸化物の濃
度は、リンス液中で０．１〜３０％の範囲で使用され、
好ましくは０．５〜２０％である。リンス液中の過酸化
物濃度が０．１重量％より低いとアルミニウム等の導電
膜に対する防蝕効果が認められず、３０重量％より高く
しても防蝕効果は向上せず、経済的にも得策ではない。
【００１５】本発明におけるリンス液の使用温度は室温
で充分であるが、必要に応じて適宜加熱あるいは超音波
を併用することができる。また本発明のリンス液を使用
する処理方法としては、浸漬法が一般的であるが、その
他、例えばスプレーによる方法を用いても良い。なお本
発明の過酸化物を含むリンス液は、その洗浄効果を高め
るために、必要に応じて界面活性剤、有機カルボン酸等
を添加することができる。
で充分であるが、必要に応じて適宜加熱あるいは超音波
を併用することができる。また本発明のリンス液を使用
する処理方法としては、浸漬法が一般的であるが、その
他、例えばスプレーによる方法を用いても良い。なお本
発明の過酸化物を含むリンス液は、その洗浄効果を高め
るために、必要に応じて界面活性剤、有機カルボン酸等
を添加することができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。但し本発明はこれらの実施例により制限される
ものではない。なお各実施例および比較例におけるＳＥ
Ｍ観察による評価の表示は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残渣物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食はまったく認められなかった。 △：クレーター状あるいはピット状の腐食が認められ
た。 ×：アルミニウム配線体の全面に荒れが認められ、さら
に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層の後退が認められた。
明する。但し本発明はこれらの実施例により制限される
ものではない。なお各実施例および比較例におけるＳＥ
Ｍ観察による評価の表示は次の通りである。 （剥離性）◎：完全に除去された。 △：一部残渣物が認められた。 ×：大部分が残存していた。 （腐食性）◎：腐食はまったく認められなかった。 △：クレーター状あるいはピット状の腐食が認められ
た。 ×：アルミニウム配線体の全面に荒れが認められ、さら
に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層の後退が認められた。
【００１７】実施例１〜４、比較例１〜４ 図１は、フォトレジスト膜をマスクとし、ドライエッチ
ングを行い、アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
層）３を形成した半導体装置の断面を示す。図１におい
て半導体基板１は絶縁膜である酸化膜（ＳｉＯ2 ）２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
（フォトレジスト残渣物）５が形成されている。図１の
半導体装置を表１に示す剥離剤に所定時間浸漬した後、
過酸化物を含む超純水をリンス液とし洗浄を行った後、
水洗し、乾燥後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。フォトレジスト膜４および側壁保護膜５の剥離性と
アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層）３の表面の
腐食状態について評価を行った結果を表１に示す。
ングを行い、アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ
層）３を形成した半導体装置の断面を示す。図１におい
て半導体基板１は絶縁膜である酸化膜（ＳｉＯ2 ）２に
被覆されており、またドライエッチング時に側壁保護膜
（フォトレジスト残渣物）５が形成されている。図１の
半導体装置を表１に示す剥離剤に所定時間浸漬した後、
過酸化物を含む超純水をリンス液とし洗浄を行った後、
水洗し、乾燥後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行っ
た。フォトレジスト膜４および側壁保護膜５の剥離性と
アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層）３の表面の
腐食状態について評価を行った結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】実施例５〜７、比較例５〜７ 図２は、図１の半導体装置を酸素プラズマを用いてレジ
ストアッシンングを行い、フォトレジスト膜を除去した
半導体装置の断面図を示す。図２においては、側壁保護
膜５は酸素系プラズマでは除去されず、側壁保護膜５の
上側は、アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層）３
の中心に対して、開くように変形されているだけであ
る。図２のレジストアッシングを行った後の半導体装置
を、第２表に示す組成の剥離剤に所定時間浸漬後、過酸
化物を含む超純水をリンス液とし洗浄を行った後、水洗
し、乾燥後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。側
壁保護膜５の剥離性とアルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ層）３の表面の腐食状態について評価を行った結
果を表２に示す。なお表２においてＴＭＡＨはテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの略号である。
ストアッシンングを行い、フォトレジスト膜を除去した
半導体装置の断面図を示す。図２においては、側壁保護
膜５は酸素系プラズマでは除去されず、側壁保護膜５の
上側は、アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層）３
の中心に対して、開くように変形されているだけであ
る。図２のレジストアッシングを行った後の半導体装置
を、第２表に示す組成の剥離剤に所定時間浸漬後、過酸
化物を含む超純水をリンス液とし洗浄を行った後、水洗
し、乾燥後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。側
壁保護膜５の剥離性とアルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ層）３の表面の腐食状態について評価を行った結
果を表２に示す。なお表２においてＴＭＡＨはテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの略号である。
【００２０】
【発明の効果】実施例から明らかなように、各種の塩基
性剥離液で完全に剥離されたフォトレジスト膜および側
壁保護膜に対して、本発明の方法により過酸化物を含む
水で洗浄を行えば金属導電膜（アルミニウム配線体）に
対して腐食性が全く認められない。本発明の方法ではア
ルコール等の危険性の高い有機溶剤を使用しないので安
全であるので、工業的に極めて容易に完全な洗浄を行う
ことができ、高精度の回路配線を工業的に有利に製造す
ることができる。
性剥離液で完全に剥離されたフォトレジスト膜および側
壁保護膜に対して、本発明の方法により過酸化物を含む
水で洗浄を行えば金属導電膜（アルミニウム配線体）に
対して腐食性が全く認められない。本発明の方法ではア
ルコール等の危険性の高い有機溶剤を使用しないので安
全であるので、工業的に極めて容易に完全な洗浄を行う
ことができ、高精度の回路配線を工業的に有利に製造す
ることができる。
【００２１】
【表２】
【図１】フォトレジスト膜をマスクとしドライエッチン
グを行い、アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層）
を形成した半導体装置の断面を示す。
グを行い、アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層）
を形成した半導体装置の断面を示す。
【図２】図１の半導体装置を酸素プラズマを用いてレジ
ストアッシンングを行い、フォトレジスト膜を除去した
半導体装置の断面図を示す。
ストアッシンングを行い、フォトレジスト膜を除去した
半導体装置の断面図を示す。
１ 半導体基板 ２ 酸化膜（ＳｉＯ2 ） ３ アルミニウム配線体（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層） ４ フォトレジスト膜 ５ 側壁保護膜（フォトレジスト残渣物）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上
のフォトレジストを剥離する際、塩基性剥離液でフォト
レジストを剥離後、過酸化物を含有する水で洗浄するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上
に塗布されたフォトレジスト膜を塩基性剥離液で剥離
後、過酸化物を含有する水で洗浄する請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上
のフォトレジスト系導電膜上にフォトレジストを塗布
し、フォトリソプロセスによりマスク形成後、非マスク
領域をエッチングし、マスク形成されたフォトレジスト
層を塩基性剥離液で剥離後、過酸化物を含有する水であ
るリンス液で洗浄する請求項１記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】半導体ウエハー上に形成した金属導電膜上
のフォトレジスト系導電膜上にフォトレジストを塗布
し、フォトリソプロセスによりマスク形成後、非マスク
領域をドライエッチングし、マスク形成されたフォトレ
ジスト層をさらにアッシングを行い、残存するフォトレ
ジスト残渣物を塩基性剥離液で剥離後、過酸化物を含有
する水で洗浄する請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】過酸化水素、過酸化ベンゾイル、過酸化ジ
アルキル類、ヒドロペルオキシド類および過酸から選ば
れた１種以上の過酸化物を０．１〜３０％含有する水で
あることを特徴とする半導体装置洗浄用リンス液。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1896496A JPH09213612A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 半導体装置の製造方法およびリンス液 |
| US08/781,774 US5911836A (en) | 1996-02-05 | 1997-01-09 | Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device |
| KR1019970001509A KR100446590B1 (ko) | 1996-02-05 | 1997-01-20 | 반도체장치의제조방법및반도체장치세정용세정액 |
| EP97100935A EP0788143B1 (en) | 1996-02-05 | 1997-01-21 | Method of producing semiconductor device and use of a rinse for cleaning semiconductor device |
| DE69703052T DE69703052T2 (de) | 1996-02-05 | 1997-01-21 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verwendung eines Spülmittels zur Halbleiter-Reinigung |
| TW086100669A TW324832B (en) | 1996-02-05 | 1997-01-22 | Method for producing semiconductor |
| SG1997000242A SG60039A1 (en) | 1996-02-05 | 1997-02-03 | Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1896496A JPH09213612A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 半導体装置の製造方法およびリンス液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213612A true JPH09213612A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11986346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1896496A Pending JPH09213612A (ja) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | 半導体装置の製造方法およびリンス液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213612A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451707B2 (en) | 1999-12-07 | 2002-09-17 | Matsushita Electronics Corporation | Method of removing reaction product due to plasma ashing of a resist pattern |
| US6638899B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists with the same |
| JP2005070118A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトリソグラフィー用リンス液および基板の処理方法 |
| JP2010524248A (ja) * | 2007-04-13 | 2010-07-15 | ソルヴェイ（ソシエテ アノニム） | 半導体ウェハの処理のための酸化剤の使用、組成物の使用およびそのための組成物 |
| KR20180028397A (ko) | 2015-07-10 | 2018-03-16 | 가부시키가이샤 무사시노카가쿠겡큐쇼 | 유기산 에스테르계 액체의 제조 방법, 및 전자 부품 제조용 레지스트 용제 또는 전자 부품 제조용 린스액의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-02-05 JP JP1896496A patent/JPH09213612A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638899B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists with the same |
| US6451707B2 (en) | 1999-12-07 | 2002-09-17 | Matsushita Electronics Corporation | Method of removing reaction product due to plasma ashing of a resist pattern |
| JP2005070118A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトリソグラフィー用リンス液および基板の処理方法 |
| JP2010524248A (ja) * | 2007-04-13 | 2010-07-15 | ソルヴェイ（ソシエテ アノニム） | 半導体ウェハの処理のための酸化剤の使用、組成物の使用およびそのための組成物 |
| KR20180028397A (ko) | 2015-07-10 | 2018-03-16 | 가부시키가이샤 무사시노카가쿠겡큐쇼 | 유기산 에스테르계 액체의 제조 방법, 및 전자 부품 제조용 레지스트 용제 또는 전자 부품 제조용 린스액의 제조 방법 |
| US10632456B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-04-28 | Musashino Chemical Laboratory, Ltd. | Process for producing organic acid ester-type liquid, and process for producing solvent of resist for producing electronic part or rinsing liquid for producing electronic parts |
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|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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