JP2010524248A - 半導体ウェハの処理のための酸化剤の使用、組成物の使用およびそのための組成物 - Google Patents
半導体ウェハの処理のための酸化剤の使用、組成物の使用およびそのための組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010524248A JP2010524248A JP2010502528A JP2010502528A JP2010524248A JP 2010524248 A JP2010524248 A JP 2010524248A JP 2010502528 A JP2010502528 A JP 2010502528A JP 2010502528 A JP2010502528 A JP 2010502528A JP 2010524248 A JP2010524248 A JP 2010524248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- composition according
- acid
- alkane
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract description 40
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- -1 ester peracids Chemical class 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 4
- ADKBGLXGTKOWIU-UHFFFAOYSA-N butanediperoxoic acid Chemical compound OOC(=O)CCC(=O)OO ADKBGLXGTKOWIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 0 *C(*N(C(*1)=O)C1=O)=O Chemical compound *C(*N(C(*1)=O)C1=O)=O 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000007922 dissolution test Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-methylpropane Chemical compound COCC(C)C ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZJGVXSQDRSSHU-UHFFFAOYSA-N 6-(1,3-dioxoisoindol-2-yl)hexaneperoxoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCCCCC(=O)OO)C(=O)C2=C1 UZJGVXSQDRSSHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3945—Organic per-compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
Description
化学機械平坦化(CMP)工程はまた、半導体産業で一般的に用いられる。実際に、集積回路における半導体ウェハ、誘電体層、導電性ワイヤおよびバリア材の表面は、高密度の集積回路に達するのに極めて重要である、ある程度の平面性を達成するために研磨されなければならない。例えば、CMPはしばしば、金属相互連結層の蒸着後に半導体基板を平坦化するために用いられる。
例えば、米国特許出願公開第2002/0020432号明細書は、ウェハの温度を(室温〜45℃に)ならびに洗浄液の温度を(0〜45℃に)制御しながら過酸化水素、アンモニアおよび水をベースとする従来からの洗浄液を使用することによって半導体ウェハをカバーするケイ化物層が腐食するのを防ぐ半導体ウェハ表面の洗浄法を開示している。
腐食防止化合物を組成物に添加することも知られている。例えば、米国特許出願公開第2005/0261151号明細書は、過酸化水素をベースとし、かつ、洗浄されている金属層と結合し、金属層の腐食を防止するキレート剤として働くアゾール化合物を含有する半導体ウェハ処理用の水性腐食防止洗浄組成物を開示している。
本発明の目的は、基板の腐食を制限/回避しながら良好な洗浄および/または研磨効果を示す、半導体ウェハの処理用の新規組成物を調合するための新規酸化剤を提供することである。
本発明の本質的な特徴の1つは、かかる処理の効果を損なうことなく、半導体ウェハの処理に使用される過酸化水素の量の低減にある。これは、半導体ウェハ処理組成物中に通常使用される過酸化水素の全体または少なくとも一部を置き換えるために、過酸、特にエステル過酸および/またはイミド−アルカン−過カルボン酸を使用し、これにより従来からの組成物と比較して過酸化水素の濃度を下げることを可能にすることによって達成することができる。過酸が半導体ウェハ処理用の有効な酸化剤であることが実際に分かった。過酸が過酸化水素と比較して基板の腐食を抑えることもまた分かった。さらに、過酸は酸化剤として過酸化水素を専ら含有するものと比較して貯蔵寿命が延長される半導体ウェハ処理組成物の調製を可能にすることが分かった。
本発明による半導体ウェハ処理組成物中に存在する過酸は、単一の酸化剤の存在であることができる。過酸はまた、他の通常の酸化剤、例えば過酸化水素と組み合わせて存在することができる。好ましくは、過酸は過酸化水素と組み合わせて使用される。
本発明では、半導体ウェハ処理に使用される組成物中に存在する酸化剤の総量は通常0.01〜40%w/wである。
過酸を含有する組成物の貯蔵寿命は通常、唯一の酸化剤として過酸化水素を含有する組成物の貯蔵寿命より長い。この言明は以下にさらに例示される。
イミド−アルカン−過カルボン酸は、両方とも全体が参照により本明細書に援用される、ソルベー・ソレクシス社(SOLVAY SOLEXIS S.p.A.)によって所有される、例えば欧州特許出願公開第0 325 288号明細書におよびソルベー・ソレクシス社(SOLVAY SOLEXIS S.p.A.)によって出願された国際特許出願国際公開第2004/007452号パンフレットに開示されている。
ここで、
nは、整数0、1または2であり、
R1は、次の意味:水素、塩素、臭素、C1〜C20アルキル、C2〜C20アルケニル、アリールまたはアルキルアリールの1つを有し、
R2は、水素、塩素、臭素または次のもの:−SO3M、−CO2M、−CO3Mもしくは−OSO3Mから選択された基であり、
Mは、水素、アルカリ金属、アンモニウムまたはアルカリ土類金属の同等物を意味し、
Xは、C1〜C19アルキレンまたはアリーレンを示す)
を有する。
前記イミド−アルカン−過カルボン酸は、独特の臭気のない、安定な固体材料として一般に入手可能である。さらなる利点は、それらが無視できる水生毒性の生分解性生成物へ分解するようなそれらの生分解性である。
より好ましくは、イミド−アルカン−過カルボン酸は、ε−フタルイミドペルオキシカプロン酸(PAPと呼ばれる)である。PAPは、例えば、商標ユーレコ(EURECO)(登録商標)でソルベー・ソレクシス社(SOLVAY SOLEXIS S.p.A.)によって販売されている。
を有する。Rが3または4個の炭素原子を有するとき、アルキル基は線状または分岐であることができる、すなわち、アルキル基はn−もしくはイソプロピル、またはn−、イソ−もしくは第三ブチルであることができる。
過酸化水素ベースの組成物と比較してそれらを含有する組成物の腐食の制限と貯蔵寿命の改善とに向けたそれらの利点に加えて、上に引用されるイミド−アルカン−過カルボン酸およびエステル過酸は、多くの他の過酸のような、強い臭気を与えない利点を有する。
第1実施形態によれば、半導体ウェハは、浸漬、シャワーおよびスプレー技法をはじめとする、洗浄液を使用して半導体を洗浄する任意の従来法を用いて洗浄することができる。洗浄のための有用な装置は例えば、洗浄液で満たされている1つ以上の水タンクをはじめとする、湿式回分式洗浄装置であることができる。
通常、半導体ウェハ洗浄のための第1実施形態に使用される組成物は、溶液の、好ましくは水溶液または有機溶剤溶液の形態にある。意図される使用に依存して、水溶液、有機溶剤溶液、または両方の混合物が好ましいかもしれない。例えば、有機溶剤は、アルコール、エーテル、エステル、ケトン、および/またはハロゲン化溶剤から選択されてもよい。好適な例は、アセトン、テトラヒドロフラン(THF)、酢酸エチル、または乳酸エチルである。
組成物のpHは、酸または塩基で調整されてもよい。酸には、硫酸、塩酸、リン酸および硝酸などの任意の鉱酸、または酢酸などの有機酸が含まれる。塩基は通常、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、アンモニア、または有機アミンである。pHはまた、緩衝液を添加することによって維持することができる。
洗浄工程が第1実施形態で行われる操作温度は通常、0〜100℃、好ましくは40〜70℃である。第1実施形態での洗浄工程の継続期間は通常、少なくとも10秒、好ましくは少なくとも30秒、より好ましくは少なくとも1分である。第1実施形態での洗浄工程の継続期間は一般に、多くとも30分、特に多くとも20分、より特に多くとも10分である。
第2実施形態によるCMP工程のための装置として、研磨される表面を有するワークピースを保持するホルダーと、それに取り付けられた研磨パッドを有する(そして回転速度を変えることができるモーターを備えた)研磨面プレートとを有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨パッドは特に限定されず、例えば、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フルオロ樹脂などを使用することができる。
第2実施形態で実施されるCMP工程は、1つの単一工程またはそれ以上で行うことができる。それはまた、2段階工程で行うことができ、そのうち、第2段階が基板の洗浄に相当する。通常、各CMP段階に、洗浄段階が続く。
通常、半導体ウェハCMPのために第2実施形態に使用される組成物は、スラリーの、好ましくは水性スラリーまたは有機溶剤スラリーの形態にある。
通常、第2実施形態に使用されるCMP組成物は、研磨粒子をさらに含むことができる。研磨粒子は一般に、少なくとも0.01%w/w、好ましくは少なくとも0.1%w/w、より好ましくは少なくとも0.5%w/w、特に少なくとも1%w/wの量で存在する。一般に、研磨粒子は、多くとも60%w/w、特に好ましくは多くとも30%w/w、より好ましくは多くとも20%w/w、例えば多くとも15%w/wの量で存在する。研磨粒子は、無機粒子、ポリマー粒子、または非ポリマー有機粒子であることができる。通常の研磨粒子は、例えば、アルミナ、シリカ、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化セリウムおよび他の材料である。研磨粒子の機械的作用およびスラリーの化学的作用の両方が、ウェハ源から材料を除去する。
多くのタイプのワークピースの製造は、ワークピースの少なくとも一表面の実質的な平坦化または研磨を必要とする。平面を必要とするかかるワークピースの例には、半導体部品のみならず、光学部品、セラミックス、メモリーディスクなどもまた挙げられる。本出願は勿論また、かかるワークピースのCMPにも適用することができ、それ故にまた、化学機械平坦化のための過酸から選択された少なくとも1種の酸化剤を含む組成物の使用に関する。
キレート剤の例は、その内容が参照により本明細書に援用される、例えば、米国特許出願公開第2006/0073997号明細書(2ページ、段落[0035]〜3ページ、段落[0044])に、米国特許出願公開第2005/0005525号明細書(4ページ、段落[0048])に、および欧州特許出願公開第1 642 949号明細書(15ページ、段落[0084])に記載されている。
分散剤および界面活性剤は、非イオン性、陰イオン性、陽イオン性および両性であることができる。有用な分散剤および界面活性剤の例は、その内容が参照により本明細書に援用される、例えば、米国特許出願公開第2005/0005525号明細書(3ページ、段落[0037]〜[0040])におよび欧州特許出願公開第1 642 949号明細書(15ページ、段落[0091]〜16ページ、段落[0097])に記載されている。
上に説明されたように、pH調整剤は酸または塩基であってもよい。酸には、硫酸、塩酸、リン酸および硝酸などの任意の鉱酸、または酢酸などの有機酸が含まれる。塩基は通常、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムなどの、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、または有機アミンである。pHはまた、緩衝液を添加することによって維持することができる。緩衝液の例は、その内容が参照により本明細書に援用される、欧州特許出願公開第1 642 949号明細書(16ページ、段落[0099]〜17ページ、段落[0100])に記載されている。
実施例1〜4:フォトレジスト溶解試験
フォトレジスト溶解試験は、様々な有機溶剤の存在下におよび場合により過酸として1質量%のε−フタルイミド−ペルオキシカプロン酸の存在下に、黒ダイヤモンドI(BDI、k=3,0、6〜8%気孔率)上の清浄ブランケット・フォトレジスト(PR、側鎖基としてアダマンタンおよびラクトン付きメタクリレート−ベースの樹脂、193nm)に対して行った。下の表1は、フォトレジスト層の完全な除去に必要な時間をまとめる。
フォトレジスト湿式ストリップ除去実験は、側鎖基としてアダマンタンおよびラクトン付きメタクリレート−ベースの樹脂からなるフォトレジスト層(PR、193nm)でカバーされたプラズマ処理シングル・ダマスセン黒ダイヤモンドI(Single Damascene Black Diamond I)(SD BDI、k=3,0、6〜8%気孔率)に対して行った。本目的は、ポスト−エッチ・フォトレジストの除去を試験することであった。エッチングは、O2、Ar、CF4、およびCH2F2反応性イオンエッチ(RIE)プラズマで行った。誘電体高さは240nmであった。試験は、超音波の存在下に、10分間行った。除去効果は、光学顕微鏡検査を用いて評価した。試験の結果を下の表2にまとめる。
フォトレジスト湿式ストリップ除去実験は、窒化タンタル金属ハードマスク、ボトム反射防止コーティング層(BARC、193nm)、ならびに側鎖基としてアダマンタンおよびラクトン付きメタクリレート−ベースの樹脂からなるフォトレジスト層(PR、193nm)でカバーされたシングル・ダマスセン・ナノクラスター化シリカ(Single Damascene Nano Clustered Silica)(SD NCS、k=2,5、30%気孔率)に対して行った。エッチングは、3段階反応性イオンエッチ(RIE)プラズマ:HBr(フォトレジスト硬化)、HBr/O2混合物(BARCオープニング)、およびCl2(TaNエッチ)で行った。誘電体高さは190nmであった。試験は、超音波の存在下に、20℃および40℃で10分間行った。除去効果は、光学顕微鏡検査を用いて評価した。試験の結果を下の表3にまとめる。
Claims (15)
- 半導体ウェハ処理に好適な組成物中での、エステル過酸およびイミド−アルカン過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも1種の酸化剤の使用。
- 半導体ウェハ処理での使用に好適な、エステル過酸およびイミド−アルカン過カルボン酸からなる群から選択された少なくとも1種の酸化剤を含む組成物。
- 半導体ウェハ処理のための請求項2に記載の組成物の使用。
- 前記エステル過酸が、過アジピン酸、過グルタル酸および過コハク酸のメチルモノエステルの混合物であり、その混合物の主成分が過グルタル酸のメチルモノエステルである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の使用または組成物。
- 前記イミド−アルカン−過カルボン酸がε−フタルイミド−ペルオキシカプロン酸である、請求項1〜3または5のいずれか一項に記載の使用または組成物。
- 前記処理が、前記組成物を前記半導体ウェハの表面と接触させることによって行われるウェハ洗浄を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の使用または組成物。
- 前記組成物が溶液の形態、好ましくは水溶液または有機溶剤溶液の形態にある、請求項8に記載の使用または組成物。
- 前記処理が、前記組成物を研磨される表面と接触させることと、前記研磨される表面と別の研磨面との間に摩擦を引き起こすことによって前記表面を研磨することとを含む表面の化学機械平坦化(CMP)を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の使用または組成物。
- 前記CMPが半導体基板上の金属層に対して行われ、その金属が好ましくはアルミニウム、銅、タングステン、チタン、それらの合金およびそれらの混合物、より好ましくはアルミニウムまたは銅、最も好ましくは銅から選ばれる、請求項10に記載の使用または組成物。
- 前記組成物がスラリーの形態にあり、好ましくは水性スラリーまたは有機溶剤中のスラリーの形態で研磨粒子をさらに含む、請求項10または11に記載の使用または組成物。
- 前記組成物中に存在する酸化剤の総量が0.01〜40%w/wである、請求項1〜12のいずれか一項に記載の使用または組成物。
- 前記エステル過酸または前記イミド−アルカン−過カルボン酸が0.01〜40%w/wの量で前記組成物中に存在する、請求項1〜13のいずれか一項に記載の使用または組成物。
- 前記組成物が、キレート剤、安定剤、分散剤、腐食防止剤、増粘剤、pH調整剤またはそれらの混合物から選択される少なくとも1種の材料をさらに含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載の使用または組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07106168.3 | 2007-04-13 | ||
EP07106168 | 2007-04-13 | ||
PCT/EP2008/054443 WO2008125638A1 (en) | 2007-04-13 | 2008-04-11 | Use of oxidants for the processing of semiconductor wafers, use of a composition and composition therefore |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010524248A true JP2010524248A (ja) | 2010-07-15 |
JP5496875B2 JP5496875B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=38457642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010502528A Expired - Fee Related JP5496875B2 (ja) | 2007-04-13 | 2008-04-11 | 半導体ウェハの処理のための酸化剤の使用、組成物の使用およびそのための組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100264360A1 (ja) |
EP (1) | EP2137759B1 (ja) |
JP (1) | JP5496875B2 (ja) |
KR (3) | KR20150135537A (ja) |
CN (2) | CN101681837B (ja) |
WO (1) | WO2008125638A1 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06504047A (ja) * | 1990-12-22 | 1994-05-12 | ソルベイ インテロックス リミテッド | ペルオキシカルボン酸 |
JPH09213612A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置の製造方法およびリンス液 |
JPH09286778A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-11-04 | Ausimont Spa | 過酸化反応に適したイミド−アルカンカルボン酸溶液の精製方法 |
JPH10501805A (ja) * | 1994-06-16 | 1998-02-17 | ソルベイ インテロックス リミテッド | ペル酸素組成物 |
JP2001210611A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-08-03 | Applied Materials Inc | 金属を平坦化するためのcmpスラリー |
JP2002332476A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-22 | Degussa Ag | ケイ素−アルミニウム−混合酸化物粉末を含有する水性分散液、その製造方法並びにその使用 |
JP2003303792A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | 化学機械研磨用水系分散体と研磨方法 |
JP2005538978A (ja) * | 2002-07-12 | 2005-12-22 | ソルヴェイ ソレクシス ソチエタ ペル アチオニ | 結晶形のイミドアルカン過カルボン酸 |
JP2007027696A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | 超臨界流体処理のためのインラインメトロロジー |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8830235D0 (en) * | 1988-12-24 | 1989-02-22 | Interox Chemicals Ltd | Percarboxylic acids |
US5078907A (en) * | 1989-11-01 | 1992-01-07 | Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. | Unsymmetrical dicarboxylic esters as bleach precursors |
US5911836A (en) * | 1996-02-05 | 1999-06-15 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device |
DE19636897A1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-03-12 | Solvay Fluor & Derivate | Lotfreies Aluminiumlöten |
DE19730119A1 (de) * | 1997-07-14 | 1999-01-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmen aus oxidischer Keramik |
CN1205557A (zh) * | 1997-07-14 | 1999-01-20 | 西门子公司 | 氧化物陶瓷薄膜的制造方法 |
GB9724942D0 (en) * | 1997-11-27 | 1998-01-28 | Solvay Sociutu Anonyme | Oxidant stable containers |
DE10022840A1 (de) * | 2000-05-10 | 2001-11-15 | Solvay Fluor & Derivate | Laserstrahllöten von Aluminiumlegierungen |
TW464966B (en) * | 2000-08-17 | 2001-11-21 | Macronix Int Co Ltd | Semiconductor wafer clean method to prevent corrosion of metal silicide layer |
DE10111302A1 (de) * | 2001-03-09 | 2002-09-12 | Solvay Fluor & Derivate | Reinigung von Sulfurylfluorid |
GB2378185B (en) * | 2001-06-27 | 2003-12-17 | Reckitt Benckiser | Improvements in relation to organic compositions |
US6875087B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-04-05 | Novellus Systems, Inc. | Method for chemical mechanical planarization (CMP) and chemical mechanical cleaning (CMC) of a work piece |
JP4336858B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2009-09-30 | 日本電気株式会社 | ポリシ処理システム、ポリシ処理方法及びポリシ処理プログラム |
US7037351B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-05-02 | Dynea Chemicals Oy | Non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization |
US7419911B2 (en) * | 2003-11-10 | 2008-09-02 | Ekc Technology, Inc. | Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates |
GB0404326D0 (en) * | 2004-02-27 | 2004-03-31 | Reckitt Benckiser Uk Ltd | Method and apparatus |
ITMI20040497A1 (it) * | 2004-03-16 | 2004-06-16 | Solvay Solexis Spa | Procedimento di diluizione |
KR20050110470A (ko) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
KR100672940B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 금속막을 위한 화학적기계적 연마 슬러리 및 이를 이용한금속막의 화학적기계적 연마 방법 |
US20060073997A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Lam Research Corporation | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides |
US7789971B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
-
2008
- 2008-04-11 KR KR1020157032679A patent/KR20150135537A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-04-11 CN CN200880018476.0A patent/CN101681837B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-11 CN CN201410455973.4A patent/CN104356948A/zh active Pending
- 2008-04-11 WO PCT/EP2008/054443 patent/WO2008125638A1/en active Application Filing
- 2008-04-11 EP EP08736152.3A patent/EP2137759B1/en not_active Not-in-force
- 2008-04-11 US US12/594,931 patent/US20100264360A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-11 JP JP2010502528A patent/JP5496875B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-11 KR KR1020097023469A patent/KR20100016413A/ko active Application Filing
- 2008-04-11 KR KR1020187028573A patent/KR20180112113A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06504047A (ja) * | 1990-12-22 | 1994-05-12 | ソルベイ インテロックス リミテッド | ペルオキシカルボン酸 |
JPH10501805A (ja) * | 1994-06-16 | 1998-02-17 | ソルベイ インテロックス リミテッド | ペル酸素組成物 |
JPH09286778A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-11-04 | Ausimont Spa | 過酸化反応に適したイミド−アルカンカルボン酸溶液の精製方法 |
JPH09213612A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置の製造方法およびリンス液 |
JP2001210611A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-08-03 | Applied Materials Inc | 金属を平坦化するためのcmpスラリー |
JP2002332476A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-22 | Degussa Ag | ケイ素−アルミニウム−混合酸化物粉末を含有する水性分散液、その製造方法並びにその使用 |
JP2003303792A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | 化学機械研磨用水系分散体と研磨方法 |
JP2005538978A (ja) * | 2002-07-12 | 2005-12-22 | ソルヴェイ ソレクシス ソチエタ ペル アチオニ | 結晶形のイミドアルカン過カルボン酸 |
JP2007027696A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | 超臨界流体処理のためのインラインメトロロジー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008125638A1 (en) | 2008-10-23 |
CN104356948A (zh) | 2015-02-18 |
JP5496875B2 (ja) | 2014-05-21 |
EP2137759A1 (en) | 2009-12-30 |
US20100264360A1 (en) | 2010-10-21 |
KR20180112113A (ko) | 2018-10-11 |
CN101681837A (zh) | 2010-03-24 |
CN101681837B (zh) | 2016-05-18 |
EP2137759B1 (en) | 2019-02-20 |
KR20100016413A (ko) | 2010-02-12 |
KR20150135537A (ko) | 2015-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI418622B (zh) | 銅鈍化之後段化學機械拋光清洗組成物及利用該組成物之方法 | |
TWI617705B (zh) | 銅腐蝕抑制系統 | |
JP6711437B2 (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
US20040134873A1 (en) | Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same | |
JP6488740B2 (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
WO2009058274A1 (en) | Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use | |
JP2019208062A (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
KR20140101005A (ko) | Cmp후 세정 제제용 신규한 항산화제 | |
EP3394234B1 (en) | Composition for post chemical-mechanical-polishing cleaning | |
KR20090033002A (ko) | 반도체 디바이스용 세정제 및 그것을 사용한 세정방법 | |
TW201732024A (zh) | 用於化學機械硏磨後清潔之組成物 | |
TW201821604A (zh) | 表面處理組成物及使用該組成物之表面處理方法 | |
JP5817310B2 (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
JP6932147B2 (ja) | 化学機械研磨後洗浄のための組成物 | |
JP2014036136A (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
KR20160059993A (ko) | 구리 함유 기판용 세정액 | |
JP5496875B2 (ja) | 半導体ウェハの処理のための酸化剤の使用、組成物の使用およびそのための組成物 | |
JP2021519836A (ja) | 洗浄用組成物 | |
JP2009076716A (ja) | 基板洗浄方法および半導体装置の製造方法 | |
US20040140288A1 (en) | Wet etch of titanium-tungsten film | |
JP2015203047A (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120528 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120824 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120928 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121005 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121029 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140305 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5496875 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |