JP2001210611A - 金属を平坦化するためのｃｍｐスラリー - Google Patents

金属を平坦化するためのｃｍｐスラリー

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 改良された平坦性を有する化学機械的研磨
（ＣＭＰ）によって金属を平坦化するためのスラリーを
提供する。 【解決手段】 ＣＭＰスラリーは、平坦化される金属を
酸化することができ、また酸化された金属と錯体を形成
する錯化剤を生ずることができる酸化剤を使用して処方
され、それによりオーバーエッチィングを最小限度に抑
える。スラリーは、研磨粒子、抑制剤、ｐＨ調整剤、及
びそれらの組み合わせをさらに含んでもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】関連出願本出願は、１９９９
年１０月２７日に出願され、参考文献として本明細書に
包含される同時継続中の米国特許出願第０９／４２８，
３０４号［ＡＭＡＴ／３９２１］の一部継続出願であ
る。
【０００２】本発明は、改良された平坦性を有する化学
機械的研磨（ＣＭＰ）によって金属を平坦化するための
スラリーに関する。本発明は、サブミクロンデザインフ
ィーチャ及び高導電率素子間配線構造を有する高速集積
回路の高生産スループットでの製造に適用可能である。
【０００３】
【従来の技術】集積回路及び他の電子デバイスの製造に
おいては、導体材料、半導体材料及び誘電材料の複数の
層が、基板の表面上に堆積され、あるいは基板の表面か
ら除去される。導体材料、半導体材料及び誘電材料の薄
い層は、多くの堆積技術により堆積することができる。
最近のプロセスにおける通常の堆積技術には、スパッタ
リングとして公知の物理的蒸着（ＰＶＤ）、化学気相堆
積（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、及び最
近では電気化学的めっき（ＥＣＰ）を含む。
【０００４】材料の層が順次堆積され除去されるにつれ
て、基板の最上部表面は、その表面の全体にわたって平
坦でなくなる恐れがあり、平坦化を必要とする。表面の
平坦化、あるいは表面の「研磨」とは、全体として、な
めらかな、平坦な表面を形成するために、基板の表面か
ら材料が除去されるプロセスである。でこぼこの表面、
塊状化された材料、結晶格子損傷、スクラッチ及び汚染
された層あるいは材料のような、不要な表面トポグラフ
ィー及び表面欠陥を除去するために平坦化は有用であ
る。フィーチャを充填し後続するレベルの配線作成及び
処理のために平坦な表面を供給するために使用された、
過剰に堆積された材料を除去することにより、基板の上
にフィーチャを形成するにも、平坦化は有用である。
【０００５】化学機械的平坦化すなわち化学機械的研磨
（ＣＭＰ）は、基板を平坦化するために使用される通常
の技術である。基板から材料を選択的に除去するため
に、ＣＭＰは通常、スラリーあるいは他の流体媒体であ
る化学的組成を利用する。従来のＣＭＰ技術において
は、基板キャリアあるいはポリシングヘッドが、キャリ
ア組立体の上に搭載され、ＣＭＰ装置のポリシングパッ
ドと接触して配置されている。キャリア組立体は、基板
に制御可能な圧力を供給し、ポリシングパッドに対して
基板を押し付ける。外部の駆動力によって、パッドは基
板に対して動かされる。したがって、ＣＭＰ装置は、化
学的作用及び機械的作用の両方を生じさせるために、研
磨剤すなわちスラリーを散布しながら、基板の表面とポ
リシングパッドの間に研磨すなわち摩擦運動を生じさせ
る。
【０００６】従来のＣＭＰプロセスは、研磨粒子を含む
研磨剤すなわちスラリーのような研磨アーティクルを使
用して、反応性溶液内で、従来のポリシングパッドを使
用して、実行されている。あるいは、研磨アーティクル
は、固定された研磨ポリシングパッドのような固定研磨
アーティクルでも良く、研磨ポリシングパッドは研磨粒
子を含まないＣＭＰ組成あるいはスラリーと共に使用さ
れても良い。固定研磨アーティクルは、それに接着され
た複数の幾何学的形状の研磨複合要素 (geometric abra
sive composite element) を有する背面補強材薄板を通
常有する。
【０００７】ＣＭＰに使用される化学的組成は、酸化剤
及び錯化剤のような複数の成分を通常含んでいる。組成
物は、コロイドシリカのような研磨粒子を、研磨剤成分
としてさらに含んでいても良い。成分は、研磨のために
パッドへ組成物を供給する前に、通常混合される。さま
ざまな成分は、相互に作用し、ないしは劣化して、有効
な薬剤でなくなる恐れがある。一定の研磨性能必要条件
の下では、通常のポットライフ、たとえば、スラリーの
有効期限は２４時間以下の可能性がある。
【０００８】したがって、より長いポットライフを有
し、有効な研磨結果を維持する方法とＣＭＰの組成が必
要である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の態様は、全体と
して、ディッシングの減少、改良された表面平坦性、ス
ループットの増加、及び製造コストの減少を伴う、銅及
び銅合金のような金属の平坦化を含む基板表面を平坦化
するための方法及び組成物を提供する。
【００１０】一つの態様において本発明は、金属を酸化
させ、前記金属及び／または酸化された金属と錯体を形
成するための第一の成分と、前記金属のオーバーエッチ
ィングを最小限度に抑えるための第二の成分を有する試
薬を有する金属を化学機械的に研磨するためのスラリー
を提供する。スラリーは、研磨粒子、抑制剤、ｐＨ調整
剤、及びそれらの組み合わせをさらに含んでもよい。
【００１１】他の態様において本発明は、金属を酸化さ
せ、前記金属及び／または酸化された金属と錯体を形成
するための第一の成分と、前記金属のオーバーエッチィ
ングを最小限度に抑えるための第二の成分を有する試薬
を有するスラリーを使用して、化学機械的に表面を研磨
することによって、金属層の表面を平坦化するための方
法を提供する。スラリーは、研磨粒子、抑制剤、ｐＨ調
整剤、及びそれらの組み合わせをさらに含んでもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、ディープサブミクロン
領域のフィーチャーサイズを有する高信頼性の素子間配
線パターンに対する増加し続けている要求に一致し、デ
ィッシングを排除あるいは減少する一方で、高い生産ス
ループットで、銅及び銅合金のような金属を平坦化する
ための組成及び方法を全体として提供する。さらに、本
発明の態様は、低製造コストと延長された組成のポット
ライフを有する金属の効果的なＣＭＰを可能にする。本
開示の全体を通して使用される記号Ｃｕは、高純度の元
素状態の銅及び銅を主成分とする合金、たとえば、少な
くとも約８０重量％の銅を含む銅を主成分とする合金を
含むものと解される。
【００１３】本発明の態様は、研磨粒子の有無にかかわ
らず、ＣｕのようなＣＭＰ金属に対して、最大限の効果
が得られるように処方されたスラリーを使用することに
より実現される。換言すれば、本発明によるスラリー
は、固定研磨研磨装置に使用することができる。本発明
の実施形態によれば、酸化剤としてのみではなく酸化さ
れた金属を有する錯体 (complex) としても機能する試
薬がスラリーに混合され、その結果、オーバーエッチィ
ングを防止し、酸化された金属を可溶性にすることによ
り除去率を高める。本発明は、したがって、酸化成分
(oxidizing moiety) 及び金属のオーバーエッチィング
を防止する成分 (moiety) を含む有機試薬を有する。通
常、酸化物成分は過酸化物基を有する親水性頭部であ
り、尾部は疎水性尾部である。
【００１４】本発明による試薬が機能する方法を支えて
いる正確なメカニズムは、確実なところは判っていな
い。しかし、本発明において使用される試薬は、酸化剤
として機能するのみならず、酸化の時には、錯化剤 (co
mplexing agent) を生成すると確信されている。たとえ
ば、本発明による試薬の過酸化物親水性頭部は、金属の
表面を酸化させると確信されている。結果として生ずる
副産物、たとえば、有機酸はＣｕあるいは酸化されたＣ
ｕ（Ｃｕ2+）と反応し、カルボン酸錯体を形成すると確
信されている。
【００１５】試薬分子は疎水性尾部のために金属の表面
で停止するので、ディッシングは大幅に減少すると確信
されている。このように、酸化物層の厚さは制御され、
ディッシングは減少される。
【００１６】単一の化合物が酸化物試薬及び錯化剤試薬
の両方を供給し、限定されたポットライフを示す過酸化
水素含有薬剤より高い安定性を示すという点で、本発明
は従来のＣＭＰスラリーに対して別の利点をもたらす。
さらに、単一化合物の酸化−錯化剤の使用は、別の錯化
剤の使用を避けることになり、関連する化学薬品の数を
減少させ、その結果プロセスを単純化し、材料費を減少
させる。
【００１７】本発明の実施形態によるＣＭＰスラリーに
使用する酸化及び錯化機能を実現するために、さまざま
な試薬が使用され、あるいは処方されることができる。
たとえば、酸化物成分は過酸化物基、たとえば、ペルオ
キシカルボン酸基あるいはペルオキシカルボキシレート
基を有することができ、その場合、結果として生ずる錯
化剤はカルボン酸あるいはカルボキシレートを有する。
錯化成分 (complexingmoiety) は、ポリエチレングリコ
ールのようなアルキル基あるいはその誘導体、あるい
は、ベンゼンあるいはその誘導体のようなアリール基を
有することができる。したがって、適切な試薬は、ペル
オキシ安息香酸、クロロベンゼン酸、ペルオキシ酢酸及
びペルオキシギ酸のようなペルオキソ酸を含んでいる。
過酸化ベンゾイルのような他の有機過酸化物も、酸化剤
及び錯化剤として使用することができる。さらに、適切
な試薬は、ｎが約１５であるＨＯＯＯＣ（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ） nＣＯＯＯＨのような、ポリエチレングリコールペ
ルオキソ酸を含み、ポリエチレングリコールから合成す
ることが可能である。
【００１８】本明細書の開示と目的によれば、試薬及び
付加的な成分の適切な量は、所定の状況において決定さ
れ、最適化することができる。一般的には、アルミニウ
ム、Ｃｕ、チタン、タンタル、その窒化物及びシリコン
酸窒化物のようなさまざまな金属のＣＭＰに対して、本
発明は適用可能である。本発明の実施形態によるＣＭＰ
スラリーは、約０．５から約５重量％、たとえば、約
０．５から約２．５重量％のような、約０．００５重量
％から約２５重量％の試薬を通常含むことができる。都
合の良いことに、５−メチルベンゾトリアゾール、ある
いはベンゾトリアゾールのような抑制剤は、約０．００
５重量％から約０．５重量％の分量、たとえば、約０．
００１から約０．１重量％で存在し得る。本発明におい
て使用されるスラリーは、約０．０１から約３０重量％
の量の、アルミナあるいはシリカのような、研磨粒子を
含むことができる。
【００１９】本発明の他の実施形態において、たとえば
試薬のカルボン酸成分が約７以上の炭素原子を含む、分
子量の多い脂肪族あるいは芳香族カルボン酸成分を使用
する場合のように、試薬の溶解度を増加するために必要
ならば、塩基 (base) のようなｐＨ調整剤が導入され
る。ｐＨ調整剤の例は、水酸化アンモニウムあるいは水
酸化カリウムを含む。ｐＨ調整剤、特に塩基の量は、試
薬の塩を形成するために十分な量が存在するように調整
される。たとえば、塩基は試薬に対して約１対１から１
対２のモル比率 (molar ratio) で存在し得る。ｐＨ調
整剤の量は、ほぼ中性のｐＨを与えるように調整するこ
ともできる。たとえば、本発明の一つの態様において、
約７から約８の間のｐＨが塩基により与えられる。
【００２０】本明細書において説明されるスラリーの例
は、約０．０１重量％から約０．１重量％の間の過酢
酸、約０．０５重量％から約０．３重量％の間のベンゾ
トリアゾール、約５重量％から約２０重量％の間の研磨
剤、及び約７から約８の間のｐＨを与えるために十分な
量の水酸化カリウムを有する。
【００２１】付加的な従来のスラリー添加物を、それら
の公知の効果を実現するために、たとえば、チタン、タ
ンタル及びそれらの窒化物のようなウェハ内の障壁層の
研磨速度をさらに改善し、あるいは増加させるために、
本発明によるスラリーの実施形態に混合することができ
る。研磨剤が使用される本発明の実施形態において、こ
のような研磨剤には、アルミナ、チタニア、ジルコニ
ア、ゲルマニア (germania) 、シリカ、セリア及びそれ
らの混合物を含むことができる。研磨剤は、他の試薬と
は別々に貯蔵され輸送されることが可能であり、あるい
は他の試薬と組み合わせることができる。本明細書にお
いて説明された試薬を含む組成物に安定剤を加えると、
研磨剤と他の試薬が組み合わされたときに、ポットライ
フを延長させることが発見された。
【００２２】本発明の他の態様において、処方に際して
スラリーを酸化剤と錯化剤に分離する試薬が使用され、
その結果、都合の良いことにスラリーを処方するときに
必要とされる別々な化学薬品の数を減少させ、さらに、
酸化成分 (oxidizing component) の貯蔵寿命を増加さ
せる。酸化剤と錯化剤に分離するための本発明の実施形
態による適切な試薬は、尿素−過酸化水素(urea hydrog
en peroxide) のようなさまざまなアミン−ペルオキソ
酸について任意のものを含む。したがって、そのような
試薬を含むスラリーの使用は、金属のＣＭＰに対して現
場での化学反応作用を生ずる。
【００２３】アミン−ペルオキソ酸成分、たとえば、尿
素−過酸化水素は、たとえば、約０．５から約２．５重
量％の、０．５から約５重量％のような、約０．００５
から約２５重量％の量で存在し得る。都合の良いこと
に、別の錯化剤はスラリーから除外することができる。
したがって、本発明の実施形態によるスラリーは、酸化
剤と錯化剤に分離する試剤を含み、固定された研磨剤要
素が使用されない状態では最高３０重量％の量のような
研磨粒子、ならびに、５メチルベンゾトリアゾールある
いはベンゾトリアゾールのような、たとえば、約０．０
０１から約０．１重量％の、約０．００５から約０．５
重量％の量のような抑制剤のみを含むことを必要とす
る。
【００２４】本発明の実施形態によれば、Ｃｕ金属膜
は、ディッシング無し、あるいは、ディッシングを大幅
に減少させて効率的に平坦化され、その結果、ディープ
サブミクロン領域の寸法を有する金属フィーチャを形成
するために、従来のフォトリソグラフィの使用を可能に
する。代表的なＣｕ配線作成あるいは素子間配線システ
ムは、ダマシンにより、しかしダマシンに限定されない
が、形成された素子間配線を有し、また、基板に重なっ
ている層間絶縁膜を堆積することと、層間絶縁膜内に開
口部たとえばダマシン開口部を形成することと、ＴａＮ
あるいはＴａのような拡散障壁を堆積することと、開口
部をＣｕで充填することを含む。都合の良いことに、初
めにシード層を堆積し、次に通常約８，０００から約１
８，０００オングストロームの厚さにＣｕ層を電気メッ
キあるいは無電解メッキすることにより、層間絶縁膜内
の開口部を充填することができる。ダマシン開口部は、
摂氏約５０度から摂氏約１５０度の温度におけるＰＶＤ
によって、あるいは摂氏約２００度以下の温度における
ＣＶＤによつて、Ｃｕで充填することもできる。
【００２５】従来の基板及び層間絶縁層は、本発明に包
含される。たとえば、基板は不純物を添加された単結晶
シリコンあるいはガリウム砒素でも良い。層間絶縁膜
は、半導体デバイスの製造に通常使用されるさまざまな
誘電材料の任意のものを含むことができる。たとえば、
二酸化珪素、リンをドープしたシリコンガラス（ＰＳ
Ｇ）、硼素−リンをドープしたシリコンガラス（ＢＰＳ
Ｇ）、及びテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）
あるいはシランからプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）
によって導出された二酸化珪素のような誘電材料が、使
用できる。本発明による層間絶縁膜は、ポリイミドのよ
うなポリマー及び炭素を含有する二酸化珪素を含む低い
比誘電率の材料を含むこともできる。開口部は、従来の
光露光技術及びエッチング技術によって、層間絶縁膜の
中に形成される。
【００２６】本発明は、たとえば毎分５，０００オング
ストロームを超える高い除去速度で、ディッシングを減
少させながら、Ｃｕのような金属を平坦化するためのＣ
ＭＰスラリーを提供し、それにより、結果として作成さ
れる集積回路の速度と歩留りの改良を可能にする。本発
明の実施形態は、したがって、銅の素子間配線の拡張さ
れた断面積を有する半導体デバイスの製造を可能とし、
その結果、素子間配線の抵抗を減少させることにより、
電気的性能を改善する。本発明によるスラリーは二酸化
珪素に対してＣｕの高い選択性を示し、その結果、本発
明によるスラリーはダマシン技術に特に適用できる。本
発明によるスラリーは、スラリーに使用される化学薬品
の量の減少を可能にし、その結果、製造コストを減少さ
せ、プロセスを単純化させる。本発明の実施形態による
スラリーは、貯蔵寿命が限定されている過酸化水素を含
有するスラリーよりも、大幅に高い安定性を示す。
【００２７】本発明は、半導体製造のさまざまな段階に
おける平坦化に適用できる。本発明は、ディープサブミ
クロン領域の金属フィーチャを有する高密度半導体デバ
イスの製造に、特別に適用できる恩恵を有する。
【００２８】前述の事項は本発明の推奨実施形態に重点
を置いているが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに
本発明のさらに他の実施形態を考案することが可能であ
り、本発明の範囲は以下に続く特許請求の範囲により決
定される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラジーヴ バジャジュ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， スカイズ ロード 43651 (72)発明者 フレッド シー． レデカー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， シオックス ドライヴ 1801

Claims (49)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属を化学機械的に研磨するためのスラ
    リーであって、前記スラリーは、 前記金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された
    金属を錯化する第一の成分と、 前記金属のオーバーエッチィングを最小限度に抑える第
    二の成分とを有する試薬を含むスラリー。
  2. 【請求項２】 前記第一の成分は親水性成分であり、前
    記第二の成分は疎水性成分である請求項１に記載のスラ
    リー。
  3. 【請求項３】 前記第一の成分は、前記金属あるいは酸
    化された金属に対して錯化剤に還元される請求項１に記
    載のスラリー。
  4. 【請求項４】 前記第一の成分は過酸化物基を含む請求
    項３に記載のスラリー。
  5. 【請求項５】 前記過酸化物基は、ペルオキシカルボン
    酸基あるいはペルオキシカルボキシレート基を含み、結
    果として生ずる前記錯化剤はカルボン酸あるいはカルボ
    キシレートを含む請求項４に記載のスラリー。
  6. 【請求項６】 前記第二の成分は、アルキル基あるいは
    その誘導体を含む請求項１に記載のスラリー。
  7. 【請求項７】 前記第二の成分は、ポリエチレングリコ
    ールを含む請求項６に記載のスラリー。
  8. 【請求項８】 前記ポリエチレングリコールは、約１５
    の反復単量体単位を含む請求項７に記載のスラリー。
  9. 【請求項９】 前記第一の成分は、少なくとも１つのペ
    ルオキシカルボン酸あるいはペルオキシカルボキシレー
    ト基を含む請求項８に記載のスラリー。
  10. 【請求項１０】 前記金属は銅あるいは銅合金であり、
    前記第二の成分はアリール基あるいはその誘導体を含む
    請求項１に記載のスラリー。
  11. 【請求項１１】 前記第二の成分は、ベンゼンあるいは
    その誘導体を含む請求項１０に記載のスラリー。
  12. 【請求項１２】 前記第一の成分は、少なくとも１つの
    ペルオキシカルボン酸あるいはペルオキシカルボキシレ
    ート基を含む請求項１１に記載のスラリー。
  13. 【請求項１３】 塩基をさらに含む請求項５に記載のス
    ラリー。
  14. 【請求項１４】 前記塩基は、水酸化ナトリウムあるい
    は水酸化カリウムを含む請求項１３に記載のスラリー。
  15. 【請求項１５】 前記試薬の約０．００５重量％から約
    ２５重量％を含む請求項１に記載のスラリー。
  16. 【請求項１６】 抑制剤をさらに含む請求項１に記載の
    スラリー。
  17. 【請求項１７】 前記抑制剤は、約０．００５重量％か
    ら約０．５重量％の量のベンゾトリアゾールである請求
    項１６に記載のスラリー。
  18. 【請求項１８】 約０．５から約５重量％の前記試薬
    と、約０．００１から約０．１重量％のベンゾトリアゾ
    ールを含む請求項１７に記載のスラリー。
  19. 【請求項１９】 研磨粒子をさらに含む請求項１に記載
    のスラリー。
  20. 【請求項２０】 金属層の表面を平坦化する方法であっ
    て、前記方法は、 前記金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された
    金属を錯化する第一の成分と、 前記金属のオーバーエッチィングを最小限度に抑える第
    二の成分とを含む試薬を含むスラリーを使用して前記表
    面を化学機械的に研磨することを含む、金属層の表面を
    平坦化する方法。
  21. 【請求項２１】 前記第一の成分は、前記金属あるいは
    酸化された金属に対して錯化剤に還元される請求項２０
    に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記第一の成分は、過酸化物基を含む
    請求項２１に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記過酸化物基はペルオキシカルボン
    酸基あるいはペルオキシカルボキシレート基を有し、結
    果として生ずる前記錯化剤はカルボン酸あるいはカルボ
    キシレートを含む請求項２２に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記金属は銅あるいは銅合金であり、
    前記第二の成分はアリール基あるいはその誘導体を含む
    請求項２０に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記第二の成分は、ポリエチレングリ
    コールを含む請求項２４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記ポリエチレングリコールは、約１
    ５の反復単位を含む請求項２５に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記第一の成分は、少なくとも１つの
    ペルオキシカルボン酸あるいはペルオキシカルボキシレ
    ート基を含む請求項２６に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記金属は銅あるいは銅合金であり、
    前記第二の成分はアリール基あるいはその誘導体を含む
    請求項２０に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記第二の成分は、ベンゼンあるいは
    その誘導体を含む請求項２８に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記第一の成分は、少なくとも１つの
    ペルオキシカルボン酸あるいはペルオキシカルボキシレ
    ート基を含む請求項２９に記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記スラリーは、塩基をさらに含む請
    求項２３に記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記塩基は、水酸化ナトリウムあるい
    は水酸化カリウムである請求項３１に記載の方法。
  33. 【請求項３３】 前記試薬は、約０．００５重量％から
    約２５重量％の量で存在している請求項２０に記載の方
    法。
  34. 【請求項３４】 前記試薬は、抑制剤をさらに含む請求
    項２０に記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記抑制剤はベンゾトリアゾールであ
    り、約０．００５重量％から約０．５重量％の量で存在
    している請求項３４に記載の方法。
  36. 【請求項３６】 前記スラリーは、約０．５から約５重
    量％の前記試薬と、約０．００１から約０．１重量％の
    前記抑制剤を含む請求項３５に記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記スラリーは、約３０重量％以下の
    研磨粒子をさらに含む請求項２０に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 金属を化学機械的に研磨するためのス
    ラリーであって、前記スラリーは、 アミン−ペルオキソ酸と、 研磨粒子と、 抑制剤と、 脱イオン水とから本質的に成るスラリー。
  39. 【請求項３９】アミン−ペルオキソ酸と、 研磨粒子と、 抑制剤と、 脱イオン水とから成る請求項１に記載のスラリー。
  40. 【請求項４０】 前記アミン−ペルオキソ酸は、尿素−
    過酸化水素である請求項３８に記載のスラリー。
  41. 【請求項４１】 前記アミン−ペルオキソ酸は、尿素−
    過酸化水素である請求項３９に記載のスラリー。
  42. 【請求項４２】 金属層の表面を平坦化する方法であっ
    て、前記方法は、 アミン−ペルオキソ酸と、 研磨粒子と、 抑制剤と、 脱イオン水とから本質的に成るスラリーを使用して、前
    記表面を化学機械的に研磨することを含む金属層の表面
    を平坦化する方法。
  43. 【請求項４３】 前記アミン−ペルオキソ酸は、尿素−
    過酸化水素である請求項４２に記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記塩基及び前記試薬は、約１対１か
    ら約１対２の間の前記試薬に対する前記塩基のモル比率
    を含む請求項１３に記載のスラリー。
  45. 【請求項４５】 前記塩基は、ほぼ中性のｐＨを与える
    請求項１３に記載のスラリー。
  46. 【請求項４６】 前記塩基及び前記試薬は、約１対１か
    ら約１対２の間の前記試薬に対する前記塩基のモル比率
    を含む請求項３１に記載の方法。
  47. 【請求項４７】 前記塩基は、ほぼ中性のｐＨを与える
    請求項３１に記載の方法。
  48. 【請求項４８】 約０．０１重量％から約０．１重量％
    の間の過酢酸を含み、前記スラリーは、約０．０５重量
    ％から約０．３重量％の間のベンゾトリアゾールと、約
    ５重量％から約２０重量％の間の研磨剤と、約７から約
    ８の間のｐＨを与えるために十分な量の水酸化カリウム
    をさらに含む請求項１に記載のスラリー。
  49. 【請求項４９】 前記スラリーは、約０．０１重量％か
    ら約０．１重量％の間の過酢酸を含み、前記スラリー
    は、約０．０５重量％から約０．３重量％の間のベンゾ
    トリアゾールと、約５重量％から約２０重量％の間の研
    磨剤と、約７から約８の間のｐＨを与えるために十分な
    量の水酸化カリウムをさらに含む請求項２０に記載の方
    法。
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