JP2003188120A - 金属用研磨液及び研磨方法 - Google Patents
金属用研磨液及び研磨方法Info
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- JP2003188120A JP2003188120A JP2001383539A JP2001383539A JP2003188120A JP 2003188120 A JP2003188120 A JP 2003188120A JP 2001383539 A JP2001383539 A JP 2001383539A JP 2001383539 A JP2001383539 A JP 2001383539A JP 2003188120 A JP2003188120 A JP 2003188120A
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- polishing
- compound
- acid
- polishing liquid
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- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を
充分上昇させ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑
制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可
能とする金属用研磨液を提供する。 【解決手段】 酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及
び水を含有し、前記金属防食剤の少なくとも一種がイミ
ダゾール骨格を有する化合物である金属用研磨液。
充分上昇させ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑
制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可
能とする金属用研磨液を提供する。 【解決手段】 酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及
び水を含有し、前記金属防食剤の少なくとも一種がイミ
ダゾール骨格を有する化合物である金属用研磨液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
配線工程に好適な金属用研磨液及びそれを用いた研磨法
に関する。
配線工程に好適な金属用研磨液及びそれを用いた研磨法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路（ＬＳＩ）の高集
積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発され
ている。化学機械研磨（ＣＭＰ）法もその一つであり、
ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶
縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成にお
いて頻繁に利用される技術である。この技術は、例えば
米国特許Ｎｏ．４９４４８３６号明細書に開示されてい
る。近年、ＬＳＩを高性能化するために、配線材料とし
て銅合金の利用が試みられている。しかし、銅合金は従
来のアルミニウム合金配線の形成で頻繁に用いられたド
ライエッチング法による微細加工が困難である。そこ
で、あらかじめ溝を形成してある絶縁膜上に銅合金薄膜
を堆積して埋め込み、溝部以外の銅合金薄膜をＣＭＰに
より除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシ
ン法が主に採用されている。この技術は、例えば特開平
２−２７８８２２号公報に開示されている。
積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発され
ている。化学機械研磨（ＣＭＰ）法もその一つであり、
ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶
縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成にお
いて頻繁に利用される技術である。この技術は、例えば
米国特許Ｎｏ．４９４４８３６号明細書に開示されてい
る。近年、ＬＳＩを高性能化するために、配線材料とし
て銅合金の利用が試みられている。しかし、銅合金は従
来のアルミニウム合金配線の形成で頻繁に用いられたド
ライエッチング法による微細加工が困難である。そこ
で、あらかじめ溝を形成してある絶縁膜上に銅合金薄膜
を堆積して埋め込み、溝部以外の銅合金薄膜をＣＭＰに
より除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシ
ン法が主に採用されている。この技術は、例えば特開平
２−２７８８２２号公報に開示されている。
【０００３】金属のＣＭＰの一般的な方法は、円形の研
磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パ
ッド表面を金属用研磨液で浸し、基体の金属膜を形成し
た面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（研磨圧力
或いは研磨荷重）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨
液と金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜
を除去するものである。ＣＭＰに用いられる金属用研磨
液は、一般には酸化剤及び固体砥粒からなっており必要
に応じてさらに酸化金属溶解剤、金属防食剤が添加され
る。まず酸化によって金属膜表面を酸化し、その酸化層
を固体砥粒によって削り取るのが基本的なメカニズムと
考えられている。凹部の金属表面の酸化層は研磨パッド
にあまり触れず、固体砥粒による削り取りの効果が及ば
ないので、ＣＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去さ
れて基体表面は平坦化される。この詳細についてはジャ
−ナル・オブ・エレクトロケミカルソサエティ誌（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｏｃｉｅｔｙ）の第１３８巻１１号（１９９１年発
行）の３４６０〜３４６４頁に開示されている。
磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パ
ッド表面を金属用研磨液で浸し、基体の金属膜を形成し
た面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（研磨圧力
或いは研磨荷重）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨
液と金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜
を除去するものである。ＣＭＰに用いられる金属用研磨
液は、一般には酸化剤及び固体砥粒からなっており必要
に応じてさらに酸化金属溶解剤、金属防食剤が添加され
る。まず酸化によって金属膜表面を酸化し、その酸化層
を固体砥粒によって削り取るのが基本的なメカニズムと
考えられている。凹部の金属表面の酸化層は研磨パッド
にあまり触れず、固体砥粒による削り取りの効果が及ば
ないので、ＣＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去さ
れて基体表面は平坦化される。この詳細についてはジャ
−ナル・オブ・エレクトロケミカルソサエティ誌（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｏｃｉｅｔｙ）の第１３８巻１１号（１９９１年発
行）の３４６０〜３４６４頁に開示されている。
【０００４】ＣＭＰによる研磨速度を高める方法として
酸化金属溶解剤を添加することが有効とされている。固
体砥粒によって削り取られた金属酸化物の粒を研磨液に
溶解させてしまうと固体砥粒による削り取りの効果が増
すためであると解釈できる。但し、凹部の金属膜表面の
酸化層も溶解（エッチング）されて金属膜表面が露出す
ると、酸化剤によって金属膜表面がさらに酸化され、こ
れが繰り返されると凹部の金属膜のエッチングが進行し
てしまい、平坦化効果が損なわれることが懸念される。
これを防ぐためにさらに金属防食剤が添加される。平坦
化特性を維持するためには、酸化金属溶解剤と金属防食
剤の効果のバランスを取ることが重要であり、凹部の金
属膜表面の酸化層はあまりエッチングされず、削り取ら
れた酸化層の粒が効率良く溶解されＣＭＰによる研磨速
度が大きいことが望ましい。
酸化金属溶解剤を添加することが有効とされている。固
体砥粒によって削り取られた金属酸化物の粒を研磨液に
溶解させてしまうと固体砥粒による削り取りの効果が増
すためであると解釈できる。但し、凹部の金属膜表面の
酸化層も溶解（エッチング）されて金属膜表面が露出す
ると、酸化剤によって金属膜表面がさらに酸化され、こ
れが繰り返されると凹部の金属膜のエッチングが進行し
てしまい、平坦化効果が損なわれることが懸念される。
これを防ぐためにさらに金属防食剤が添加される。平坦
化特性を維持するためには、酸化金属溶解剤と金属防食
剤の効果のバランスを取ることが重要であり、凹部の金
属膜表面の酸化層はあまりエッチングされず、削り取ら
れた酸化層の粒が効率良く溶解されＣＭＰによる研磨速
度が大きいことが望ましい。
【０００５】このように酸化金属溶解剤と金属防食剤を
添加して化学反応の効果を加えることにより、ＣＭＰに
よる研磨速度が向上すると共に、ＣＭＰされる金属層表
面の損傷（ダメ−ジ）も低減される効果が得られる。
添加して化学反応の効果を加えることにより、ＣＭＰに
よる研磨速度が向上すると共に、ＣＭＰされる金属層表
面の損傷（ダメ−ジ）も低減される効果が得られる。
【０００６】一方、配線の銅或いは銅合金等の下層に
は、層間絶縁膜中への銅拡散防止のためにバリア層とし
て、タングステンや窒化タングステン及びタングステン
合金やその他のタングステン化合物等が形成される。し
たがって、銅或いは銅合金を埋め込む配線部分以外で
は、露出したバリア層をＣＭＰにより取り除く必要があ
る。しかし、これらのバリア層導体膜は、銅或いは銅合
金に比べ硬度が高いために、銅または銅合金用の研磨材
料の組み合わせでは十分なＣＭＰ速度が得られず、バリ
ア層をＣＭＰにより取り除く間に銅または銅合金等がエ
ッチングされ配線厚さが低下するという問題が生じる。
は、層間絶縁膜中への銅拡散防止のためにバリア層とし
て、タングステンや窒化タングステン及びタングステン
合金やその他のタングステン化合物等が形成される。し
たがって、銅或いは銅合金を埋め込む配線部分以外で
は、露出したバリア層をＣＭＰにより取り除く必要があ
る。しかし、これらのバリア層導体膜は、銅或いは銅合
金に比べ硬度が高いために、銅または銅合金用の研磨材
料の組み合わせでは十分なＣＭＰ速度が得られず、バリ
ア層をＣＭＰにより取り除く間に銅または銅合金等がエ
ッチングされ配線厚さが低下するという問題が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】請求項１〜１３記載の
発明は、エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充
分上昇させ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑制
し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能
とする金属用研磨液を提供するものである。
発明は、エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充
分上昇させ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑制
し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能
とする金属用研磨液を提供するものである。
【０００８】請求項１４〜１５記載の発明は、エッチン
グ速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属
表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼性の高い
金属膜の埋め込みパタ−ン形成を生産性、作業性、歩留
まり良く、行うことのできる金属の研磨方法を提供する
ものである。
グ速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属
表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼性の高い
金属膜の埋め込みパタ−ン形成を生産性、作業性、歩留
まり良く、行うことのできる金属の研磨方法を提供する
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化剤、酸化
金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、前記金属防食
剤の少なくとも一種がイミダゾール骨格を有する化合物
である金属用研磨液に関する。また、本発明は、イミダ
ゾール骨格を有する化合物が、下記一般式（Ｉ）
金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、前記金属防食
剤の少なくとも一種がイミダゾール骨格を有する化合物
である金属用研磨液に関する。また、本発明は、イミダ
ゾール骨格を有する化合物が、下記一般式（Ｉ）
【００１０】
【化２】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素
原子、アミノ基、又はＣ１〜Ｃ１２のアルキル鎖を示
す。ただし、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のすべてが水素原子で
ある場合を除く）で表される化合物である前記の金属用
研磨液に関する。また、本発明は、イミダゾール骨格を
有する化合物が、２−メチルイミダゾール、２−エチル
イミダゾール、２−（イソプロピル）イミダゾール、２
−プロピルイミダゾール、２−ブチルイミダゾール、４
−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２，
４−ジメチルイミダゾール又は２−エチル−４−メチル
イミダゾールである前記の金属用研磨液に関する。
原子、アミノ基、又はＣ１〜Ｃ１２のアルキル鎖を示
す。ただし、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のすべてが水素原子で
ある場合を除く）で表される化合物である前記の金属用
研磨液に関する。また、本発明は、イミダゾール骨格を
有する化合物が、２−メチルイミダゾール、２−エチル
イミダゾール、２−（イソプロピル）イミダゾール、２
−プロピルイミダゾール、２−ブチルイミダゾール、４
−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２，
４−ジメチルイミダゾール又は２−エチル−４−メチル
イミダゾールである前記の金属用研磨液に関する。
【００１１】また、本発明は、さらに、水溶性ポリマを
含む前記の金属用研磨液に関する。また、本発明は、水
溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン
酸エステル及びその塩、及びビニル系ポリマからなる群
より選ばれた少なくとも１種である前記の金属用研磨液
に関する。また、本発明は、金属の酸化剤が、過酸化水
素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、過硫酸塩
及びオゾン水からなる群より選ばれる少なくとも１種で
ある前記の金属用研磨液に関する。また、本発明は、酸
化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル、有機酸のア
ンモニウム塩及び硫酸からなる群より選ばれる少なくと
も１種である前記記載の金属用研磨液に関する。
含む前記の金属用研磨液に関する。また、本発明は、水
溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン
酸エステル及びその塩、及びビニル系ポリマからなる群
より選ばれた少なくとも１種である前記の金属用研磨液
に関する。また、本発明は、金属の酸化剤が、過酸化水
素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、過硫酸塩
及びオゾン水からなる群より選ばれる少なくとも１種で
ある前記の金属用研磨液に関する。また、本発明は、酸
化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル、有機酸のア
ンモニウム塩及び硫酸からなる群より選ばれる少なくと
も１種である前記記載の金属用研磨液に関する。
【００１２】また、本発明は、さらに、砥粒を含む前記
の金属研磨液に関する。また、本発明は、金属防食剤
が、トリアゾール化合物類から選ばれる少なくとも１種
類の化合物と前記のイミダゾール化合物との混合物で前
記の金属研磨液。また、本発明は、トリアゾール化合物
類が、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリア
ゾ−ル、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベン
ゾトリアゾ−ル又は１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル
である前記の金属用研磨液に関する。また、本発明は、
研磨される金属膜が、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸
化物、タンタル化合物、チタン化合物、タングステン化
合物からなる群より選ばれる少なくとも一種である前記
の金属用研磨液に関する。また、本発明は、研磨される
金属膜が二種以上で、第一の膜が銅、銅合金及び銅又は
銅合金の酸化物であり、第二の膜がタンタル化合物、チ
タン化合物又はングステン化合物である前記の金属用研
磨液に関する。また、本発明は、二種以上の金属膜を連
続して研磨する前記の金属用研磨液に関する。
の金属研磨液に関する。また、本発明は、金属防食剤
が、トリアゾール化合物類から選ばれる少なくとも１種
類の化合物と前記のイミダゾール化合物との混合物で前
記の金属研磨液。また、本発明は、トリアゾール化合物
類が、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリア
ゾ−ル、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ベン
ゾトリアゾ−ル又は１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル
である前記の金属用研磨液に関する。また、本発明は、
研磨される金属膜が、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸
化物、タンタル化合物、チタン化合物、タングステン化
合物からなる群より選ばれる少なくとも一種である前記
の金属用研磨液に関する。また、本発明は、研磨される
金属膜が二種以上で、第一の膜が銅、銅合金及び銅又は
銅合金の酸化物であり、第二の膜がタンタル化合物、チ
タン化合物又はングステン化合物である前記の金属用研
磨液に関する。また、本発明は、二種以上の金属膜を連
続して研磨する前記の金属用研磨液に関する。
【００１３】また、本発明は、研磨定盤の研磨布上に前
記の金属用研磨液を供給しながら、金属膜を有する基板
を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動
かすことによって金属膜を研磨する研磨方法に関する。
また、本発明は、研磨定盤の研磨布上に前記の一つの金
属用研磨液を供給しながら、二種以上の金属膜を連続し
て研磨する前記の研磨方法に関する。
記の金属用研磨液を供給しながら、金属膜を有する基板
を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動
かすことによって金属膜を研磨する研磨方法に関する。
また、本発明は、研磨定盤の研磨布上に前記の一つの金
属用研磨液を供給しながら、二種以上の金属膜を連続し
て研磨する前記の研磨方法に関する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明の金属用研磨液は、主要構成成分と
して酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有
してなり、、前記金属防食剤の少なくとも一種がイミダ
ゾール骨格を有する化合物である。
して酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有
してなり、、前記金属防食剤の少なくとも一種がイミダ
ゾール骨格を有する化合物である。
【００１６】本発明における酸化剤としては、過酸化水
素（Ｈ２Ｏ２）、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素
酸、過硫酸塩及びオゾン水等が挙げられ、その中でも過
酸化水素が特に好ましい。これらは１種類単独で、もし
くは２種類以上組み合わせて用いることができる。基体
が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アル
カリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる
汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤
が望ましい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しい
ので過酸化水素が最も適している。但し、適用対象の基
体が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は
不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。
素（Ｈ２Ｏ２）、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素
酸、過硫酸塩及びオゾン水等が挙げられ、その中でも過
酸化水素が特に好ましい。これらは１種類単独で、もし
くは２種類以上組み合わせて用いることができる。基体
が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アル
カリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる
汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤
が望ましい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しい
ので過酸化水素が最も適している。但し、適用対象の基
体が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は
不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。
【００１７】酸化剤の配合量は、金属用研磨液の総量に
対して、０．１〜５０重量％とすることが好ましく、
０．２〜２５重量％とすることがより好ましく、０．３
〜１５重量％とすることが特に好ましい。配合量が
０．１重量％未満では、金属の酸化が不充分でＣＭＰ速
度が低くなる傾向があり、５０重量％を超えると、研磨
面に荒れが生じる傾向がある。
対して、０．１〜５０重量％とすることが好ましく、
０．２〜２５重量％とすることがより好ましく、０．３
〜１５重量％とすることが特に好ましい。配合量が
０．１重量％未満では、金属の酸化が不充分でＣＭＰ速
度が低くなる傾向があり、５０重量％を超えると、研磨
面に荒れが生じる傾向がある。
【００１８】本発明における酸化金属溶解剤は、水溶性
のものであれば特に制限はなく、ギ酸、酢酸、プロピオ
ン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン
酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチ
ルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン
酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香
酸、グリコ−ル酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピ
メリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、
クエン酸等の有機酸、これらの有機酸エステル及びこれ
ら有機酸のアンモニウム塩等が例示できる。また塩酸、
硫酸、硝酸等の無機酸、これら無機酸のアンモニウム塩
類、例えば過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩
化アンモニウム等、クロム酸等が挙げられる。これらの
中で特に、効果的に研磨できるという点でギ酸、マロン
酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が金属層のＣＭＰに対
して好適である。これらは１種類単独で、もしくは２種
類以上組み合わせて用いることができる。酸化金属溶解
剤成分の配合量は、金属用研磨液の総量に対して０．０
０１〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１〜８
重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重量％
とすることが特に好ましい。この配合量が０．００１重
量％以下になると研磨速度が極端に減少する傾向があ
り、１０重量％を超えると、エッチングの抑制が困難と
なる傾向がある。
のものであれば特に制限はなく、ギ酸、酢酸、プロピオ
ン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン
酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチ
ルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン
酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香
酸、グリコ−ル酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ
酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピ
メリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、
クエン酸等の有機酸、これらの有機酸エステル及びこれ
ら有機酸のアンモニウム塩等が例示できる。また塩酸、
硫酸、硝酸等の無機酸、これら無機酸のアンモニウム塩
類、例えば過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩
化アンモニウム等、クロム酸等が挙げられる。これらの
中で特に、効果的に研磨できるという点でギ酸、マロン
酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が金属層のＣＭＰに対
して好適である。これらは１種類単独で、もしくは２種
類以上組み合わせて用いることができる。酸化金属溶解
剤成分の配合量は、金属用研磨液の総量に対して０．０
０１〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１〜８
重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重量％
とすることが特に好ましい。この配合量が０．００１重
量％以下になると研磨速度が極端に減少する傾向があ
り、１０重量％を超えると、エッチングの抑制が困難と
なる傾向がある。
【００１９】本発明におけるイミダゾール骨格を有する
化合物は、特に制限はなく、前記一般式（Ｉ）で表され
る化合物を挙げることができる。
化合物は、特に制限はなく、前記一般式（Ｉ）で表され
る化合物を挙げることができる。
【００２０】イミダゾール骨格を有する化合物として
は、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−イソプロピルイミダゾール、２−プロピルイミ
ダゾール、２−ブチルイミダゾール、４−メチルイミダ
ゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−
４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−アミノイミダゾール等を例示することができ
る。これらは１種類単独で、もしくは２種類以上組み合
わせて用いることができる。
は、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−イソプロピルイミダゾール、２−プロピルイミ
ダゾール、２−ブチルイミダゾール、４−メチルイミダ
ゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−
４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−アミノイミダゾール等を例示することができ
る。これらは１種類単独で、もしくは２種類以上組み合
わせて用いることができる。
【００２１】また、金属防食剤としてイミダゾール骨格
を有する化合物とトリアゾール化合物類を併用すること
も可能である。トリアゾール化合物類としては、特に制
限はないが、２−メルカプトベンゾチアゾ−ル、１，
２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、３
−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾト
リアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、１−
ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、２，３−ジ
カルボキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、４−ヒドロキ
シベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）
ベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベ
ンゾトリアゾ−ルメチルルエステル、４−カルボキシル
（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルブチルエステル、４−
カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルオクチル
エステル、５−ヘキシルベンゾトリアゾ−ル、［１，
２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル］［１，２，
４−トリアゾリル−１−メチル］［２−エチルヘキシ
ル］アミン、トリルトリアゾ−ル、ナフトトリアゾ−
ル、ビス［（１−ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホ
ン酸、３−アミノトリアゾール等を例示することができ
る。これらは１種類単独で、もしくは２種類以上組み合
わせて用いることができる。
を有する化合物とトリアゾール化合物類を併用すること
も可能である。トリアゾール化合物類としては、特に制
限はないが、２−メルカプトベンゾチアゾ−ル、１，
２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、３
−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾト
リアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、１−
ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、２，３−ジ
カルボキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、４−ヒドロキ
シベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）
ベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベ
ンゾトリアゾ−ルメチルルエステル、４−カルボキシル
（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルブチルエステル、４−
カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルオクチル
エステル、５−ヘキシルベンゾトリアゾ−ル、［１，
２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル］［１，２，
４−トリアゾリル−１−メチル］［２−エチルヘキシ
ル］アミン、トリルトリアゾ−ル、ナフトトリアゾ−
ル、ビス［（１−ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホ
ン酸、３−アミノトリアゾール等を例示することができ
る。これらは１種類単独で、もしくは２種類以上組み合
わせて用いることができる。
【００２２】本発明の金属防食剤の総配合量は、研磨液
の総量に対して０．００１〜１０重量％とすることが好
ましく、０．０１〜８重量％とすることがより好まし
く、０．０２〜５重量％とすることが特に好ましい。こ
の配合量が０．００１未満では、エッチングの抑制が困
難となる傾向があり、１０重量％を超えると研磨速度が
低くなってしまう傾向がある。
の総量に対して０．００１〜１０重量％とすることが好
ましく、０．０１〜８重量％とすることがより好まし
く、０．０２〜５重量％とすることが特に好ましい。こ
の配合量が０．００１未満では、エッチングの抑制が困
難となる傾向があり、１０重量％を超えると研磨速度が
低くなってしまう傾向がある。
【００２３】本発明の金属用研磨液は水溶性ポリマを含
むことができる。水溶性ポリマとしては、例えば、アル
ギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロ−ス、寒
天、カ−ドラン及びプルラン等の多糖類；ポリアスパラ
ギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ
酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム
塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポ
リマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ
（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリア
クリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリ
ル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポ
リアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド
酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボ
ン酸及びその塩；ポリビニルアルコ−ル、ポリビニルピ
ロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ等が
挙げられる。但し、適用する基体が半導体集積回路用シ
リコン基板などの場合はアルカリ金属、アルカリ土類金
属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸
もしくはそのアンモニウム塩が望ましい。基体がガラス
基板等である場合はその限りではない。その中でもペク
チン酸、寒天、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリルアミド、ポリ
ビニルアルコール及びポリビニルピロリドン、それらの
エステル及びそれらのアンモニウム塩が好ましい。
むことができる。水溶性ポリマとしては、例えば、アル
ギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロ−ス、寒
天、カ−ドラン及びプルラン等の多糖類；ポリアスパラ
ギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ
酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム
塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポ
リマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ
（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリア
クリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリ
ル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポ
リアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド
酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボ
ン酸及びその塩；ポリビニルアルコ−ル、ポリビニルピ
ロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ等が
挙げられる。但し、適用する基体が半導体集積回路用シ
リコン基板などの場合はアルカリ金属、アルカリ土類金
属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸
もしくはそのアンモニウム塩が望ましい。基体がガラス
基板等である場合はその限りではない。その中でもペク
チン酸、寒天、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリルアミド、ポリ
ビニルアルコール及びポリビニルピロリドン、それらの
エステル及びそれらのアンモニウム塩が好ましい。
【００２４】水溶性ポリマの配合量は、研磨液の総量に
対して０〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１
〜８重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重
量％とすることが特に好ましい。この配合量が１０重量
％を超えると研磨速度が低下する傾向がある。
対して０〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１
〜８重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重
量％とすることが特に好ましい。この配合量が１０重量
％を超えると研磨速度が低下する傾向がある。
【００２５】水溶性ポリマの重量平均分子量（ＧＰＣ測
定、標準ポリスチレン換算）は５００以上とすることが
好ましく、１５００以上とすることがより好ましく５０
００以上とすることが特に好ましい。重量平均分子量の
上限は特に規定するものではないが、溶解性の観点から
５００万以下である。重量平均分子量が５００未満では
高い研磨速度が発現しない傾向にある。本発明では、重
量平均分子量が５００以上である少なくとも１種以上の
水溶性ポリマを用いることが好ましい。
定、標準ポリスチレン換算）は５００以上とすることが
好ましく、１５００以上とすることがより好ましく５０
００以上とすることが特に好ましい。重量平均分子量の
上限は特に規定するものではないが、溶解性の観点から
５００万以下である。重量平均分子量が５００未満では
高い研磨速度が発現しない傾向にある。本発明では、重
量平均分子量が５００以上である少なくとも１種以上の
水溶性ポリマを用いることが好ましい。
【００２６】本発明の金属用研磨液には、上述した材料
のほかにアルミナ、シリカ、セリア等の固体砥粒、界面
活性剤、ビクトリアピュアブルー等の染料、フタロシア
ニングリーン等の顔料等の着色剤を０．０１〜１重量
％、好ましくは０．１〜０．８重量％程度含有させても
よい。
のほかにアルミナ、シリカ、セリア等の固体砥粒、界面
活性剤、ビクトリアピュアブルー等の染料、フタロシア
ニングリーン等の顔料等の着色剤を０．０１〜１重量
％、好ましくは０．１〜０．８重量％程度含有させても
よい。
【００２７】本発明を適用する金属膜としては、銅、銅
合金及び銅又は銅合金の酸化物、タンタル化合物（タン
タル、窒化タンタル、タンタル合金等）、チタン化合物
（チタン、窒化チタン、チタン合金等）、タングステン
化合物（タングステン、窒化タングステン、タングステ
ン合金等）などを例示することができ、公知のスパッタ
法、メッキ法により成膜できる。さらに、金属膜は、二
種以上の上記金属を組み合わせた積層膜であってもよ
い。
合金及び銅又は銅合金の酸化物、タンタル化合物（タン
タル、窒化タンタル、タンタル合金等）、チタン化合物
（チタン、窒化チタン、チタン合金等）、タングステン
化合物（タングステン、窒化タングステン、タングステ
ン合金等）などを例示することができ、公知のスパッタ
法、メッキ法により成膜できる。さらに、金属膜は、二
種以上の上記金属を組み合わせた積層膜であってもよ
い。
【００２８】本発明を適用する積層膜としては、上層
（はじめに研磨される膜）が銅、銅合金及び銅又は銅合
金の酸化物であり、下層（続いて研磨される膜）がタン
タル化合物（タンタル、窒化タンタル、タンタル合金
等）、チタン化合物（チタン、窒化チタン、チタン合金
等）、タングステン化合物（タングステン、窒化タング
ステン、タングステン合金等）であるものが例示でき
る。
（はじめに研磨される膜）が銅、銅合金及び銅又は銅合
金の酸化物であり、下層（続いて研磨される膜）がタン
タル化合物（タンタル、窒化タンタル、タンタル合金
等）、チタン化合物（チタン、窒化チタン、チタン合金
等）、タングステン化合物（タングステン、窒化タング
ステン、タングステン合金等）であるものが例示でき
る。
【００２９】本発明の金属用研磨液を用いることにより
上記の二種以上の金属膜の積層膜を連続して研磨するこ
とができる（換言すれば、金属膜毎に研磨液を変更する
手間が省ける）。
上記の二種以上の金属膜の積層膜を連続して研磨するこ
とができる（換言すれば、金属膜毎に研磨液を変更する
手間が省ける）。
【００３０】本発明の研磨方法は、研磨定盤の研磨布上
に前記の金属用研磨液を供給しながら、被研磨膜を有す
る基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対
的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法で
ある。研磨する装置としては、半導体基板を保持するホ
ルダと研磨布（パッド）を貼り付けた（回転数が変更可
能なモータ等を取り付けてある）定盤を有する一般的な
研磨装置が使用できる。
に前記の金属用研磨液を供給しながら、被研磨膜を有す
る基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対
的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法で
ある。研磨する装置としては、半導体基板を保持するホ
ルダと研磨布（パッド）を貼り付けた（回転数が変更可
能なモータ等を取り付けてある）定盤を有する一般的な
研磨装置が使用できる。
【００３１】研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポ
リウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制
限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度
は基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転
が好ましい。被研磨膜を有する半導体基板の研磨布への
押し付け圧力が１〜１００ｋＰａであることが好まし
く、ＣＭＰ速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦
性を満足するためには、５〜５０ｋＰａであることがよ
り好ましい。研磨している間、研磨布には金属用研磨液
をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はな
いが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが
好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中でよく洗
浄後、スピンドライ等を用いて半導体基板上に付着した
水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
リウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制
限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度
は基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転
が好ましい。被研磨膜を有する半導体基板の研磨布への
押し付け圧力が１〜１００ｋＰａであることが好まし
く、ＣＭＰ速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦
性を満足するためには、５〜５０ｋＰａであることがよ
り好ましい。研磨している間、研磨布には金属用研磨液
をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はな
いが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが
好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中でよく洗
浄後、スピンドライ等を用いて半導体基板上に付着した
水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【００３２】本発明金属用研磨液は、金属の研磨速度が
充分に高く、且つエッチング速度が小さいため、生産性
が高く、金属表面の腐食及びディッシングが小さいの
で、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼
性の高い半導体デバイス及び機器に好適である。
充分に高く、且つエッチング速度が小さいため、生産性
が高く、金属表面の腐食及びディッシングが小さいの
で、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼
性の高い半導体デバイス及び機器に好適である。
【００３３】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。本発
明はこれらの実施例により限定されるものではない。 実施例１〜１１および比較例１、２ （金属用研磨液作製方法）金属用研磨液は水に対してリ
ンゴ酸０．１５重量％、水溶性ポリマー０．１５重量
％、イミダゾール化合物０．２重量％、過酸化水素水９
重量％、必要に応じてベンゾトリアゾール０．２重量
％、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール０．２重量
％を添加して作成した。
明はこれらの実施例により限定されるものではない。 実施例１〜１１および比較例１、２ （金属用研磨液作製方法）金属用研磨液は水に対してリ
ンゴ酸０．１５重量％、水溶性ポリマー０．１５重量
％、イミダゾール化合物０．２重量％、過酸化水素水９
重量％、必要に応じてベンゾトリアゾール０．２重量
％、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール０．２重量
％を添加して作成した。
【００３４】（測定条件）エッチング速度は、攪拌した
金属用研磨液（室温、２５℃、攪拌６００ｒｐｍ）への
浸漬前後のそれぞれの基体の膜厚差を電気抵抗値から換
算して求めた。 基体：厚さ１５００ｎｍの銅金属を堆積したシリコン基
板 厚さ６００ｎｍのタングステン化合物を堆積したシリコ
ン基板 実施例１〜１１及び比較例１〜２のエッチング速度を表
１に示した。
金属用研磨液（室温、２５℃、攪拌６００ｒｐｍ）への
浸漬前後のそれぞれの基体の膜厚差を電気抵抗値から換
算して求めた。 基体：厚さ１５００ｎｍの銅金属を堆積したシリコン基
板 厚さ６００ｎｍのタングステン化合物を堆積したシリコ
ン基板 実施例１〜１１及び比較例１〜２のエッチング速度を表
１に示した。
【００３５】
【表１】
【００３６】実施例１〜１１は銅のエッチング速度がい
ずれの場合も０．５ｎｍ／ｍｉｎ以下であり、比較例１
〜２と比べて大きく改善されている。一方タングステン
においても比較例と比較して十分低い値であった。ま
た、実施例１〜１１で銅、タングステンの研磨速度はそ
れぞれ１００ｎｍ／ｍｉｎ、２０ｎｍ／ｍｉｎ以上であ
り、十分に実用レベルであった。実施例１２ 水９０重
量％に対してリンゴ酸０．１５重量％、水溶性ポリマー
０．１５重量％、３−アミノ−１，２，４トリアゾール
０．３重量％、ベンゾトリアゾール０．１４重量％、
２，４−ジメチルイミダゾール０．０５重量％、過酸化
水素水９重量％を添加して研磨液を作成したの研磨液を
作成した。このときのエッチング速度は、銅では０．３
７ｎｍ／ｍｉｎ、タングステンでは０．４９ｎｍ／ｍｉ
ｎであった。さらに二酸化シリコン中に深さ０．５〜１
００μｍの溝を形成して、公知の方法によってバリア層
として厚さ５０ｎｍのタングステン層を形成し、その上
層に銅膜を１．０μｍ形成したシリコン基板を用い、基
体表面全面で二酸化シリコンが露出するまで上記研磨液
によって研磨を行った。研磨時間は３分であり、約３５
０ｎｍ／ｍｉｎ以上の研磨速度が得られたことになる。
次に、触針式段差計で配線金属部幅１００μｍ、絶縁膜
部幅１００μｍが交互に並んだストライプ状パターン部
の表面形状から、絶縁膜部に対する配線金属部の膜減り
量を求めたところ５０ｎｍであり、十分実用的な値であ
った。
ずれの場合も０．５ｎｍ／ｍｉｎ以下であり、比較例１
〜２と比べて大きく改善されている。一方タングステン
においても比較例と比較して十分低い値であった。ま
た、実施例１〜１１で銅、タングステンの研磨速度はそ
れぞれ１００ｎｍ／ｍｉｎ、２０ｎｍ／ｍｉｎ以上であ
り、十分に実用レベルであった。実施例１２ 水９０重
量％に対してリンゴ酸０．１５重量％、水溶性ポリマー
０．１５重量％、３−アミノ−１，２，４トリアゾール
０．３重量％、ベンゾトリアゾール０．１４重量％、
２，４−ジメチルイミダゾール０．０５重量％、過酸化
水素水９重量％を添加して研磨液を作成したの研磨液を
作成した。このときのエッチング速度は、銅では０．３
７ｎｍ／ｍｉｎ、タングステンでは０．４９ｎｍ／ｍｉ
ｎであった。さらに二酸化シリコン中に深さ０．５〜１
００μｍの溝を形成して、公知の方法によってバリア層
として厚さ５０ｎｍのタングステン層を形成し、その上
層に銅膜を１．０μｍ形成したシリコン基板を用い、基
体表面全面で二酸化シリコンが露出するまで上記研磨液
によって研磨を行った。研磨時間は３分であり、約３５
０ｎｍ／ｍｉｎ以上の研磨速度が得られたことになる。
次に、触針式段差計で配線金属部幅１００μｍ、絶縁膜
部幅１００μｍが交互に並んだストライプ状パターン部
の表面形状から、絶縁膜部に対する配線金属部の膜減り
量を求めたところ５０ｎｍであり、十分実用的な値であ
った。
【００３７】
【発明の効果】請求項１〜１３記載の金属用研磨液は、
エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇さ
せ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼
性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とするも
のである。
エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇さ
せ、金属表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼
性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とするも
のである。
【００３８】請求項１４〜１５記載の研磨方法は、エッ
チング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、
金属表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼性の
高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を生産性、作業性、
歩留まり良く、行うことのできるものである。
チング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、
金属表面の腐食とディシングの発生を抑制し、信頼性の
高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を生産性、作業性、
歩留まり良く、行うことのできるものである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０ Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｃ
５５０Ｚ
Ｆターム(参考） 3C047 FF08 GG15
3C058 AA07 AC04 CB01 CB03 DA17
Claims (15)
- 【請求項１】 酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及
び水を含有し、前記金属防食剤の少なくとも一種がイミ
ダゾール骨格を有する化合物である金属用研磨液。 - 【請求項２】 イミダゾール骨格を有する化合物、下記
一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素
原子、アミノ基、又はＣ１〜Ｃ１２のアルキル鎖を示
す。ただし、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のすべてが水素原子で
ある場合を除く）で表される化合物である請求項１記載
の金属用研磨液。 - 【請求項３】 イミダゾール骨格を有する化合物が、２
−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−
（イソプロピル）イミダゾール、２−プロピルイミダゾ
ール、２−ブチルイミダゾール、４−メチルイミダゾー
ル、４−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダ
ゾール又は２−エチル−４−メチルイミダゾールである
請求項２記載の金属用研磨液。 - 【請求項４】 さらに、水溶性ポリマを含む請求項１〜
３記載の金属用研磨液。 - 【請求項５】 水溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン
酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩、及びビニル系
ポリマからなる群より選ばれた少なくとも１種である請
求項４項記載の金属用研磨液。 - 【請求項６】 金属の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過
ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、過硫酸塩及びオゾン水
からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１
〜５記載の金属用研磨液。 - 【請求項７】 酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エス
テル、有機酸のアンモニウム塩及び硫酸からなる群より
選ばれる少なくとも１種である請求項１〜６項記載の金
属用研磨液。 - 【請求項８】 さらに、砥粒を含む請求項１〜７記載の
金属研磨液。 - 【請求項９】 金属防食剤が、トリアゾール化合物類か
ら選ばれる少なくとも１種類の化合物と請求項２又は３
記載のイミダゾール化合物との混合物である請求項１〜
８記載の金属研磨液。 - 【請求項１０】 トリアゾール化合物類が、１，２，３
−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、３−アミ
ノ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾ−ル又
は１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ルである請求項９記
載の金属用研磨液。 - 【請求項１１】 研磨される金属膜が、銅、銅合金及び
銅又は銅合金の酸化物、タンタル化合物、チタン化合
物、タングステン化合物からなる群より選ばれる少なく
とも一種である請求項１〜１０記載の金属用研磨液。 - 【請求項１２】 研磨される金属膜が二種以上で、第一
の膜が銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物であり、第
二の膜がタンタル化合物、チタン化合物又はングステン
化合物である請求項１〜１０記載の金属用研磨液。 - 【請求項１３】 二種以上の金属膜を連続して研磨する
請求項１２記載の金属用研磨液。 - 【請求項１４】 研磨定盤の研磨布上に請求項１〜１３
記載の金属用研磨液を供給しながら、金属膜を有する基
板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に
動かすことによって金属膜を研磨する研磨方法。 - 【請求項１５】 研磨定盤の研磨布上に請求項１〜１３
記載の一つの金属用研磨液を供給しながら、二種以上の
金属膜を連続して研磨する請求項１６記載の研磨方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383539A JP2003188120A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
| TW092115952A TWI259201B (en) | 2001-12-17 | 2003-06-12 | Slurry for metal polishing and method of polishing with the same |
| US10/560,228 US20060143990A1 (en) | 2001-12-17 | 2003-06-13 | Polishing fluid for metal, and polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383539A JP2003188120A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188120A true JP2003188120A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27593551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001383539A Pending JP2003188120A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003188120A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005029497A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Ube Ind Ltd | 酸・塩基混合物 |
| WO2005031037A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Toray Industries, Inc. | チタンまたはチタン合金、接着用樹脂組成物、プリプレグおよび複合材料 |
| JP2005129822A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及び研磨方法 |
| JPWO2004012248A1 (ja) * | 2002-07-25 | 2005-11-24 | 日立化成工業株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
| WO2006030595A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Ｃｍｐ用研磨スラリー |
| KR100854483B1 (ko) * | 2004-09-14 | 2008-08-26 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Ｃｍｐ용 연마 슬러리 |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001383539A patent/JP2003188120A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004012248A1 (ja) * | 2002-07-25 | 2005-11-24 | 日立化成工業株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
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