KR20010060210A - 금속 평탄화용 ｃｍｐ 슬러리 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평탄화되는 금속을 산화시킬 수 있는 산화제를 사용하여 제형되며 이에 의해 오버에칭을 최소화시키는 산화된 금속과 착체를 형성하는 착화제를 생성시키는 CMP 슬러리에 관한 것이다. 상기 슬러리는 연마 입자, 억제제, pH 조절제 및 이들의 조합물을 추가로 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 평탄도를 향상시키는 화학 기계적 연마(CMP)에 의해 금속을 평탄화시키기 위한 슬러리에 관한 것이다. 본 발명은 초미세 설계 피처(feature) 및 고전도율 상호연결 구조를 가진 고속 집적 회로를 고산출 처리량으로 제조하는 데에 적용가능하다.
집적 회로 및 다른 전자 디바이스들의 제작에서, 전도성, 반전도성 및 유전성 재료들의 다중층들은 기판의 표면위에 증착되거나 표면으로부터 제거된다. 전도성, 반전도성 및 유전성 재료들의 박층은 수많은 증착 기술에 의해 증착될 수 있다. 현대 가공에서 보편적인 증착 기술들에는 스퍼터링으로도 공지되어 있는 물리적 증착(PVD), 화학 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD) 및 전기 화학 플레이팅(ECP)이 있다.
재료들의 층이 연속적으로 증착되고 제거되기 때문에, 기판의 최상층 표면은 표면 전반에 걸쳐 평탄하지 않을 수 있으며 평탄화가 필요하다. 표면 평탄화, 또는 표면 "연마"는 기판의 표면으로부터 재료를 제거하여 일반적으로 평평하고 평탄한 표면을 형성시키는 공정이다. 평탄화는 거친 표면, 응집된 재료, 결정 격자, 손상부위, 긁힌 자국 및 오염된 층 또는 오염된 재료와 같은 바람직하지 않은 표면 형태 및 표면 결함을 제거하는 데에 유용하다. 또한 평탄화는 금속화 및 가공의 후속 단계를 위해 피처를 충전시키고 평평한 표면을 제공하기 위해 사용된 과잉 증착된 재료를 제거함으로써 기판상에 피처를 형성시키는데 유용하다.
화학 기계적 평탄화, 또는 화학 기계적 연마(CMP)는 기판을 평탄화시키기 위해 사용되는 보편적인 기술이다. CMP는 기판으로부터 재료를 선택적으로 제거하기 위해 화학 조성물, 전형적으로 슬러리 또는 다른 유체 매질을 사용한다. 통상적인 CMP 기술에서, 기판 캐리어 또는 연마 헤드는 캐리어 조립체위에 올려지며 CMP 장치에서 연마 패드와 접촉하도록 위치된다. 이 캐리어 조립체는 기판에 제어가능한 압력을 가하여 연마 패드에 대해 기판을 밀착시킨다. 이 패드는 외부 구동력에 의해 기판에 대해 이동된다. 따라서, CMP 장치는 연마 조성물, 또는 슬러리가 분산되는 동안 기판과 연마 패드의 표면간의 연마 운동 또는 마찰 운동을 일으켜 화학적 활성 및 기계적 활성 둘 모두를 나타낸다.
통상적인 CMP 공정들은 통상적인 연마 패드를 사용하는 반응성 용액중의 연마 입자를 포함하는 연마 조성물, 또는 슬러리와 같은 연마 물품을 사용하여 수행된다. 또는, 연마 물품은 고정된 연마 패드와 같은 고정된 연마 물품일 수 있으며, 연마 입자를 함유하지 않는 CMP 조성물 또는 슬러리와 함께 사용될 수 있다. 고정된 연마 물품은 전형적으로 연마 물품에 부착된 다수의 기하학적 연마 복합 재료와 함께 백킹 시트(backing sheet)를 포함하고 있다.
CMP에 사용되는 화학 조성물들은 전형적으로 산화제 및 착화제와 같은 다중구성성분을 함유하고 있다. 이 조성물들은 연마 구성성분으로서 콜로이드 실리카와 같은 연마 입자들을 추가로 함유할 수 있다. 이 구성성분들은 전형적으로 연마를 위해 조성물을 패드로 보내기 이전에 혼합된다. 다양한 구성성분들이 서로 상호작용하거나 반작용하여 효과적인 제형화를 열화시킬 수 있다. 전형적인 포트의 사용가능 시간, 예컨대, 슬러리의 유효 기간은 어떤 연마 수행 필요조건하에서 24시간 이하이다.
그러므로, 연장된 사용가능 시간을 가지면서 효과적인 연마 결과를 유지시키는 방법 및 CMP 조성물이 필요하다.
본 발명의 목적은 향상된 방법 및 CMP 조성물에 의해 사용가능 시간을 연장시키고 효과적인 연마 결과를 유지시키는 데에 있다.
발명의 요약
본 발명의 양상은 일반적으로 Cu 및 Cu 합금과 같은 금속을 평탄화시키는 것을 포함하여 기판 표면을 평탄화시키기 위한 방법 및 조성물을 제공함으로써, 디싱(dishing)을 감소시키고, 표면 평탄성을 향상시키고, 처리량을 증가시키고, 제조 비용을 감소시킨다.
한 가지 양상에서, 본 발명은 금속을 산화시키고 금속 및/또는 산화된 금속과 착체를 형성하기 위한 제 1 부분 및 금속의 오버에칭을 최소화시키기 위한 제 2 부분을 가진 시약을 포함하는 금속을 화학 기계적으로 연마하기 위한 슬러리를 제공한다. 이 슬러리는 추가로 연마 입자, 억제제, pH 조절제 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다.
또 다른 양상에서, 본 발명은 금속을 산화시키고 금속 및/또는 산화된 금속과 착체를 형성시키기 위한 제 1 부분 및 금속의 오버에칭을 최소화하기 위한 제 2부분을 가진 시약을 포함하는 슬러리를 사용하여 표면을 화학 기계적으로 연마시킴으로써 금속층의 표면을 평탄화시키기 위한 방법을 제공한다. 슬러리는 연마 입자, 억제제, pH 조절제 및 이들의 조합물을 추가로 포함할 수 있다.
바람직한 양태에 대한 상세한 설명
본 발명은 일반적으로 디싱을 제거 또는 감소시키고, 심층 초미세 범위의 피처 크기를 가진 신뢰성있는 상호연결 패턴에 대한 증가하는 요구에 맞춰 고산출 처리량으로 Cu 및 Cu 합금과 같은 금속을 평탄화시키기 위한 조성물 및 방법을 제공한다. 추가적으로, 본 발명의 양상은 금속의 효과적인 CMP를 가능하게 하여 제조 비용을 감소시키고 조성물의 사용가능 시간을 연장시킨다. 본 명세서 전반에 사용된 바와 같이, 기호 Cu는 고순도의 구리 원소 뿐만 아니라 구리계 합금, 예컨대, 적어도 약 80 중량% 구리를 함유한 구리계 합금을 포함한다.
본 발명의 양상은 연마 입자를 사용하거나 사용하지 않고 Cu와 같은 CMP 금속을 위해 전략적으로 제형화된 슬러리를 활용함으로써 달성된다. 바꾸어 말하면, 본 발명의 슬러리는 고정된 연마 시스템에 활용될 수 있다. 본 발명의 양태에 따라, 시약은 슬러리에 혼입되어 산화제 뿐만 아니라 이에 의해 산화된 금속과 착제를 형성함으로서 기능하며 산화된 금속을 용해시킴으로써 오버에칭을 방지하고 제거율을 향상시킨다. 그러므로, 본 발명의 양태들은 산화 부분 및 금속의 오버에칭을 방지하는 부분을 함유하는 유기 시약을 포함한다. 전형적으로, 산화 부분은 퍼옥사이드 기를 가진 친수성 헤드이며 테일은 소수성 테일이다.
본 발명의 시약이 기능하는 수단을 지지하는 정확한 메카니즘은 확실하게 알려지지 않았다. 그러나, 본 발명에 활용된 시약은 산화제 기능을 하며 산화시, 착화제를 생성시킨다고 생각된다. 예를 들어, 본 발명의 시약의 퍼옥사이드 친수성 헤드는 금속 표면을 산화시킨다고 생각되고 있다. 이 결과로 생성물, 예컨대, 유기산이 Cu 또는 산화된 Cu(Cu2+)와 반응하여 카복실산 착체를 형성시킨다고 생각된다.
시약 분자가 소수성 테일에 기인하여 금속의 표면에 멈추기 때문에 디싱이 현저하게 단축된다고 생각된다. 이런 식으로, 산화층의 두께가 제어되고 디싱이 감소된다.
본 발명은 단일 화합물이 산화 시약과 착체형성 시약 모두를 제공함으로써 통상적인 CMP 슬러리에 비해 추가적인 장점을 제공하며 제한된 사용가능 시간을 나타내는 과산화수소 함유 제형보다 높은 안정성을 보여준다. 또한, 단일 화합물 산화-착체형성 시약의 사용은 착화제를 따로 따로 사용하지 않도록 하기 때문에, 관련된 화학물질의 수를 감소시키며, 이에 의해 가공이 단순해지고 재료비가 절감된다.
다양한 시약들이 본 발명의 양태에 따라 CMP 슬러리에 유용한 산화 및 착화체형성 기능을 수행하기 위해 활용되거나 제형될 수 있다. 예를 들어, 산화 부분은퍼옥사이드 기, 예컨대, 퍼옥시카복실산 기 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함할 수 있고, 이 경우 수득된 착화제는 카복실산 또는 카복실레이트를 포함하고 있다. 착체형성 부분은 폴리에틸렌 글리콜과 같은 알킬기 또는 이들의 유도체 또는 벤젠과 같은 아릴기 또는 이들의 유도체를 포함할 수 있다. 따라서, 적합한 시약은 퍼옥시벤조산, 클로로벤조산, 퍼옥시아세트산 및 퍼옥시포름산과 같은 퍼옥시산을 함유한다. 벤조일 퍼옥사이드와 같은 다른 유기 퍼옥사이드들이 또한 산화 및 착체형성 시약으로서 사용될 수 있다. 또한, 적합한 시약은 HOOOC(CH2CH2O)nCOOOH(여기에서 n은 약 15이다)와 같은 폴리에틸렌 글리콜 퍼옥시산을 함유하며, 폴리에틸렌 글리콜로부터 합성될 수 있다.
본 명세서 및 목적에 있어서, 시약 및 추가적인 구성성분의 적합한 양은 주어진 상황에서 결정되고 최적화될 수 있다. 일반적으로, 본 발명은 알루미늄, Cu, 티타늄, 탄탈룸, 이들의 질화물 뿐만 아니라 옥시질화 규소와 같은 다양한 금속에 대한 CMP에 적용가능하다. 본 발명의 양태에 따른 CMP 슬러리는 전형적으로 약 0.5 내지 약 5 중량%, 예컨대, 약 0.5 내지 약 2.5 중량%와 같은 약 0.005 중량% 내지 약 25 중량%의 시약을 함유할 수 있다. 유리하게는, 5-메틸 벤조트리아졸 또는 벤조트리아졸과 같은 억제제는 약 0.005 중량% 내지 약 0.5 중량%, 예컨대, 약 0.001 내지 약 0.1 중량%의 양으로서 존재할 수 있다. 본 발명에 활용된 슬러리는 알루미나 또는 실리카와 같은 연마 입자들을 약 0.01 내지 약 30 중량%의 양으로 함유할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 염기와 같은 pH 조절제는, 고분자량 지방족 또는 방향족 카복실산 구성성분(예컨대, 여기에서 시약의 카복실산 구성성분은 탄소수가 약 7개를 초과함)이 사용될 때와 같이, 필요한 경우에 시약의 용해도를 증가시키기 위해 도입된다. pH 조절제의 예에는 수산화 암모늄 또는 수산화 칼륨이 있다. pH 조절제, 특히 염기의 양은 시약의 염을 형성시킬 만큼 충분한 양으로 존재하도록 조절된다. 예를 들어, 염기는 약 1:1 내지 약 1:2의 시약에 대한 몰비로 존재할 수 있다. 또한 pH 조절제의 양은 중성에 가까운 pH를 제공하도록 조절된다. 예를 들어, 약 7 내지 약 8의 pH가 본 발명의 한 양상에서 염기에 의해 제공된다.
본 명세서에 기술된 슬러리의 예에는 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%의 퍼아세트산, 약 0.05 중량% 내지 약 0.3 중량%의 벤조트리아졸, 약 5 중량% 내지 약 20 중량% 연마재 및 약 7 내지 약 8의 pH를 제공하기에 충분한 양의 수산화 칼륨이 있다.
추가적인 통상 슬러리 첨가제들을 본 발명의 슬러리 양태에 혼입하여 이들의 공지된 효과, 예컨대, 티타늄, 탄탈룸 및 이들의 질화물과 같은 웨이퍼에서의 배리어층의 연마율을 더욱 개선시키거나 향상시킬 수 있다. 연마재를 사용하는 본 발명의 양태에서는, 이러한 연마재는 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 게르마니아, 실리카, 세리아 및 이들의 혼합물일 수 있다. 본 명세서에 기술된 시약을 함유하는 조성물에 안정제를 첨가하는 것은 연마재 및 다른 시약들이 합쳐질 때 사용가능 시간을 연장시키는 것이 밝혀졌다.
본 발명의 또 다른 양상에서, 슬러리 제형시에 슬러리를 산화제 및 착화제로분리시킴으로써 슬러리 제형을 위해 요구되는 개별적인 화학물질의 수를 유리하게 감소시키며, 추가적으로, 산화 구성성분의 저장 수명을 증가시키는 시약이 사용된다. 본 발명의 양태에 따라 산화제 및 착화제로 분리시키기 위한 적합한 시약에는 요소 과산화수소와 같은 다양한 아민-퍼옥시산이 있다. 따라서, 이러한 시약을 함유하는 슬러리의 사용은 금속 CMP의 경우에 동일계내에서 반응 화학을 일으킨다.
아민-퍼옥시산 구성성분, 예컨대, 요소 과산화수소는 0.5 내지 약 5 중량%, 예컨대, 약 0.5 내지 약 2.5 중량%와 같은 약 0.005 내지 약 25 중량%의 양으로 존재할 수 있다. 유리하게는, 개별적인 착화제는 슬러리로부터 제외될 수 있다. 따라서, 본 발명의 양태에 따른 슬러리는 산화제 및 착화제로 분리시키는 약제를 함유하며 고정된 연마 재료가 활용되지 않는 상황에서 연마 입자를 30 중량% 이상의 양으로 및 5-메틸 벤조트리아졸 또는 벤조트리아졸과 같은 억제제를 약 0.005 내지 약 0.5 중량%, 예컨대, 약 0.001 내지 약 0.1 중량%의 양으로 함유하면 된다.
본 발명의 양태에 따라, Cu 금속막은 디싱을 감소시킴 없이 또는 현저히 감소시키면서 효과적으로 평탄화되며, 이에 의해 통상적인 사진제판법을 사용하여 심층 초미세 범위의 치수를 가진 금속 피처를 형성시키는 것이 가능하다. 전형적인 Cu 금속화 또는 상호연결 시스템은 다마신(damascene)에 의해 형성된 상호연결부를 포함하지만, 이에 한정되지 않으며 기판 위에 층간 유전체의 증착, 층간 유전체에서 오프닝, 예컨대, 다마신 오프닝의 형성, TaN 또는 Ta와 같은 확산 배리어의 증착 및 Cu로 오프닝을 충전하는 것을 포함한다. 유리하게는, 층간 유전체의 오프닝은 초기에 시드층이 증착한 다음 전형적으로 약 8,000 내지 약 18,000Å의 두께로Cu 층을 전기도금하거나 무전해 도금함으로써 충전시킬 수 있다. 다마신 오프닝은 또한 약 50℃ 내지 약 150℃의 온도에서 PVD에 의해 또는 약 200℃ 이하 온도에서 CVD에 의해 Cu로 충전시킬 수 있다.
통상적인 기판 및 유전체간 층들이 본 발명에 포함된다. 예를 들어, 기판은 도핑된 단일결정체 규소 또는 갈륨 비화물일 수 있다. 층간 유전체는 반도체 디바이스의 제조에 통상적으로 사용되는 다양한 유전 재료들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이산화 규소, 인 도핑된 규소 유리(PSG), 붕소-인 도핑된 규소 유리(BPSG) 및 플라즈마 강화 화학 증착(PECVD)에 의해 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS) 또는 실란으로부터 유도된 이산화 규소와 같은 유전 재료들이 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 층간 유전체들은 또한 폴리이미드와 같은 중합체 및 탄소 함유 이산화 규소를 포함하여 유전 상수가 낮은 재료들을 포함할 수 있다. 오프닝들은 통상적인 사진제판 기술 및 에칭 기술에 의해 층간 유전체에 형성된다.
본 발명은 Cu와 같은 금속을 감소된 디싱으로 고제거율, 예컨대 분당 5,000Å을 초과하는 제거율로 평탄화시킴으로써 집적 회로의 수득 속도 및 수율을 개선시킬 수 있는 CMP 슬러리를 제공한다. 그러므로 본 발명의 양태는 구리 상호연결부의 강화된 단면 부분을 가진 반도체 디바이스를 제조하는 것을 가능하도록 함으로써, 상호연결 저항을 감소시켜 전기적 성능을 향상시킨다. 본 발명의 슬러리는 이산화 규소에 대한 Cu의 높은 선택도를 나타내며, 이에 의해 특히 이들이 다마신 기술에 적용가능하도록 한다. 본 발명의 슬러리는 슬러리에 사용된 화학물질의 양을 감소시킴으로써 제조 비용을 감소시키고 가공을 단순화시킬 수 있게 한다. 본 발명의 양태에 따른 슬러리는 제한된 저장 수명을 가진 과산화수소 함유 슬러리에 비해 현저하게 높은 안정성을 나타낸다.
본 발명은 반도체 제조의 다양한 단계들 동안 평탄화를 위해 적용가능하다. 본 발명은 심층 초미세 범위의 금속 피처를 가진 고밀도 반도체 디바이스의 제조에 특히 적합하다.
본 발명의 바람직한 양태에 대해 전술한 내용이 지시하고 있지만, 본 발명의 다른 추가적인 양태들이 본 발명의 기본적인 범위를 벗어남이 없이 고안될 수 있으며, 본 발명의 범위는 하기 청구항들에 의해 결정된다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 CMP 슬러리 및 향상된 방법을 통해, 높은 안정성을 가진 슬러리를 제공할 뿐만 아니라 제조 비용을 감소시키고 가공을 단순화할 수 있다.
Claims (49)
- 금속을 화학 기계적 연마하기 위한 슬러리로서, 금속을 산화시키고 금속 및/또는 산화된 금속과 착체를 형성시키기 위한 제 1 부분; 및 금속의 오버에칭을 최소화시키기 위한 제 2 부분을 갖는 시약을 포함하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 제 1 부분가 친수성 부분이고 제 2 부분가 소수성 부분임을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 제 1 부분가 금속 및 산화된 금속을 위한 착화제로 환원됨을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 3항에 있어서, 제 1 부분가 퍼옥사이드 기를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 4항에 있어서, 퍼옥사이드 기가 퍼옥시카복실산 기 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함하고 이 결과 착화제가 카복실산 또는 카복실레이트를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 제 2 부분가 알킬 기 또는 이들의 유도체를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 6항에 있어서, 제 2 부분가 폴리에틸렌 글리콜을 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 7항에 있어서, 폴리에틸렌 글리콜이 약 15번 반복하는 단량체 단위를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 8항에 있어서, 제 1 부분가 적어도 하나의 퍼옥시카복실산 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 금속이 구리 또는 구리 합금이고 제 2 부분가 아릴 기 또는 이들의 유도체를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 10항에 있어서, 제 2 부분가 벤젠 또는 이들의 유도체를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 11항에 있어서, 제 1 부분가 적어도 하나의 퍼옥시카복실산 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 5항에 있어서, 추가로 염기를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 13항에 있어서, 염기가 수산화 나트륨 또는 수산화 칼륨을 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 약 0.005 중량% 내지 약 25 중량%의 시약을 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 추가로 억제제를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 16항에 있어서, 억제제가 약 0.005 중량% 내지 0.5 중량%의 양의 벤조트리아졸임을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 17항에 있어서, 약 0.5 내지 약 5 중량%의 시약 및 약 0.001 내지 약 0.1 중량%의 벤조트리아졸을 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 추가로 연마 입자를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 금속층의 표면을 평탄화시키는 방법으로서, 금속을 산화시키고 금속 및/또는 산화된 금속과 착체를 형성하기 위한 제 1 부분 및 금속의 오버에칭을 최소화시키기 위한 제 2 부분을 갖는 시약을 포함하는 슬러리를 사용하여 표면을 화학 기계적 연마시킴을 포함하는 방법.
- 제 20항에 있어서, 제 1 부분가 금속 및 산화된 금속을 위한 착화제로 환원됨을 특징으로 하는 방법.
- 제 21항에 있어서, 제 1 부분가 퍼옥사이드 기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 22항에 있어서, 퍼옥사이드 기가 퍼옥시카복실산 기 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함하고 이 결과 착화제가 카복실산 또는 카복실레이트를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 20항에 있어서, 금속이 구리 또는 구리 합금이고 제 2 부분가 알킬 기 또는 이들의 유도체를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 24항에 있어서, 제 2 부분가 폴리에틸렌 글리콜을 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 25항에 있어서, 폴리에틸렌 글리콜이 약 15번 반복하는 단위를 포함함을특징으로 하는 방법.
- 제 26항에 있어서, 제 1 부분가 적어도 하나의 퍼옥시카복실산 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 20항에 있어서, 금속이 구리 또는 구리 합금이고 제 2 부분가 아릴 기 또는 이들의 유도체를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 28항에 있어서, 제 2 부분가 벤젠 또는 이들의 유도체를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 29항에 있어서, 제 1 부분가 적어도 하나의 퍼옥시카복실산 또는 퍼옥시카복실레이트 기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 23항에 있어서, 슬러리가 추가로 염기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 31항에 있어서, 염기가 수산화 나트륨 또는 수산화 칼륨임을 특징으로 하는 방법.
- 제 20항에 있어서, 시약이 약 0.005 중량% 내지 약 25 중량%의 양으로 존재함을 특징으로 하는 방법.
- 제 20항에 있어서, 시약이 추가로 억제제를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 34항에 있어서, 억제제가 벤조트리아졸이고 약 0.005 중량% 내지 약 0.5 중량%의 양으로 존재함을 특징으로 하는 방법.
- 제 35항에 있어서, 슬러리가 약 0.5 내지 약 5 중량%의 시약 및 약 0.001 내지 약 0.1 중량%의 억제제를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 20항에 있어서, 슬러리가 추가로 약 30 중량% 이상의 연마 입자를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 금속의 화학 기계적 연마용 슬러리로서, 아민-퍼옥시산; 연마 입자; 억제제; 및 탈이온수를 필수적으로 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 1항에 있어서, 아민-퍼옥시산; 연마 입자; 억제제; 및 탈이온수를 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 38항에 있어서, 아민-퍼옥시산이 요소-과산화수소임을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 39항에 있어서, 아민-퍼옥시산이 요소 과산화수소임을 특징으로 하는 슬러리.
- 금속층의 표면을 평탄화시키는 방법으로서, 필수적으로 아민-퍼옥시산; 연마 입자; 억제제; 및 탈이온수로 구성된 슬러리를 사용하여 표면을 화학 기계적 연마시킴을 포함하는 방법.
- 제 43항에 있어서, 아민-퍼옥시산이 요소 과산화수소임을 특징으로 하는 방법.
- 제 13항에 있어서, 염기 대 시약의 몰비가 약 1:1 내지 약 1:2임을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 13항에 있어서, 염기가 중성에 가까운 pH를 제공함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 31항에 있어서, 염기 대 시약의 몰비가 약 1:1 내지 약 1:2임을 특징으로 하는 방법.
- 제 31항에 있어서, 염기가 중성에 가까운 pH를 제공함을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%의 퍼아세트산을 포함하고, 추가로 약 0.05 중량% 내지 0.3 중량%의 벤조트리아졸, 약 5 중량% 내지 약 20 중량 %의 연마제 및 약 7 내지 약 8의 pH를 제공하기에 충분한 양의 수산화 칼륨을 포함함을 특징으로 하는 슬러리.
- 제 20항에 있어서, 슬러리가 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%의 퍼아세트산을 포함하고, 추가로 약 0.05 중량% 내지 약 0.3 중량%의 벤조트리아졸, 약 5 중량% 내지 약 20 중량%의 연마제 및 약 7 내지 약 8의 pH를 제공하기에 충분한 양의 수산화 칼륨을 포함함을 특징으로 하는 방법.
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