JPS5852324B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5852324B2 JPS5852324B2 JP13103779A JP13103779A JPS5852324B2 JP S5852324 B2 JPS5852324 B2 JP S5852324B2 JP 13103779 A JP13103779 A JP 13103779A JP 13103779 A JP13103779 A JP 13103779A JP S5852324 B2 JPS5852324 B2 JP S5852324B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウムー銅合金被膜の電極配線形成法の
改善に関する。
改善に関する。
近年、プラズマ・エツチングなどのドライエツチング法
が公害防止のための排水処理が不要で、微細加工（こ適
しているために供用されており、その内でも化学反応を
伴なう反応性スパッタエツチングは物理的化学的作用の
相乗によってエツチングされて、サイドエツチングが小
ないため（こ重用されている。
が公害防止のための排水処理が不要で、微細加工（こ適
しているために供用されており、その内でも化学反応を
伴なう反応性スパッタエツチングは物理的化学的作用の
相乗によってエツチングされて、サイドエツチングが小
ないため（こ重用されている。
アルミニウム銅合金被膜は半導体装置の電極配線材料と
して用いられ、集積回路の高集積化が進行するにつれて
、電極配線も複雑で微細なパターンニングを必要とし、
そのため上記の反応性スパッタ・エツチングが行われる
ようになってきた。
して用いられ、集積回路の高集積化が進行するにつれて
、電極配線も複雑で微細なパターンニングを必要とし、
そのため上記の反応性スパッタ・エツチングが行われる
ようになってきた。
しかし、この様なアルミニウムー銅合金被膜のエッチャ
ントとしてはＢＣＬ３ 、 ＣａＩ２ 、 Ｐ ｃ Ｉ
３などのガスが使用され、該エッチャントはエツチング
後にレジストの表面やエツチングされた基板面の残滓に
ＣＬ又はその化合物として含有されるため、プラズマ・
エツチング装置より大気中（こ取り出した際Ｏこ、この
ＣＬ又はその化合物が大気中の水分を吸収してＨＣＬと
なる。
ントとしてはＢＣＬ３ 、 ＣａＩ２ 、 Ｐ ｃ Ｉ
３などのガスが使用され、該エッチャントはエツチング
後にレジストの表面やエツチングされた基板面の残滓に
ＣＬ又はその化合物として含有されるため、プラズマ・
エツチング装置より大気中（こ取り出した際Ｏこ、この
ＣＬ又はその化合物が大気中の水分を吸収してＨＣＬと
なる。
そうして既にパターニングしたアルミニウムー銅（ＡＡ
Ｃｕ）合金を腐蝕して虫喰吠となる問題がある。
Ｃｕ）合金を腐蝕して虫喰吠となる問題がある。
特にＡ Ｌ−Ｃｕ合金では、銅がアルミニウムと比べて
ＣＬガスでエツチングされ（こくいので、その残滓が多
くて多量のＣＬをトラップし、これを大気中に取り出す
と急速に腐蝕が進む。
ＣＬガスでエツチングされ（こくいので、その残滓が多
くて多量のＣＬをトラップし、これを大気中に取り出す
と急速に腐蝕が進む。
該ＡＬＣｕ合金は耐エレクトロマイグレイソヨン性があ
るため、電極配線材料としては好適であるが、上記の腐
蝕が大きな欠点となっている。
るため、電極配線材料としては好適であるが、上記の腐
蝕が大きな欠点となっている。
本発明はこの様なプラズマエツチング後の腐蝕を防止せ
しめることを目的とし、アルミニウム銅合金被膜が形成
された半導体基板をプラズマ・エツチング装置中にセッ
トして、塩素を含むガスプラズマ中で上記被膜のパター
ンニングを行ない、続いて同装置中で弗素を含むガスプ
ラズマを発生サセて、上記パターンニングされた被膜に
浴し、その後半導体基板をプラズマ・エツチング装置よ
り取出し酸で洗浄することを特徴とするもので、以下こ
れを詳細に説明する。
しめることを目的とし、アルミニウム銅合金被膜が形成
された半導体基板をプラズマ・エツチング装置中にセッ
トして、塩素を含むガスプラズマ中で上記被膜のパター
ンニングを行ない、続いて同装置中で弗素を含むガスプ
ラズマを発生サセて、上記パターンニングされた被膜に
浴し、その後半導体基板をプラズマ・エツチング装置よ
り取出し酸で洗浄することを特徴とするもので、以下こ
れを詳細に説明する。
本発明はアルミニウムー銅合金被膜に所望のレジストマ
スクを形成せしめた後、図に示す様な平行板電極型プラ
ズマ・エツチング装置内で塩素を含むガスプラズマでパ
ターンニングし、引続いて弗素を含むガスＧこさらすこ
とが要点である。
スクを形成せしめた後、図に示す様な平行板電極型プラ
ズマ・エツチング装置内で塩素を含むガスプラズマでパ
ターンニングし、引続いて弗素を含むガスＧこさらすこ
とが要点である。
図において、反応容器１内を排気口２より真空吸引しな
がら、ガス流入口３よりガスを流入させ、反応容器内を
ＩＴｏｒｒ又はそれ以下に保ちつへ、対向する電極４，
５間に高周波電力を印加してプラズマ放電を起こさせる
もので、下部電極５上をこ被処理基板６が載置されてい
る。
がら、ガス流入口３よりガスを流入させ、反応容器内を
ＩＴｏｒｒ又はそれ以下に保ちつへ、対向する電極４，
５間に高周波電力を印加してプラズマ放電を起こさせる
もので、下部電極５上をこ被処理基板６が載置されてい
る。
次に処理工程を説明すると、被処理基板は酸化絶縁膜上
（こ、ＡＬＣｕ含Ｃｕ銅含有４係）が１μｍの膜厚で被
着してあり、その上面にＡＺ１３５０Ｊのポジ型フォト
レジストを紫外線露光によりパターンニングしであるも
のを用いた。
（こ、ＡＬＣｕ含Ｃｕ銅含有４係）が１μｍの膜厚で被
着してあり、その上面にＡＺ１３５０Ｊのポジ型フォト
レジストを紫外線露光によりパターンニングしであるも
のを用いた。
該被処理基板を上記のプラズマ・エツチング装置にセッ
トし、Ｂｃ■３ガスを流入させて、０．１５Ｔｏｒｒの
真空度として、周波数１３．５６ ＭＨｚ１電力３００
Ｗの高周波を印加して塩素を含むガス・プラズマを発生
させて、約１０分間エツチングした。
トし、Ｂｃ■３ガスを流入させて、０．１５Ｔｏｒｒの
真空度として、周波数１３．５６ ＭＨｚ１電力３００
Ｗの高周波を印加して塩素を含むガス・プラズマを発生
させて、約１０分間エツチングした。
続いて同装置内でＣＦ。ガスを流入させて真空度０−５
Ｔｏｒｒとして、同様の条件をもつ高周波を印加して、
１分間弗素を含むガス°プラズマを被処理基板に浴せた
。
Ｔｏｒｒとして、同様の条件をもつ高周波を印加して、
１分間弗素を含むガス°プラズマを被処理基板に浴せた
。
これを大気中に取り出し濃硝酸液で洗浄して銅の残滓を
除去したところ、所望のＡ Ｌ −Ｃｕ合金が得られた
。
除去したところ、所望のＡ Ｌ −Ｃｕ合金が得られた
。
一方、弗素を含むガス・プラズマにさらに塩素を含むガ
ス・プラズマでエツチング後、被処理基板を大気中にと
り出し、前記と同［＜こ濃硝酸液で洗浄して銅の残滓を
除去したところ、３μｍの幅をもつ、ｋｌ−Ｃｕ合金配
線パターンも腐蝕して断線を生じた。
ス・プラズマでエツチング後、被処理基板を大気中にと
り出し、前記と同［＜こ濃硝酸液で洗浄して銅の残滓を
除去したところ、３μｍの幅をもつ、ｋｌ−Ｃｕ合金配
線パターンも腐蝕して断線を生じた。
すなわち、通常プラズマ・エツチング工程後は銅等の残
滓を除去するために濃硝酸等の酸で洗浄するが、通常半
導体基板を装置から大気中に取出して酸処理を行なうま
でに、約３０秒乃至２分間程度の時間を要し、この間大
気中にさらされることで従来は腐蝕が進んでいた。
滓を除去するために濃硝酸等の酸で洗浄するが、通常半
導体基板を装置から大気中に取出して酸処理を行なうま
でに、約３０秒乃至２分間程度の時間を要し、この間大
気中にさらされることで従来は腐蝕が進んでいた。
しかしながら本発明の実施例によれば、その腐蝕がほと
んど進行しなかった。
んど進行しなかった。
この様に弗素を含むガス・プラズマを浴せると大気中で
腐蝕が進行しない理由は未だ判然としていないが、弗素
ラジカルが反応して塩素を置換し、例えば塩化銅を銅に
還えして塩酸の生成を防止する働きをしているとも考え
られる。
腐蝕が進行しない理由は未だ判然としていないが、弗素
ラジカルが反応して塩素を置換し、例えば塩化銅を銅に
還えして塩酸の生成を防止する働きをしているとも考え
られる。
要するに、大気中での腐蝕の進行を遅延させて、酸処理
を行なうに充分な余裕がある。
を行なうに充分な余裕がある。
又、水素プラズマも弗素プラズマと同様の効果を与える
が、この場合は弗素プラズマと比べて処理時間が長く、
弗素プラズマは僅かに１分間曝すのみでよいから、弗素
プラズマの方が生産性に適していると言える。
が、この場合は弗素プラズマと比べて処理時間が長く、
弗素プラズマは僅かに１分間曝すのみでよいから、弗素
プラズマの方が生産性に適していると言える。
以上、説明した様に本発明はアルミニウムー銅合金被膜
をパターンニングする場合に通常のレジストでマスクし
た後、プラズマエツチング装置内で、反応性スパッタエ
ツチングを行ない、直ちに弗素を含むプラズマを暫１時
浴びせ、次いでプラズマ・エツチング装置より取り出し
て酸処理を施すだけで、安定したパターンとなって、以
降は大気中でも腐食することがないので、ＡＬ−Ｃｕ合
金のような信頼度のある電極配線を微細に形成するに適
した方法であり、半導体装置の高集積化にも役立つもの
である。
をパターンニングする場合に通常のレジストでマスクし
た後、プラズマエツチング装置内で、反応性スパッタエ
ツチングを行ない、直ちに弗素を含むプラズマを暫１時
浴びせ、次いでプラズマ・エツチング装置より取り出し
て酸処理を施すだけで、安定したパターンとなって、以
降は大気中でも腐食することがないので、ＡＬ−Ｃｕ合
金のような信頼度のある電極配線を微細に形成するに適
した方法であり、半導体装置の高集積化にも役立つもの
である。
図は本発明を適用するプラズマ・エツチング装置の一例
で、１は反応容器、２は排気口、３はガス流入口、４，
５は対向する電極、６は被処理基板である。
で、１は反応容器、２は排気口、３はガス流入口、４，
５は対向する電極、６は被処理基板である。
Claims (1)
- １ アルミニウムー銅合金被膜が形成された半導体基板
をプラズマ・エツチング装置中にセットして塩素を含む
ガスプラズマ中で上記被膜のパターニングを行い、続い
て同装置中で弗素を含むプラズマを発生させて、上記パ
ターニングされた被膜に浴せる工程、その後半導体基板
を該プラズマ・エツチング装置より取り出し酸で洗浄す
る工程を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103779A JPS5852324B2 (ja) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103779A JPS5852324B2 (ja) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5655050A JPS5655050A (en) | 1981-05-15 |
| JPS5852324B2 true JPS5852324B2 (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=15048540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13103779A Expired JPS5852324B2 (ja) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852324B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830133A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング処理方法 |
| JPS62281331A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | エツチング方法 |
| JP3068223B2 (ja) * | 1991-02-12 | 2000-07-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方 |
| JP3040060B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法 |
| JP3104840B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2000-10-30 | 株式会社日立製作所 | 試料の後処理方法 |
| JP2923218B2 (ja) * | 1995-01-30 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法 |
| JP4381913B2 (ja) | 2004-07-23 | 2009-12-09 | 本田技研工業株式会社 | 燃料タンク装置 |
-
1979
- 1979-10-11 JP JP13103779A patent/JPS5852324B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5655050A (en) | 1981-05-15 |
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