JPS5830133A - プラズマエツチング処理方法 - Google Patents
プラズマエツチング処理方法Info
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- JPS5830133A JPS5830133A JP12894281A JP12894281A JPS5830133A JP S5830133 A JPS5830133 A JP S5830133A JP 12894281 A JP12894281 A JP 12894281A JP 12894281 A JP12894281 A JP 12894281A JP S5830133 A JPS5830133 A JP S5830133A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマエツチング処理方法に関し、グ２ズマ
エッチング処理において、所望のエツチングが終了した
後、基板周辺に残存するエツチング剤により更に所望し
ないエツチングが進行することを防止し高精度のエツチ
ングが行えるようにすることを目的とする。
エッチング処理において、所望のエツチングが終了した
後、基板周辺に残存するエツチング剤により更に所望し
ないエツチングが進行することを防止し高精度のエツチ
ングが行えるようにすることを目的とする。
一般に半導体素子の製造においてへ！薄膜は内部配線用
金属として広く用いられているが、素子上でＡＩｔ配線
の占める面積は非常に大きく、その線巾や線間隔は素子
の高密度化や高性能化に直接影響を与える。へβ配線の
形成はリン酸系のエツチング液を用いたウェットエツチ
ングにより行なわれていたが、このウェットエツチング
では充分な精度が得られないため、炭素のハロゲン化合
物やハロゲン元素をプラズマ中で活性化することによ多
発生する活性物質をエツチング剤として利用するプラズ
マエツチング法またはドライエツチング法と呼ばれる方
法によりウェットエツチングよりは高精度に微細な配線
が形成できるようになって来た。第１図に従来例による
プラズマエツチング法でへβ配線を形成する工程を示す
、第２図（ａ）に示すように半導体基板１上に絶縁被膜
２が形成されていて、その上に導体としてのへβ膜３が
真空蒸着法やスパッタリング法等により被着形成されて
いる。さらに該へβ膜３上にはエツチングマスク材とし
ての感光性樹脂４が所望の形状に選択的に形成されてい
る。この様にして準備された基板１をプラズマ処理装置
のエツチング室内に装填し１次にＣＣＩＩ ヤｃｆ１
２． ＢＣＩ、にｏｃＩｌ＊含ｔｒ４ ガスをエツチング剤に導入し、０．０１〜Ｏ，５Ｔｏｒ
ｒ程度の圧力下で高周波を印加しエツチング室内で導入
ガスのプラズマ放電を行なわせることにより導入ガスが
励起°され活性なｃｊ２ラジカルやＣβ２が発生する。
金属として広く用いられているが、素子上でＡＩｔ配線
の占める面積は非常に大きく、その線巾や線間隔は素子
の高密度化や高性能化に直接影響を与える。へβ配線の
形成はリン酸系のエツチング液を用いたウェットエツチ
ングにより行なわれていたが、このウェットエツチング
では充分な精度が得られないため、炭素のハロゲン化合
物やハロゲン元素をプラズマ中で活性化することによ多
発生する活性物質をエツチング剤として利用するプラズ
マエツチング法またはドライエツチング法と呼ばれる方
法によりウェットエツチングよりは高精度に微細な配線
が形成できるようになって来た。第１図に従来例による
プラズマエツチング法でへβ配線を形成する工程を示す
、第２図（ａ）に示すように半導体基板１上に絶縁被膜
２が形成されていて、その上に導体としてのへβ膜３が
真空蒸着法やスパッタリング法等により被着形成されて
いる。さらに該へβ膜３上にはエツチングマスク材とし
ての感光性樹脂４が所望の形状に選択的に形成されてい
る。この様にして準備された基板１をプラズマ処理装置
のエツチング室内に装填し１次にＣＣＩＩ ヤｃｆ１
２． ＢＣＩ、にｏｃＩｌ＊含ｔｒ４ ガスをエツチング剤に導入し、０．０１〜Ｏ，５Ｔｏｒ
ｒ程度の圧力下で高周波を印加しエツチング室内で導入
ガスのプラズマ放電を行なわせることにより導入ガスが
励起°され活性なｃｊ２ラジカルやＣβ２が発生する。
このＣｆラジカルは八２のエツチング剤として露出した
Ａｆｉに作用しエツチングが進行する。その反応機構は
、活性なＣβラジカルが八２と反応しＡ４ Ｃｆｉ ３
を生成し、次にこのＡＩ、Ｃ１１３の大半がガス状に昇
華してエツチング室から排気ポンプ側に排出されること
にょシエッチングが進行す石、このような反応機構は縦
方向ばがシでなく横方向にも進行する。すなわちサイド
エツチングも行なわれるため、エツチングが進行するに
つれて、エツチングマスク材としての感光性樹脂４の端
部下面は庇状（オーパンベ）になる、第１図（ｂ）にエ
ツチングが完了した時点の基板の状ｍを示す。
Ａｆｉに作用しエツチングが進行する。その反応機構は
、活性なＣβラジカルが八２と反応しＡ４ Ｃｆｉ ３
を生成し、次にこのＡＩ、Ｃ１１３の大半がガス状に昇
華してエツチング室から排気ポンプ側に排出されること
にょシエッチングが進行す石、このような反応機構は縦
方向ばがシでなく横方向にも進行する。すなわちサイド
エツチングも行なわれるため、エツチングが進行するに
つれて、エツチングマスク材としての感光性樹脂４の端
部下面は庇状（オーパンベ）になる、第１図（ｂ）にエ
ツチングが完了した時点の基板の状ｍを示す。
図に示すとおり感光性樹脂４と残存したＡｆｌ膜３の１
１１面および下地の絶縁被膜２に囲まれる空間６が存在
しているが、感光性樹脂４がオーパーツ・ングを形成し
ているためＣβ２ やエツチングにより生成したＡｌＩ
Ｃｌｌ３の排出が充分でなく、エツチング完了時点では
空間６内あるいは感光性樹脂４やＡｊ！膜３の側面およ
び下地の絶縁被膜２上には残存したＣ１２やＡｌＣ２３
が吸着又は標情している。
１１面および下地の絶縁被膜２に囲まれる空間６が存在
しているが、感光性樹脂４がオーパーツ・ングを形成し
ているためＣβ２ やエツチングにより生成したＡｌＩ
Ｃｌｌ３の排出が充分でなく、エツチング完了時点では
空間６内あるいは感光性樹脂４やＡｊ！膜３の側面およ
び下地の絶縁被膜２上には残存したＣ１２やＡｌＣ２３
が吸着又は標情している。
このような状態でプラズマ処理装置内に真空を破るため
空気を導入したり、あるいはＮ２や乾燥空気を導入後、
空気中に取出すとＣβ２やＡβＣＩ！、３は空気中に含
まれる水分を吸ってＨＣｌやＨＣｌと同等の強酸が生成
される。この強酸は配線としてのＡ１［ａｉ腐蝕するの
で、大気中に取出してから数分〜数１０分経過後にはＡ
１図（０）に示すようにへβ膜３がランダムに変形して
しまう、第１図ρにこの時点でエツチングマスク材とし
ての感光性樹脂４を除去した後の状態を示す。
空気を導入したり、あるいはＮ２や乾燥空気を導入後、
空気中に取出すとＣβ２やＡβＣＩ！、３は空気中に含
まれる水分を吸ってＨＣｌやＨＣｌと同等の強酸が生成
される。この強酸は配線としてのＡ１［ａｉ腐蝕するの
で、大気中に取出してから数分〜数１０分経過後にはＡ
１図（０）に示すようにへβ膜３がランダムに変形して
しまう、第１図ρにこの時点でエツチングマスク材とし
ての感光性樹脂４を除去した後の状態を示す。
このように従来のプラズマエツチング法においては次の
欠点を有している。
欠点を有している。
（１）プラズマエツチングが完了した時点では精度よく
Ａｉの配線が形成されていても、空気中でＡ１が腐蝕さ
れ、配線の断線が発生する。
Ａｉの配線が形成されていても、空気中でＡ１が腐蝕さ
れ、配線の断線が発生する。
（２）Ａｎがランダムに細るため信頼性低下の原因とな
るとともに配線抵抗の増大にょシ半導体素子特性の低下
原因となる。
るとともに配線抵抗の増大にょシ半導体素子特性の低下
原因となる。
本発明は、従来例で記述した如くプラズマ千ツチング処
理によシ半導＃−素子の配ａを形成する工程で発生する
不都合を取除き、高精度に高密度配線を形成するだめの
プラズマエツチング処理全提供するものである。
理によシ半導＃−素子の配ａを形成する工程で発生する
不都合を取除き、高精度に高密度配線を形成するだめの
プラズマエツチング処理全提供するものである。
第２図に本発明によるプラズマエツチング処理の一実施
例を示す、第２図（−）に示すように半導体基板１上に
絶縁被膜２が形成されていて、その上に導体としてのＡ
ｉ膜３が真空蒸着法やスパッタリング法等によシ被着形
成されている。さらにＡ！膜上にはエツチングマスク材
としての感光性樹脂４が所望の形状に選択的に形成され
ている。このようにして準備された基板１′ｆｔ：プラ
ズマ処理装置のエツチング室内に装填し２次にＣＣβ４
やＣｆ２゜ＢＣｌ３等のＣｌＡ２含むガスをエツチング
室に導入し、０１．・０１〜０．５Ｔｏｒτ程度の圧力
下で高周波を印加しエツチング室内で導入ガスのプラズ
マ放電によハ導入ガスの励起、活性化を行なわせ。
例を示す、第２図（−）に示すように半導体基板１上に
絶縁被膜２が形成されていて、その上に導体としてのＡ
ｉ膜３が真空蒸着法やスパッタリング法等によシ被着形
成されている。さらにＡ！膜上にはエツチングマスク材
としての感光性樹脂４が所望の形状に選択的に形成され
ている。このようにして準備された基板１′ｆｔ：プラ
ズマ処理装置のエツチング室内に装填し２次にＣＣβ４
やＣｆ２゜ＢＣｌ３等のＣｌＡ２含むガスをエツチング
室に導入し、０１．・０１〜０．５Ｔｏｒτ程度の圧力
下で高周波を印加しエツチング室内で導入ガスのプラズ
マ放電によハ導入ガスの励起、活性化を行なわせ。
活性なＣｌＡ２ジカルやＣ１２を発生させる。このＣｆ
ラジカルはへβ膜３のエツチング剤として。
ラジカルはへβ膜３のエツチング剤として。
露出した八βに作用しエツチングが進行する。第２図す
にエツチングか完了した時点でのエツチング室内におけ
る基板の状態を示す、この状態では従来例と同様にエツ
チングマスク材としての感光性樹脂４はオーバーハング
を形成していて、感光性樹脂４と残存しているへβ膜３
の側面および下地の絶縁被膜２に囲まれる空間６が存在
しているが、感光性樹脂４がオーバーハングを形成して
いるためＣｆ２やエツチングにょシ生成したＡｉｃＩ１
３の排出が充分でなく、エツチング完了時点では空間６
内あるいは感光性樹膜４やへβ膜３の側面および下地め
絶縁被膜上には残存したＣｆ やＡｉｃ１３が吸着ある
いは漂着している。この状態で反応室にアンモニウム（
ＮＨ３）やアミン類等の塩基性物質およびＨ２ガスを同
時に導入しこの導入ガスでグラズマ放１！ｔを朽なうこ
とにょｐ残存しているＣ２やＡ４ Ｃｆｉ がアンモ
ニウム（ＮＨ３）を用い２ ３ た場合は以下の反応により、 ２ＡｊＩＣｆｉ３＋６ＮＨ３＋３Ｈ２−２Ａλ＋５ＮＨ
４Ｃ４ＩＣＩ１２ ＋２ＮＨ３＋Ｈ２→２ＮＨ４Ｃｆｉ
活性度の低いＮＨ４ＣＪＩとＡβとなる。
にエツチングか完了した時点でのエツチング室内におけ
る基板の状態を示す、この状態では従来例と同様にエツ
チングマスク材としての感光性樹脂４はオーバーハング
を形成していて、感光性樹脂４と残存しているへβ膜３
の側面および下地の絶縁被膜２に囲まれる空間６が存在
しているが、感光性樹脂４がオーバーハングを形成して
いるためＣｆ２やエツチングにょシ生成したＡｉｃＩ１
３の排出が充分でなく、エツチング完了時点では空間６
内あるいは感光性樹膜４やへβ膜３の側面および下地め
絶縁被膜上には残存したＣｆ やＡｉｃ１３が吸着ある
いは漂着している。この状態で反応室にアンモニウム（
ＮＨ３）やアミン類等の塩基性物質およびＨ２ガスを同
時に導入しこの導入ガスでグラズマ放１！ｔを朽なうこ
とにょｐ残存しているＣ２やＡ４ Ｃｆｉ がアンモ
ニウム（ＮＨ３）を用い２ ３ た場合は以下の反応により、 ２ＡｊＩＣｆｉ３＋６ＮＨ３＋３Ｈ２−２Ａλ＋５ＮＨ
４Ｃ４ＩＣＩ１２ ＋２ＮＨ３＋Ｈ２→２ＮＨ４Ｃｆｉ
活性度の低いＮＨ４ＣＪＩとＡβとなる。
また、アミン類としてはヒドラジンの水和物であるζド
ラジンヒトレート（Ｎ２Ｈ４・Ｈ２Ｏ） ｆ：用いるこ
とによりアンモニウム（ＮＨ３）と同様の中和反応が進
行し活性度の低いＮ）（４ＣβとＡ２が生成され次のよ
うな効果が得られる。
ラジンヒトレート（Ｎ２Ｈ４・Ｈ２Ｏ） ｆ：用いるこ
とによりアンモニウム（ＮＨ３）と同様の中和反応が進
行し活性度の低いＮ）（４ＣβとＡ２が生成され次のよ
うな効果が得られる。
（１）Ａｊ！配線の腐蝕が防止できるので高精度に高密
度配線が形成できる。
度配線が形成できる。
（２）半導体素子の製造歩留りが向上する（３）特性の
信頼性が向上するとともに配線抵抗の増大を紹かないの
で特性低下をきたさない。
信頼性が向上するとともに配線抵抗の増大を紹かないの
で特性低下をきたさない。
以上のように本発明によるプラズマエツチング処理法に
おいては格別な効果が得られ、工業上きわめて有益であ
る。
おいては格別な効果が得られ、工業上きわめて有益であ
る。
第１図（ａ）、Φ） ｔ （’） ｅ （ｄ）は従来の
プラズマエッチ／処理方法を工程順に従って示す図で゛
、このうち同図（ａ） 、 （ｂ） Ｐ （Ｃ：）は断
面図、同図（ｄ）は上面図である。 第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実
施例におけるプラズマエツチング処理方法を工程順に従
って示す図で、このうち同図（ａ）、（ロ）は断面図、
同図（Ｃ）は上面図である。 １・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁被膜、３
・・・・・・へβ膜、４・・・・・・感光性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−′
− １１図 鵠 ２ｙＡ
プラズマエッチ／処理方法を工程順に従って示す図で゛
、このうち同図（ａ） 、 （ｂ） Ｐ （Ｃ：）は断
面図、同図（ｄ）は上面図である。 第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の一実
施例におけるプラズマエツチング処理方法を工程順に従
って示す図で、このうち同図（ａ）、（ロ）は断面図、
同図（Ｃ）は上面図である。 １・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁被膜、３
・・・・・・へβ膜、４・・・・・・感光性樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−′
− １１図 鵠 ２ｙＡ
Claims (1)
- グラズマエッチング装置内においてエツチングガスを用
い被エツチング体にプラズマエツチングｌｒ軸した後、
前記装置内に残存する活性物質と反応して前記活性物質
を不活性物質に変える反応性ガスを前記装置内に導入し
てから前記エツチングが施された被エツチング体を前記
装置外に取出すことを特徴とするプラズマエツチング処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12894281A JPS5830133A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | プラズマエツチング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12894281A JPS5830133A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | プラズマエツチング処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830133A true JPS5830133A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14997211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12894281A Pending JPS5830133A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | プラズマエツチング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830133A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5186154A (en) * | 1990-05-15 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki K.K. | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| US5191872A (en) * | 1991-04-30 | 1993-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil unit for an internal combustion engine |
| US5200031A (en) * | 1991-08-26 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method for removal of photoresist over metal which also removes or inactivates corrosion-forming materials remaining from one or more previous metal etch steps |
| US5271373A (en) * | 1990-05-15 | 1993-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| US5313927A (en) * | 1990-06-11 | 1994-05-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| JPH07254589A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-10-03 | Hitachi Ltd | 試料の後処理方法 |
| EP0692140A1 (en) * | 1994-02-03 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Stripping, passivation and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591842A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5655050A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS57157525A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Fujitsu Ltd | Surface treating method |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP12894281A patent/JPS5830133A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591842A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5655050A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS57157525A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Fujitsu Ltd | Surface treating method |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5186154A (en) * | 1990-05-15 | 1993-02-16 | Mitsubishi Denki K.K. | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| US5271373A (en) * | 1990-05-15 | 1993-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| US5285760A (en) * | 1990-05-15 | 1994-02-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| US5313927A (en) * | 1990-06-11 | 1994-05-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil device for an internal combustion engine |
| US5191872A (en) * | 1991-04-30 | 1993-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ignition coil unit for an internal combustion engine |
| US5200031A (en) * | 1991-08-26 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method for removal of photoresist over metal which also removes or inactivates corrosion-forming materials remaining from one or more previous metal etch steps |
| EP0692140A1 (en) * | 1994-02-03 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Stripping, passivation and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
| JPH07254589A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-10-03 | Hitachi Ltd | 試料の後処理方法 |
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