JPS6021382A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6021382A JPS6021382A JP58129082A JP12908283A JPS6021382A JP S6021382 A JPS6021382 A JP S6021382A JP 58129082 A JP58129082 A JP 58129082A JP 12908283 A JP12908283 A JP 12908283A JP S6021382 A JPS6021382 A JP S6021382A
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- Japan
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- plasma
- plasma atmosphere
- vacuum chamber
- plasma cvd
- fluorine
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空槽内に形成されたフッ素化合物ガスのプラ
ズマ雰囲気中にて被処理基体のエツチング、蒸着膜の形
成又は、蒸着膜残渣物除去等の処理を行なうのに応用で
きるプラズマＣＶＤ装置に関するもので、特に珪素およ
び珪素化合物の処理に好適なプラズマＣＶＤ装置に関す
るものである＠従来真空槽の構造材としては、該表面が
化学的、熱的に安定で、真空にした場合の放出ガスが出
来るだけ少ない事が望まれる。プラズマＣＶＤ装置にお
いても同様で真空槽はもとよシ高周波電極等の内部治具
にもステンレス鋼が多く使われている。
ズマ雰囲気中にて被処理基体のエツチング、蒸着膜の形
成又は、蒸着膜残渣物除去等の処理を行なうのに応用で
きるプラズマＣＶＤ装置に関するもので、特に珪素およ
び珪素化合物の処理に好適なプラズマＣＶＤ装置に関す
るものである＠従来真空槽の構造材としては、該表面が
化学的、熱的に安定で、真空にした場合の放出ガスが出
来るだけ少ない事が望まれる。プラズマＣＶＤ装置にお
いても同様で真空槽はもとよシ高周波電極等の内部治具
にもステンレス鋼が多く使われている。
しかしながら、これらのステンレス鋼を使用したプラズ
マＣＶＤ装置においては、ＣＦ４等のフッ素系ガスを使
用してシリコンウェハなどをエツチングして半導体回路
などを形成する場合や、堆積膜の残渣物をエツチングに
ょシ取シ除こうとする場合、そのプラズマ雰囲気に曝さ
れるステンレスｆＡ Ｈ’ｆＲ造材の表面は該プラズマ
中で生成されたフッ素ラジカル等によシ腐蝕され、その
表面に乳白色粉体状の三フッ化鉄（Ｆｅ Ｆｓ ）が生
成する。このＦ ｅＦ ｓは、ステンレス鋼の表面にお
いてフッ素ラジカルとステンレス鋼の主成分として含ま
れているところの鉄との化学反応によって生成する。こ
のためステンレス鋼製構造部材の劣化と反応室内のフッ
素による汚染の原因となる。さらにステンレス鋼製構造
材表面に生成したＦｅ Ｆｓは非常にもろく該構造材表
面から剥離し反応室内に浮遊し、エツチングの後、作製
した蒸着膜のピンポールの原因ともなシ好ましくない。
マＣＶＤ装置においては、ＣＦ４等のフッ素系ガスを使
用してシリコンウェハなどをエツチングして半導体回路
などを形成する場合や、堆積膜の残渣物をエツチングに
ょシ取シ除こうとする場合、そのプラズマ雰囲気に曝さ
れるステンレスｆＡ Ｈ’ｆＲ造材の表面は該プラズマ
中で生成されたフッ素ラジカル等によシ腐蝕され、その
表面に乳白色粉体状の三フッ化鉄（Ｆｅ Ｆｓ ）が生
成する。このＦ ｅＦ ｓは、ステンレス鋼の表面にお
いてフッ素ラジカルとステンレス鋼の主成分として含ま
れているところの鉄との化学反応によって生成する。こ
のためステンレス鋼製構造部材の劣化と反応室内のフッ
素による汚染の原因となる。さらにステンレス鋼製構造
材表面に生成したＦｅ Ｆｓは非常にもろく該構造材表
面から剥離し反応室内に浮遊し、エツチングの後、作製
した蒸着膜のピンポールの原因ともなシ好ましくない。
これらの問題を解決するにはフッ素ラジカル等に腐蝕さ
れにくい材料を選択する必要がある。このような材料と
してはニッケル、クロム、金、銀などが挙げられるが、
これらは高価であり、機械的強度も弱いため、ステンレ
ス鋼や鉄の表面に上記材料を蒸着等の方法によシ被覆す
るのが通常である。しかしながら、前記金属皮膜で形成
する場合においても、たとえば金属被膜が機械的にはが
れたシ、十分なエツチング速度を得るために、フッ素化
合物ガスのプラズマ放電電力を強くした場合に金属被膜
がスパッタリングされ、下地の材料が再びプラズマ雰囲
気に曝され、そこからの腐蝕が進行し金属被膜が容易に
剥離してしまうなどの欠点がある。
れにくい材料を選択する必要がある。このような材料と
してはニッケル、クロム、金、銀などが挙げられるが、
これらは高価であり、機械的強度も弱いため、ステンレ
ス鋼や鉄の表面に上記材料を蒸着等の方法によシ被覆す
るのが通常である。しかしながら、前記金属皮膜で形成
する場合においても、たとえば金属被膜が機械的にはが
れたシ、十分なエツチング速度を得るために、フッ素化
合物ガスのプラズマ放電電力を強くした場合に金属被膜
がスパッタリングされ、下地の材料が再びプラズマ雰囲
気に曝され、そこからの腐蝕が進行し金属被膜が容易に
剥離してしまうなどの欠点がある。
本発明は上述の従来のプラズマＣＶＤ装置における問題
を解決し、フッ素化合物のプラズマ雰囲気においても高
耐久性のプラズマＣＶＤ装置を提供するｙｉＳを目］゛
白とするものである。
を解決し、フッ素化合物のプラズマ雰囲気においても高
耐久性のプラズマＣＶＤ装置を提供するｙｉＳを目］゛
白とするものである。
本発明によるプラズマＣＶＤ装置の特徴とするととろは
、真空槽内のプラズマ雰囲気に曝される部分がアルミニ
ウム部材で形成されていることである。
、真空槽内のプラズマ雰囲気に曝される部分がアルミニ
ウム部材で形成されていることである。
以下、図面を参照して説明する。図面はプラズマＣＶＤ
装置の一例を示すもので、図中、１は真空槽を示し、
真空槽１は側壁２、頂壁３、底壁４によって構成される
。５はエツチング、蒸着膜形成、蒸着膜残渣物の除去等
の処理を施こされる円筒形の被処理基体、６は該基体を
支持し回転させる回転軸、７は該回転軸を回転するモー
タ、８は該真空槽内に処理ガスを導入するガス導入管、
９は排気用のメインバルブ、１０はリークバルブ、１１
は該真空槽内の真空度を測定するだめの真空計、１２は
プラズマを発生させるための高周波導入用電極、１３は
高周波電源、１４は被処理基体を加熱するためのヒータ
を示す。
装置の一例を示すもので、図中、１は真空槽を示し、
真空槽１は側壁２、頂壁３、底壁４によって構成される
。５はエツチング、蒸着膜形成、蒸着膜残渣物の除去等
の処理を施こされる円筒形の被処理基体、６は該基体を
支持し回転させる回転軸、７は該回転軸を回転するモー
タ、８は該真空槽内に処理ガスを導入するガス導入管、
９は排気用のメインバルブ、１０はリークバルブ、１１
は該真空槽内の真空度を測定するだめの真空計、１２は
プラズマを発生させるための高周波導入用電極、１３は
高周波電源、１４は被処理基体を加熱するためのヒータ
を示す。
上記の装置の作用について簡単に説明する。先ず、メイ
ンバルブ９を開として、真空槽１内を排気する。次に導
入管８から真空槽内に処理ガスを導入する。高周波電源
１３によシミ極１２に高周波を印加し、真空槽１内にガ
スのプラズマ雰囲気を形成する。被処理基体５をヒータ
１４によって所定温度に加熱して、該プラズマ雰囲気に
よって基体５の処理を行なう。
ンバルブ９を開として、真空槽１内を排気する。次に導
入管８から真空槽内に処理ガスを導入する。高周波電源
１３によシミ極１２に高周波を印加し、真空槽１内にガ
スのプラズマ雰囲気を形成する。被処理基体５をヒータ
１４によって所定温度に加熱して、該プラズマ雰囲気に
よって基体５の処理を行なう。
従来、上記の真空槽１内のプラズマ雰囲気に曝らされる
部分、ずなわち、」′（空伯１の壁体２，３゜４、回転
軸６、′電極１２等の’ｔｔｉ ；５’ｉ材としてステ
ンレス４ｆｊ（１４を使用するのが〕ｍ常であった。し
かし、前ｔ！１２ノヨウＫ 、フッ素化合物ガスのプラ
ズマｈｋ ■Ｉ）エツチング効果を利用しようとする場
合、従来のようにステンレス鋼Ｉ；・りの様に鉄を多く
含有する材料ｔよ鉄が１ＸＪｅｔにフッ素ラジカル等と
反応し粉末状の生成分を形成してしまい真空内のり゛ス
トの原因となシ、ｊ換作成上好ましくない。これを解決
するにはｖくの様にフッ素ラジカル等と反応しにくい材
料を水沢する必凹があるが、上記相料の薄膜被膜では十
分な耐久ｉ：Ｉ：を、１−ヒることはできない。
部分、ずなわち、」′（空伯１の壁体２，３゜４、回転
軸６、′電極１２等の’ｔｔｉ ；５’ｉ材としてステ
ンレス４ｆｊ（１４を使用するのが〕ｍ常であった。し
かし、前ｔ！１２ノヨウＫ 、フッ素化合物ガスのプラ
ズマｈｋ ■Ｉ）エツチング効果を利用しようとする場
合、従来のようにステンレス鋼Ｉ；・りの様に鉄を多く
含有する材料ｔよ鉄が１ＸＪｅｔにフッ素ラジカル等と
反応し粉末状の生成分を形成してしまい真空内のり゛ス
トの原因となシ、ｊ換作成上好ましくない。これを解決
するにはｖくの様にフッ素ラジカル等と反応しにくい材
料を水沢する必凹があるが、上記相料の薄膜被膜では十
分な耐久ｉ：Ｉ：を、１−ヒることはできない。
本発明はこのような問題を解決するために、真空’ｔｌ
！、’ｌ内でフッ素化合物ガスのプラズマ雰囲気に曝ら
される部分、すなわち、真空槽１の壁体２，３゜４、回
転軸６、電極１２笠の部分をアルミニウム部材によって
形成したのである。アルミニウムはフッ素化合物ガスの
プラズマ雰囲気中において腐蝕しに＜＜、前記のニッケ
ル、クロム、金、銀に比して底コストで、機械的強度、
加工のし易さの点でも極めて優れている。
！、’ｌ内でフッ素化合物ガスのプラズマ雰囲気に曝ら
される部分、すなわち、真空槽１の壁体２，３゜４、回
転軸６、電極１２笠の部分をアルミニウム部材によって
形成したのである。アルミニウムはフッ素化合物ガスの
プラズマ雰囲気中において腐蝕しに＜＜、前記のニッケ
ル、クロム、金、銀に比して底コストで、機械的強度、
加工のし易さの点でも極めて優れている。
本発明によるプラズマＣＶＤ装置はアモルファスシリコ
ン電子写真用感光体を形成するのに好適なもので、以下
、本発明の詳細な説明するために、そのような実施例お
よび比較例について説明する・実施例 真空槽１の壁体２，３，４、回転軸６、電極１２等の構
造部材を純度９９．９％以上のアルミニウム部材で構成
し、真空槽１を１０−２から１０’Ｔｏｒｒの真空とし
、その中にｃＦ４ガスと０２ガスの混合気体を導入し、
１３．５６ ＭＨｚの高周波電源１３にょシミ極１２に
高周波を導入し、１ｗ／ｃｎ１２の放電電力でプラズマ
を発生させた。
ン電子写真用感光体を形成するのに好適なもので、以下
、本発明の詳細な説明するために、そのような実施例お
よび比較例について説明する・実施例 真空槽１の壁体２，３，４、回転軸６、電極１２等の構
造部材を純度９９．９％以上のアルミニウム部材で構成
し、真空槽１を１０−２から１０’Ｔｏｒｒの真空とし
、その中にｃＦ４ガスと０２ガスの混合気体を導入し、
１３．５６ ＭＨｚの高周波電源１３にょシミ極１２に
高周波を導入し、１ｗ／ｃｎ１２の放電電力でプラズマ
を発生させた。
ＣＦ４＋ Ｏ□混合ガスのプラズマ反応によシ生成され
たフッ素ラジカル粒子によシ、プラズマ雰囲気中に配置
された被エツチング物５であるところの珪素をエツチン
グし、四フッ化珪素（ＳｉＦ２）等の気体と化し、メカ
ニカル・ブースター・ポンプ及びロータリー・ポンプに
よシプラズマ４曹外に排出して、エツチング加工を行な
った。
たフッ素ラジカル粒子によシ、プラズマ雰囲気中に配置
された被エツチング物５であるところの珪素をエツチン
グし、四フッ化珪素（ＳｉＦ２）等の気体と化し、メカ
ニカル・ブースター・ポンプ及びロータリー・ポンプに
よシプラズマ４曹外に排出して、エツチング加工を行な
った。
この際、構造部材の表面状態を観察したところ表面状態
は白っほく変化しだが表面に粉末状の生成物は見られず
ダストの原因とはならなかった。
は白っほく変化しだが表面に粉末状の生成物は見られず
ダストの原因とはならなかった。
また、放ｍＭ力を０．１８ Ｗ ／ｃｍ２−１．８ Ｗ
／ｃｍ２に変化させたが、１．８ Ｗ ／ ａｎ２の放
電電力においても表面に粉末状の生成物は見られず、ダ
ストの原因とならなかった。
／ｃｍ２に変化させたが、１．８ Ｗ ／ ａｎ２の放
電電力においても表面に粉末状の生成物は見られず、ダ
ストの原因とならなかった。
比較例１
真空）ｌ’ｌ’ｌ １及び高周波電極１２等の内部治具
を、５ＵＳ３０４鋼又は５ＵＳ３１６ ＠などのステン
レス銅で構成した気相法装置において、上記の実施例と
同一条件でエツチング加工を行なった。
を、５ＵＳ３０４鋼又は５ＵＳ３１６ ＠などのステン
レス銅で構成した気相法装置において、上記の実施例と
同一条件でエツチング加工を行なった。
この際、前記プラズマ雰囲気に曝されるこれらステンレ
ス鋼で作られた構造物（２，３，４，６゜１２）の表面
は、プラズマ中で発生したフッ素ラジカル粒子と反応し
、ステンレス岨の表面上に数１００Ｘ程度の厚みのＦｅ
Ｆ ｓの白色粉末層が生成し、真空槽１内がフッ素に
よシ汚染され、またダストの原因ともなった。
ス鋼で作られた構造物（２，３，４，６゜１２）の表面
は、プラズマ中で発生したフッ素ラジカル粒子と反応し
、ステンレス岨の表面上に数１００Ｘ程度の厚みのＦｅ
Ｆ ｓの白色粉末層が生成し、真空槽１内がフッ素に
よシ汚染され、またダストの原因ともなった。
比較例２
比較例１と全く同じ条件で、ステンレス鋼の構造物（２
，３，４，６，１２）に５ミクロンの厚さにニッケルメ
ッキを施こし、０．１８ Ｗ／ｃｍ 〜１、８ Ｗ ／
ｃｒｎ２までＣＦ４＋０□ガスのプラズマ放電電力を
変化させＦ ｅ Ｆ ５の生成状態を確認したところ、
０．９Ｗ／ω２以上の放電電力になると一部にＦｅＦ３
の生成がみられ、同様の作渠を繰シ返す毎にＦｅ Ｆ
ｓの生成個所が増加し、腐蝕の進行が確認された。特に
放電電力の強い側壁２および電極１２については腐蝕の
進行度合が早かった。
，３，４，６，１２）に５ミクロンの厚さにニッケルメ
ッキを施こし、０．１８ Ｗ／ｃｍ 〜１、８ Ｗ ／
ｃｒｎ２までＣＦ４＋０□ガスのプラズマ放電電力を
変化させＦ ｅ Ｆ ５の生成状態を確認したところ、
０．９Ｗ／ω２以上の放電電力になると一部にＦｅＦ３
の生成がみられ、同様の作渠を繰シ返す毎にＦｅ Ｆ
ｓの生成個所が増加し、腐蝕の進行が確認された。特に
放電電力の強い側壁２および電極１２については腐蝕の
進行度合が早かった。
以上説明したように、本発明はフッ素化合物ガスのプラ
ズマ雰囲気によって被処理基体のエツチング、蒸着膜形
成、蒸着膜残渣物除去等の処理を行なうプラズマＣＶＤ
装置における構造部材の腐蝕の問題を解決し、高耐久性
で且つ低コストのプラズマＣＶＤ装置を提供するもので
ある。
ズマ雰囲気によって被処理基体のエツチング、蒸着膜形
成、蒸着膜残渣物除去等の処理を行なうプラズマＣＶＤ
装置における構造部材の腐蝕の問題を解決し、高耐久性
で且つ低コストのプラズマＣＶＤ装置を提供するもので
ある。
図面は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の概略を示す説
明図である。 １・・・真空槽 ２・・・側壁 ３・・・頂壁 ４・・・底壁 ５・・・基体 ６・・・回転軸 ７・・・モータ ８・・・ガス導入管 ９・・・メインバルブ １０・・・リークノ々ルブ１１
・・・真空計 １２・・・電極
明図である。 １・・・真空槽 ２・・・側壁 ３・・・頂壁 ４・・・底壁 ５・・・基体 ６・・・回転軸 ７・・・モータ ８・・・ガス導入管 ９・・・メインバルブ １０・・・リークノ々ルブ１１
・・・真空計 １２・・・電極
Claims (1)
- 真空槽内のプラズマ雰囲気に曝される部分がアルミニウ
ム部材で形成されていることを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置ｅ
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129082A JPS6021382A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US06/858,083 US4707210A (en) | 1983-07-15 | 1986-04-28 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129082A JPS6021382A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021382A true JPS6021382A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=15000632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129082A Pending JPS6021382A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707210A (ja) |
| JP (1) | JPS6021382A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232613A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JPS62103377A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Showa Alum Corp | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
| JPS62103380A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Showa Alum Corp | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
| JPH0287618A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
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| US6001432A (en) * | 1992-11-19 | 1999-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for forming films on a substrate |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
| KR0131987B1 (ko) * | 1994-08-17 | 1998-04-18 | 김은영 | 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 코팅층의 대량합성장치 및 합성방법 |
| AU2002327648A1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-04-01 | Phoenix Scientific Corporation | Process and apparatus for silicon boat, silicon tubing and other silicon based member fabrication |
| DE102006052586B4 (de) * | 2006-11-08 | 2008-07-03 | Schott Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung der Abgase einer Siliziumdünnschicht-Produktionsanlage |
| EP1993329A1 (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-19 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Plasma source |
| JP6887688B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-06-16 | 株式会社高純度化学研究所 | 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム |
| JP6901153B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-07-14 | 株式会社高純度化学研究所 | 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4230515A (en) * | 1978-07-27 | 1980-10-28 | Davis & Wilder, Inc. | Plasma etching apparatus |
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| DE3103177A1 (de) * | 1981-01-30 | 1982-08-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von polysiliziumstrukturen bis in den 1 (my)m-bereich auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch plasmaaetzen |
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| JPS59184527A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Canon Inc | 気相法装置 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP58129082A patent/JPS6021382A/ja active Pending
-
1986
- 1986-04-28 US US06/858,083 patent/US4707210A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232613A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JPS62103377A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Showa Alum Corp | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
| JPS62103380A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Showa Alum Corp | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
| JPH0553872B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1993-08-11 | Showa Aluminium Co Ltd | |
| JPH0553870B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1993-08-11 | Showa Aluminium Co Ltd | |
| JPH0287618A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4707210A (en) | 1987-11-17 |
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