JPH0553870B2 - - Google Patents
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- JPH0553870B2 JPH0553870B2 JP60243660A JP24366085A JPH0553870B2 JP H0553870 B2 JPH0553870 B2 JP H0553870B2 JP 60243660 A JP60243660 A JP 60243660A JP 24366085 A JP24366085 A JP 24366085A JP H0553870 B2 JPH0553870 B2 JP H0553870B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、CVD装置およびドライ・エツチ
ング装置における真空チヤンバの製造方法に関す
る。
ング装置における真空チヤンバの製造方法に関す
る。
この明細書において、「アルミニウム」という
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。
従来技術とその問題点
CVD装置の真空チヤンバ内には、CVD法の実
施時に、反応ガスとしてSiCl4，SiH2Cl2，AlCl3，
PCl3，BCl3等の腐食性ガスが導入され、ドラ
イ・エツチング装置の真空チヤンバ内には、エツ
チングの実施時に、エツチング・ガスとして塩素
を含む腐食性ガスが導入されるので、従来真空チ
ヤンバとしてはステンレス鋼製のものが用いられ
ていた。ところが、ステンレス鋼製の真空チヤン
バは重量が大きく、しかも熱伝導性が悪いという
問題があつた。熱伝導性が十分でないと次のよう
な問題がある。すなわち、CVD装置およびドラ
イ・エツチング装置の作動時には、まず真空チヤ
ンバ内面を200〜250℃に加熱することによりベー
キング処理を施して真空チヤンバの内面に吸着し
ている水分を除去しているが、熱伝導性が悪い
と、上記ベーキングの時に真空チヤンバ全体が均
一に加熱されるのに時間がかかるのである。
施時に、反応ガスとしてSiCl4，SiH2Cl2，AlCl3，
PCl3，BCl3等の腐食性ガスが導入され、ドラ
イ・エツチング装置の真空チヤンバ内には、エツ
チングの実施時に、エツチング・ガスとして塩素
を含む腐食性ガスが導入されるので、従来真空チ
ヤンバとしてはステンレス鋼製のものが用いられ
ていた。ところが、ステンレス鋼製の真空チヤン
バは重量が大きく、しかも熱伝導性が悪いという
問題があつた。熱伝導性が十分でないと次のよう
な問題がある。すなわち、CVD装置およびドラ
イ・エツチング装置の作動時には、まず真空チヤ
ンバ内面を200〜250℃に加熱することによりベー
キング処理を施して真空チヤンバの内面に吸着し
ている水分を除去しているが、熱伝導性が悪い
と、上記ベーキングの時に真空チヤンバ全体が均
一に加熱されるのに時間がかかるのである。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さ
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材で真空チヤンバをつくる
ことも考えられているが、アルミニウムはCVD
法やドライ・エツチングの実施時の反応ガスやエ
ツチング・ガスにより腐食させられるという問題
があるので、いまだアルミニウム製の真空チヤン
バは実現していないのが実情である。
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材で真空チヤンバをつくる
ことも考えられているが、アルミニウムはCVD
法やドライ・エツチングの実施時の反応ガスやエ
ツチング・ガスにより腐食させられるという問題
があるので、いまだアルミニウム製の真空チヤン
バは実現していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決した
CVD装置およびドライ・エツチング装置におけ
る真空チヤンバの製造方法を提供することにあ
る。
CVD装置およびドライ・エツチング装置におけ
る真空チヤンバの製造方法を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段
この発明によるCVD装置およびドライ・エツ
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚0.5〜
20μｍの陽極酸化皮膜を形成し、ついで真空中に
おいて100〜150℃で５〜20時間加熱乾燥処理を施
して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発除去
することを特徴とするものである。
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚0.5〜
20μｍの陽極酸化皮膜を形成し、ついで真空中に
おいて100〜150℃で５〜20時間加熱乾燥処理を施
して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発除去
することを特徴とするものである。
上記において、真空チヤンバ用箱状本体および
蓋体の内外両面のうち少なくとも内面に形成され
る陽極酸化皮膜としては、耐熱性および熱サイク
ル性を考慮すればシユウ酸皮膜が好ましい。耐熱
性および熱サイクル性に優れていれば、CVD装
置およびドライ・エツチング装置を作動させるさ
い毎にベーキング処理を実施しても、皮膜が割れ
たり、剥れたりするのを防止することができる。
皮膜が割れたり剥れたりすると、チヤンバが
CVD用反応ガスおよびドライ・エツチング用エ
ツチング・ガスにより腐食される。ところが、シ
ユウ酸皮膜はポーラス型なので吸着水分量がバリ
ア型の陽極酸化皮膜よりも多くなる。したがつて
吸着水分量を考慮すれば、バリア型のホウ酸皮膜
が好ましい。ところが、シユウ酸皮膜の場合、吸
着水分量が多くても後工程の加熱乾燥処理を念入
りに行なえば問題はない。
蓋体の内外両面のうち少なくとも内面に形成され
る陽極酸化皮膜としては、耐熱性および熱サイク
ル性を考慮すればシユウ酸皮膜が好ましい。耐熱
性および熱サイクル性に優れていれば、CVD装
置およびドライ・エツチング装置を作動させるさ
い毎にベーキング処理を実施しても、皮膜が割れ
たり、剥れたりするのを防止することができる。
皮膜が割れたり剥れたりすると、チヤンバが
CVD用反応ガスおよびドライ・エツチング用エ
ツチング・ガスにより腐食される。ところが、シ
ユウ酸皮膜はポーラス型なので吸着水分量がバリ
ア型の陽極酸化皮膜よりも多くなる。したがつて
吸着水分量を考慮すれば、バリア型のホウ酸皮膜
が好ましい。ところが、シユウ酸皮膜の場合、吸
着水分量が多くても後工程の加熱乾燥処理を念入
りに行なえば問題はない。
陽極酸化皮膜の膜厚が0.5μｍ未満であると、
CVD法およびドライ・エツチングに使用するガ
スに対する皮膜の耐食性が十分ではなく、20μｍ
を越えると、CVD装置およびドライ・エツチン
グ装置に使用した場合にガス放出量が多くなると
ともに、熱サイクル性が低下してベーキングを繰
返したさいに皮膜が割れやすくなる。したがつ
て、陽極酸化皮膜の膜厚は0.5〜20μｍの範囲内に
すべきである。
CVD法およびドライ・エツチングに使用するガ
スに対する皮膜の耐食性が十分ではなく、20μｍ
を越えると、CVD装置およびドライ・エツチン
グ装置に使用した場合にガス放出量が多くなると
ともに、熱サイクル性が低下してベーキングを繰
返したさいに皮膜が割れやすくなる。したがつ
て、陽極酸化皮膜の膜厚は0.5〜20μｍの範囲内に
すべきである。
真空中における加熱乾燥処理の温度および時間
がそれぞれ上記下限値未満であれば、吸着水分量
が充分に減少せず、その結果CVD法およびドラ
イ・エツチングの実施時のガス放出量が少なくな
らず、上記上限値を越えると陽極酸化皮膜にクラ
ツクが発生する。したがつて、加熱乾燥処理は真
空中において100〜150℃で５〜20時間実施するべ
きである。
がそれぞれ上記下限値未満であれば、吸着水分量
が充分に減少せず、その結果CVD法およびドラ
イ・エツチングの実施時のガス放出量が少なくな
らず、上記上限値を越えると陽極酸化皮膜にクラ
ツクが発生する。したがつて、加熱乾燥処理は真
空中において100〜150℃で５〜20時間実施するべ
きである。
作 用
この発明の方法で製造された真空チヤンバの箱
状本体および蓋体がアルミニウム製であるから、
従来のステンレス鋼製の真空チヤンバに比べて軽
量になるとともに熱伝導性が向上し、しかもガス
放出係数が小さくなる。また、本体および蓋体を
アルミニウム材からつくるのであるから、ステン
レス鋼材からつくる場合に比較して加工が容易に
なる。さらに、材料費が安価になる。
状本体および蓋体がアルミニウム製であるから、
従来のステンレス鋼製の真空チヤンバに比べて軽
量になるとともに熱伝導性が向上し、しかもガス
放出係数が小さくなる。また、本体および蓋体を
アルミニウム材からつくるのであるから、ステン
レス鋼材からつくる場合に比較して加工が容易に
なる。さらに、材料費が安価になる。
また、本体および蓋体の内外両面のうち少なく
とも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚0.5〜
20μｍの陽極酸化皮膜を形成するので、CVD法お
よびドライ・エツチングに使用するガスに対する
耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそれ以上
になる。しかも、製造された真空チヤンバを
CVD装置およびドライ・エツチング装置に使用
した場合のガス放出量が少なくなるとともに、ベ
ーキングを繰返したさいの皮膜の割れを防止でき
る。
とも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚0.5〜
20μｍの陽極酸化皮膜を形成するので、CVD法お
よびドライ・エツチングに使用するガスに対する
耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそれ以上
になる。しかも、製造された真空チヤンバを
CVD装置およびドライ・エツチング装置に使用
した場合のガス放出量が少なくなるとともに、ベ
ーキングを繰返したさいの皮膜の割れを防止でき
る。
さらに、真空中において100〜150℃で５〜20時
間加熱乾燥処理を施して陽極酸化皮膜に吸着して
いる水分を蒸発除去するので、陽極酸化皮膜にク
ラツクが発生することなく、吸着水分量を充分に
減少させることができる。
間加熱乾燥処理を施して陽極酸化皮膜に吸着して
いる水分を蒸発除去するので、陽極酸化皮膜にク
ラツクが発生することなく、吸着水分量を充分に
減少させることができる。
実施例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。
す。
実施例 １
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、２％（COOH）2溶液からなる
液温35℃の電解液中で、電圧50V、電流密度
2.5A／ｄm2の交流電解により70分間陽極酸化処
理を施して厚さ9μｍのシユウ酸陽極酸化皮膜を
形成した。その後、本体および蓋体を真空中にお
いて150℃で12時間加熱し、シユウ酸皮膜に吸着
している水分を除去した。そして、上記箱状本体
および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中に
1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調べ
た。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は
発生していなかつた。
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、２％（COOH）2溶液からなる
液温35℃の電解液中で、電圧50V、電流密度
2.5A／ｄm2の交流電解により70分間陽極酸化処
理を施して厚さ9μｍのシユウ酸陽極酸化皮膜を
形成した。その後、本体および蓋体を真空中にお
いて150℃で12時間加熱し、シユウ酸皮膜に吸着
している水分を除去した。そして、上記箱状本体
および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中に
1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調べ
た。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は
発生していなかつた。
実施例 ２
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、15％H2SO4溶液からなる液
温20℃電解液中で、電圧15V、電流密度1.3A／ｄ
m2の直流電解により25分間陽極酸化処理を施して
厚さ9μｍの硫酸陽極酸化皮膜を形成した。その
後、この本体および蓋体を真空中において150℃
で15時間加熱し、硫酸皮膜に吸着している水分を
除去した。そして、上記実施例１と同様にその内
面の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体
の内面には腐食は認められなかつた。
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、15％H2SO4溶液からなる液
温20℃電解液中で、電圧15V、電流密度1.3A／ｄ
m2の直流電解により25分間陽極酸化処理を施して
厚さ9μｍの硫酸陽極酸化皮膜を形成した。その
後、この本体および蓋体を真空中において150℃
で15時間加熱し、硫酸皮膜に吸着している水分を
除去した。そして、上記実施例１と同様にその内
面の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体
の内面には腐食は認められなかつた。
実施例 ３
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。ついで、化成前処理
として純水中において10分間ボイリング処理を施
した後、60ｇ／ホウ酸および1.2ｇ／ホウ酸
アンモニウムを含む液温85℃の電解液中で、電流
密度6mA／cm2P.Aの直流電圧を印加し、400Vに
10分間保持して、本体および蓋体の内面に厚さ
0.6μｍのホウ酸陽極酸化皮膜を形成した。そし
て、上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の内面には腐食
は認められなかつた。
本体および蓋体をつくつた。ついで、化成前処理
として純水中において10分間ボイリング処理を施
した後、60ｇ／ホウ酸および1.2ｇ／ホウ酸
アンモニウムを含む液温85℃の電解液中で、電流
密度6mA／cm2P.Aの直流電圧を印加し、400Vに
10分間保持して、本体および蓋体の内面に厚さ
0.6μｍのホウ酸陽極酸化皮膜を形成した。そし
て、上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の内面には腐食
は認められなかつた。
比較例
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。そして、上記箱状本
体および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の表面は激しく
腐食していた。
本体および蓋体をつくつた。そして、上記箱状本
体および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の表面は激しく
腐食していた。
発明の効果
この発明によるCVD装置およびドライ・エツ
チング装置における真空チヤンバの製造方法によ
れば、上述のように、従来のステンレス鋼製のも
のと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しかもガ
ス放出量が少なく、しかもCVD法およびドラ
イ・エツチングに使用するガスに対する耐食性が
ステンレス鋼製のものと同等かそれ以上の真空チ
ヤンバを製造することができる。しかも、本体お
よび蓋体をアルミニウム材からつくるのであるか
ら、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易であるとともに、材料費が安価になる。
特に、製造された真空チヤンバが熱伝導性に優れ
ているので、従来のものに比べてCVD装置およ
びドライ・エツチング装置の作動時のベーキング
処理時間を短縮することができる。
チング装置における真空チヤンバの製造方法によ
れば、上述のように、従来のステンレス鋼製のも
のと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しかもガ
ス放出量が少なく、しかもCVD法およびドラ
イ・エツチングに使用するガスに対する耐食性が
ステンレス鋼製のものと同等かそれ以上の真空チ
ヤンバを製造することができる。しかも、本体お
よび蓋体をアルミニウム材からつくるのであるか
ら、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易であるとともに、材料費が安価になる。
特に、製造された真空チヤンバが熱伝導性に優れ
ているので、従来のものに比べてCVD装置およ
びドライ・エツチング装置の作動時のベーキング
処理時間を短縮することができる。
また、本体および蓋体の内外両面のうち少なく
とも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚0.5〜
20μｍの陽極酸化皮膜を形成するので、CVD法お
よびドライ・エツチングに使用するガスに対する
耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそれ以上
になる。しかも、製造された真空チヤンバを
CVD装置およびドライ・エツチング装置に使用
した場合のガス放出量が少なくなるとともに、ベ
ーキングを繰返したさいの皮膜の割れを防止でき
る。
とも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚0.5〜
20μｍの陽極酸化皮膜を形成するので、CVD法お
よびドライ・エツチングに使用するガスに対する
耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそれ以上
になる。しかも、製造された真空チヤンバを
CVD装置およびドライ・エツチング装置に使用
した場合のガス放出量が少なくなるとともに、ベ
ーキングを繰返したさいの皮膜の割れを防止でき
る。
さらに、真空中において100〜150℃で５〜20時
間加熱乾燥処理を施して陽極酸化皮膜に吸着して
いる水分を蒸発除去するので、陽極酸化皮膜にク
ラツクが発生することなく、吸着水分量を充分に
減少させることができる。したがつて、アルミニ
ウムがステンレス鋼に比べて表面の放出ガス係数
が小さいことと相俟つて、CVD装置およびドラ
イ・エツチング装置の作動時にチヤンバ内の真空
度を低下させるおそれが少なくなる。
間加熱乾燥処理を施して陽極酸化皮膜に吸着して
いる水分を蒸発除去するので、陽極酸化皮膜にク
ラツクが発生することなく、吸着水分量を充分に
減少させることができる。したがつて、アルミニ
ウムがステンレス鋼に比べて表面の放出ガス係数
が小さいことと相俟つて、CVD装置およびドラ
イ・エツチング装置の作動時にチヤンバ内の真空
度を低下させるおそれが少なくなる。
Claims (1)
- １ アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくつた後、これらの内外両面のうち少
なくとも内面に陽極酸化皮膜処理を施して膜厚
0.5〜20μｍの陽極酸化皮膜を形成し、ついで真空
中において100〜150℃で５〜20時間加熱乾燥処理
を施して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発
除去することを特徴とするCVD装置およびドラ
イ・エツチング装置における真空チヤンバの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366085A JPS62103377A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366085A JPS62103377A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103377A JPS62103377A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0553870B2 true JPH0553870B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17107108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24366085A Granted JPS62103377A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000192293A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-11 | Aisin Seiki Co Ltd | アルマイト皮膜 |
| DE112006002987T5 (de) | 2005-11-17 | 2008-10-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Aluminiumlegierungselement mit hervorragender Korrosionsbeständigkeit |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003034894A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Kobe Steel Ltd | 耐腐食性に優れたＡｌ合金部材 |
| JP4716779B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-07-06 | 株式会社アルバック | アルミニウム又はアルミニウム合金の耐食処理方法 |
| KR101297489B1 (ko) | 2005-06-17 | 2013-08-16 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 금속 산화물막, 적층체, 금속 부재 및 그 제조 방법 |
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- 1985-10-29 JP JP24366085A patent/JPS62103377A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62103377A (ja) | 1987-05-13 |
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