JPS62103377A - Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法Info
- Publication number
- JPS62103377A JPS62103377A JP24366085A JP24366085A JPS62103377A JP S62103377 A JPS62103377 A JP S62103377A JP 24366085 A JP24366085 A JP 24366085A JP 24366085 A JP24366085 A JP 24366085A JP S62103377 A JPS62103377 A JP S62103377A
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- lid
- dry etching
- cvd
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置
における真空チャンバの製造方法に関する。
における真空チャンバの製造方法に関する。
この明細書において、「アルミニウム」という語には、
純アルミニウムのほかにアルミニウム合金も含むものと
する。
純アルミニウムのほかにアルミニウム合金も含むものと
する。
従来技術とその問題点
ＣＶＤ装置の真空チャンバ内には、ＣＶＤ法の実施時に
、反応ガスとして５ＩＣ１４、Ｓ！Ｈ２Ｃ１２、Ａ／
Ｃ１３、ＰＣｌ３、ＢＣｌ２等の腐食性ガスが導入され
、ドライ・エッチング装置の真空チャンバ内には、エツ
チングの実施時に、エツチング・ガスとして塩素を含む
腐蝕性ガスが導入されるので、従来真空チャンバとして
はステンレスｖＡ製のものが用いられていた。ところが
、ステンレス［４の真空チャンバは重量が大きく、しか
も熱伝導性が悪いという問題があった。熱伝導性が十分
でないと次のような問題がある。すなわち、ＣＶＤ装置
およびドライ・エッチング装置の作動時には、まず真空
チャンバ内面を２００〜２５０℃に加熱することにより
ベーキング処理を施して真空チャンバの内面に吸着して
いる水分を除去しているが、熱伝導性が悪いと、上記ベ
ーキングの時に真空チャンバ全体が均一に加熱されるの
に時間がかかるのである。
、反応ガスとして５ＩＣ１４、Ｓ！Ｈ２Ｃ１２、Ａ／
Ｃ１３、ＰＣｌ３、ＢＣｌ２等の腐食性ガスが導入され
、ドライ・エッチング装置の真空チャンバ内には、エツ
チングの実施時に、エツチング・ガスとして塩素を含む
腐蝕性ガスが導入されるので、従来真空チャンバとして
はステンレスｖＡ製のものが用いられていた。ところが
、ステンレス［４の真空チャンバは重量が大きく、しか
も熱伝導性が悪いという問題があった。熱伝導性が十分
でないと次のような問題がある。すなわち、ＣＶＤ装置
およびドライ・エッチング装置の作動時には、まず真空
チャンバ内面を２００〜２５０℃に加熱することにより
ベーキング処理を施して真空チャンバの内面に吸着して
いる水分を除去しているが、熱伝導性が悪いと、上記ベ
ーキングの時に真空チャンバ全体が均一に加熱されるの
に時間がかかるのである。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さく、熱伝導
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材で真空チャンバをつくることも考えられているが
、アルミニウムはＣＶＤ法やドライ・エッチングの実施
時の反応ガスやエツチング・ガスにより腐食させられる
という問題があるので、いまだアルミニウム製の真空チ
ャンバは実現していないのが実情である。
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材で真空チャンバをつくることも考えられているが
、アルミニウムはＣＶＤ法やドライ・エッチングの実施
時の反応ガスやエツチング・ガスにより腐食させられる
という問題があるので、いまだアルミニウム製の真空チ
ャンバは実現していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決したＣＶＤ装置お
よびドライ・エッチング装置における真空チャンバの製
造方法を提供することにある。
よびドライ・エッチング装置における真空チャンバの製
造方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段
この発明によるＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置・における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム
製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、こ
れらの内外両面のうち少なくとも内面に陽Ｉｆｉ酸化皮
膜処理を施して陽極酸化皮膜を形成し、ついで加熱乾燥
処理を施して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発除
去することを特徴とするものである。
置・における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム
製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、こ
れらの内外両面のうち少なくとも内面に陽Ｉｆｉ酸化皮
膜処理を施して陽極酸化皮膜を形成し、ついで加熱乾燥
処理を施して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発除
去することを特徴とするものである。
上記において、真空チャンバ用箱状本体および蓋体の内
外両面のうち少なくとも内面に形成される陽極酸化皮膜
としては、耐熱性および熱サイクル性を考慮すればシュ
ウ酸皮膜が好ましい。耐熱性および熱ナイクル性に優れ
ていれば、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置を
作動させるさい毎にベーキング処理を実施しても、皮膜
が割れたり、剥れたりするのを防止することができる。
外両面のうち少なくとも内面に形成される陽極酸化皮膜
としては、耐熱性および熱サイクル性を考慮すればシュ
ウ酸皮膜が好ましい。耐熱性および熱ナイクル性に優れ
ていれば、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置を
作動させるさい毎にベーキング処理を実施しても、皮膜
が割れたり、剥れたりするのを防止することができる。
皮膜が割れたり剥れたりすると、チャンバがＣＶＤ用反
応ガスおよびドライ・エッチング用エツチング・ガスに
より腐食される。
応ガスおよびドライ・エッチング用エツチング・ガスに
より腐食される。
ところが、シュウ酸皮膜はポーラス型なので吸着水分量
がバリア型の陽極酸化皮膜よりも多くなる。したがって
吸着水分量を考慮すれば、バリア型のホウ酸皮膜が好ま
しい。ところが、シュウ酸皮膜の場合、吸着水分量が多
くても後工程の加熱乾燥処理を念入りに行なえば問題は
ない。また、陽極酸化皮膜の厚さは０．５〜２０シの範
囲内にあることが好ましい。その理由は、膜厚が０８５
ｐ未満であると、ＣＶＤ法およびドライ・エッチングに
使用するガスに対する皮膜の耐食性が十分ではなく、２
０ｊＩＩｌを越えると、ＣＶＤ装置およびドライ・エッ
チング装置に使用した場合にガス放出量が多くなるとと
もに、熱サイクル性が低下してベーキングを繰返したき
いに皮膜が割れやすくなるおそれがあるからである。
がバリア型の陽極酸化皮膜よりも多くなる。したがって
吸着水分量を考慮すれば、バリア型のホウ酸皮膜が好ま
しい。ところが、シュウ酸皮膜の場合、吸着水分量が多
くても後工程の加熱乾燥処理を念入りに行なえば問題は
ない。また、陽極酸化皮膜の厚さは０．５〜２０シの範
囲内にあることが好ましい。その理由は、膜厚が０８５
ｐ未満であると、ＣＶＤ法およびドライ・エッチングに
使用するガスに対する皮膜の耐食性が十分ではなく、２
０ｊＩＩｌを越えると、ＣＶＤ装置およびドライ・エッ
チング装置に使用した場合にガス放出量が多くなるとと
もに、熱サイクル性が低下してベーキングを繰返したき
いに皮膜が割れやすくなるおそれがあるからである。
また、上記において、加熱乾燥処理は１００〜１５０℃
で５〜２０時間実施することが好ましい。温度および時
間がそれぞれ上記下限値未満であれば、吸着水分量が充
分に減少せず、その結果ＣＶＤ法およびドライ・エッチ
ングの実施時のガス放出量が少なくならず、上記上限値
を越えると陽極酸化皮膜にクラックが発生するおそれが
あるからである。また、この処理は真空中で行なうこと
が望ましい。
で５〜２０時間実施することが好ましい。温度および時
間がそれぞれ上記下限値未満であれば、吸着水分量が充
分に減少せず、その結果ＣＶＤ法およびドライ・エッチ
ングの実施時のガス放出量が少なくならず、上記上限値
を越えると陽極酸化皮膜にクラックが発生するおそれが
あるからである。また、この処理は真空中で行なうこと
が望ましい。
実 施 例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示す。
実施例１
まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。ついで、この本体および蓋体の内面
に、２％（Ｃ００Ｈ） ２溶液からなる液温３５℃の電
解液中で、電圧５０Ｖ、電流密度２．５Ａ／ ｄｍの交
流電解により７０分間陽極酸化処理を施して厚ざ９ｐの
シュウ酸陽極酸化皮膜を形成した。その後、本体および
蓋体を真空中において１５０℃で１２時間加熱し、シュ
ウ酸皮膜に吸着している水分を除去した。そして、上記
箱状本体および蓋体を、温度１５０℃＋７）Ｓ ｉ Ｃ
ｌ ４ ｊｊス雰囲気中ニ１０００時間ｔ１ｉ置して本
体および蓋体の耐食性を調べた。その結果、本体および
蓋体の内面には腐食は発生していなかった。
び蓋体をつくった。ついで、この本体および蓋体の内面
に、２％（Ｃ００Ｈ） ２溶液からなる液温３５℃の電
解液中で、電圧５０Ｖ、電流密度２．５Ａ／ ｄｍの交
流電解により７０分間陽極酸化処理を施して厚ざ９ｐの
シュウ酸陽極酸化皮膜を形成した。その後、本体および
蓋体を真空中において１５０℃で１２時間加熱し、シュ
ウ酸皮膜に吸着している水分を除去した。そして、上記
箱状本体および蓋体を、温度１５０℃＋７）Ｓ ｉ Ｃ
ｌ ４ ｊｊス雰囲気中ニ１０００時間ｔ１ｉ置して本
体および蓋体の耐食性を調べた。その結果、本体および
蓋体の内面には腐食は発生していなかった。
実施例２
まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。ついで、この本体および蓋体の内面
に、１５％ト１２Ｓ０４溶液からなる液温２０℃電解液
中で、電圧１５Ｖ１電流密度１．３Ａ／ ｄＴＩｔの直
流電解により２５分間陽極酸化処理を施して厚さ９贋の
硫酸陽極酸化皮膜を形成した。その後、この本体および
蓋体を真空中において１５０℃で１５時間加熱し、Ｔａ
ｖｉ皮膜に吸着している水分を除去した。
び蓋体をつくった。ついで、この本体および蓋体の内面
に、１５％ト１２Ｓ０４溶液からなる液温２０℃電解液
中で、電圧１５Ｖ１電流密度１．３Ａ／ ｄＴＩｔの直
流電解により２５分間陽極酸化処理を施して厚さ９贋の
硫酸陽極酸化皮膜を形成した。その後、この本体および
蓋体を真空中において１５０℃で１５時間加熱し、Ｔａ
ｖｉ皮膜に吸着している水分を除去した。
そして、上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調べ
た。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は認めら
れなかった。
た。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は認めら
れなかった。
実施例３
まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。ついで、化成前処理として純水中に
おいて１０分間ボイリング処理を施した後、６０ｚ／／
ホウ酸および１゜２ｇ／（／ホウ酸アンモニウムを含む
液温８５℃の電解液中で、電流密度６ ｍＡ／ｒ、ｎＰ
、 Ａ（７）直流電圧を印加し、４００■に１０分間保
持して、本体および蓋体の内面に厚さ０．６例のホウ酸
陽極酸化皮膜を形成した。そして、上記実施例１と同様
にその内面の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋
体の内面には腐食は認められなかった。
び蓋体をつくった。ついで、化成前処理として純水中に
おいて１０分間ボイリング処理を施した後、６０ｚ／／
ホウ酸および１゜２ｇ／（／ホウ酸アンモニウムを含む
液温８５℃の電解液中で、電流密度６ ｍＡ／ｒ、ｎＰ
、 Ａ（７）直流電圧を印加し、４００■に１０分間保
持して、本体および蓋体の内面に厚さ０．６例のホウ酸
陽極酸化皮膜を形成した。そして、上記実施例１と同様
にその内面の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋
体の内面には腐食は認められなかった。
比較例
まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。そして、上記箱状本体および蓋体を
、温度１５０℃の３ｉＣ／４ガス雰囲気中に１０００時
間放置して本体および蓋体の耐食性を調べた。その結果
、本体および蓋体の表面は激しく腐食していた。
び蓋体をつくった。そして、上記箱状本体および蓋体を
、温度１５０℃の３ｉＣ／４ガス雰囲気中に１０００時
間放置して本体および蓋体の耐食性を調べた。その結果
、本体および蓋体の表面は激しく腐食していた。
発明の効果
この発明によるＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置における真空チャンバの＄ｉ造方法は、アルミニウム
製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、こ
れらの内外両面の内少なくとも内面に陽極酸化皮膜処理
を施して陽極酸化皮膜を形成し、ついで加熱乾燥処理を
施して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発除去する
ことを特徴とするものであるから、従来のステンレスｍ
ｙのものと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しかもＣ
ＶＤ法およびドライ・エッチングに使用するガスに対す
る耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそれ以上の真
空チャンバを簡単かつ安価に製造することかできる。
置における真空チャンバの＄ｉ造方法は、アルミニウム
製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、こ
れらの内外両面の内少なくとも内面に陽極酸化皮膜処理
を施して陽極酸化皮膜を形成し、ついで加熱乾燥処理を
施して陽極酸化皮膜に吸着している水分を蒸発除去する
ことを特徴とするものであるから、従来のステンレスｍ
ｙのものと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しかもＣ
ＶＤ法およびドライ・エッチングに使用するガスに対す
る耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそれ以上の真
空チャンバを簡単かつ安価に製造することかできる。
特に熱伝導性に優れているので、従来のものに比べてＣ
ＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作動時のベー
キング処理時間を短縮することができる。
ＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作動時のベー
キング処理時間を短縮することができる。
また、本体および蓋体をアルミニウム材からつくるので
あるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易である。
あるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易である。
さらに、アルミニウムはステンレス鋼に比べて表面の放
出ガス係数が小さいので、ＣＶＤ装置およびドライ・エ
ッチング装置の作動時にチャンバ内の真空度を低下させ
るおそれが少ない。
出ガス係数が小さいので、ＣＶＤ装置およびドライ・エ
ッチング装置の作動時にチャンバ内の真空度を低下させ
るおそれが少ない。
以 上
Claims (1)
- アルミニウム製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつ
くった後、これらの内外両面のうち少なくとも内面に陽
極酸化皮膜処理を施して陽極酸化皮膜を形成し、ついで
加熱乾燥処理を施して陽極酸化皮膜に吸着している水分
を蒸発除去することを特徴とするＣＶＤ装置およびドラ
イ・エッチング装置における真空チャンバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366085A JPS62103377A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366085A JPS62103377A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103377A true JPS62103377A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0553870B2 JPH0553870B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17107108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24366085A Granted JPS62103377A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103377A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686053B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-02-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | AL alloy member having excellent corrosion resistance |
| WO2006123736A1 (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Ulvac, Inc. | アルミニウム又はアルミニウム合金の耐食処理方法 |
| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| US8206833B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-06-26 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4174888B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2008-11-05 | アイシン精機株式会社 | アルマイト皮膜 |
| JP4796464B2 (ja) | 2005-11-17 | 2011-10-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐食性に優れたアルミニウム合金部材 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752423A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-27 | Yukio Ishikawa | High speed steam hot-water heater |
| JPS6021382A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24366085A patent/JPS62103377A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JPS5752423A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-27 | Yukio Ishikawa | High speed steam hot-water heater |
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| WO2006123736A1 (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Ulvac, Inc. | アルミニウム又はアルミニウム合金の耐食処理方法 |
| JP2006322040A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Ulvac Japan Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金の耐食処理方法 |
| KR100935964B1 (ko) * | 2005-05-18 | 2010-01-08 | 가부시키가이샤 알박 | 알루미늄 또는 알루미늄합금의 내식처리방법 |
| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| US8206833B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-06-26 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| US9476137B2 (en) | 2005-06-17 | 2016-10-25 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553870B2 (ja) | 1993-08-11 |
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