JPS59208071A - 成膜方法および装置 - Google Patents
成膜方法および装置Info
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- JPS59208071A JPS59208071A JP8264883A JP8264883A JPS59208071A JP S59208071 A JPS59208071 A JP S59208071A JP 8264883 A JP8264883 A JP 8264883A JP 8264883 A JP8264883 A JP 8264883A JP S59208071 A JPS59208071 A JP S59208071A
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- JP
- Japan
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- film
- target
- coating
- sputtering
- wafer
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し技術分野］
本発明は、成膜技術、特に、スパック技術に関し、たと
えば、半導体装置における薄膜生成に利用して有効な技
術に関する。
えば、半導体装置における薄膜生成に利用して有効な技
術に関する。
［背景技術］
半導体装置の製造過程において、シリコン基板（ウェハ
）に、たとえばシリサイド膜を生成する場合、スパッタ
装置が使用されることがある。
）に、たとえばシリサイド膜を生成する場合、スパッタ
装置が使用されることがある。
このような場合、ウェハへの成膜と同時に、スパッタ装
置の処理室、特にクーデ７）近傍の治具にシリコン（Ｓ
ｉ）および高融点金属（Ｍｏ、Ｔａ等）によるスパッタ
生成物が異物として堆積し、この堆積物が成膜処理中に
剥離してウェハに付着するため、膜質が低下されるとい
う問題点が起こることが本発明者によって明らかにされ
た。
置の処理室、特にクーデ７）近傍の治具にシリコン（Ｓ
ｉ）および高融点金属（Ｍｏ、Ｔａ等）によるスパッタ
生成物が異物として堆積し、この堆積物が成膜処理中に
剥離してウェハに付着するため、膜質が低下されるとい
う問題点が起こることが本発明者によって明らかにされ
た。
［発明の目的］
本発明の目的は、処理室に堆積した異物が剥離すること
を防止できる成膜技術を提供するにある。
を防止できる成膜技術を提供するにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要コ
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
成膜処理によって処理室に堆積した異物の原因となる付
着性の悪い膜を付着性の良い物質を用いた成膜処理によ
ってコーティングすることにより、付着性の悪い膜が処
理室から剥離することを阻止するようにしたものである
。
着性の悪い膜を付着性の良い物質を用いた成膜処理によ
ってコーティングすることにより、付着性の悪い膜が処
理室から剥離することを阻止するようにしたものである
。
［実施例コ
第１図は本発明をスパッタ装置に適用した場合の一実施
例を示す縦断面図、第２図は第１図■部の拡大図、第３
図は第２図■部の拡大図である。
例を示す縦断面図、第２図は第１図■部の拡大図、第３
図は第２図■部の拡大図である。
本実施例において、このスパック装置は真空容器１から
なる処理室２を備えており、処理室２にはスパッタ源の
陰極を構成するＳｉまたは高融点金属の成膜用ターゲッ
ト３が処理室２の上部に吊持された陰極支持台４に定着
されて配設されている。このターゲット３の外周方には
、付着性の良いコーテイング膜用物質の一例であるアル
ミニウム（Ａ１）からなるコーティング成用ターゲット
５が前記支持台４の外周方に連設された支持台６に定着
されて環状に配設されている。
なる処理室２を備えており、処理室２にはスパッタ源の
陰極を構成するＳｉまたは高融点金属の成膜用ターゲッ
ト３が処理室２の上部に吊持された陰極支持台４に定着
されて配設されている。このターゲット３の外周方には
、付着性の良いコーテイング膜用物質の一例であるアル
ミニウム（Ａ１）からなるコーティング成用ターゲット
５が前記支持台４の外周方に連設された支持台６に定着
されて環状に配設されている。
両クーゲット３と５、両支持台４と６との間には、第３
図に詳示されるように絶縁碍子７が介設されており、両
ターゲット３と５とは互いに電気的に絶縁されている。
図に詳示されるように絶縁碍子７が介設されており、両
ターゲット３と５とは互いに電気的に絶縁されている。
この絶縁碍子７と両ターゲット３．５との間隙Ｇは放電
時のダークスペース以下に設定されている。また、両ク
ーゲット３．５には電源８が両クーゲット３．５に格別
に直流電圧を印加できるようにそれぞれ接続されている
。
時のダークスペース以下に設定されている。また、両ク
ーゲット３．５には電源８が両クーゲット３．５に格別
に直流電圧を印加できるようにそれぞれ接続されている
。
両支持台４．６には冷却水を循環させるためのパイプ９
．１０がそれぞれ接続されている。
．１０がそれぞれ接続されている。
両支持台４．６の上方およびターゲット５の側方にはシ
ールドカバー１１がクーゲット３．５の下方以外の場所
で放電が起こらないように設けられている。
ールドカバー１１がクーゲット３．５の下方以外の場所
で放電が起こらないように設けられている。
処理室２のクーゲット３の真下にはンヤノク１２が開閉
自在に設けられている。ごのシャッタ１２の真−「には
、処理対象物であるウニハエ３を載置状態に保持する基
板ボルダ−１４が支持台１５に支持されて設けられてお
り、支持台１５にも冷却用パイプ１６が接続されている
。
自在に設けられている。ごのシャッタ１２の真−「には
、処理対象物であるウニハエ３を載置状態に保持する基
板ボルダ−１４が支持台１５に支持されて設けられてお
り、支持台１５にも冷却用パイプ１６が接続されている
。
処理室２にはアルゴン等の放電ガスを導入するための導
入路１７と、処理室２内を排気して真空状態にするため
の真空排気路１８とがそれぞれ設けられている。
入路１７と、処理室２内を排気して真空状態にするため
の真空排気路１８とがそれぞれ設けられている。
さらに、処理室２には搬入用真空予備室１９と１船出用
真空予備室２０とがそれぞれ連設されている。
真空予備室２０とがそれぞれ連設されている。
次に、前記構成にかかるスパッタ装置を使用した場合の
本発明による成膜方法の一実施例を説明する。
本発明による成膜方法の一実施例を説明する。
基板ホルダー１４上にウェハ１３を載置した状態におい
て、処理室２を高真空に排気後、Ａｒ等の不活性ガスを
導入し処理室２の真空度を所定の状態に設定する。
て、処理室２を高真空に排気後、Ａｒ等の不活性ガスを
導入し処理室２の真空度を所定の状態に設定する。
そして、基板ボルダ−１４をアースし、陰極の成膜用ク
ーゲソ！−３に直流電圧を印加させると、低圧力下にお
けるガスの絶縁破壊によりグロー放電が起こり、これに
より、Ａｒイオンが成膜用ターゲット３へｔＭｊ突し、
スパック原子を叩き出す。
ーゲソ！−３に直流電圧を印加させると、低圧力下にお
けるガスの絶縁破壊によりグロー放電が起こり、これに
より、Ａｒイオンが成膜用ターゲット３へｔＭｊ突し、
スパック原子を叩き出す。
この現象状態が安定したところで、シャッタ１２を開く
と、スパッタ原子は基板ホルダー１４上のウェハ１３に
付着して膜生成が行われる。
と、スパッタ原子は基板ホルダー１４上のウェハ１３に
付着して膜生成が行われる。
ウェハ１３上に所望の膜が生成されたら、シャッタ１２
を閉し、基板ホルダー１４上のウェハ１３を１般出用真
空予備室２０に搬出し、次回の成膜処理を行うウェハを
搬入用真空予備室１９から処理室２へ搬入して基板ホル
ダー１４上にセントする。
を閉し、基板ホルダー１４上のウェハ１３を１般出用真
空予備室２０に搬出し、次回の成膜処理を行うウェハを
搬入用真空予備室１９から処理室２へ搬入して基板ホル
ダー１４上にセントする。
このように、処理室２に真空予備室１９．２０を連設す
ると、各回の成膜処理毎に処理室２における真空度を元
に戻さなくて済むばかりでなく、不純物の侵入の機会が
減少するため、ウェハにおける成膜の膜室を向上させる
ことができる。
ると、各回の成膜処理毎に処理室２における真空度を元
に戻さなくて済むばかりでなく、不純物の侵入の機会が
減少するため、ウェハにおける成膜の膜室を向上させる
ことができる。
以降、前記動作が繰り返されてウェハに対する成膜処理
がハツチ処理的に実施される。
がハツチ処理的に実施される。
ところで、成膜用ターゲット３から叩き出されたスパッ
タ原子および極微量の不純物に基づき放電現象により生
成された物質等のスパッタ生成物は、処理室２の露出部
分、たとえば、ターゲット３．５近傍のシールドカバー
１１やシャッタ１２等に付着し、前記成映処理毎に次第
に堆積して行（。
タ原子および極微量の不純物に基づき放電現象により生
成された物質等のスパッタ生成物は、処理室２の露出部
分、たとえば、ターゲット３．５近傍のシールドカバー
１１やシャッタ１２等に付着し、前記成映処理毎に次第
に堆積して行（。
処理室２に付着堆積したスパッタ生成物、特にシリサイ
ド膜の生成物は脆弱であるため剥離し易い。剥離した堆
積物は成膜処理中のウェハに異物として付着し、成膜の
膜質を悪化させる原因になる。
ド膜の生成物は脆弱であるため剥離し易い。剥離した堆
積物は成膜処理中のウェハに異物として付着し、成膜の
膜質を悪化させる原因になる。
そこで、処理室における付着物が堆積したら、ウェハに
対する前記成膜処理が中止され、コーテイング膜用ター
ゲット５によるコーティング処理実施例 すなわち、電源８の接続回路が切り換えられてコーテイ
ング膜用ターゲット５に直流電圧が印加されると、グロ
ー放電により、このターゲット５からスパッタ原子が叩
き出され、処理室２における堆積物上にＡＩ膜がこれを
コーティングするように生成される。このＡＩ膜は極め
て付着性が良好なため、これにコーティングされると、
堆積物は処理室２の付着箇所から容易に剥離することが
できない状態になる。
対する前記成膜処理が中止され、コーテイング膜用ター
ゲット５によるコーティング処理実施例 すなわち、電源８の接続回路が切り換えられてコーテイ
ング膜用ターゲット５に直流電圧が印加されると、グロ
ー放電により、このターゲット５からスパッタ原子が叩
き出され、処理室２における堆積物上にＡＩ膜がこれを
コーティングするように生成される。このＡＩ膜は極め
て付着性が良好なため、これにコーティングされると、
堆積物は処理室２の付着箇所から容易に剥離することが
できない状態になる。
このようにして、堆積物の剥離が防止されると、ウェハ
に異物として付着することはなくなるから、ウェハの成
膜の膜質は良好になる。
に異物として付着することはなくなるから、ウェハの成
膜の膜質は良好になる。
以降、成膜用ターゲットによる成膜処理の間にコーテイ
ング膜用ターゲットによるコーテイング膜生成処理が適
当な時期において介入される。そして、堆積物とコーテ
イング膜とからなる層が設定値以上になったら、刃物等
による機械的手段や、エツチング剤等による化学的手段
等のような適当な手段により、当該層を強制的に剥離さ
せ、処理室２の内部を元の状態に清浄化する。
ング膜用ターゲットによるコーテイング膜生成処理が適
当な時期において介入される。そして、堆積物とコーテ
イング膜とからなる層が設定値以上になったら、刃物等
による機械的手段や、エツチング剤等による化学的手段
等のような適当な手段により、当該層を強制的に剥離さ
せ、処理室２の内部を元の状態に清浄化する。
前述したＡＩ膜の生成処理において、ＡＩ膜が絶縁碍子
７に付着すると、コーテイング膜用ターゲット５と成膜
用クーデ・ノド３とが電気的に接続されてしまうため、
成膜用クーデ・ノド３に印加された電圧がコーティング
膜用クーデ・ノド５にも印加される状態になり、コーテ
ィング膜用クーデ・ノド５からのスパッタ原子が成膜処
理中のウエノ＼１３上に不純物として付着してしまう。
７に付着すると、コーテイング膜用ターゲット５と成膜
用クーデ・ノド３とが電気的に接続されてしまうため、
成膜用クーデ・ノド３に印加された電圧がコーティング
膜用クーデ・ノド５にも印加される状態になり、コーテ
ィング膜用クーデ・ノド５からのスパッタ原子が成膜処
理中のウエノ＼１３上に不純物として付着してしまう。
しかし、第３図に詳示したように、コーテイング膜用タ
ーゲット５と成膜用クーデ・ノド３との絶縁碍子７に対
する間隙Ｇがダークスペース以下に設定されていると、
コーティング用ＡＩ膜（およびシリサイド膜）は碍子７
に付着することはない。
ーゲット５と成膜用クーデ・ノド３との絶縁碍子７に対
する間隙Ｇがダークスペース以下に設定されていると、
コーティング用ＡＩ膜（およびシリサイド膜）は碍子７
に付着することはない。
したがって、コーティング用ターゲット５と成膜用ター
ゲソｌ−３との絶縁不良の発生は未然に防止される。
ゲソｌ−３との絶縁不良の発生は未然に防止される。
なお、成膜処理開始前にあらかじめ、処理室の露出表面
にコーテイング膜を生成しておくと、この膜の付着性に
より、異物たるスパック生成物が保持されるため、剥離
が一層防止される。
にコーテイング膜を生成しておくと、この膜の付着性に
より、異物たるスパック生成物が保持されるため、剥離
が一層防止される。
［効果］
（１）、処理室に堆積したスパック生成物を付着性の良
好な物質による膜生成でコーティングすることにより、
スパック生成物の剥離が防止され、成膜時の異物密度が
低減でき、成膜処理製品の品質および信頼性等の向上に
つながる。
好な物質による膜生成でコーティングすることにより、
スパック生成物の剥離が防止され、成膜時の異物密度が
低減でき、成膜処理製品の品質および信頼性等の向上に
つながる。
（２）、処理室に成膜用ターゲットとコーティング用タ
ーゲットとを設けてお（ことにより、ターゲットの交換
作業なしにコーティング成膜処理を実施することができ
る。
ーゲットとを設けてお（ことにより、ターゲットの交換
作業なしにコーティング成膜処理を実施することができ
る。
（３）、処理室に成膜用クーゲットとコーティング用タ
ーゲットとを設けておき、処理室に真空予備室を連設す
ることにより、処理室の真空度を維持したまま、成膜処
理からコーティング処理に連続的に移行することができ
るため、不純物の侵入機会が減少化でき、成膜の膜質を
向上されることができる。
ーゲットとを設けておき、処理室に真空予備室を連設す
ることにより、処理室の真空度を維持したまま、成膜処
理からコーティング処理に連続的に移行することができ
るため、不純物の侵入機会が減少化でき、成膜の膜質を
向上されることができる。
（４）、コーテイング膜用クーゲットおよび成膜用クー
ゲット間に介設される絶縁碍子とコーティング用ターゲ
ットとの間隙をダークスペース以下に設定することによ
り、絶縁碍子にコーテイング膜が付着することを防止で
きるため、両ターゲット間の絶縁を維持することができ
る。
ゲット間に介設される絶縁碍子とコーティング用ターゲ
ットとの間隙をダークスペース以下に設定することによ
り、絶縁碍子にコーテイング膜が付着することを防止で
きるため、両ターゲット間の絶縁を維持することができ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、本発明による成膜方法は前記実施例にかかる
装置を使用して実施する場合に限らず、コーティング処
理を実行する際、コーテイング膜用クーゲットを成膜用
ターゲントに取り付は替えてもよい。
装置を使用して実施する場合に限らず、コーティング処
理を実行する際、コーテイング膜用クーゲットを成膜用
ターゲントに取り付は替えてもよい。
コーティング用ターゲットを成膜用ターゲットの外周方
に囲繞するように設けるに限らず、処理室に堆積したス
パッタ生成物をコーティングし易い別の個所に配設して
もよい。
に囲繞するように設けるに限らず、処理室に堆積したス
パッタ生成物をコーティングし易い別の個所に配設して
もよい。
コーティング処理の頻度、処理室の清浄化頻度、手段等
々に特に限定はなく、堆積程度等に応じて適宜実施すれ
ばよい。
々に特に限定はなく、堆積程度等に応じて適宜実施すれ
ばよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハへ薄膜
を生成するのに使用されるスパッタ技術に一適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではなく
、たとえば、蒸着技術やイオンブレーティング技術等の
ような成膜技術に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハへ薄膜
を生成するのに使用されるスパッタ技術に一適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではなく
、たとえば、蒸着技術やイオンブレーティング技術等の
ような成膜技術に適用できる。
第１図は本発明による成膜装置の一実施例を示す縦断面
図、 第２図は第１図■部の拡大図、 第３図は第２図■部の拡大図である。 １・・・真空容器、２・・・処理室、３・・・成膜用ク
ーゲット（成膜用物質）、４，６．１５・・・支持台、
５・・・コーテイング膜用クーゲット（コーテイング膜
用物質）、７・・・絶縁碍子、８・・・電源、９，１０
．１６・・・冷却用パイプ、１１・・・シールドカバー
、１２・・・シャッタ、１３・・・ウェハ、１４・・・
基板ホルダー、１７・・・ガス導入路、１８・・・真空
排気路、１９．２０・・・真空予備室。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
図、 第２図は第１図■部の拡大図、 第３図は第２図■部の拡大図である。 １・・・真空容器、２・・・処理室、３・・・成膜用ク
ーゲット（成膜用物質）、４，６．１５・・・支持台、
５・・・コーテイング膜用クーゲット（コーテイング膜
用物質）、７・・・絶縁碍子、８・・・電源、９，１０
．１６・・・冷却用パイプ、１１・・・シールドカバー
、１２・・・シャッタ、１３・・・ウェハ、１４・・・
基板ホルダー、１７・・・ガス導入路、１８・・・真空
排気路、１９．２０・・・真空予備室。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理室において所定の成膜用物質を用いた成膜処理
を行った後、付着性の良いコーテイング膜用物質を用い
て成膜処理を行い、前記処理室に堆積した異物の原因と
なる付着性の悪い膜を付着性の良い物質膜でコーティン
グすることを特徴とする成膜方法。 ２、成膜処理が、スパンクリングであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の成膜方法。 ３、付着性の良いコーテイング膜用物質が、アルミニウ
ムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の成膜方法。 ４、処理室に所望の成膜処理を行う所定の成膜用の物質
と、付着性の良いコーテイング膜用物質とをそれぞれ設
け、両物質による成膜処理が各別に実施されるように構
成されたことを特徴とする成膜装置。 ５、コーティング用物質と成膜用物質との間に介設され
た絶縁碍子と、コーティング用物質との間隙が、成膜処
理下における放電のダークスペース以下に設定されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8264883A JPS59208071A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 成膜方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8264883A JPS59208071A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 成膜方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208071A true JPS59208071A (ja) | 1984-11-26 |
Family
ID=13780245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8264883A Pending JPS59208071A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 成膜方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208071A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439374A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-09 | Nippon Mining Co | Production of silicide target |
| JPH02153067A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fuji Electric Co Ltd | スパッタリング装置のシールド体 |
| JPH0432563A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-04 | Anelva Corp | スパッタリング方法および装置 |
| JPH05230624A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-07 | Fujitsu Ltd | Ｐｖｄ装置の内部治具発塵防止方法及び内部治具処理装置 |
| EP1033745A2 (en) * | 1999-03-02 | 2000-09-06 | Motorola, Inc. | Method for forming a barrier layer for use in a copper interconnect |
| WO2009008442A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| WO2009008324A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8264883A patent/JPS59208071A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6439374A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-09 | Nippon Mining Co | Production of silicide target |
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| US6451181B1 (en) | 1999-03-02 | 2002-09-17 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor device barrier layer |
| WO2009008442A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| WO2009008324A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| JP2009020950A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| US9129636B2 (en) | 2007-07-11 | 2015-09-08 | Showa Denko K.K. | Method and apparatus for manufacturing magnetic recording medium |
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