JPS62103380A - Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法Info
- Publication number
- JPS62103380A JPS62103380A JP24366385A JP24366385A JPS62103380A JP S62103380 A JPS62103380 A JP S62103380A JP 24366385 A JP24366385 A JP 24366385A JP 24366385 A JP24366385 A JP 24366385A JP S62103380 A JPS62103380 A JP S62103380A
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- Japan
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- vacuum chamber
- ions
- dry etching
- corrosion resistance
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置
における真空チャンバの製造方法に関する。
における真空チャンバの製造方法に関する。
この明［ｉにおいて、「アルミニウム」という語には、
純アルミニウムのほかにアルミニウム合金も含むものと
する。ただし、「アルミニウム元素」という場合にはア
ルミニウム合金は含まない。
純アルミニウムのほかにアルミニウム合金も含むものと
する。ただし、「アルミニウム元素」という場合にはア
ルミニウム合金は含まない。
従来技術とその問題点
ＣＶＤ装置の真空チャンバ内には、ＣＶＤ法の実施時に
、反応ガスとして５ＩＣ１４、Ｓ！Ｈ２Ｃ１２、Ａ／
Ｃ１３、ＰＣ／３、ＢＣ／’３等の腐食性ガスが導入さ
れ、ドライ・エッチング装置の真空チャンバ内には、ド
ライ・エッチングの実施時に、エッチング・ガスとして
ｊ′Ａ素を含む腐蝕性ガスが導入されるので、従来真空
チャンバとしてはステンレス鋼製のものが用いられてい
た。ところが、ステンレス［ｊの真空チャンバは重量が
大きく、しかも熱伝導性が悪いという問題があった。熱
伝導性が十分でないと次のような問題がある。すなわち
、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作動時に
は、まず真空チャンバ内面を２００〜２５０℃に加熱す
ることによりベーキング処理を施して真空チャンバの内
面に吸着している水分を除去しているが、熱伝導性が悪
いと、上記ベーキングの時に真空チャンバ全体が均一に
加熱されるのに時間がかかるのである。
、反応ガスとして５ＩＣ１４、Ｓ！Ｈ２Ｃ１２、Ａ／
Ｃ１３、ＰＣ／３、ＢＣ／’３等の腐食性ガスが導入さ
れ、ドライ・エッチング装置の真空チャンバ内には、ド
ライ・エッチングの実施時に、エッチング・ガスとして
ｊ′Ａ素を含む腐蝕性ガスが導入されるので、従来真空
チャンバとしてはステンレス鋼製のものが用いられてい
た。ところが、ステンレス［ｊの真空チャンバは重量が
大きく、しかも熱伝導性が悪いという問題があった。熱
伝導性が十分でないと次のような問題がある。すなわち
、ＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装置の作動時に
は、まず真空チャンバ内面を２００〜２５０℃に加熱す
ることによりベーキング処理を施して真空チャンバの内
面に吸着している水分を除去しているが、熱伝導性が悪
いと、上記ベーキングの時に真空チャンバ全体が均一に
加熱されるのに時間がかかるのである。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さく、熱伝導
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材で真空チャンバをっくることも考えられているが
、アルミニウムはＣＶＤ法やドライ・エッチングの実施
時に使用されるガスにより腐食させられるという問題が
あるので、いまだアルミニウム製の真空チャンバは実現
していないのが実情である。
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材で真空チャンバをっくることも考えられているが
、アルミニウムはＣＶＤ法やドライ・エッチングの実施
時に使用されるガスにより腐食させられるという問題が
あるので、いまだアルミニウム製の真空チャンバは実現
していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決したＣＶＤ装置お
よびドライ・エッチング装置における真空チャンバの製
造方法を提供することにある。
よびドライ・エッチング装置における真空チャンバの製
造方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段
この発明によるＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置にお（プる真空チャンバの製造方法は、アルミニウム
製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、こ
れらの内外両面のうち少なくとも内面に、イオン注入法
によって、アルミニウム元素と反応しかつＣＶＤ法に使
用される反応ガスおよびドライ・エッチングに使用され
るエッチング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつ
くるイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層を形
成することを特徴とするものである。
置にお（プる真空チャンバの製造方法は、アルミニウム
製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、こ
れらの内外両面のうち少なくとも内面に、イオン注入法
によって、アルミニウム元素と反応しかつＣＶＤ法に使
用される反応ガスおよびドライ・エッチングに使用され
るエッチング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつ
くるイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層を形
成することを特徴とするものである。
上記において、アルミニウム元素と反応してＣＶＤ法に
使用される反応ガスおよびドライ・エッチングに使用さ
れるエッチング・ガスに対する耐食性を有する化合物を
つくるイオンは、数多く存在するが、その中でたとえば
酸素イオン、チッ素イオン、炭素イオン等が用いられる
。
使用される反応ガスおよびドライ・エッチングに使用さ
れるエッチング・ガスに対する耐食性を有する化合物を
つくるイオンは、数多く存在するが、その中でたとえば
酸素イオン、チッ素イオン、炭素イオン等が用いられる
。
これらのイオンは、容易にガス化されるＮ２．０２、Ｃ
等から得られる。上記イオンとアルミニウム元素との反
応によりつくられる化合物はＡ／Ｎ１Ａ／ Ｃ５Ａｌ）
２０３等である。また、化合物の被覆層の厚さは０．１
〜１ｔｙ／の範囲内にあることが好ましい。その理由は
、被覆層の厚さが０．１１ＩＩＩ未満であると、被覆層
の上記反応ガスに対する耐食性が十分ではなく、またイ
オン注入によっては上記厚さを１ ｔａを越えて厚くす
ることはできないからである。上記被覆層の厚さの制御
は、イオン注入時における、注入深さに関連する加速電
圧および注入Ｒに関連するイオン注入電流等を制御する
ことによって行なう。上記被覆層の厚さを０．１〜１ｗ
／Ｉとするには、たとえば加速電圧を５０〜５００ Ｋ
Ｖに制御し、イオン注入電流を注入量が１×１０１８〜
ｌＸ１０”’個／ ｃｉとなるように制御する。
等から得られる。上記イオンとアルミニウム元素との反
応によりつくられる化合物はＡ／Ｎ１Ａ／ Ｃ５Ａｌ）
２０３等である。また、化合物の被覆層の厚さは０．１
〜１ｔｙ／の範囲内にあることが好ましい。その理由は
、被覆層の厚さが０．１１ＩＩＩ未満であると、被覆層
の上記反応ガスに対する耐食性が十分ではなく、またイ
オン注入によっては上記厚さを１ ｔａを越えて厚くす
ることはできないからである。上記被覆層の厚さの制御
は、イオン注入時における、注入深さに関連する加速電
圧および注入Ｒに関連するイオン注入電流等を制御する
ことによって行なう。上記被覆層の厚さを０．１〜１ｗ
／Ｉとするには、たとえば加速電圧を５０〜５００ Ｋ
Ｖに制御し、イオン注入電流を注入量が１×１０１８〜
ｌＸ１０”’個／ ｃｉとなるように制御する。
実 施 例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示す。
実施例１
ま−ず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体お
よび蓋体をつくった。ついで、この本体および蓋体をタ
ーゲットとし、その内面に加速電圧３００ ＫＶという
条件でチッ素イオンを１×１０１９個／ｄ注入した。そ
して、本体および蓋体の内面に厚さ１切のＡ／Ｎ層を形
成した。
よび蓋体をつくった。ついで、この本体および蓋体をタ
ーゲットとし、その内面に加速電圧３００ ＫＶという
条件でチッ素イオンを１×１０１９個／ｄ注入した。そ
して、本体および蓋体の内面に厚さ１切のＡ／Ｎ層を形
成した。
そして、上記箱状本体および蓋体を、１５０℃のｓ １
Ｃ１４ガス雰囲気中に１０００時間放置して本体および
蓋体の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の内
面には腐食は発生していなかった。
Ｃ１４ガス雰囲気中に１０００時間放置して本体および
蓋体の耐食性を調べた。その結果、本体および蓋体の内
面には腐食は発生していなかった。
実施例２
イオン注入のさいの注入イオンとして炭素イオンを使用
し、加速電圧１００ＫＶ、イオン注入ｆｆ１ｌＸ１０１
８個／７とした他は上記実施例１と同様にして本体およ
び蓋体の内面に厚さ０．５ｐのＡ／Ｃ層を形成し、同じ
く上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調べた。そ
の結果、本体および蓋体の内面には腐食は認められなか
った。
し、加速電圧１００ＫＶ、イオン注入ｆｆ１ｌＸ１０１
８個／７とした他は上記実施例１と同様にして本体およ
び蓋体の内面に厚さ０．５ｐのＡ／Ｃ層を形成し、同じ
く上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調べた。そ
の結果、本体および蓋体の内面には腐食は認められなか
った。
実施例３
イオン注入のさいの注入イオンとして酸素イオンを使用
し、加速電圧３００にｖ１イオン注入ｆｆ１ｌＸ１０１
９個／ ｃｉとした他は上記実施例１と同様にして本体
および蓋体の内面に厚さ１ＪのＡｌ２Ｏ３層を形成し、
同じく上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調べた
。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は認められ
なかった。
し、加速電圧３００にｖ１イオン注入ｆｆ１ｌＸ１０１
９個／ ｃｉとした他は上記実施例１と同様にして本体
および蓋体の内面に厚さ１ＪのＡｌ２Ｏ３層を形成し、
同じく上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調べた
。その結果、本体および蓋体の内面には腐食は認められ
なかった。
比較例
まず、アルミニウム材から真空チャンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくった。そして、上記箱状本体および蓋体を
、温度１５０℃のＳｉＣ／４ガス雰囲気中に１０００時
間放置して本体および蓋体の耐食性を調べた。その結果
、本体および蓋体の表面は激しく腐食していた。
び蓋体をつくった。そして、上記箱状本体および蓋体を
、温度１５０℃のＳｉＣ／４ガス雰囲気中に１０００時
間放置して本体および蓋体の耐食性を調べた。その結果
、本体および蓋体の表面は激しく腐食していた。
発明の効果
コノ発明によるＣＶＤ装置およびドライ・エッチング装
置における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム製
真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、これ
らの内外両面のうち少なくとも内面に、イオン注入法に
よって、アルミニウム元素と反応しかつＣＶＤ法に使用
される反応ガスおよびドライ・エッチングに使用される
エッチング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層を形成
することを特徴とするものであるから、従来のステンレ
ス鋼製のものと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しか
もＣＶＤ法に使用する反応ガスおよびドライ・エッチン
グに使用するエッチング・ガスに対する耐食性がステン
レスｗ４製のものと同等か、それ以上の真空チャンバを
簡単に製造することができる。特に熱伝導性に優れてい
るので、従来のものに比べてＣＶＤ装置およびドライ・
エッチング装置の作動時のベーキング処理時間を短縮す
ることができる。
置における真空チャンバの製造方法は、アルミニウム製
真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつくった後、これ
らの内外両面のうち少なくとも内面に、イオン注入法に
よって、アルミニウム元素と反応しかつＣＶＤ法に使用
される反応ガスおよびドライ・エッチングに使用される
エッチング・ガスに対する耐食性を有する化合物をつく
るイオンを注入して、上記化合物からなる被覆層を形成
することを特徴とするものであるから、従来のステンレ
ス鋼製のものと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しか
もＣＶＤ法に使用する反応ガスおよびドライ・エッチン
グに使用するエッチング・ガスに対する耐食性がステン
レスｗ４製のものと同等か、それ以上の真空チャンバを
簡単に製造することができる。特に熱伝導性に優れてい
るので、従来のものに比べてＣＶＤ装置およびドライ・
エッチング装置の作動時のベーキング処理時間を短縮す
ることができる。
また、本体および蓋体をアルミニウム材からつくるので
あるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易である。
あるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して加
工が容易である。
また１、アルミニウムはステンレス鋼に比べて表面の放
出ガス係数が小さいので、ＣＶＤ装置およびドライ・エ
ッチング装置の作動時にチャンバ内の真空度を低下させ
るおそれが少ない。
出ガス係数が小さいので、ＣＶＤ装置およびドライ・エ
ッチング装置の作動時にチャンバ内の真空度を低下させ
るおそれが少ない。
ざらに、イオン注入法により被覆層を形成するのである
から、被覆層の形成時この層に水分が吸着していること
はなく、この方法によって製造された真空チャンバをＣ
ＶＤ装置およびドライ・エッチング装置に使用するざい
には、従来から行なわれているＣＶＤ装置およびドライ
・エッチング装置の作動時のベーキング処理を施すだ【
ノでよい。
から、被覆層の形成時この層に水分が吸着していること
はなく、この方法によって製造された真空チャンバをＣ
ＶＤ装置およびドライ・エッチング装置に使用するざい
には、従来から行なわれているＣＶＤ装置およびドライ
・エッチング装置の作動時のベーキング処理を施すだ【
ノでよい。
以 上
外４′６
Claims (1)
- アルミニウム製真空チャンバ用箱状本体および蓋体をつ
くった後、これらの内外両面のうち少なくとも内面に、
イオン注入法によって、アルミニウム元素と反応しかつ
ＣＶＤ法に使用される反応ガスおよびドライ・エッチン
グに使用されるエッチング・ガスに対する耐食性を有す
る化合物をつくるイオンを注入して、上記化合物からな
る被覆層を形成することを特徴とするＣＶＤ装置および
ドライ・エッチング装置における真空チャンバの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366385A JPS62103380A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366385A JPS62103380A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103380A true JPS62103380A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0553872B2 JPH0553872B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=17107150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24366385A Granted JPS62103380A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383964B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Kyocera Corporation | Ceramic member resistant to halogen-plasma corrosion |
| JP2007197835A (ja) * | 2007-02-26 | 2007-08-09 | Tocalo Co Ltd | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4796464B2 (ja) | 2005-11-17 | 2011-10-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐食性に優れたアルミニウム合金部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021382A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24366385A patent/JPS62103380A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021382A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383964B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Kyocera Corporation | Ceramic member resistant to halogen-plasma corrosion |
| JP2007197835A (ja) * | 2007-02-26 | 2007-08-09 | Tocalo Co Ltd | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
| JP4512603B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2010-07-28 | トーカロ株式会社 | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553872B2 (ja) | 1993-08-11 |
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