JPH0383861A - ＳｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品の製造方法Info
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- JPH0383861A JPH0383861A JP1219034A JP21903489A JPH0383861A JP H0383861 A JPH0383861 A JP H0383861A JP 1219034 A JP1219034 A JP 1219034A JP 21903489 A JP21903489 A JP 21903489A JP H0383861 A JPH0383861 A JP H0383861A
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポンプ部品、工作機械部品、バルブ、Ｘ線装置
、ＣＤ製造用型等・として用いられるＳｉＣコーテイン
グＳ１Ｃセラミツクス製品の製造方法に関する。
、ＣＤ製造用型等・として用いられるＳｉＣコーテイン
グＳ１Ｃセラミツクス製品の製造方法に関する。
従来、ＳｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品は、
表面の気孔が少なく、耐食性等に優れているため、ケミ
カルポンプ用シャフト部品その他に用いられ、ＳｉＣ焼
結体や再結晶ＳｉＣ等のＳｉＣ基材を所望形状に加工し
、純化処理した後、このＳｉＣ基材にＣＶＤ法等の気相
成長法によりＳｉＣ膜を形成して製造されている。
表面の気孔が少なく、耐食性等に優れているため、ケミ
カルポンプ用シャフト部品その他に用いられ、ＳｉＣ焼
結体や再結晶ＳｉＣ等のＳｉＣ基材を所望形状に加工し
、純化処理した後、このＳｉＣ基材にＣＶＤ法等の気相
成長法によりＳｉＣ膜を形成して製造されている。
しかしながら、上記従来の製造方法によるＳｉＣコーテ
ィングＳｉＣセラミックス製品によれば、ＳｉＣ膜が緻
密でなくピンホール等も存在し、更に、使用中に、Ｓｉ
Ｃ膜剥離やピンホールも発生し、そこから侵食の問題が
発生する。
ィングＳｉＣセラミックス製品によれば、ＳｉＣ膜が緻
密でなくピンホール等も存在し、更に、使用中に、Ｓｉ
Ｃ膜剥離やピンホールも発生し、そこから侵食の問題が
発生する。
そこで、本発明は、はぼ理論密度のＳｉＣ膜を生成し得
、かつＳｉＣ膜剥離やピンホールの発生を低減し得るＳ
ｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品の製造方法の
提供を目的とする。
、かつＳｉＣ膜剥離やピンホールの発生を低減し得るＳ
ｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品の製造方法の
提供を目的とする。
前記課題を解決するため、本発明のＳｉＣコーティング
ＳｉＣセラミックス製品の製造方法は、所望形状のＳｉ
Ｃ基材に気相成長法によりＳｉＣ膜を形成するＳＬＣコ
ーティングＳｉＣセラミックス製品の製造に際し、予め
ＳｉＣ基材を減圧雰囲気下において１５００〜２５００
℃の温度で４０分以上保持して熱処理する方法である。
ＳｉＣセラミックス製品の製造方法は、所望形状のＳｉ
Ｃ基材に気相成長法によりＳｉＣ膜を形成するＳＬＣコ
ーティングＳｉＣセラミックス製品の製造に際し、予め
ＳｉＣ基材を減圧雰囲気下において１５００〜２５００
℃の温度で４０分以上保持して熱処理する方法である。
上記手段においては、ＳｉＣ膜形成前にＳｉＣ基材中に
含まれるガスが放出される。
含まれるガスが放出される。
減圧雰囲気としては、Ｉ Ｔｏｒｒ以下が好ましく、Ｉ
Ｔｏｒｒを超えると熱処理に要する時間が長くなる。
Ｔｏｒｒを超えると熱処理に要する時間が長くなる。
熱処理温度が１５００℃未満であるとガスの放出が十分
とならず、ＳｉＣ膜形成時の放出ガス量を十分に低減で
きない。又、２５００℃を超えるとＳｉＣが分解する。
とならず、ＳｉＣ膜形成時の放出ガス量を十分に低減で
きない。又、２５００℃を超えるとＳｉＣが分解する。
熱処理時間が４０分未満であると残留ガスが多くなり、
ＳｉＣ膜形成時の放出ガス量が多くなる。
ＳｉＣ膜形成時の放出ガス量が多くなる。
なお、所望形状に加工されたＳｉＣ基材には、純化処理
を施すことが好ましく、この純化処理は、熱処理の前で
も後でもよい。
を施すことが好ましく、この純化処理は、熱処理の前で
も後でもよい。
〔実 施 例〕
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１．２
自焼結ＳｉＣ焼結体をＳｉＣ基材とし、これを円板状に
加工し、１０００℃の温度下でＩ（０，１７ガスを用い
て純化処理した後、この純化処理したＳｉＣ基材をＩ
Ｔｏｒｒの真空雰囲気下において２０００℃の温度でそ
れぞれ第１表に示す時間保持して熱処理した。
加工し、１０００℃の温度下でＩ（０，１７ガスを用い
て純化処理した後、この純化処理したＳｉＣ基材をＩ
Ｔｏｒｒの真空雰囲気下において２０００℃の温度でそ
れぞれ第１表に示す時間保持して熱処理した。
２０００℃及び１０００℃での保持時間と後述するＳｉ
Ｃ膜形成時における放出ガス量との関係は、第１図及び
第２図に示すようになった。従って、ＩＴｏｒｒの真空
雰囲気下において２０００℃の温度を４０分程度保持す
ることにより、放出ガス量を１３５ｍ１／１００ｇ以下
にし得、１０００℃の温度を８０分程度保持することに
より、放出ガス量を２０ｍ１ ／ １００ ｇ以下にし
得ることがわかる。
Ｃ膜形成時における放出ガス量との関係は、第１図及び
第２図に示すようになった。従って、ＩＴｏｒｒの真空
雰囲気下において２０００℃の温度を４０分程度保持す
ることにより、放出ガス量を１３５ｍ１／１００ｇ以下
にし得、１０００℃の温度を８０分程度保持することに
より、放出ガス量を２０ｍ１ ／ １００ ｇ以下にし
得ることがわかる。
上記熱処理後、ＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成したとこ
ろ、５ｉＣ１］％の密度は、それぞれ３，２１ｇ／−と
なった。
ろ、５ｉＣ１］％の密度は、それぞれ３，２１ｇ／−と
なった。
ＣＶＤの条件は、次の通りである。
原料ガス：ＣＢ５５ｉＣＮ３．Ｂ２
温 度： １３５０℃
雰囲気圧： Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ上述した方法に
よって製造されたＳｉＣコーティングＳｔＣセラミック
ス円板に、室温から１５０℃、３００℃、４５０℃の温
度の炉内に挿入し、３０分保持した後に炉外へ取り出す
操作を繰り返す耐熱衝撃試験を施したところ、ＳｉＣ膜
の剥離が発生するまでの繰り返し回数は、第１表に示す
ようになった。
よって製造されたＳｉＣコーティングＳｔＣセラミック
ス円板に、室温から１５０℃、３００℃、４５０℃の温
度の炉内に挿入し、３０分保持した後に炉外へ取り出す
操作を繰り返す耐熱衝撃試験を施したところ、ＳｉＣ膜
の剥離が発生するまでの繰り返し回数は、第１表に示す
ようになった。
第 １ 表
比較例 １
自焼結ＳｉＣ焼結体をＳ
ｉＣ基材とし、
これを
円板状に加工し、１０００℃の温度下でＨＣＪ７ガスを
用いて純化処理した後、熱処理を施すことなく、実施例
と同様の条件でＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成したとこ
ろ、ＳｉＣ膜の密度は、第１表に示すようになった。
用いて純化処理した後、熱処理を施すことなく、実施例
と同様の条件でＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成したとこ
ろ、ＳｉＣ膜の密度は、第１表に示すようになった。
上述した方法によって製造されたＳｉＣコーティングＳ
ｉＣセラミックス円板に、実施例と同様の耐熱衝撃試験
を施したところ、ＳｉＣ膜の剥離が発生するまでの繰り
返し回数は、第１表に示すようになった。
ｉＣセラミックス円板に、実施例と同様の耐熱衝撃試験
を施したところ、ＳｉＣ膜の剥離が発生するまでの繰り
返し回数は、第１表に示すようになった。
従って、本発明の方法によれは、ＳｉＣコーティングＳ
ｉＣセラミックス製品の寿命を従来の倍近くまで延ばし
得ることがわかる。
ｉＣセラミックス製品の寿命を従来の倍近くまで延ばし
得ることがわかる。
以上のように本発明によれば、ＳｉＣ膜形成前にＳＩＣ
基材中に含まれるガスが放出されるので、５ｉｃｓ形成
時のガス放出量が少なくなり、ＳｉＣ膜の形成を阻害す
ることがなく、Ｓ１Ｃ膜の密度を向上させると共に、Ｓ
ｉＣ膜のＳｉＣ基材との密着性が向上し、製造されたＳ
ｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品におけるＳＩ
Ｃ膜剥離やピンホールの発生を従来に比して低減するこ
とができ、ひいてはその寿命を大幅に延ばすことができ
る。
基材中に含まれるガスが放出されるので、５ｉｃｓ形成
時のガス放出量が少なくなり、ＳｉＣ膜の形成を阻害す
ることがなく、Ｓ１Ｃ膜の密度を向上させると共に、Ｓ
ｉＣ膜のＳｉＣ基材との密着性が向上し、製造されたＳ
ｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品におけるＳＩ
Ｃ膜剥離やピンホールの発生を従来に比して低減するこ
とができ、ひいてはその寿命を大幅に延ばすことができ
る。
第１図及び第２図はそれぞれ２０００℃及び１０（ＩＱ
℃で熱処理する保持時間とＳｉＣ膜形成時の放出ガス量
との相関図である。 出 願 人 東芝セラミックス株式会社第 図 ４Ｑ’ＲｆＭαυ 第 図 ４が雫〃（秒〕
℃で熱処理する保持時間とＳｉＣ膜形成時の放出ガス量
との相関図である。 出 願 人 東芝セラミックス株式会社第 図 ４Ｑ’ＲｆＭαυ 第 図 ４が雫〃（秒〕
Claims (1)
- （１）所望形状のＳｉＣ基材に気相成長法によりＳｉＣ
膜を形成するＳｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製
品の製造に際し、予めＳｉＣ基材を減圧雰囲気下におい
て１５００〜２５００℃の温度で４０分以上保持して熱
処理することを特徴とするＳｉＣコーティングＳｉＣセ
ラミックス製品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219034A JP2649582B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | ＳｉＣコーテイングＳｉＣセラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1219034A JP2649582B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | ＳｉＣコーテイングＳｉＣセラミックスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383861A true JPH0383861A (ja) | 1991-04-09 |
| JP2649582B2 JP2649582B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=16729218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1219034A Expired - Fee Related JP2649582B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | ＳｉＣコーテイングＳｉＣセラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649582B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001405A1 (fr) * | 1997-07-02 | 1999-01-14 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Composite sic et son procede de production |
| JP2013216525A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素部材の製造方法 |
| CN114890819A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | 无锡海飞凌半导体材料有限公司 | 一种陶瓷表面碳化硅涂层的工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585468A (en) * | 1978-12-15 | 1980-06-27 | Hitachi Ltd | Silicon carbide sintered body |
| JPS5635001A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-07 | Beissbarth Osmond | Wheel alignment measuring device |
| JPS61228623A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-10-11 | アルノ− ダビテヤ フランソワ | 耐熱性金属の珪化膜成長方法および装置 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219034A patent/JP2649582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585468A (en) * | 1978-12-15 | 1980-06-27 | Hitachi Ltd | Silicon carbide sintered body |
| JPS5635001A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-07 | Beissbarth Osmond | Wheel alignment measuring device |
| JPS61228623A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-10-11 | アルノ− ダビテヤ フランソワ | 耐熱性金属の珪化膜成長方法および装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001405A1 (fr) * | 1997-07-02 | 1999-01-14 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Composite sic et son procede de production |
| JP2013216525A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素部材の製造方法 |
| CN114890819A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-12 | 无锡海飞凌半导体材料有限公司 | 一种陶瓷表面碳化硅涂层的工艺 |
| CN114890819B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-11-03 | 无锡海飞凌科技有限公司 | 一种陶瓷表面碳化硅涂层的工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2649582B2 (ja) | 1997-09-03 |
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