JPS61228623A - 耐熱性金属の珪化膜成長方法および装置 - Google Patents
耐熱性金属の珪化膜成長方法および装置Info
- Publication number
- JPS61228623A JPS61228623A JP60171934A JP17193485A JPS61228623A JP S61228623 A JPS61228623 A JP S61228623A JP 60171934 A JP60171934 A JP 60171934A JP 17193485 A JP17193485 A JP 17193485A JP S61228623 A JPS61228623 A JP S61228623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- resistant metal
- silicon substrate
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5062—Borides, Nitrides or Silicides
- C04B41/5071—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
- H01L21/28044—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer
- H01L21/28061—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer the conductor comprising a metal or metal silicide formed by deposition, e.g. sputter deposition, i.e. without a silicidation reaction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、耐熱性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ５Ｉ
ｅｌｌの珪化膜の成長法、および装置に関し、特にエレ
クトロニクス機器のマイクロコンポーネントの製造、特
にシリコンに関する超大規模集積回路（以下ｒＶＬｓＩ
Ｊで表わす）の分野に関する。
ｅｌｌの珪化膜の成長法、および装置に関し、特にエレ
クトロニクス機器のマイクロコンポーネントの製造、特
にシリコンに関する超大規模集積回路（以下ｒＶＬｓＩ
Ｊで表わす）の分野に関する。
〈従来の技術〉
耐熱性金属の珪化膜成長方法として、従来からの、共堆
積法（ｃｏｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ
ｓ）特に共原子化法（ｃｏａｔｏｍｉｚａｔｉｏｎ ｍ
ｅｔｈｏｄｓ）がよく知られている。しかし、後者の方
法は選択的でない。そして、上述のようにして得られた
膜は抵抗率を下げるため、さらに１０００℃で１ないし
２時間、又は１１００℃で約３０分焼きなまさなければ
ならない。
積法（ｃｏｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ
ｓ）特に共原子化法（ｃｏａｔｏｍｉｚａｔｉｏｎ ｍ
ｅｔｈｏｄｓ）がよく知られている。しかし、後者の方
法は選択的でない。そして、上述のようにして得られた
膜は抵抗率を下げるため、さらに１０００℃で１ないし
２時間、又は１１００℃で約３０分焼きなまさなければ
ならない。
Ｏｏまた、この他にも、シリコン基板上に耐熱性金属の
珪化膜を成長させる方法が知られている。すなわち、低
温度のシリコン基板上に、約１０−４パスカルの圧力下
で耐熱性金属を堆積し、その後、膜を焼きなます方法で
あ） る。
珪化膜を成長させる方法が知られている。すなわち、低
温度のシリコン基板上に、約１０−４パスカルの圧力下
で耐熱性金属を堆積し、その後、膜を焼きなます方法で
あ） る。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上述の方法のうちのの方法で得られた金属の珪
化膜は、焼きなましをほどこしても、厚さ１５０ｎ−以
下の膜の抵抗率は高く、また、厚さ４ ｒｕ＋１以上の
膜は焼きなまし中に破損してしまう欠点がある。
化膜は、焼きなましをほどこしても、厚さ１５０ｎ−以
下の膜の抵抗率は高く、また、厚さ４ ｒｕ＋１以上の
膜は焼きなまし中に破損してしまう欠点がある。
まｔコ、Ｏの方法で得られた金属の珪化膜は１、非常に
表面が粗く、簡単に剥がれてしまう欠点があった。
表面が粗く、簡単に剥がれてしまう欠点があった。
この発明は、以上に述べた従来の、耐熱性金属の珪化膜
成長方法の欠点を除去した新規な耐熱性金属の珪化膜成
長方法を提供しようとするものである。
成長方法の欠点を除去した新規な耐熱性金属の珪化膜成
長方法を提供しようとするものである。
また、この発明は上述した耐熱性金属の珪化膜成長方法
に好適な装置を提供しようとするものである。
に好適な装置を提供しようとするものである。
く問題点を解決するための手段および作用〉この発明は
、上述の目的を達成するため、耐熱性金属の珪化膜の成
長を行わせるに当って、シリコン基板を清浄化する工程
と、当該工程後シリコン基板を超高真空下で熱的に脱ガ
スしながら、６００〜８００℃に加熱し、当該温度にお
いてシリコン基板上に少（とも一種の耐熱性金属を蒸着
する工程と、当該工程後温度を連続的に降下させること
を特徴とするものである。
、上述の目的を達成するため、耐熱性金属の珪化膜の成
長を行わせるに当って、シリコン基板を清浄化する工程
と、当該工程後シリコン基板を超高真空下で熱的に脱ガ
スしながら、６００〜８００℃に加熱し、当該温度にお
いてシリコン基板上に少（とも一種の耐熱性金属を蒸着
する工程と、当該工程後温度を連続的に降下させること
を特徴とするものである。
上述した耐熱性金属の珪化膜の成長方法は選択的プロセ
スであり、得られた珪化金属膜は焼きなましを必要とし
ない。また、この珪化金属膜は極めて安定度が高く、熱
処理によって＃％書質しないへしかも薄膜（およそ３０
〜１０１００ｔｕ表面に平行な方向の導電性が高（、シ
リコンとの接触面の抵抗も小さい。この発明の対象であ
るプロセスはとりわけマイクロエレクトロニクスの分野
、多結晶シリコングリッドＭＯ８）ランシスターの製造
に利用できる。ＭＯＳ）ランシスターの場合、グリッド
の上に薄い耐熱性珪化金属膜を成長させることによりグ
リッドの抵抗を低下させることができる。また、この発
明は、この種の薄膜をソースやドレインの上に乗せるこ
とにより、ソースやドレインへのＭＯＳ）ランシスター
のアクセス抵抗を低下させるためにも利用できる。この
発明の対象であるプロセスは、ＭＯＳトランジスターの
グリッド、ソース、ドレインの上に同時に耐熱性珪化金
属膜を作る場合に非常に大きなメリットを発揮する。と
いうのは、このプロセスは選択性が高いのでマスキング
を防止できるからである。
スであり、得られた珪化金属膜は焼きなましを必要とし
ない。また、この珪化金属膜は極めて安定度が高く、熱
処理によって＃％書質しないへしかも薄膜（およそ３０
〜１０１００ｔｕ表面に平行な方向の導電性が高（、シ
リコンとの接触面の抵抗も小さい。この発明の対象であ
るプロセスはとりわけマイクロエレクトロニクスの分野
、多結晶シリコングリッドＭＯ８）ランシスターの製造
に利用できる。ＭＯＳ）ランシスターの場合、グリッド
の上に薄い耐熱性珪化金属膜を成長させることによりグ
リッドの抵抗を低下させることができる。また、この発
明は、この種の薄膜をソースやドレインの上に乗せるこ
とにより、ソースやドレインへのＭＯＳ）ランシスター
のアクセス抵抗を低下させるためにも利用できる。この
発明の対象であるプロセスは、ＭＯＳトランジスターの
グリッド、ソース、ドレインの上に同時に耐熱性珪化金
属膜を作る場合に非常に大きなメリットを発揮する。と
いうのは、このプロセスは選択性が高いのでマスキング
を防止できるからである。
基板を構成するシリコンは単結晶でも多結晶でもよい。
耐熱性金属としては、タングステン、モリブデン、タン
タル、ニオビウム、レニウムなどから幾つかを選ぶこと
ができる。
タル、ニオビウム、レニウムなどから幾つかを選ぶこと
ができる。
本発明の対象である成長方法を実際に用いる場合には、
脱ガスおよび蒸着は前もって１Ｏ−８パスカルに圧力を
下げておいた主容器の中で行なわれる。
脱ガスおよび蒸着は前もって１Ｏ−８パスカルに圧力を
下げておいた主容器の中で行なわれる。
できれば、基板の加熱は耐熱性金属を蒸着させない面に
熱を放射することによって行うのが望ましい。
熱を放射することによって行うのが望ましい。
また、蒸着中は蒸着面に垂直な軸を中心にして基板を回
転させることが望ましい。
転させることが望ましい。
また、この１種類以上の耐熱性金属の珪素化合物膜をシ
リコン基板上に成長させるための装置をも対象としてい
る。この装置は以下のごとく構成される。
リコン基板上に成長させるための装置をも対象としてい
る。この装置は以下のごとく構成される。
−気密性主容器と、
−この気密性主容器に設けた高真空を発生させるための
手段と、 −基板をサポートするための手段と、 段とから成る。
手段と、 −基板をサポートするための手段と、 段とから成る。
この発明の対象である装置の実際の製作に当たっては、
この他にも密閉補助容器と基板運搬装置が取り付けられ
る。補助容器は気密主容器とつながっているが、その間
を遮断することもでき、基板の保管に用いられる。連搬
装璽は基板を１つ１つ補助容器から気密主容器に、また
逆方向に移動させる。
この他にも密閉補助容器と基板運搬装置が取り付けられ
る。補助容器は気密主容器とつながっているが、その間
を遮断することもでき、基板の保管に用いられる。連搬
装璽は基板を１つ１つ補助容器から気密主容器に、また
逆方向に移動させる。
加熱手段は基板の裏面に向かって熱を放射する形式のも
のが望ましい。
のが望ましい。
また本発明の対象である装置には、基板面に対して垂直
な軸のまわりに基板を回転させるための、サポート回転
装置を取り付けることが望ましい。
な軸のまわりに基板を回転させるための、サポート回転
装置を取り付けることが望ましい。
く実 施 例〉
以下、添付の図面に基づいてこの発明の一実施例につい
て説明する。
て説明する。
ただし、これはあくまで−例として示されたものであり
本発明はこれに限定されるものでばない。
本発明はこれに限定されるものでばない。
−図１はこの発明の対象である装置の特定の製作方法の
部分的な略図であり、 −図２は図１を補完する略図である。
部分的な略図であり、 −図２は図１を補完する略図である。
本発明の場合、１種類以上の耐熱性金属の珪素化合物膜
をシリコン基板（以下、単に「基板」という）上に成長
させるためには、このシリコン基板にｎ”ｐ ｐ”ｐ
ｎｐ ｐｐ と配置されたゾーン、内在ゾーン、シリカ
ゾーン、単結晶あるいは多結晶シリコンゾーンがなけれ
ばならない。この基板はまず極めて入念に化学洗浄され
るが、これは以下のような工程からなる。
をシリコン基板（以下、単に「基板」という）上に成長
させるためには、このシリコン基板にｎ”ｐ ｐ”ｐ
ｎｐ ｐｐ と配置されたゾーン、内在ゾーン、シリカ
ゾーン、単結晶あるいは多結晶シリコンゾーンがなけれ
ばならない。この基板はまず極めて入念に化学洗浄され
るが、これは以下のような工程からなる。
−基板を１０分間８０℃のトリクロルエチレンに浸し超
音波を照射する。
音波を照射する。
−基板を１０分間２０℃のアセトンに浸し超音波を照射
する。
する。
一基板を１０分間２０℃のメタノールに浸し超音波を照
射する。
射する。
−ｊ（妬 島 １１１／、＄ 聞−を障し＾馳１戸 讐
１−トー 基板を２０秒間２０％に希釈されたふり化水
素酸に浸す。この工程とその前の工程は３回ずつ繰り返
す。
１−トー 基板を２０秒間２０％に希釈されたふり化水
素酸に浸す。この工程とその前の工程は３回ずつ繰り返
す。
−アンモニア３容積、過酸化水素１容積、水１容積から
なる２０℃の混合液に基板を１０分間浸す。
なる２０℃の混合液に基板を１０分間浸す。
−説イオンされた水中で基板を１分間すすぐ。
−基板を２０秒間２０％に希釈されたふっ化水素酸に浸
す。
す。
−説イオンされた水中で基板を５分間すすぐ。
−塩酸３容積、過酸化水素１容積、水１容積からなる２
０℃の混合液に基板を１０分間浸す。 。
０℃の混合液に基板を１０分間浸す。 。
−説イオンされた水中で基板を１０分間すすぐ。
−基板を乾燥窒素中で乾燥させる。
このような基板の化学洗浄あるいは前処理によりウェハ
ーの表面が酸化されるーこうして形成された薄い酸化珪
素の膜は、続いて説明されるように、熱処理あるいは脱
ガスの過程で取り除かれる。
ーの表面が酸化されるーこうして形成された薄い酸化珪
素の膜は、続いて説明されるように、熱処理あるいは脱
ガスの過程で取り除かれる。
上記の方法により多数の基板を同時に処理する乙とがで
きる。
きる。
洗浄が終わると基板は図１および２に示されている装置
に入れられ、後述されるような処理を受ける。
に入れられ、後述されるような処理を受ける。
この装置は本質的に、基板を収納する補助容器２と基板
処理用の主容器４で構成されている。各容器２および４
は当然気密であり、互いにバルブ６全通してつながって
いるが、このバルブを閉めることにより互いに遮断する
ことも可能である。
処理用の主容器４で構成されている。各容器２および４
は当然気密であり、互いにバルブ６全通してつながって
いるが、このバルブを閉めることにより互いに遮断する
ことも可能である。
補助容器２と主容器４にはそれぞれ排気装置８と１０が
あり容器中の圧力を１０パスカルまで低下させることが
できる。この排気装置はＵＨＶ （超高真空）タイプで
あるので、低温型、イオン型、ターボモレキュラー型で
ある。
あり容器中の圧力を１０パスカルまで低下させることが
できる。この排気装置はＵＨＶ （超高真空）タイプで
あるので、低温型、イオン型、ターボモレキュラー型で
ある。
補助容器２の上部はロック１２とつながっている。この
ロックはバルブ１４を用いて基板を導入するために設け
られている。
ロックはバルブ１４を用いて基板を導入するために設け
られている。
主容器４の下部には１つあるいは幾つかのルツボ１６が
サポート１８の中に置かれおり、これらのルツボ１つ１
つに耐熱性金属蒸着ガン２０が組み合わされている。ル
ツボ１６、ルツボサポータ１８、蒸着ガン２０は、循環
液体窒素で冷却される低温パネルに包まれており、この
低温パネルの上部には穴２３が１つあけられていて、金
属の蒸発によって発生した金属の蒸気がここを通るよう
になっている。
サポート１８の中に置かれおり、これらのルツボ１つ１
つに耐熱性金属蒸着ガン２０が組み合わされている。ル
ツボ１６、ルツボサポータ１８、蒸着ガン２０は、循環
液体窒素で冷却される低温パネルに包まれており、この
低温パネルの上部には穴２３が１つあけられていて、金
属の蒸発によって発生した金属の蒸気がここを通るよう
になっている。
循環液体窒素で冷却されるもう１つの低温パネル２４が
低温パネル２２の上に置かれている。この低温パネル２
４にも、低温パネル２２の穴に向かい合う位置に穴２５
があけられている。
低温パネル２２の上に置かれている。この低温パネル２
４にも、低温パネル２２の穴に向かい合う位置に穴２５
があけられている。
主容器４にはこの他、処理される基板２８のサポート装
置２６、基板の放射加熱型３０、基板回転手段３２があ
る。
置２６、基板の放射加熱型３０、基板回転手段３２があ
る。
基板回転手段３２は水平ボールベアリングを有し、水平
ボールベアリングは低温パネル２４の上に取り付けであ
るが、このボールベアリングの軸は低温パネル２２と２
４にあけられている穴の軸に一致している。ボールベア
リングの上リング３４は主容器に対して回転でき、下リ
ング３６は主容器に固定されている。
ボールベアリングは低温パネル２４の上に取り付けであ
るが、このボールベアリングの軸は低温パネル２２と２
４にあけられている穴の軸に一致している。ボールベア
リングの上リング３４は主容器に対して回転でき、下リ
ング３６は主容器に固定されている。
サボー■・装置２６は上リングに固定された幾つかのア
ーム、たとえｃｓ″互いに１８０度をなす３本のアーム
からなっており、基板２８を低温パネル２４の上に水平
に保つようになっている。
ーム、たとえｃｓ″互いに１８０度をなす３本のアーム
からなっており、基板２８を低温パネル２４の上に水平
に保つようになっている。
主容器４上部のボールベアリング３２の上には、カバー
４０で密閉されたサポート３８がある。この図には描か
れていないがサポート３８にはモーターが取り付けてあ
り、やはりこの図に描かれていないピニオンを回転さ４
４ドア／７”１Ｉ７−）ト”−１１’＋ｎｔ層鮮１７”
）−〒ＬＩ＋’−ノ／’ＩＪが回転する。このため上リ
ングには歯が刻まれている。基板２８は耐熱性金属が蒸
着される面３９がルツボ１６の方を向くようにアーム２
６に乗せられる。
４０で密閉されたサポート３８がある。この図には描か
れていないがサポート３８にはモーターが取り付けてあ
り、やはりこの図に描かれていないピニオンを回転さ４
４ドア／７”１Ｉ７−）ト”−１１’＋ｎｔ層鮮１７”
）−〒ＬＩ＋’−ノ／’ＩＪが回転する。このため上リ
ングには歯が刻まれている。基板２８は耐熱性金属が蒸
着される面３９がルツボ１６の方を向くようにアーム２
６に乗せられる。
加熱器３０は主容器４に対して固定されており、基板２
８を蒸着される面３９あるいは裏面４から加熱するため
サポート３８に取り付けられている。加熱器３０には、
同様にサポート３８によって主容器４に固定された熱シ
ールド４２がある。この熱シールド４２のまわりには水
冷パネル４４があり、これもやはりサポート３８によっ
て主客Ｗ！！４に対して固定されている。
８を蒸着される面３９あるいは裏面４から加熱するため
サポート３８に取り付けられている。加熱器３０には、
同様にサポート３８によって主容器４に固定された熱シ
ールド４２がある。この熱シールド４２のまわりには水
冷パネル４４があり、これもやはりサポート３８によっ
て主客Ｗ！！４に対して固定されている。
未処理基板４６は、導入評甲＝ロック１２１の上部から
補助容器２の下部までまたその反対方向に移動できるカ
セット４８に保管される。このためカセットには、図に
は示されていないがガイドが取り付けられている。この
ガイドは、導入ロックの上部と補助容器の下部の間に平
行に立てられ、バルブ１４の所で中断された２本の垂直
柱を滑るようになっている。ラック５２も柱５０に平行
に導入ロックの上部と補助容器の下部の間に立てられ、
バルブ１４で中断されている。カセットにはモーターが
付いている。このモーターは図には示されていないが、
同様に図には示されていないフレキシブル電気ケーブル
によって外部からｇｋ縦される。このモーターは、ラッ
ク５２と噛み合っている図には示されていない歯車を同
期的に回転させる。これらの歯車は、一方がバルブ１４
付近でラック５２が中断されている地点にある時も、他
方はラックに噛ミ合っているよう高さを変えてカセット
に取り付けられている。このようにモーターを操作する
ことにより、カセットを補助容器２の中に降ろしたり、
導入ロック１２まで持ち上げたりできるのである。
補助容器２の下部までまたその反対方向に移動できるカ
セット４８に保管される。このためカセットには、図に
は示されていないがガイドが取り付けられている。この
ガイドは、導入ロックの上部と補助容器の下部の間に平
行に立てられ、バルブ１４の所で中断された２本の垂直
柱を滑るようになっている。ラック５２も柱５０に平行
に導入ロックの上部と補助容器の下部の間に立てられ、
バルブ１４で中断されている。カセットにはモーターが
付いている。このモーターは図には示されていないが、
同様に図には示されていないフレキシブル電気ケーブル
によって外部からｇｋ縦される。このモーターは、ラッ
ク５２と噛み合っている図には示されていない歯車を同
期的に回転させる。これらの歯車は、一方がバルブ１４
付近でラック５２が中断されている地点にある時も、他
方はラックに噛ミ合っているよう高さを変えてカセット
に取り付けられている。このようにモーターを操作する
ことにより、カセットを補助容器２の中に降ろしたり、
導入ロック１２まで持ち上げたりできるのである。
カセットは平行六面体であり、バルブ６の方、すなわち
主容器４の方を向いている面５４と、それに向かい合う
面５６が開いている。
主容器４の方を向いている面５４と、それに向かい合う
面５６が開いている。
未処理基板４６は面５６からカセットに入り、その中に
水平に並べられ、面５４から出ていき、またそれと逆の
動きをする。カセット４８中での基板の移動は、図には
示されていないスライダーによって行なわれる。基板は
処理される面が下を向くようカセット中に並べられる。
水平に並べられ、面５４から出ていき、またそれと逆の
動きをする。カセット４８中での基板の移動は、図には
示されていないスライダーによって行なわれる。基板は
処理される面が下を向くようカセット中に並べられる。
互いに平行な水平レール５８は、バルブ６に近い方の柱
５０からバルブ６を通ってサポート装置２６まで延びて
おり、カセット４８中の各基板４６をサポート手段２６
まで運ぶために使われる。レール５８はバルブ６に伸縮
部分６０を有し、各バルブ６の容器が閉じた時には引っ
込められる。
５０からバルブ６を通ってサポート装置２６まで延びて
おり、カセット４８中の各基板４６をサポート手段２６
まで運ぶために使われる。レール５８はバルブ６に伸縮
部分６０を有し、各バルブ６の容器が閉じた時には引っ
込められる。
図１および２に示されているこの発明の対象である装置
には、カセット４８がバルブ６の正面に来た時に基板４
６を１つずつカセットは８からサポート装置２６まであ
るいはその逆方向に移動させる装置６２もある。この移
動手段６２は、補助容器２に気密式に連結されている二
次容＠６４の中に置かれている。
には、カセット４８がバルブ６の正面に来た時に基板４
６を１つずつカセットは８からサポート装置２６まであ
るいはその逆方向に移動させる装置６２もある。この移
動手段６２は、補助容器２に気密式に連結されている二
次容＠６４の中に置かれている。
二次容器６４はバルブ６に遠い方の柱５０およびレール
５８に向かい合うように配置されている。
５８に向かい合うように配置されている。
移動装置６２は、二次容器６４の中をレール５８に平行
に延びている水平棒で構成されており、この棒はその先
端に基板４６をつかむピンセット６６が取り付けてあり
、二次容器６４と同様、レール５８の上の基板４６をカ
セット４８からサポート装置２６まであるいはその逆方
向にガイドするのに十分な長さがある。棒６２は、この
例では、二次容Ｗｉ６４の外に取り付けられている磁石
６５によって動かされる。二次容器６４は非磁性素材で
作られており、棒６２のピンセット６６の反対側の端に
は軟鉄６７が取り付けであるので、磁石の動きによって
それと「向き合って」軟鉄６７が動き、その結果棒が動
かされる。
に延びている水平棒で構成されており、この棒はその先
端に基板４６をつかむピンセット６６が取り付けてあり
、二次容器６４と同様、レール５８の上の基板４６をカ
セット４８からサポート装置２６まであるいはその逆方
向にガイドするのに十分な長さがある。棒６２は、この
例では、二次容Ｗｉ６４の外に取り付けられている磁石
６５によって動かされる。二次容器６４は非磁性素材で
作られており、棒６２のピンセット６６の反対側の端に
は軟鉄６７が取り付けであるので、磁石の動きによって
それと「向き合って」軟鉄６７が動き、その結果棒が動
かされる。
主客′Ｉａ４には、サポート装置２６の上の幕府２８卆
ＩＩｕ官し某朽のＰＡ摩卆光学的に測定するために１つ
あるいは幾つかの覗き窓６８がある。
ＩＩｕ官し某朽のＰＡ摩卆光学的に測定するために１つ
あるいは幾つかの覗き窓６８がある。
図１および２に示されている装置は大きさの異なる種々
の基板に適用できる。ある大き゛さの１グループの基板
を処理し終えると、カセット４８を取り替え、それに応
じてレール５８とサポート装置２６を適切な寸法のレー
ルおよびサポート装置に取り替えるだけで、別の大きさ
の基板を処理することができる。
の基板に適用できる。ある大き゛さの１グループの基板
を処理し終えると、カセット４８を取り替え、それに応
じてレール５８とサポート装置２６を適切な寸法のレー
ルおよびサポート装置に取り替えるだけで、別の大きさ
の基板を処理することができる。
放射加熱器３０はもっと大型化することもできる。
この放射非接触式加熱器は基板２８を２０〜１２００℃
の温度に加熱することができるよう設計されている。
の温度に加熱することができるよう設計されている。
この発明の対象である耐熱制金属の珪化膜成長法のプロ
セスは以下のように行なわれる。
セスは以下のように行なわれる。
バルブ６と１４が閉じられると、既述のような方法で前
もって洗浄された基板がカセット４８に導入される。続
いてカセットは柱５０とラック５２に沿って、開かれて
いる導入口ツク１２の中に入る。ついでこのロックは密
閉され、バルブ１４が開き、カセット４８はそのモータ
ーの動きにより、カセットの一番下にある基板がレール
５８と棒６２の高さに来るよう、補助容器２の中に下降
する。
もって洗浄された基板がカセット４８に導入される。続
いてカセットは柱５０とラック５２に沿って、開かれて
いる導入口ツク１２の中に入る。ついでこのロックは密
閉され、バルブ１４が開き、カセット４８はそのモータ
ーの動きにより、カセットの一番下にある基板がレール
５８と棒６２の高さに来るよう、補助容器２の中に下降
する。
排気装［８により補助容−２の中の圧力が１０パスカル
まで低下されるとバルブ６が開く。棒６２が自分と同じ
高さにある基板に向かって移動し、ピンセット６６でそ
れをつかむ。乙の棒６２の動きによって基板はカセット
４８の面５４を通りレール５８の上の滑ってサポート装
置２６まで移動し、そこにセットされる。レール５８の
伸縮可能区間６０はあらかじめ残りの区間を連結するよ
う伸ばされている。続いて棒６２は基板を放し、そこか
ら遠ざかる（サポート装置２６の上に置かれた基板は基
板２８と呼ばれる）。
まで低下されるとバルブ６が開く。棒６２が自分と同じ
高さにある基板に向かって移動し、ピンセット６６でそ
れをつかむ。乙の棒６２の動きによって基板はカセット
４８の面５４を通りレール５８の上の滑ってサポート装
置２６まで移動し、そこにセットされる。レール５８の
伸縮可能区間６０はあらかじめ残りの区間を連結するよ
う伸ばされている。続いて棒６２は基板を放し、そこか
ら遠ざかる（サポート装置２６の上に置かれた基板は基
板２８と呼ばれる）。
サポート装置は回転し、基板は加熱器によって裏面から
加熱される。加熱は、常温から８００℃前後の温度まで
３０分はどで時間にましい。
加熱される。加熱は、常温から８００℃前後の温度まで
３０分はどで時間にましい。
この後、８００℃前後の温度に保たれている基板のルツ
ボ１６に向かい合っている面、あるいは「前面」に耐熱
性金属が蒸着される。
ボ１６に向かい合っている面、あるいは「前面」に耐熱
性金属が蒸着される。
蒸着率は、基板の表に１秒間に０．１ｎｍの厚さで金属
が付着するように決定される。
が付着するように決定される。
蒸着が終わると、すなわち基板の前面に所定の厚さの金
属が付着すると、加熱器の出力が徐々に小さくされ、基
板の温度を常温（約２０℃）にまで下げる。
属が付着すると、加熱器の出力が徐々に小さくされ、基
板の温度を常温（約２０℃）にまで下げる。
基板は回転をやめ、棒６２のピンセット６６によってつ
かまれ、棒６２の後退によってカセット４８の中に収納
される。棒の厚さは当然のことながらカセット内の基板
と基板の間隔に適した厚さである。
かまれ、棒６２の後退によってカセット４８の中に収納
される。棒の厚さは当然のことながらカセット内の基板
と基板の間隔に適した厚さである。
続いてカセット４８は、そのすぐ上の基板がレール５８
と棒６２の高さに来るよう下降し、この基板が今述べた
方法で処理される。
と棒６２の高さに来るよう下降し、この基板が今述べた
方法で処理される。
残りの総ての基板についても同様である。基板が総て処
理され終わると、バルブ６が閉じ、バルブ１４が開いて
カセットは二４−四ツク１２の中に上昇する。ここでバ
ルブ１４が閉じ、四ツクが開いてカセットが取り出され
る。
理され終わると、バルブ６が閉じ、バルブ１４が開いて
カセットは二４−四ツク１２の中に上昇する。ここでバ
ルブ１４が閉じ、四ツクが開いてカセットが取り出され
る。
続いて別のグループの基板を上記の方式で処理すること
ができる。
ができる。
主容器４の中で８００＠ｃ前後に加熱された基板の前面
に蒸着された耐熱性金属は基板の珪素と反応して導電性
の耐熱性珪化金属薄膜を形成する。厚さ１０〜１００
＋ｍの珪化金属膜を作ることが可能である。この珪化金
属膜焼きなましを行う必要がなく、１０〜１００マイク
ロオーム／ｃｒｎという良好な電気抵抗率を持っている
。この抵抗度は当然、用いられた耐熱性金属の種類や膜
の厚さに規定される。
に蒸着された耐熱性金属は基板の珪素と反応して導電性
の耐熱性珪化金属薄膜を形成する。厚さ１０〜１００
＋ｍの珪化金属膜を作ることが可能である。この珪化金
属膜焼きなましを行う必要がなく、１０〜１００マイク
ロオーム／ｃｒｎという良好な電気抵抗率を持っている
。この抵抗度は当然、用いられた耐熱性金属の種類や膜
の厚さに規定される。
しかしこの膜を１１００℃前後で焼きなましてその安定
度を更に高めることも可能である。
度を更に高めることも可能である。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、この発明た珪化金属膜
は従来の耐熱性金属の珪化膜成長法と異なり、シリコン
板上を超高圧真空下で熱的に脱ガスし、高温に加熱しな
がらその表面に耐熱性金属を蒸着した後、温度を連続的
に降下するから、シリコン基板表面に珪化金属層が生成
されるから、 ■ 極めて安定した耐熱性珪化金属膜が得られる。
は従来の耐熱性金属の珪化膜成長法と異なり、シリコン
板上を超高圧真空下で熱的に脱ガスし、高温に加熱しな
がらその表面に耐熱性金属を蒸着した後、温度を連続的
に降下するから、シリコン基板表面に珪化金属層が生成
されるから、 ■ 極めて安定した耐熱性珪化金属膜が得られる。
■ 耐熱性珪化金属膜形成後、さらに高温で焼きなまし
処理を必要としない。
処理を必要としない。
■ 得られる耐熱性珪化金属膜表面に平行な方向の導電
性が高く、基板（シリコン基板）との接触面の抵抗率が
小さい。
性が高く、基板（シリコン基板）との接触面の抵抗率が
小さい。
■ とりわけ、マイク四エレクトロニクスの分計、多結
晶シリコングリップＭＯ５）−ランシスタの製造に好適
である。
晶シリコングリップＭＯ５）−ランシスタの製造に好適
である。
■ 厚さを４ ｎｍ以上にしても剥離しない。
■ 選択的プロセスであるから、この方法をＭｏｓ＋・
ランシスターのグリッド、ソース、ドレイントにＩＰｉ
詰に耐執性往化合厘膜葵串成させる場合に適用すると、
マスキングを防止できる等の利点がある。
ランシスターのグリッド、ソース、ドレイントにＩＰｉ
詰に耐執性往化合厘膜葵串成させる場合に適用すると、
マスキングを防止できる等の利点がある。
図１は本発明の耐熱性金属の珪化膜成長装置の要部断面
図、図２は図１の耐熱性金属の珪化膜成長装置中の気密
性主容器の要部断面図である。 図中、２・・・補助春型、４・・・気密性主容器、６・
・・気密性主容器と補助容器間接続バルブ、８゜１０・
・・排気装置、１２・・・ロック、１４・・・バルブ、
１６・・・ルツボ、１８・・・ルツボサポータ、２０・
・・蒸着ガン、２２，２４・・・低温パネル、２６・・
パ基板のサポート装置、２８・・・シリコン基板（処理
済）、３０・・・基板放射加熱型、３２・・・基板回転
手段、４４・・・水冷パネル、４６・・・未処理シリコ
ン基板、４８・・・カセット、５４・・・気密性主容器
４側の面、５６・・・５４と向い合う面、５８・・・レ
ール、６２・・・基板移動手段。
図、図２は図１の耐熱性金属の珪化膜成長装置中の気密
性主容器の要部断面図である。 図中、２・・・補助春型、４・・・気密性主容器、６・
・・気密性主容器と補助容器間接続バルブ、８゜１０・
・・排気装置、１２・・・ロック、１４・・・バルブ、
１６・・・ルツボ、１８・・・ルツボサポータ、２０・
・・蒸着ガン、２２，２４・・・低温パネル、２６・・
パ基板のサポート装置、２８・・・シリコン基板（処理
済）、３０・・・基板放射加熱型、３２・・・基板回転
手段、４４・・・水冷パネル、４６・・・未処理シリコ
ン基板、４８・・・カセット、５４・・・気密性主容器
４側の面、５６・・・５４と向い合う面、５８・・・レ
ール、６２・・・基板移動手段。
Claims (8)
- （１）シリコン基板を清浄化する工程と、当該工程後シ
リコン基板を超高真空下で熱的に脱ガスしながら、６０
０〜８００℃に加熱し、当該温度においてシリコン基板
上に少くとも一種の耐熱性金属を蒸着する工程と、当該
工程後温度を連続的に降下する工程とから成ることを特
徴とする耐熱性金属の珪化膜成長方法。 - （２）前記シリコン基板の熱的脱ガス工程および蒸着工
程を、予め１０＾−＾８パスカル程度に圧力を低下させ
た主容器内で行うことを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の耐熱性金属の珪化膜成長方法。 - （３）耐熱性金属蒸着面と反対側の面へ放射線を照射し
てシリコン基板を所定温度に加熱することを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の耐熱性金属の珪化膜成
長方法。 - （４）前記耐熱性金属の蒸着中、シリコン基板をその蒸
着面に垂直な軸の周りに回転させながら蒸着することを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の耐熱性金属
の珪化膜成長方法。 - （５）気密性主容器と、この気密性主容器に設けた高真
空を作るための手段と、基板をサポートするための手段
と、基板加熱手段と、基板の表面に耐熱性金属を蒸着さ
せる蒸着手段とから成ることを特徴とするシリコン基板
上に少くとも一種の耐熱性金属の珪素化合物膜を成長さ
せる装置。 - （６）前記の他に、更に基板保管のために気密性主容器
とつながりまた気密性主容器に対してアイソレート可能
の補助容器と、基板を補助容器から気密性主容器へ、又
は逆方向に連続して又は個々に移動させる手段を設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載の装置
。 - （７）さらに基板の裏面に熱放射する加熱手段を設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載の装置
。 - （８）前記の他、更に基板面に垂直な軸の周りに基板を
回転させる基板回転手段を設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第（５）項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8412409 | 1984-08-06 | ||
| FR8412409A FR2568593B1 (fr) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | Procede et dispositif de croissance de couches de siliciures de metaux refractaires et couches obtenues par ce procede |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228623A true JPS61228623A (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=9306826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171934A Pending JPS61228623A (ja) | 1984-08-06 | 1985-08-06 | 耐熱性金属の珪化膜成長方法および装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4643914A (ja) |
| JP (1) | JPS61228623A (ja) |
| FR (1) | FR2568593B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383861A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ＳｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6096638A (en) * | 1995-10-28 | 2000-08-01 | Nec Corporation | Method for forming a refractory metal silicide layer |
| JP2003093370A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Sony Corp | 指紋検出装置 |
-
1984
- 1984-08-06 FR FR8412409A patent/FR2568593B1/fr not_active Expired
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60171934A patent/JPS61228623A/ja active Pending
- 1985-08-06 US US06/763,124 patent/US4643914A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383861A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ＳｉＣコーティングＳｉＣセラミックス製品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4643914A (en) | 1987-02-17 |
| FR2568593A1 (fr) | 1986-02-07 |
| FR2568593B1 (fr) | 1986-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2766774B2 (ja) | 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 | |
| Kakkad et al. | Crystallized Si films by low‐temperature rapid thermal annealing of amorphous silicon | |
| US20070125303A1 (en) | High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation | |
| JP2010272875A (ja) | 大領域ガラス基板のコーティング及びアニーリング方法 | |
| JPH01225311A (ja) | 気相成長装置 | |
| US5314848A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device using a heat treatment according to a temperature profile that prevents grain or particle precipitation during reflow | |
| JPH10149984A (ja) | 多結晶シリコンの形成方法及び形成装置 | |
| JPS61228623A (ja) | 耐熱性金属の珪化膜成長方法および装置 | |
| JPS62502043A (ja) | シリコン・カ−バイド半導体デバイスのためのウェ−ハ・ベ−ス | |
| Krebs et al. | Crystal-glass transition in Zr-Co multilayers observed by in situ X-ray diffraction measurements | |
| Stowell | Direct observations of epitaxial growth | |
| Ghosh et al. | Preparation and electrical properties of thin films of antimony sulphur iodide (SbSI) | |
| Buaud et al. | I n situ strain measurements during the formation of platinum silicide films | |
| JP3138291B2 (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法 | |
| US5137868A (en) | Method for preparing a superconducting device | |
| JPS59171114A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| KR100738659B1 (ko) | 니켈 할로겐 화합물 분위기를 이용한 다결정 규소박막의제조방법 | |
| Mäenpää et al. | Crystallization investigation of NiSi 2 thin films | |
| JP3362420B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62208678A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| JP2001085440A (ja) | 枚葉式基板熱処理装置及び該装置を使用する基板冷却方法 | |
| Yun et al. | Systematic investigation of the growth of LaNiO3/PZT/LaNiO3/Si and LaNiO3/PZT/LaNiO3/polymer/Si for IR detector applications | |
| JPS61217576A (ja) | タングステン薄膜の形成方法 | |
| Amano | Reduction of crystalline defects in sos by room temperature Si ion implantation | |
| US3257247A (en) | Method of forming a p-n junction |