JP3183846B2 - クリーニングガス及びエッチングガス - Google Patents
クリーニングガス及びエッチングガスInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガス、及び各種製品上の膜を除去するためのエッチン
グガスに関する。
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガス、及び各種製品上の膜を除去するためのエッチン
グガスに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には、膜、ウイスカや粉体を堆積させ
るべき目的物の上以外の反応器内壁、目的物を担持する
冶具等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成する
とパーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、
ウイスカを製造することが困難になるため随時除去しな
ければならない。また、半導体やＴＦＴ等において回路
を構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するた
めに薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う
必要があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェーパーマシ
ーニング）においては、Ｓｉインゴット等をガスエッチ
ングにより切断する必要がある。
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には、膜、ウイスカや粉体を堆積させ
るべき目的物の上以外の反応器内壁、目的物を担持する
冶具等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成する
とパーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、
ウイスカを製造することが困難になるため随時除去しな
ければならない。また、半導体やＴＦＴ等において回路
を構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するた
めに薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う
必要があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェーパーマシ
ーニング）においては、Ｓｉインゴット等をガスエッチ
ングにより切断する必要がある。
【０００３】このような不要な堆積物の除去を行った
り、材料の切断を行ったりするエッチングガスやクリー
ニングガスに求められる性能としては、エッチングま
たはクリーニング対象物に対する反応速度が高い、ク
リーニング排ガスの処理が比較的容易である、比較的
大気中で不安定であり、地球温暖化に対する影響が小さ
いこと、等が望まれる。現状では、このような不要な堆
積物を除去するために、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4、ＮＦ3 等のク
リーニングガスが使用されている。しかしながら、これ
らのガスは非常に安定な化合物であるためクリーニング
後の排ガスの処理が困難であり、また処理のために高温
が必要であるためランニングコストが比較的高価であ
る。さらに、環境中に安定に存在し地球温暖化係数が高
いため環境への悪影響が問題となっている。
り、材料の切断を行ったりするエッチングガスやクリー
ニングガスに求められる性能としては、エッチングま
たはクリーニング対象物に対する反応速度が高い、ク
リーニング排ガスの処理が比較的容易である、比較的
大気中で不安定であり、地球温暖化に対する影響が小さ
いこと、等が望まれる。現状では、このような不要な堆
積物を除去するために、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4、ＮＦ3 等のク
リーニングガスが使用されている。しかしながら、これ
らのガスは非常に安定な化合物であるためクリーニング
後の排ガスの処理が困難であり、また処理のために高温
が必要であるためランニングコストが比較的高価であ
る。さらに、環境中に安定に存在し地球温暖化係数が高
いため環境への悪影響が問題となっている。
【０００４】現在、広く使用されているクリーニング・
エッチングガスには以下のような問題がある。 (1)ＣｌＦ3：非常に反応性が高いため、高温下で使用し
た場合やプラズマを利用した場合には通常使われている
装置材料の損傷が著しい。 (2)ＮＦ3：３００℃以上の高温でなければ反応性が低
く、配管やプラズマ領域外に堆積した不要物のクリーニ
ングはできない。 (3)Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4：配管やプラズマ領域外に堆積した不
要物のクリーニングはできない。また、プラズマクリー
ニングするとフロロカーボン系の化合物が堆積する。フ
ロロカーボンの堆積量を減ずるため酸素を添加すると酸
化物の発生が起こる。
エッチングガスには以下のような問題がある。 (1)ＣｌＦ3：非常に反応性が高いため、高温下で使用し
た場合やプラズマを利用した場合には通常使われている
装置材料の損傷が著しい。 (2)ＮＦ3：３００℃以上の高温でなければ反応性が低
く、配管やプラズマ領域外に堆積した不要物のクリーニ
ングはできない。 (3)Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4：配管やプラズマ領域外に堆積した不
要物のクリーニングはできない。また、プラズマクリー
ニングするとフロロカーボン系の化合物が堆積する。フ
ロロカーボンの堆積量を減ずるため酸素を添加すると酸
化物の発生が起こる。
【０００５】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者らは鋭意
検討の結果、ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジショニン
グ）法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用い
て薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において
装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を効率的に除
去するためと加工を行うためのクリーニングガス、及び
各種製品上の膜を除去するためのエッチングガスを見い
だし本発明に至ったものである。
検討の結果、ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジショニン
グ）法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用い
て薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において
装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を効率的に除
去するためと加工を行うためのクリーニングガス、及び
各種製品上の膜を除去するためのエッチングガスを見い
だし本発明に至ったものである。
【０００６】すなわち、本発明は、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、
ＮＦ3 、よりも解離しやすく排ガス処理が比較的容易で
地球環境への悪影響が少ないＯＦ2ガスを少なくとも含
有するガスにより、装置内またはシリコンウエハ、硝子
基板等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリー
ニングガスまたはエッチングガスを提供するものであ
る。
ＮＦ3 、よりも解離しやすく排ガス処理が比較的容易で
地球環境への悪影響が少ないＯＦ2ガスを少なくとも含
有するガスにより、装置内またはシリコンウエハ、硝子
基板等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリー
ニングガスまたはエッチングガスを提供するものであ
る。
【０００７】本発明が対象とするクリーニングまたはエ
ッチングを行うべき物質は、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合
物であり、具体的には、酸化物、窒化物、炭化物及びこ
れらの合金が挙げられる。
ッチングを行うべき物質は、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合
物であり、具体的には、酸化物、窒化物、炭化物及びこ
れらの合金が挙げられる。
【０００８】本発明におけるクリーニングガスまたはエ
ッチングガスは、除去すべき堆積物の種類、厚み及び薄
膜等を製造する装置に使用されている材料の種類を考慮
して、ＯＦ2そのものを用いるか、あるいは窒素、アル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスで希釈して用いるかを選
択すればよい。
ッチングガスは、除去すべき堆積物の種類、厚み及び薄
膜等を製造する装置に使用されている材料の種類を考慮
して、ＯＦ2そのものを用いるか、あるいは窒素、アル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスで希釈して用いるかを選
択すればよい。
【０００９】また、反応条件に関しては、対象材料を考
慮して適時選択され特に制限されることはないが、温度
は、装置材質が石英の場合は８００℃以下、その他の材
質としてセラミックス、アルミ等の金属が使用されてい
る場合は５００℃以下が好ましい。これらの温度以上だ
と腐食が起こり好ましくない。次に、圧力については、
５００℃を超えると１００Ｔｏｒｒ以下にすることが好
ましく、１００Ｔｏｒｒを超えると腐食が起こり好まし
くない。
慮して適時選択され特に制限されることはないが、温度
は、装置材質が石英の場合は８００℃以下、その他の材
質としてセラミックス、アルミ等の金属が使用されてい
る場合は５００℃以下が好ましい。これらの温度以上だ
と腐食が起こり好ましくない。次に、圧力については、
５００℃を超えると１００Ｔｏｒｒ以下にすることが好
ましく、１００Ｔｏｒｒを超えると腐食が起こり好まし
くない。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、かかる実施例に限定されるものではない。
が、かかる実施例に限定されるものではない。
【００１１】実施例１〜２、比較例１〜４ テトラエチルオルソシリケートを主原料として、平行平
板型プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜をシリ
コンウエハ（４インチ）上に２０μｍ堆積させたテスト
ピース（ＣＶＤ法）と、テトラエチルオルソシリケート
を主原料として、シリコン酸化膜をシリコンウエハ（４
インチ）上に２０μｍ堆積させたテストピース（ゾルゲ
ル法）をそれぞれ作成した。
板型プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜をシリ
コンウエハ（４インチ）上に２０μｍ堆積させたテスト
ピース（ＣＶＤ法）と、テトラエチルオルソシリケート
を主原料として、シリコン酸化膜をシリコンウエハ（４
インチ）上に２０μｍ堆積させたテストピース（ゾルゲ
ル法）をそれぞれ作成した。
【００１２】これらのテストピースをプラズマＣＶＤ装
置の下部電極上に設置し、ＯＦ2 、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3 の三
種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣ
Ｍ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部電極
に高周波電力を印可してエッチングを行った（高周波電
源周波数１３．５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃ
ｍ2 、電極間距離５０ｍｍ）。エッチング速度の測定結
果を表１に示した。
置の下部電極上に設置し、ＯＦ2 、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3 の三
種のガスを、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣ
Ｍ、室温の条件下で、テストピースを設置した下部電極
に高周波電力を印可してエッチングを行った（高周波電
源周波数１３．５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃ
ｍ2 、電極間距離５０ｍｍ）。エッチング速度の測定結
果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例３、比較例５〜６ シリコンウエハをＣＶＤ装置の電極上に設置し、ＯＦ
2 、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3 の三種のガスを、ガス圧力５Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可してエッチ
ングを行った（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印
可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離２ｍｍ）。エ
ッチング速度の測定結果を表２に示した。
2 、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3 の三種のガスを、ガス圧力５Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可してエッチ
ングを行った（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印
可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離２ｍｍ）。エ
ッチング速度の測定結果を表２に示した。
【００１５】
【表２】
【００１６】実施例４ 熱ＣＶＤでＷ膜、ＷＳｉ膜、ＴｉＣ膜、Ｔａ2Ｏ5膜をニ
ッケル基板上（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に
５０μｍ成膜した。これら４種のテストピースをプラズ
マＣＶＤ装置の下部電極上に設置し、ＯＦ2ガスを、ガ
ス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件
下で、テストピースを設置した下部電極に高周波電力を
印可して２０分間エッチングを行った（高周波電源周波
数１３．５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、
電極間距離５０ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ
装置内から取り出しＸ線マイクロアナライザで分析した
ところ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉのピークは認められなかった。
ッケル基板上（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に
５０μｍ成膜した。これら４種のテストピースをプラズ
マＣＶＤ装置の下部電極上に設置し、ＯＦ2ガスを、ガ
ス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件
下で、テストピースを設置した下部電極に高周波電力を
印可して２０分間エッチングを行った（高周波電源周波
数１３．５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、
電極間距離５０ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ
装置内から取り出しＸ線マイクロアナライザで分析した
ところ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉのピークは認められなかった。
【００１７】実施例５ 熱ＣＶＤでＭｏ膜、Ｒｅ膜、Ｎｂ膜をニッケル基板上
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５０μｍ成膜
した。これら３種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置
の下部電極上に設置し、ＯＦ2ガスを、ガス圧力１Ｔｏ
ｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下でテストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可して２０分
間エッチングを行った（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り
出しＸ線マイクロアナライザで分析したところＭｏ、Ｒ
ｅ、Ｎｂのピークは認められなかった。
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５０μｍ成膜
した。これら３種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置
の下部電極上に設置し、ＯＦ2ガスを、ガス圧力１Ｔｏ
ｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下でテストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可して２０分
間エッチングを行った（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り
出しＸ線マイクロアナライザで分析したところＭｏ、Ｒ
ｅ、Ｎｂのピークは認められなかった。
【００１８】実施例６ スパッタリングでＴｉＮ膜、Ｔｉ膜をニッケル基板上
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５μｍ成膜し
た。これら２種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、ＯＦ2ガスを、ガス圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可して１０分
間エッチングを行った（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り
出しＸ線マイクロアナライザで分析したところＴｉのピ
ークは認められなかった。
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に５μｍ成膜し
た。これら２種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、ＯＦ2ガスを、ガス圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可して１０分
間エッチングを行った（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り
出しＸ線マイクロアナライザで分析したところＴｉのピ
ークは認められなかった。
【００１９】実施例７ 真空蒸着でＡｕ膜、Ａｇ膜、Ｃｒ膜をニッケル基板上
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に２μｍ成膜し
た。これら２種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、ＯＦ2 ガスを、ガス圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可して１０分
間エッチングを行った（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り
出しＸ線マイクロアナライザで分析したところＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｒのピークは認められなかった。
（Ｌ１０ｍｍ×Ｄ２０ｍｍ×ｔ２ｍｍ）に２μｍ成膜し
た。これら２種のテストピースをプラズマＣＶＤ装置の
下部電極上に設置し、ＯＦ2 ガスを、ガス圧力１Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件下で、テストピ
ースを設置した下部電極に高周波電力を印可して１０分
間エッチングを行った（高周波電源周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０
ｍｍ）。その後、テストピースをＣＶＤ装置内から取り
出しＸ線マイクロアナライザで分析したところＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｒのピークは認められなかった。
【００２０】実施例８ 市販のＰ（黄リン）、Ｔａ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｂの粉
体をニッケル製のポート内に５ｍｇずつとり、ポートを
プラズマＣＶＤ装置の下部電極上に設置し、ＯＦ2ガス
を、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温
の条件下で、テストピースを設置した下部電極に高周波
電力を印可して１０分間エッチング（高周波電源周波数
１３．５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電
極間距離５０ｍｍ）した後、ポート内及び装置内を観察
したが粉体はガス化除去できていた。
体をニッケル製のポート内に５ｍｇずつとり、ポートを
プラズマＣＶＤ装置の下部電極上に設置し、ＯＦ2ガス
を、ガス圧力１Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温
の条件下で、テストピースを設置した下部電極に高周波
電力を印可して１０分間エッチング（高周波電源周波数
１３．５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電
極間距離５０ｍｍ）した後、ポート内及び装置内を観察
したが粉体はガス化除去できていた。
【００２１】実施例９、比較例７ プラズマＣＶＤでシリコンを硝子基板（Ｌ１００ｍｍ×
Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に１２０μｍ成膜した。こ
の時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の膜
が堆積していた。アモルファスシリコンを堆積させた硝
子基板を上部電極上に設置し、ＯＦ2、Ｃ2Ｆ6を各々ガ
ス圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣＣＭ、室温の条
件下で、下部電極に高周波電力を印可して１２０分間エ
ッチングした（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印
可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０ｍｍ）。
エッチング終了後、硝子基板及び反応器内部を観察した
結果を表３に示した。
Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に１２０μｍ成膜した。こ
の時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の膜
が堆積していた。アモルファスシリコンを堆積させた硝
子基板を上部電極上に設置し、ＯＦ2、Ｃ2Ｆ6を各々ガ
ス圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣＣＭ、室温の条
件下で、下部電極に高周波電力を印可して１２０分間エ
ッチングした（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印
可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距離５０ｍｍ）。
エッチング終了後、硝子基板及び反応器内部を観察した
結果を表３に示した。
【００２２】
【表３】
【００２３】実施例１０、比較例８〜９ プラズマＣＶＤで窒化シリコンを硝子基板（Ｌ１００ｍ
ｍ×Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に６０μｍ成膜した。
この時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の
膜が堆積していた。窒化シリコンを堆積させた硝子基板
を上部電極上に設置し、ＯＦ2、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3を各々ガ
ス圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣＣＭ、室温の条
件下で、下部電極に高周波電力を印可して１２０分間エ
ッチングした（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印
可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距離５０ｍｍ）。
エッチング終了後、硝子基板及び反応器内部を観察した
結果を表４に示した。
ｍ×Ｄ１００ｍｍ×ｔ２ｍｍ）上に６０μｍ成膜した。
この時、装置内壁や下部電極、上部電極周辺にも多量の
膜が堆積していた。窒化シリコンを堆積させた硝子基板
を上部電極上に設置し、ＯＦ2、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3を各々ガ
ス圧力５Ｔｏｒｒ、ガス流量１００ＳＣＣＭ、室温の条
件下で、下部電極に高周波電力を印可して１２０分間エ
ッチングした（高周波電源周波数１３．５６ＭＨｚ、印
可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2 、電極間距離５０ｍｍ）。
エッチング終了後、硝子基板及び反応器内部を観察した
結果を表４に示した。
【００２４】
【表４】
【００２５】実施例１１、比較例１０〜１１ テトラエチルオルソシリケートを主原料として平行平板
型プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜をシリコ
ンウエハ（４インチ）上に２０μｍ堆積させたテストピ
ースを作成した。これらのテストピースをプラズマＣＶ
Ｄ装置の下部電極上に設置し、ＯＦ2、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3
の三種のガスをヘリウムで１０ｖｏｌ％に希釈し、ガス
圧力１０Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件
下で、テストピースを設置した下部電極に高周波電力を
印可してエッチングを行った（高周波電源周波数１３．
５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距
離５０ｍｍ）。エッチング速度の測定結果を表５に示し
た。
型プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜をシリコ
ンウエハ（４インチ）上に２０μｍ堆積させたテストピ
ースを作成した。これらのテストピースをプラズマＣＶ
Ｄ装置の下部電極上に設置し、ＯＦ2、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3
の三種のガスをヘリウムで１０ｖｏｌ％に希釈し、ガス
圧力１０Ｔｏｒｒ、ガス流量１０ＳＣＣＭ、室温の条件
下で、テストピースを設置した下部電極に高周波電力を
印可してエッチングを行った（高周波電源周波数１３．
５６ＭＨｚ、印可電力０．３１５Ｗ／ｃｍ2、電極間距
離５０ｍｍ）。エッチング速度の測定結果を表５に示し
た。
【００２６】
【表５】
【００２７】実施例１２〜２７ 酸化膜付シリコンウエハ上に熱ＣＶＤでＷ、ＷＳｉｘ、
Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｇｅ、Ｓｉ
3Ｎ4、Ｓｉ膜を各々１μｍ成膜した。これらの膜をＡｒ
で１０％濃度に調整したＯＦ2で１ＳＬＭ、２時間プラ
ズマレスクリーニングを実施した。その条件および結果
を表６に示した。
Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｏ5、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｇｅ、Ｓｉ
3Ｎ4、Ｓｉ膜を各々１μｍ成膜した。これらの膜をＡｒ
で１０％濃度に調整したＯＦ2で１ＳＬＭ、２時間プラ
ズマレスクリーニングを実施した。その条件および結果
を表６に示した。
【００２８】
【表６】
【００２９】実施例２８、比較例１２、１３ 平行平板型プラズマＣＶＤ装置内にＳｉＨ4を導入し、
電極温度２５０℃でａ−Ｓｉ：Ｈ膜を製作した。反応器
の器壁にはａ−Ｓｉ：Ｈ膜（１〜１０μm）、配管の中
にはポリシラン粉が堆積していた。この装置をＡｒで１
０％に希釈したＯＦ2、ＣｌＦ3及びＣＦ4導入しプラズ
マレスクリーニングした。クリーニング条件は、電極温
度を２５０℃に加熱し、反応器の器壁は、１００℃以
下、配管部も１００℃以下に冷却し、圧力５Ｔｏｒｒ、
時間２時間、総流量１ＳＬＭとした。
電極温度２５０℃でａ−Ｓｉ：Ｈ膜を製作した。反応器
の器壁にはａ−Ｓｉ：Ｈ膜（１〜１０μm）、配管の中
にはポリシラン粉が堆積していた。この装置をＡｒで１
０％に希釈したＯＦ2、ＣｌＦ3及びＣＦ4導入しプラズ
マレスクリーニングした。クリーニング条件は、電極温
度を２５０℃に加熱し、反応器の器壁は、１００℃以
下、配管部も１００℃以下に冷却し、圧力５Ｔｏｒｒ、
時間２時間、総流量１ＳＬＭとした。
【００３０】その結果、ＯＦ2を用いた場合、反応器、
配管ともに完全にクリーニングできており装置材料の腐
蝕は全く認められなかった。ＣｌＦ3を用いた場合、反
応器、配管ともに完全にクリーニングできていたがステ
ンレス製の加熱していた電極が腐蝕していた。ＣＦ4を
用いた場合、クリーニングは全くできていなかった。
配管ともに完全にクリーニングできており装置材料の腐
蝕は全く認められなかった。ＣｌＦ3を用いた場合、反
応器、配管ともに完全にクリーニングできていたがステ
ンレス製の加熱していた電極が腐蝕していた。ＣＦ4を
用いた場合、クリーニングは全くできていなかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明のＯＦ2を含有するガスを用いる
ことにより、前述したように極めてエッチング、クリー
ニング性能に優れ、かつ装置材料への損傷が極めて少な
いエッチングまたはクリーニングを可能にするものであ
る。
ことにより、前述したように極めてエッチング、クリー
ニング性能に優れ、かつ装置材料への損傷が極めて少な
いエッチングまたはクリーニングを可能にするものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/44 C23C 14/00 - 14/58 C23F 1/00 - 4/04 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/302 H01L 21/31 ＣＡ（ＳＴＮ) ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜形成装置の中に生成した堆積物をク
リーニング除去するための、少なくともＯＦ2ガスを含
有したガスからなり、解離しやすく排ガス処理の容易な
ガス。 - 【請求項２】 シリコンウエハ、金属、硝子、結晶の上
に堆積した膜をエッチング除去するための、少なくとも
ＯＦ2ガスを含有したガスからなり、解離しやすく排ガ
ス処理の容易なガス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13012097A JP3183846B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | クリーニングガス及びエッチングガス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13012097A JP3183846B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | クリーニングガス及びエッチングガス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317146A JPH10317146A (ja) | 1998-12-02 |
| JP3183846B2 true JP3183846B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=15026436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13012097A Expired - Fee Related JP3183846B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | クリーニングガス及びエッチングガス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183846B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102021413B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2019-09-16 | (주)원익머트리얼즈 | 반도체 제조 공정용 건식 세정 가스 및 이를 사용하는 세정 방법 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP13012097A patent/JP3183846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10317146A (ja) | 1998-12-02 |
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