JP3152386B2 - 酸化タンタル製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
酸化タンタル製造装置のクリーニング方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化タンタル製造
装置の反応器、該装置の冶具または該装置に接続した配
管内に付着もしくは堆積した酸化タンタルおよびタンタ
ルアルコキシドの分解物等を装置、冶具、配管そのもの
を損傷させることなく安全に除去する方法に関する。
装置の反応器、該装置の冶具または該装置に接続した配
管内に付着もしくは堆積した酸化タンタルおよびタンタ
ルアルコキシドの分解物等を装置、冶具、配管そのもの
を損傷させることなく安全に除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】タン
タルアルコキシドを原料として用い、ＣＶＤにより製造
された酸化タンタルは、高誘電材料として半導体をはじ
めとする産業分野で使用されている。しかし、この方法
で酸化タンタルを製造しようとする場合、反応器内壁に
は、主に成膜基板上に堆積する酸化タンタルと同様の固
体状膜が堆積し、また配管等の低温部分には、未反応の
タンタルアルコキシド及びその分解物（低次縮重合物
［（ＴａＣxＨyＯz）n］）が堆積する。
タルアルコキシドを原料として用い、ＣＶＤにより製造
された酸化タンタルは、高誘電材料として半導体をはじ
めとする産業分野で使用されている。しかし、この方法
で酸化タンタルを製造しようとする場合、反応器内壁に
は、主に成膜基板上に堆積する酸化タンタルと同様の固
体状膜が堆積し、また配管等の低温部分には、未反応の
タンタルアルコキシド及びその分解物（低次縮重合物
［（ＴａＣxＨyＯz）n］）が堆積する。
【０００３】反応器内の酸化タンタルが厚く堆積すると
付着箇所から剥離し、反応器内にパーティクルを発生さ
せる原因になり、配管中に未反応の液状タンタルアルコ
キシドや低次縮重合物が堆積すると気層中へのガス状物
質の拡散を原因とする核形成によるパーティクルの発生
が起こる。従って、これらをクリーニングしなければな
らない。
付着箇所から剥離し、反応器内にパーティクルを発生さ
せる原因になり、配管中に未反応の液状タンタルアルコ
キシドや低次縮重合物が堆積すると気層中へのガス状物
質の拡散を原因とする核形成によるパーティクルの発生
が起こる。従って、これらをクリーニングしなければな
らない。
【０００４】現状のこれら堆積物の除去法としては、装
置、配管等を解体し、人力により擦り採る方法、強酸に
よる湿式洗浄方法、サンドブラスト法により除去する方
法が一般的に用いられている。また、反応器内に限れ
ば、ＮＦ3ガスによるプラズマクリーニングも行われてい
る。ところが、これらの方法では、洗浄のために装置解
体、配管解体、冶具取り出し等の作業が必要であり、長
時間の作業時間を必要としＣＶＤ装置の稼働率を著しく
損う。ＮＦ3によるプラズマクリーニングでは、プラズマ
雰囲気外の部分は洗浄できず、配管内は当然クリーニン
グできない。 以上のことから安全かつ効率的にこれら
の堆積物を除去する方法が望まれている。
置、配管等を解体し、人力により擦り採る方法、強酸に
よる湿式洗浄方法、サンドブラスト法により除去する方
法が一般的に用いられている。また、反応器内に限れ
ば、ＮＦ3ガスによるプラズマクリーニングも行われてい
る。ところが、これらの方法では、洗浄のために装置解
体、配管解体、冶具取り出し等の作業が必要であり、長
時間の作業時間を必要としＣＶＤ装置の稼働率を著しく
損う。ＮＦ3によるプラズマクリーニングでは、プラズマ
雰囲気外の部分は洗浄できず、配管内は当然クリーニン
グできない。 以上のことから安全かつ効率的にこれら
の堆積物を除去する方法が望まれている。
【０００５】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者らは鋭意
検討の結果、一般的にアルコキシド類と接触すると燃焼
反応を起こすと考えられていたＦ2やＣｌＦ3等の強力な
フッ素化能力を持つ物質を用いて安全かつ効率的に除去
する方法を見いだし本発明に到達した。
検討の結果、一般的にアルコキシド類と接触すると燃焼
反応を起こすと考えられていたＦ2やＣｌＦ3等の強力な
フッ素化能力を持つ物質を用いて安全かつ効率的に除去
する方法を見いだし本発明に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、酸化タンタルを製造
する装置において、該装置内部等に堆積した酸化タンタ
ルやタンタルアルコキシドの分解物及び未反応物と、Ｆ
2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ5、ＩＦ7のうち少
なくとも１種とを反応させ除去することを特徴とする酸
化タンタル製造装置のクリーニング方法を提供するもの
である。
する装置において、該装置内部等に堆積した酸化タンタ
ルやタンタルアルコキシドの分解物及び未反応物と、Ｆ
2、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ5、ＩＦ7のうち少
なくとも１種とを反応させ除去することを特徴とする酸
化タンタル製造装置のクリーニング方法を提供するもの
である。
【０００７】さらに詳述すると、Ｆ2においてはＦ2ガス
分圧３５Ｔｏｒｒ、ＣｌＦ3においては３０Ｔｏｒｒ、
ＢｒＦ3においては３０Ｔｏｒｒ、ＢｒＦ5においては３
０Ｔｏｒｒ、ＩＦ5においては４０Ｔｏｒｒ、ＩＦ7にお
いては４０Ｔｏｒｒ以下のガス分圧にそれぞれ保持して
おけばタンタルアルコキシドもしくはその低次縮重合物
とフッ素系ガスとの接触による発火が起こらないことを
見いだし本発明に到達したものである。
分圧３５Ｔｏｒｒ、ＣｌＦ3においては３０Ｔｏｒｒ、
ＢｒＦ3においては３０Ｔｏｒｒ、ＢｒＦ5においては３
０Ｔｏｒｒ、ＩＦ5においては４０Ｔｏｒｒ、ＩＦ7にお
いては４０Ｔｏｒｒ以下のガス分圧にそれぞれ保持して
おけばタンタルアルコキシドもしくはその低次縮重合物
とフッ素系ガスとの接触による発火が起こらないことを
見いだし本発明に到達したものである。
【０００８】本発明におけるクリーニングの対象は、Ｃ
ＶＤ装置の反応器内に堆積するＴａ 2Ｏ5と排気系の配管
及び配管と真空ポンプとの間に設置したトラップ内に堆
積する未反応のタンタルアルコキシド及び低次縮重合物
である。
ＶＤ装置の反応器内に堆積するＴａ 2Ｏ5と排気系の配管
及び配管と真空ポンプとの間に設置したトラップ内に堆
積する未反応のタンタルアルコキシド及び低次縮重合物
である。
【０００９】反応器内に堆積するＴａ2Ｏ5は２００℃以
上６００℃以下でクリーニングすることが好ましい。２
００℃以下でクリーニングするとＴａ2Ｏ5表面にフッ化
タンタル層が生成し、反応の進行を妨げるため完全に堆
積物をガス化除去することができなくなる。また、６０
０℃を越えると装置内部に使用されている材料の腐蝕が
著しくなり、腐食生成物による反応器内部の汚染が起こ
るため好ましくない。圧力条件は反応速度を十分に取る
ために、フッ素系ガス分圧で０．１Ｔｏｒｒ以上である
ことが好ましい。ただし、反応器内部を通過したガス
は、排気配管も通過するため、上述した圧力以下でクリ
ーニングするか、または、上述した圧力条件以上の範囲
でクリーニングする場合は、反応器の出口でＮ2、Ｈ
ｅ、Ａｒ、ドライエアー等のガスで上述したフッ素系ガ
スの圧力範囲に希釈することが必要である。
上６００℃以下でクリーニングすることが好ましい。２
００℃以下でクリーニングするとＴａ2Ｏ5表面にフッ化
タンタル層が生成し、反応の進行を妨げるため完全に堆
積物をガス化除去することができなくなる。また、６０
０℃を越えると装置内部に使用されている材料の腐蝕が
著しくなり、腐食生成物による反応器内部の汚染が起こ
るため好ましくない。圧力条件は反応速度を十分に取る
ために、フッ素系ガス分圧で０．１Ｔｏｒｒ以上である
ことが好ましい。ただし、反応器内部を通過したガス
は、排気配管も通過するため、上述した圧力以下でクリ
ーニングするか、または、上述した圧力条件以上の範囲
でクリーニングする場合は、反応器の出口でＮ2、Ｈ
ｅ、Ａｒ、ドライエアー等のガスで上述したフッ素系ガ
スの圧力範囲に希釈することが必要である。
【００１０】次に排気系に堆積する未反応のＴａ（ＯＣ
2Ｈ5）5及びその低次縮重合物のクリーニングについて
述べる。未反応のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5及びその低次縮重
合物が排気装置であるドライポンプ中に流入するとポン
プ中で分解し、Ｔａ2Ｏ5となりポンプのロータを損傷し
たり、ポンプから排ガス処理装置までの間の排気ダクト
中に液状、粉状物質が堆積したりする。従って、ドライ
ポンプ前段にトラップを設置して未反応のＴａ（ＯＣ2
Ｈ5）5及びその低次縮重合物を捕集することが好まし
い。この場合、トラップ及び排気系配管の温度は、
Ｆ2、ＣｌＦ3等の腐蝕及び未反応のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5
またはその低次縮重合物の捕集効率を考慮すると配管は
室温（１４℃）以上、１００℃以下に、トラップは６０
℃以下に保持することが好ましく、クリーニングもこの
温度範囲で行うことが好ましい。但し、未反応のＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5とＦ2等のクリーニグガスが接触するとＴ
ａＯ2Ｆを反応残渣として極少量生じる場合がある。Ｔ
ａＯ2Ｆが生成した場合は、トラップ温度を６０℃以上
に加温することにより完全にガス化することができる。
この場合、トラップ温度は、使用するフッ化物ガスとト
ラップ材料との腐蝕を考慮して適時決定すればよい。た
とえば一般的な材料として使用されているステンレスを
トラップ材料として使用する場合は、Ｆ2で２６０℃以
下、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ5、ＩＦ7では２００
℃以下に保持すればよい。また、金属材料としてニッケ
ルやアルミなどの高耐蝕性材料を用いた場合はこの限り
ではない。ＴａＯ2Ｆは、フッ素系ガスと接触しても発
火する危険はないため圧力条件は適宜決定すればよい。
2Ｈ5）5及びその低次縮重合物のクリーニングについて
述べる。未反応のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5及びその低次縮重
合物が排気装置であるドライポンプ中に流入するとポン
プ中で分解し、Ｔａ2Ｏ5となりポンプのロータを損傷し
たり、ポンプから排ガス処理装置までの間の排気ダクト
中に液状、粉状物質が堆積したりする。従って、ドライ
ポンプ前段にトラップを設置して未反応のＴａ（ＯＣ2
Ｈ5）5及びその低次縮重合物を捕集することが好まし
い。この場合、トラップ及び排気系配管の温度は、
Ｆ2、ＣｌＦ3等の腐蝕及び未反応のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5
またはその低次縮重合物の捕集効率を考慮すると配管は
室温（１４℃）以上、１００℃以下に、トラップは６０
℃以下に保持することが好ましく、クリーニングもこの
温度範囲で行うことが好ましい。但し、未反応のＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5とＦ2等のクリーニグガスが接触するとＴ
ａＯ2Ｆを反応残渣として極少量生じる場合がある。Ｔ
ａＯ2Ｆが生成した場合は、トラップ温度を６０℃以上
に加温することにより完全にガス化することができる。
この場合、トラップ温度は、使用するフッ化物ガスとト
ラップ材料との腐蝕を考慮して適時決定すればよい。た
とえば一般的な材料として使用されているステンレスを
トラップ材料として使用する場合は、Ｆ2で２６０℃以
下、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ5、ＩＦ7では２００
℃以下に保持すればよい。また、金属材料としてニッケ
ルやアルミなどの高耐蝕性材料を用いた場合はこの限り
ではない。ＴａＯ2Ｆは、フッ素系ガスと接触しても発
火する危険はないため圧力条件は適宜決定すればよい。
【００１１】また、必要に応じて希釈ガスとして窒素、
ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを使用しても良い。
ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを使用しても良い。
【００１２】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に述べる
が、かかる実施例に限定されるものではない。
が、かかる実施例に限定されるものではない。
【００１３】実施例１〜７，比較例１ ＳＵＳ３１６製時計皿中にペンタエトキシタンタルを１
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＦ2を表１に示した条件で流通させ、
発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタエト
キシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温度を
計測した。結果を表１に示した。
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＦ2を表１に示した条件で流通させ、
発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタエト
キシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温度を
計測した。結果を表１に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例８〜１２，比較例２ ＳＵＳ３１６製時計皿中にペンタエトキシタンタルを１
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＣｌＦ3を表２に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表２に示した。
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＣｌＦ3を表２に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表２に示した。
【００１６】
【表２】
【００１７】実施例１３〜１７，比較例３ ＳＵＳ３１６製時計皿中にペンタエトキシタンタルを１
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＢｒＦ3を表３に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表３に示した。
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＢｒＦ3を表３に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表３に示した。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例１８〜２２，比較例４ ＳＵＳ３１６製時計皿中にペンタエトキシタンタルを１
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＢｒＦ5を表４に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表４に示した。
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＢｒＦ5を表４に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表４に示した。
【００２０】
【表４】
【００２１】実施例２３〜３０，比較例５ ＳＵＳ３１６製時計皿中にペンタエトキシタンタルを１
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＩＦ5を表５に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表５に示した。
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＩＦ5を表５に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表５に示した。
【００２２】
【表５】
【００２３】実施例３１〜３８，比較例６ ＳＵＳ３１６製時計皿中にペンタエトキシタンタルを１
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＩＦ7を表６に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表６に示した。
０ｇとり、石英チューブ中に設置した。このチューブ中
に窒素で希釈したＩＦ7を表６に示した条件で流通さ
せ、発火の有無を目視で確認するとともに先端をペンタ
エトキシタンタル中に浸したＡｌ保護管付き熱電対で温
度を計測した。結果を表６に示した。
【００２４】
【表６】
【００２５】実施例３９ ペンタエトキシタンタルと酸素を混合し３００℃で硝子
基板状にＴａ2Ｏ5を成膜するＣＶＤ装置内部を解体し内
部を観察したところ、反応器内壁にはＴａ2Ｏ5が約１μ
ｍ、排気配管中に設置したトラップ中に未反応のＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5及びその低次縮重合物が約２００ｇ堆積
していた。同様の操作を行った後の該装置に、ＣｌＦ3
とＮ2の混合ガス（系内圧力：１０Ｔｏｒｒ、ＣｌＦ3流
量：１００ＳＣＣＭ、Ｎ2流量：９００ＳＣＣＭ、反応
器内部温度：２５０℃、排気配管温度：６０℃、時間：
１時間）を導入してクリーニングを試みたところ、反応
器内及び配管内の堆積物は全て除去できていた。また、
排気系の配管温度上昇も起こらず、腐蝕も起こっていな
かった。
基板状にＴａ2Ｏ5を成膜するＣＶＤ装置内部を解体し内
部を観察したところ、反応器内壁にはＴａ2Ｏ5が約１μ
ｍ、排気配管中に設置したトラップ中に未反応のＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5及びその低次縮重合物が約２００ｇ堆積
していた。同様の操作を行った後の該装置に、ＣｌＦ3
とＮ2の混合ガス（系内圧力：１０Ｔｏｒｒ、ＣｌＦ3流
量：１００ＳＣＣＭ、Ｎ2流量：９００ＳＣＣＭ、反応
器内部温度：２５０℃、排気配管温度：６０℃、時間：
１時間）を導入してクリーニングを試みたところ、反応
器内及び配管内の堆積物は全て除去できていた。また、
排気系の配管温度上昇も起こらず、腐蝕も起こっていな
かった。
【００２６】実施例４０ 反応性スパッタで硝子基板上にＴａ2Ｏ5を成膜する装置
のチャンバ内壁には、Ｔａ2Ｏ5膜が１０μｍ堆積してい
た。このチャンバをヒータを備えたＮｉ製の反応管内に
設置し、ＣｌＦ3に暴露した（濃度１００％，圧力１０
Ｔｏｒｒ，温度２５０℃、流量：１ＳＬＭ、時間：１時
間）。反応終了後、チャンバ内を観察したところ内壁に
堆積していたＴａ2Ｏ5は完全に除去できていた。
のチャンバ内壁には、Ｔａ2Ｏ5膜が１０μｍ堆積してい
た。このチャンバをヒータを備えたＮｉ製の反応管内に
設置し、ＣｌＦ3に暴露した（濃度１００％，圧力１０
Ｔｏｒｒ，温度２５０℃、流量：１ＳＬＭ、時間：１時
間）。反応終了後、チャンバ内を観察したところ内壁に
堆積していたＴａ2Ｏ5は完全に除去できていた。
【００２７】実施例４１ ペンタエトキシタンタルを液状で５４０℃に加熱した硝
子基板状に吹き付け、Ｔａ2Ｏ5を成膜する装置内部を解
体し内部を観察したところ、反応器内壁には、Ｔａ2Ｏ5
が約１０μｍ、排気配管中に設置したトラップ中に未反
応のＴａ（ＯＣ 2Ｈ5）5及びその低次縮重合物が約２５
０ｇ堆積していた。同様の操作を行った後の該装置に、
ＣｌＦ3とＮ2の混合ガス（系内圧力：１０Ｔｏｒｒ、Ｃ
ｌＦ3流量：１００ＳＣＣＭ、Ｎ2流量：９００ＳＣＣ
Ｍ、反応器内部温度：３００℃、排気配管温度：６０
℃、時間：３時間）を導入してクリーニングを試みたと
ころ、反応器内及び配管内の堆積物は全て除去できてい
た。また、排気系の配管温度上昇も起こらず、腐蝕も起
こっていなかった。
子基板状に吹き付け、Ｔａ2Ｏ5を成膜する装置内部を解
体し内部を観察したところ、反応器内壁には、Ｔａ2Ｏ5
が約１０μｍ、排気配管中に設置したトラップ中に未反
応のＴａ（ＯＣ 2Ｈ5）5及びその低次縮重合物が約２５
０ｇ堆積していた。同様の操作を行った後の該装置に、
ＣｌＦ3とＮ2の混合ガス（系内圧力：１０Ｔｏｒｒ、Ｃ
ｌＦ3流量：１００ＳＣＣＭ、Ｎ2流量：９００ＳＣＣ
Ｍ、反応器内部温度：３００℃、排気配管温度：６０
℃、時間：３時間）を導入してクリーニングを試みたと
ころ、反応器内及び配管内の堆積物は全て除去できてい
た。また、排気系の配管温度上昇も起こらず、腐蝕も起
こっていなかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明の方法により、酸化タンタル製造
装置等に付着した酸化タンタルやタンタルアルコキシド
分解物等の不要堆積物をプラズマレスで安全かつ効率的
に除去クリーニングすることを可能にした。
装置等に付着した酸化タンタルやタンタルアルコキシド
分解物等の不要堆積物をプラズマレスで安全かつ効率的
に除去クリーニングすることを可能にした。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 35/00 C23C 16/44
Claims (1)
- 【請求項１】 タンタルアルコキシドを用いて酸化タン
タルを製造する装置の内部にフッ素系ガスを流通させる
ことによってクリーニングする方法において、該装置内
部、配管等に堆積したタンタルアルコキシドの分解物及
び未反応物と、ガス分圧３５Ｔｏｒｒ以下のＦ2、ガス
分圧３０Ｔｏｒｒ以下のＣｌＦ3、ガス分圧３０Ｔｏｒ
ｒ以下のＢｒＦ3、ガス分圧３０Ｔｏｒｒ以下のＢｒ
Ｆ5、ガス分圧４０Ｔｏｒｒ以下のＩＦ5、ガス分圧４０
Ｔｏｒｒ以下のＩＦ7のうち少なくとも１種とを接触に
より反応させて除去することを特徴とする酸化タンタル
製造装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12432296A JP3152386B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 酸化タンタル製造装置のクリーニング方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12432296A JP3152386B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 酸化タンタル製造装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09301718A JPH09301718A (ja) | 1997-11-25 |
| JP3152386B2 true JP3152386B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=14882475
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12432296A Expired - Fee Related JP3152386B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 酸化タンタル製造装置のクリーニング方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152386B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6581612B1 (en) * | 2001-04-17 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Chamber cleaning with fluorides of iodine |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP12432296A patent/JP3152386B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09301718A (ja) | 1997-11-25 |
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